JP2010258166A - 半導体装置、及び、半導体測定システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板100の表面部には、第2導電型のウェル106が形成されている。第2導電型のウェル106の表面部には、金属層107−1、第1導電型の拡散層107−2、第2導電型の拡散層108が形成されている。金属層107−1、第1導電型の拡散層107−2、第2導電型の拡散層108上には、それぞれコンタクト103−1〜103−3が形成されている。コンタクト103−1〜103−3上には、それぞれ金属配線層101−1〜101−3が形成されている。寄生容量111〜114を除く容量109をメータ110によって測定するために、金属配線層101−1〜101−3には、それぞれメータ110の接地端子GND、低電圧端子Low、高電圧端子Highが接続される。
【選択図】図3B
Description
図3Aは、本発明の第1実施形態による半導体装置の上面図を示している。図3Bは、図3AのX−X’断面図であり、本発明の第1実施形態による半導体装置に適用される半導体測定システムを示している。
図4Aは、本発明の第2実施形態による半導体装置の上面図を示している。図4Bは、図4AのX−X’断面図であり、本発明の第2実施形態による半導体装置に適用される半導体測定システムを示している。
第1実施形態では、1層目金属配線層101−1、101−2の下が第1導電型の拡散層107−1によりシールドされているが、第3実施形態では、金属配線層の下が他の金属配線層によりシールドされている。
101−1 第1の1層目金属配線層、
101−1a 第1の平面形状対応配線部、
101−1b 第1の支持配線部、
101−1c 第1の1層目周囲配線部
101−1d 第2の1層目周囲配線部、
101−2 第2の1層目金属配線層、
101−2a 第2の平面形状対応配線部、
101−2b 第2の支持配線部、
101−3 第3の1層目金属配線層、
101−3a 第3の平面形状対応配線部、
101−3b 第3の支持配線部、
102−1 第1の2層目金属配線層、
102−2 第2の2層目金属配線層、
102−3 第3の2層目金属配線層、
103−1 第1のコンタクト、
103−2 第2のコンタクト、
103−3 第3のコンタクト、
104−1 第1のビア、
104−2 第2のビア、
104−3 第3のビア、
105−1 第1の絶縁膜、
105−2 第2の絶縁膜、
105−3 第3の絶縁膜、
105−4 第4の絶縁膜、
106 第2導電型のウェル、
107−1 第1導電型の第1の拡散層(金属層)、
107−2 第1導電型の第2の拡散層、
108 第2導電型の拡散層、
109 PN接合容量、
110 LCRメータ、
111〜114 寄生容量、
115 第5の絶縁膜、
116 第6の絶縁膜、
202−1 第1の2層目金属配線層、
202−2 第2の2層目金属配線層、
202−1a 2層目平面形状対応配線部、
202−1b 第1の2層目周囲配線部、
202−1c 第2の2層目周囲配線部、
300 第1導電型の半導体基板、
301−1 第1の1層目金属配線層(金属層)、
301−1a 第1の1層目平面形状対応配線部、
301−1b 第2の1層目平面形状対応配線部、
301−1c 1層目周囲配線部、
301−2 第2の1層目金属配線層、
301−3 第3の1層目金属配線層、
302−1 第1の2層目金属配線層、
302−1a 第1の平面形状対応配線部、
302−1b 第1の支持配線部、
302−1c 第1の2層目周囲配線部、
302−1d 第2の2層目周囲配線部、
302−2 第2の2層目金属配線層、
302−2a 第2の平面形状対応配線部、
302−2b 第2の支持配線部、
302−3 第3の2層目金属配線層、
302−3a 第3の平面形状対応配線部、
302−3b 第3の支持配線部、
303−1 第1の3層目金属配線層、
303−2 第2の3層目金属配線層、
303−3 第3の3層目金属配線層、
304−1 第1の1層目コンタクト、
304−2 第2の1層目コンタクト、
305−1 第1の2層目コンタクト、
305−2 第2の2層目コンタクト、
305−3 第3の2層目コンタクト、
306−1 第1のビア、
306−2 第2のビア、
306−3 第3のビア、
307−1 第1の絶縁膜、
307−2 第2の絶縁膜、
307−3 第3の絶縁膜、
308 第2導電型のウェル、
309 第1導電型の拡散層、
310 第2導電型の拡散層、
311〜313 寄生容量、
314 PN接合容量、
315 LCRメータ、
316 第4の絶縁膜、
317 第5の絶縁膜、
318 第6の絶縁膜
400 第1導電型の半導体基板、
401−1、401−2 1層目金属配線層、
402−1、402−2 2層目金属配線層、
403−1、403−2 コンタクト、
404−1、404−2 ビア、
405−1〜405−3 絶縁膜、
406 第2導電型のウェル、
407 第1導電型の拡散層、
408 第2導電型の拡散層、
409 PN接合容量、
410 LCRメータ、
411、412 寄生容量、
413、414 絶縁膜
Claims (17)
- 第1電圧を供給するための高電圧端子と接地された接地端子間に接続された電源と、前記第1電圧よりも低い第2電圧を供給するための低電圧端子と前記接地端子間に接続された電流計とを備えたメータに接続される半導体装置であって、
第1導電型の半導体基板の表面部に形成された第2導電型のウェルと、
前記第2導電型のウェルの表面部に形成された第1導電型の拡散層と、
前記第2導電型のウェルの表面部に形成された第2導電型の拡散層と、
前記第2導電型のウェルの表面部に、又は、前記第2導電型のウェルの上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された第1のコンタクトと、
前記第1導電型の拡散層上に形成された第2のコンタクトと、
前記第2導電型の拡散層上に形成された第3のコンタクトと、
前記第1〜3のコンタクト上にそれぞれ形成され、寄生容量を除く容量を前記メータによって測定するために、それぞれ前記メータの前記接地端子、前記低電圧端子、前記高電圧端子が接続される第1〜3の金属配線層と
を具備する半導体装置。 - 前記第2導電型のウェルの表面部に形成された第1〜4の絶縁膜と、
前記第2導電型のウェルの表面部の前記第1、2の絶縁膜間に形成される第1導電型の第1の拡散層と、
前記第2導電型のウェルの表面部の前記第2、3の絶縁膜間に形成される第1導電型の第2の拡散層と、
を更に具備し、
前記第2導電型の拡散層は、前記第2導電型のウェルの表面部の前記第3、4の絶縁膜間に形成され、
前記金属層、前記第1導電型の拡散層は、それぞれ、前記第1導電型の第1、2の拡散層である
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2導電型のウェル、前記第1〜4の絶縁膜、前記第1導電型の第1、2の拡散層及び前記第2導電型の拡散層を覆う第5の絶縁膜
を更に具備し、
前記第1、2のコンタクトは、前記第1導電型の第1、2の拡散層上にそれぞれ前記第5の絶縁膜を貫通して形成され、
前記第3のコンタクトは、前記第2導電型の拡散層上に前記第5の絶縁膜を貫通して形成される
請求項2に記載の半導体装置。 - それぞれ、前記第1〜3のコンタクト上に形成される第1〜3の1層目金属配線層と、
前記第1〜3の1層目金属配線層を覆う第6の絶縁膜と、
前記第1〜3の1層目金属配線層上にそれぞれ前記第6の絶縁膜を貫通して形成された第1〜3のビアと、
前記第1〜3のビア上にそれぞれ形成される第1〜3の2層目金属配線層と
を更に具備し、
前記第1〜3の金属配線層は、それぞれ、前記第1〜3の1層目金属配線層であり、
前記第1〜3の2層目金属配線層には、それぞれ前記メータの前記接地端子、前記低電圧端子、前記高電圧端子が接続される
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第2の1層目金属配線層は、平面において、前記第1の1層目金属配線層によって囲まれている
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1の1層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第1の2層目金属配線層の平面形状に対応する第1の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第1のコンタクトに接続され、その他端部が前記第1の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第1の支持配線部と
を具備し、
前記第2の1層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第2の2層目金属配線層の平面形状に対応する第2の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第2のコンタクトに接続され、その他端部が前記第2の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第2の支持配線部と
を具備し、
前記第1の1層目金属配線層は、平面において、
前記第1の支持配線部に接続され、前記第2の平面形状対応配線部を囲む第1の1層目周囲配線部と、
前記第1の1層目周囲配線部に接続され、前記第2の支持配線部を囲む第2の1層目周囲配線部と
を更に具備する請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第3の1層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第3の2層目金属配線層の平面形状に対応する第3の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第3のコンタクトに接続され、その他端部が前記第3の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第3の支持配線部と
を具備する請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第1導電型の第1の拡散層は、前記第6の絶縁膜を介して前記第2の平面形状対応配線部と前記第1の1層目周囲配線部との真下に形成されている
請求項6又は7に記載の半導体装置。 - 前記第1の2層目金属配線層は、平面において、
前記第1の平面形状対応配線部の平面形状に対応し、前記第2の2層目金属配線層の平面形状と同じ形状である2層目平面形状対応配線部と、
前記2層目平面形状対応配線部を囲む第1の2層目周囲配線部と、
前記第1の2層目周囲配線部に接続され、前記第2の2層目金属配線層を囲む第2の2層目周囲配線部と
を具備する請求項6〜8のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第2導電型のウェル、前記第1導電型の拡散層及び前記第2導電型の拡散層を覆う絶縁膜と、
前記第1導電型の拡散層上に前記絶縁膜を貫通して形成された第1の1層目コンタクトと、
前記第2導電型の拡散層上に前記絶縁膜を貫通して形成された第2の1層目コンタクトと、
それぞれ、前記絶縁膜、前記第1、2のコンタクト上に形成された第1〜3の1層目金属配線層と
それぞれ、前記第1〜3の1層目金属配線層上に形成される第1〜3の2層目コンタクトと
を更に具備し、
前記金属層は、前記第1の1層目金属配線層であり、
前記第1〜3のコンタクトは、前記第1〜3の2層目コンタクトである
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2導電型のウェルの表面部に形成された第1〜3の絶縁膜と、
前記第2導電型のウェル、前記第1〜3の絶縁膜、前記第1導電型の拡散層及び前記第2導電型の拡散層を覆う第4の絶縁膜と
を更に具備し、
前記第1導電型の拡散層は、前記第2導電型のウェルの表面部の前記第1、2の絶縁膜間に形成され、
前記第2導電型の拡散層は、前記第2導電型のウェルの表面部の前記第2、3の絶縁膜間に形成され、
前記第4の絶縁膜は、前記絶縁膜である
請求項10に記載の半導体装置。 - それぞれ、前記第1〜3の2層目コンタクト上に形成された第1〜3の2層目金属配線層と、
前記第1〜3の2層目金属配線層を覆う第6の絶縁膜と、
前記第1〜3の2層目金属配線層上にそれぞれ前記第6の絶縁膜を貫通して形成された第1〜3のビアと、
前記第1〜3のビア上にそれぞれ形成された第1〜3の3層目金属配線層と
を更に具備し、
を更に具備し、
前記第1〜3の金属配線層は、それぞれ、前記第1〜3の2層目金属配線層であり、
前記第1〜3の3層目金属配線層には、それぞれ前記メータの前記接地端子、前記低電圧端子、前記高電圧端子が接続される
請求項11に記載の半導体装置。 - 前記第2の2層目金属配線層は、平面において、前記第1の2層目金属配線層によって囲まれている
請求項12に記載の半導体装置。 - 前記第1の2層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第1の3層目金属配線層の平面形状に対応する第1の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第1の2層目コンタクトに接続され、その他端部が前記第1の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第1の支持配線部と
を具備し、
前記第2の2層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第2の3層目金属配線層の平面形状に対応する第2の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第2の2層目コンタクトに接続され、その他端部が前記第2の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第2の支持配線部と
を具備し、
前記第1の2層目金属配線層は、平面において、
前記第1の支持配線部に接続され、前記第2の平面形状対応配線部を囲む第1の2層目周囲配線部と、
前記第1の2層目周囲配線部に接続され、前記第2の支持配線部を囲む第2の2層目周囲配線部と
を更に具備する請求項13に記載の半導体装置。 - 前記第3の2層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第3の3層目金属配線層の平面形状に対応する第3の平面形状対応配線部と、
その一端部が前記第3の2層目コンタクトに接続され、その他端部が前記第3の平面形状対応配線部に接続され、前記第1導電型の半導体基板に平行に延びる第3の支持配線部と
を具備する請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第1の1層目金属配線層は、平面において、
その平面形状が前記第1の平面形状対応配線部の平面形状、又は、前記第3の3層目金属配線層の平面形状に対応する第1の1層目平面形状対応配線部と、
前記第1の1層目平面形状対応配線部に接続された第2の1層目平面形状対応配線部と、
前記第2の1層目平面形状対応配線部に接続され、前記第2の1層目金属配線層を囲む1層目周囲配線部と
を具備し、
前記第1の1層目金属配線層は、前記第5の絶縁膜を介して前記第1、2の2層目金属配線層の真下に形成されている
請求項14又は15に記載の半導体装置。 - 請求項1〜16のいずれかに記載の半導体装置と、
第1電圧を供給するための高電圧端子と接地された接地端子間に接続された電源と、前記第1電圧よりも低い第2電圧を供給するための低電圧端子と前記接地端子間に接続された電流計とを備え、寄生容量を除く容量を測定するために、前記半導体装置の前記第1〜3の金属配線層にそれぞれ前記接地端子、前記低電圧端子、前記高電圧端子が接続されるメータと
を具備する半導体測定システム。
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- 2010-04-22 US US12/765,609 patent/US8362785B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62298124A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20100271065A1 (en) | 2010-10-28 |
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