JP2010242150A - 成膜装置、成膜方法、ガスバリア性積層体、並びにガスバリア性フィルタ及び光学部材 - Google Patents
成膜装置、成膜方法、ガスバリア性積層体、並びにガスバリア性フィルタ及び光学部材 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間18と、該内部空間18へ成膜ガスを導入するガス導入路17と、該内部空間18から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部15とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。
【選択図】図1
Description
図5に示す成膜装置を用いて、本発明の一対の電極43、44のみを用いて成膜を行った。この際、用いた基材は、厚さ100μmのPETフィルム(A4100)であり、ガス導入路17から酸素ガスを100sccm、ガス導入パイプ46からHMDSOガス10sccmを流し、成膜気圧は1Paとした。また、電源45は周波数200kHzのバイポーラタイプの直流パルス波を用い、投入電力は3kWとし、フィルムの搬送速度は1m/minとした。以上の条件でサンプルを作成した。
図5に示す成膜装置を用いて、本発明の一対の電極43、44とデュアル・マグネトロン・カソード505、509を用いて成膜を行った。この際、用いた基材は、厚さ100μmのPETフィルム(A4100)であり、先ず本発明の一対の電極43、44に関しては、ガス導入路17から酸素ガスを100sccm、ガス導入パイプ46からHMDSOガス10sccmずつを流し、成膜気圧は1Paとした。また、電源45は周波数200kHzのバイポーラタイプの直流パルス波を用い、投入電力は3kWとした。次にデュアル・マグネトロン・カソード505、509に関しては、それぞれスパッタターゲットとしてアルミニウムを用い、スパッタガスをアルゴンとして150sccmずつ流し、また反応性ガスを酸素ガスとして100sccmずつ流し、電源506、510は周波数40kHzのバイポーラタイプの直流パルス波を用い、投入電力は6kWとしてスパッタを行った。成膜は、インラインの同時成膜で行い、スパッタリング法/プラズマCVD法/スパッタリング法の3層構成で積層を行い、フィルムの搬送速度は0.6m/minとした。また、この際の成膜安定性をみるためロングランを行い、時間経過でサンプルを作成した。
図5に示す成膜装置を用いて、本発明の一対の電極43、44の電極の蓋12を外し、成膜を行った。その際の条件として、用いた基材は厚さ100μmのPETフィルム(A4100)であり、先ず本発明の一対の電極43、44に関しては、ガス導入路17から酸素ガスを100sccm、ガス導入パイプ46からHMDSOガス10sccmずつを流し、成膜気圧は1Paとした。また、電源45は周波数200kHzのバイポーラタイプの直流パルス波を用い、投入電力は3kWとした。次にデュアルマグネトロン・カソード505、509に関しては、それぞれスパッタターゲットとしてアルミニウムを用い、スパッタガスをアルゴンとして150sccmずつ流し、また反応性ガスを酸素ガスとして100sccmずつ流し、電源506、510は周波数40kHzのバイポーラタイプの直流パルス波を用い、投入電力は6kWとしてスパッタを行った。成膜は、インラインの同時成膜で行い、スパッタリング法/プラズマCVD法/スパッタリング法の3層構成で積層を行い、フィルムの搬送速度は0.6m/minとした。また、この際の成膜安定性をみるためロングランを行い、時間経過でサンプルを作成した。
水蒸気透過度をMOCON法により測定した。用いた測定器はMOCON AQUATRAN model1により測定し、酸素透過度はMOCON OX−TRAN 2/20により測定した。
12・・・蓋
13・・・外周磁石
14・・・内周磁石
15・・・穴部
16・・・磁石カバー
17・・・ガス導入路
18・・・内部空間
41・・・成膜ロール
42・・・防着板
43・・・電極
44・・・電極
45・・・電源
46・・・ガス導入パイプ
47・・・磁力線
501・・・成膜チャンバー
502・・・巻き出し軸
503・・・巻き取り軸
504・・・成膜ロール
505・・・デュアル・マグネトロン電極
506・・・電源
507・・・しきり板
508・・・しきり板
509・・・デュアル・マグネトロン電極
510・・・電源
60・・・ガスバリア性積層体
61・・・基材
62・・・アンカーコート層
63・・・第1の層
64・・・第2の層
65・・・第3の層
66・・・第4の層
Claims (12)
- 減圧下の成膜チャンバー内に、
板状又はフィルム状の基材を搬送する機構と、
電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段を少なくとも具備する成膜装置において、
該電極は、
成膜ガスをプラズマ化する内部空間と、
該内部空間へ成膜ガスを導入する導入手段と、
該内部空間から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部を少なくとも具備し、
該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、
該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる
ことを特徴とする成膜装置。 - 該電極が、磁石を具備することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 該一対の電極に印加する電圧の周波数が、1k〜100MHzであることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 該成膜手段と、物理成膜法による成膜手段、化学気相成長法による成膜手段、原子層堆積法による成膜手段から選択される1又は2以上の成膜手段とを、同一の成膜チャンバー内に具備することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置。
- 該成膜手段と、物理成膜法による成膜手段、化学気相成長法による成膜手段、原子層堆積法による成膜手段から選択される1の成膜手段とを、同一の成膜チャンバー内に交互に具備することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置。
- 請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置の成膜手段と、物理成膜法による成膜手段、化学気相成長法による成膜手段、原子層堆積法による成膜手段から選択される1又は2以上の成膜手段とを用いて成膜する成膜方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置の成膜手段と、物理成膜法による成膜手段、化学気相成長法による成膜手段、原子層堆積法による成膜手段から選択される1の成膜手段とを、交互に用いて成膜する成膜方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置を用いて成膜されたガスバリア性積層体であって、水蒸気透過度が1g/m2/day以下のガスバリア性積層体。
- 請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置を用いて成膜されたガスバリア性積層体であって、酸素透過度が1cm3/m2/day以下のガスバリア性積層体。
- 請求項4又は5に記載の成膜装置を用いて成膜されたガスバリア性積層体であって、水蒸気透過度が0.1g/m2/day以下のガスバリア性積層体。
- 請求項4又は5に記載の成膜装置を用いて成膜されたガスバリア性積層体であって、酸素透過度が0.5cm3/m2/day以下のガスバリア性積層体。
- 請求項8から11のいずれかに記載のガスバリア性積層体を用いたガスバリア性フィルタ又は光学部材。
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