JP2010258210A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型ボディ層4の直下の、P型ボディ層4とBOX層2の間のN型SOI層3中にP+B埋め込み層13を形成することにより、P+B埋め込み層13が存在しなかった時にBOX層2まで拡がらず、絶縁破壊に至ったP型ボディ層4からN型SOI層3に延びる空乏層を、BOX層2近傍まで延ばすことができる。これによりP型ボディ層4からの空乏層とBOX層2からN型SOI層3に延びる空乏層と一体化することができ、N+型ドレイン層8に向かいN型SOI層3内の全体に空乏層を拡げる事ができる。
【選択図】図4
Description
第1の実施形態について説明する前に、高耐圧LDMOSFETの断面構造と、比較例としてN型SOI層3が20μmと比較的薄い場合のP型ボディ層からBOX層に広がる空乏層の様子等について説明する。図1は比較例である高耐圧LDMOSFETの断面図である。半導体基板1の表面上に、埋め込み絶縁層であるBOX(Buried Oxide)層2を介してN型SOI(Si on Insulator)層3が形成されている。また、N型SOI層3の表面にはP型ボディ層4、N型ドリフト層5が形成される。
本発明の第2の実施形態について図6〜図8を参照して説明する。本実施形態では、N型SOI層3の膜厚が厚いためP+B埋め込み層13の形成が、高電圧加速イオン注入装置を使用しても困難な場合に対処するものである。図6Aに示すように、2枚の半導体基板を酸化膜を介して貼り合わせ、その後、N型SOI層3を形成する側の半導体基板を研削等して薄膜化するのは、第1の実施形態の場合と同様である。異なるのは、P+B埋め込み層13となる領域に不純物を導入する方法が、通常のイオン注入装置を使用するか、またはBN等のボロン不純物源を使用して、N型SOI層3の表面にボロン等のP型不純物をデポジションする方法であること、次に、図6Bに示すように、N型SOI層3の表面全体に所定の膜厚からなるN型エピタキシャル層14を形成することである。
本発明の第3の実施形態について図9A、図9Bを参照して説明する。本実施形態ではN型SOI層3の膜厚が、いかなる場合にも対処できる点で有効な実施形態である。第1の実施形態との相違点は、図9Aに示すように、初めにN型SOI層3の表面から所定の位置まで、N型SOI層3を所定の方法でエッチングして、N型SOI層3内にトレンチ15を形成することである。その後に通常のイオン注入装置を使用して、トレンチ15の底面16にP型不純物を注入し、次に該P型不純物を熱拡散することにより、トレンチ15の底面16を中心にN型SOI層3内に拡がるP+B埋め込み層13を形成する。次にN型SOI層3の表面からP型不純物を所定の方法で導入しP型ボディ層4を形成しP+B埋め込み層13と連結させる。
5 N型ドリフト層 6 N+型ソース層 7 P+型コンタクト層
8 N+型ドリフト層 9 ゲート絶縁膜 10 ゲート電極
11 フィールド酸化膜 12 層間絶縁膜 13 P+B埋め込み層
14 N型エピタキシャル層 15 トレンチ 16 トレンチ底面
17 トレンチ側壁
Claims (10)
- 半導体基板上にBOX層を介して形成された第1導電型のSOI層と、
前記SOI層の表面に形成された第2導電型のボディ層及び第1導電型のドリフト層と、
前記ボディ層の表面に形成された第1導電型のソース層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第1導電型のドレイン層と、
前記ボディ層と連結し、該ボディ層と前記BOX層の間の前記SOI層内に形成された第2導電型の埋め込み層と、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2導電型の埋め込み層が、前記SOI層の表面にデポジションされた第2導電型の不純物を、該SOI層内と該SOI層の表面に形成された第1導電型のエピタキシャル層内に熱拡散することにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2導電型の埋め込み層が、前記SOI層の表面から形成されたトレンチの底面にイオン注入により導入された第2導電型の不純物を、熱処理することにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記埋め込み層が多段に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記多段に形成された埋め込み層が、前記BOX層に近い方で広く、前記ボディ層に近い方で狭く形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体基板上にBOX層を介して第1導電型のSOI層を形成する工程と、
前記SOI層の表面に第2導電型のボディ層及び第1導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ボディ層の表面に第1導電型のソース層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表面に第1導電型のドレイン層を形成する工程と、
前記ボディ層と連結する、該ボディ層と前記BOX層の間の前記SOI層内に、第2導電型の埋め込み層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記SOI層の表面に第2導電型の不純物を導入した後、該SOI層の表面に第1導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、該エピタキシャル層表面に前記ボディ層を形成する工程と、前期第2導電型の不純物から前記埋め込み層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記SOI層の表面から該SOI層の内部に至るトレンチを形成する工程と、前記トレンチの底面にイオン注入により第2導電型の不純物を導入する工程と、前記第2導電型の不純物を熱拡散することにより前記埋め込み層を形成する工程とを、有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記埋め込み層を多段に形成することを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記多段の前記埋め込み層を、前記BOX層に近い側が広く、前記ボディ層に近い側を狭く形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2880688A4 (en) * | 2012-07-31 | 2016-03-30 | Silanna Asia Pte Ltd | INTEGRATING POWER DEVICES ON A COMMON SUBSTRATE |
US9412881B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-08-09 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
US10290702B2 (en) | 2012-07-31 | 2019-05-14 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device on bulk substrate |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164878A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000307120A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2002184975A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | パワーmosfet及びその製造方法 |
JP2006165145A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 横型半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2009088199A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164878A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000307120A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2002184975A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | パワーmosfet及びその製造方法 |
JP2006165145A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 横型半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2009088199A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2880688A4 (en) * | 2012-07-31 | 2016-03-30 | Silanna Asia Pte Ltd | INTEGRATING POWER DEVICES ON A COMMON SUBSTRATE |
US9412881B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-08-09 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
US9825124B2 (en) | 2012-07-31 | 2017-11-21 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
US10290702B2 (en) | 2012-07-31 | 2019-05-14 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device on bulk substrate |
US10290703B2 (en) | 2012-07-31 | 2019-05-14 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
US11302775B2 (en) | 2012-07-31 | 2022-04-12 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
US11791377B2 (en) | 2012-07-31 | 2023-10-17 | Silanna Asia Pte Ltd | Power device integration on a common substrate |
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