KR102613896B1 - 성막 장치 - Google Patents

성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102613896B1
KR102613896B1 KR1020177024907A KR20177024907A KR102613896B1 KR 102613896 B1 KR102613896 B1 KR 102613896B1 KR 1020177024907 A KR1020177024907 A KR 1020177024907A KR 20177024907 A KR20177024907 A KR 20177024907A KR 102613896 B1 KR102613896 B1 KR 102613896B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
zone
film
sputtering
flexible substrate
electrode
Prior art date
Application number
KR1020177024907A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170128265A (ko
Inventor
마사토 곤
Original Assignee
도판 인사츠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도판 인사츠 가부시키가이샤 filed Critical 도판 인사츠 가부시키가이샤
Publication of KR20170128265A publication Critical patent/KR20170128265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102613896B1 publication Critical patent/KR102613896B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은, 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치를 제공하는 것이며, 장치 전체를 소형화 가능하게 하고, 또한 효율을 향상시켜 생산성을 향상시키기 위한 성막 장치를 제공하는 것이다. 진공을 이용하여 플렉시블 기판(205) 상에 박막을 형성하는 성막 장치이다. 진공 챔버(100) 내에, 적어도 제1 가스가 도입되는 제1 존(101)과, 제2 가스가 도입되는 제2 존(102)을 포함한다. 각 존을 이격하는 존 세퍼레이터(202)는 상기 플렉시블 기판(205)이 통과하는 개구를 갖는다. 플렉시블 기판(205)이 상기 존을 왕래하는 기구를 포함한다. 또한, 제1 존(101)에 금속 또는 규소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 기구(501)와, 상기 제2 존(102)에 있어서 금속 또는 규소를 포함하는 재료를 타깃재로 하여 스퍼터링을 행하는 기구를 포함한다.

Description

성막 장치
본 발명은 기상 성장법에 의해 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하기 위한 성막 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 플렉시블 기판을 단속적 또는 연속적으로 반송하면서 해당 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하는 장치이며, 기상에 의한 퇴적(데포지션)을 이용한 진공 성막 장치에 관한 것이다.
기상을 사용하여 박막을 형성하는 방법은, 크게 구별하여 화학적 기상 성장법(CVD: Chemical Vapor Deposition)과, 물리적 기상 성장법(PVD: Physical Vapor Deposition)이 있다.
PVD로서 대표적인 것으로는 진공 증착법이나 스퍼터링법 등이 있다. 특히 스퍼터링법은, 일반적으로 장치 비용은 높지만, 막질과 막 두께의 균일성이 우수한 고품질의 박막 제작을 행할 수 있기 때문에, 표시 디바이스 등에 널리 응용되고 있다. 단, 막에 결함을 포함하는 경우가 있다.
CVD는, 진공 챔버 내에 원료 가스를 도입하고, 열 에너지에 의해 기판 상에서 1종류 혹은 2종류 이상의 가스를 분해 또는 반응시켜 고체 박막을 성장시키는 것이다. CVD는, 반응을 촉진시키거나 반응 온도를 낮추거나 하기 위해, 플라스마나 촉매(Catalyst) 반응을 병용하는 것도 있다. 플라스마를 병용하는 것을 PECVD(Plasma Enhanced CVD), 촉매 반응을 병용하는 것을 Cat-CVD(Catalytic CVD)라고 칭한다. 화학적 기상 성장법은, 성막 결함이 적다고 하는 특징을 가지며, 게이트 절연막의 성막 등 반도체 디바이스 제조 공정에 주로 적용되고 있지만, 성막에 비교적 고온이 필요하다고 하는 단점도 있다.
원자층 퇴적법(ALD: Atomic Layer Deposition)은, 표면 흡착된 물질을 표면에 있어서의 화학 반응에 의해 원자 레벨로 1층씩 성막해 가는 방법이며, CVD로 분류된다. ALD가 일반적인 CVD와 구별되는 것은, 일반적인 CVD가 단일의 가스 또는 복수의 가스를 동시에 사용하여 기판 상에서 반응시켜 박막을 성장시키는 것에 비해, ALD에서는 전구체(또는 프리커서라고도 함)라고 불리는 활성이 풍부한 가스와 반응성 가스(이것도 ALD에서는 전구체라고 불림)를 교대로 사용하여, 기판 표면에 있어서의 흡착과 그것에 이어지는 화학 반응에 의해 원자 레벨로 1층씩 박막을 성장시켜 가는 특수한 성막 방법이라는 점에 있다.
구체적으로는, ALD에서는, 표면 흡착에 있어서 표면이 어떤 종류의 가스로 덮이면 그 이상 그 가스의 흡착이 발생하지 않는 자기 제한(self-limiting) 효과를 이용하여, 표면이 전구체를 1층 흡착했을 즈음에 미반응의 전구체를 배기한다. 계속해서 반응성 가스를 도입하여 앞서의 전구체를 산화 또는 환원하여 원하는 조성을 갖는 박막을 1층 얻은 후 반응성 가스를 배기한다. 이것을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 반복하여, 1 사이클에서 1층씩 박막을 성장시켜 가는 것이다. 따라서 ALD에서는 박막은 이차원적으로 성장한다. ALD에서는, 종래의 증착법이나 스퍼터링법 등과의 비교에서는 물론, 일반적인 CVD 등과 비교해도 성막 결함이 적다는 것이 특징이며, 여러 분야로 응용이 기대되고 있다.
ALD에서는, 제2 전구체를 분해하고, 기판에 흡착되어 있는 제1 전구체와 반응시키는 공정에 있어서, 반응을 활성화시키기 위해 플라스마를 사용하는 방법이 있으며, 이것은 플라스마 활성화 ALD(PEALD: Plasma Enhanced ALD) 또는 간단히 플라스마 ALD라고 불린다.
ALD는 다른 성막법과 비교하여 사영 효과가 없는 등의 특징이 있기 때문에, 가스가 들어갈 수 있는 간극이 있다면 성막이 가능하고, 고 애스펙트비를 갖는 라인이나 홀의 피복 외에, 3차원 구조물의 피복 용도로 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 관련으로도 응용이 기대되고 있다.
이상 설명한 바와 같은 성막법을 사용하여 박막을 형성하는 대상은, 웨이퍼나 포토마스크 등의 작은 판형의 기판, 유리판 등의 대면적이며 플렉시블성이 없는 기판, 또는 필름 등의 대면적이며 플렉시블성이 있는 기판 등 다양하게 존재한다. 이에 대응하여, 이들 기판에 박막을 형성하기 위한 양산 설비에서는, 비용, 취급의 용이성, 성막 품질 등에 따라 여러 가지 기판의 취급 방법이 제안되어, 실용화되어 있다.
예를 들어 대상이 웨이퍼인 경우, 기판 1매를 성막 장치에 공급하여 성막하고, 그 후, 다음 기판으로 교체하여 다시 성막을 행하는 낱장식이나, 복수의 기판을 통합하여 세팅하고 모든 웨이퍼에 동일한 성막을 행하는 배치식 등이 있다.
또한, 유리 기판 등에 성막을 행하는 방법에는, 성막원으로 되는 부분에 대하여 기판을 순차적으로 반송하면서 동시에 성막을 행하는 인라인식이나, 나아가, 주로 플렉시블 기판에 대해서는 롤로부터 기판을 권출하고, 반송하면서 성막을 행하고, 다른 롤에 기판을 권취하는, 소위 롤 투 롤에 의한 웹 코팅 방식이 있다. 플렉시블 기판뿐만 아니라, 성막 대상으로 되는 기판을 연속 반송할 수 있는 플렉시블의 시트 또는 일부가 플렉시블해지는 트레이에 얹어 반송/연속 성막하는 방식도, 웹 코팅 방식에 포함된다.
어느 성막법, 기판 취급 방법도, 비용, 품질, 취급의 용이성 등으로부터 판단하여 최적의 조합이 채용된다.
ALD의 결점으로서는, 특수한 재료를 사용한다는 점이나 그의 비용이라는 점 등을 들 수 있지만, 최대의 결점은, ALD는 1 사이클에 1층씩 원자 레벨의 박막을 성장시켜 가는 방법이기 때문에, 증착이나 스퍼터링 등의 성막법과 비교해도 5 내지 10배 정도 성막 속도가 느리다는 점에 있다.
이것을 해결하기 위해, 하나의 챔버에서 전구체의 공급과 배기를 반복하는 종래의 방법(이것을 시간 분할형이라고 함)으로부터, 챔버를 몇 개의 존으로 분할하고 각각의 존에는 단일의 전구체 또는 퍼지 가스를 공급하여, 각 존의 사이를 기판이 왕래하는 공간 분할형이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1).
국제 공개 제2007/112370호
공간 분할형 ALD 성막법의 등장으로 성막 속도의 문제는 크게 개선되었다. 그러나, CVD나 스퍼터링법과 비교하면 성막 속도는 아직 충분하지 않으며, 성막 비용이 높아지는 한 요인이 되고 있다. 롤 투 롤 ALD 성막에 있어서, 포화 흡착을 실현하는 등 이상적인 성막 조건이 정돈된 경우, 플렉시블 기재를 반송하는 속도가 성막 속도를 결정한다. 그리고, 막 두께를 두껍게 하기 위해서는 기판이 당해의 적어도 2개의 존을 왕래하는 영역을 늘릴, 즉 장치를 대규모화할 필요가 있어, 역시 고비용의 요인이 된다.
그러나, 제작되는 막의 내구성을 높이기 위해, 어느 정도의 막 두께가 필요하게 된다.
여기서 성막 속도 향상을 위해, 반응성 가스를 상시 흘리고, 전구체의 도입은 펄스화한다고 하는 Atomic vapor deposition(AVD)이라고 하는 것도 발명되어 있다. 단 이것은 시간 분할형의 배치 성막 장치를 대상으로 한 것이며, 공간 분할형인 롤 투 롤 성막에는 적합하지 않다.
본 발명의 목적은, 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치이며, 장치 전체를 소형화 가능하게 하고, 또한 효율을 향상시켜 생산성을 향상시키기 위한 성막 장치를 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 형태의 성막 장치는, 진공 챔버 내를 이동하는 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치이며, 상기 진공 챔버 내를, 적어도 제1 존과 제2 존으로 구획 형성함과 함께 상기 플렉시블 기판이 통과하는 개구가 형성된 격벽과, 상기 플렉시블 기판을, 상기 제1 존과 상기 제2 존의 사이를 왕래시키는 기구와, 상기 제1 존에 금속 또는 규소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 기구와, 상기 제2 존에 배치되어 금속 또는 규소를 포함하는 재료를 타깃재로 하여 스퍼터링을 행하는 기구를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 하기에 나타내는 효과를 발휘한다.
즉, 상술한 장치를 사용함으로써, 스퍼터링 성막보다 고품질의 막을 높은 성막 속도로 얻을 수 있다. 또한, 그것에 의해, 장치는 소형화가 가능하다.
또한, 스퍼터링 성막만의 경우와 비교하여, 스퍼터링 성막 특유의 성막 결함이 막에 포함되는 것을 저감할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치를 설명하기 위한, 진공 챔버 내의 구성도를 예시한 것이다. 이 도면은 주요부가 되는 성막부만을 도시한 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치의 전극을 도시한 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치에 의한 성막법을 설명하기 위한 일례의 개략도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은, 진공 챔버(100) 중, 성막에 관한 부분만을 기재하고 있다. 플렉시블 기판(205)으로의 박막의 형성은, 앞서 설명한 대로 롤 투 롤에 의한 성막이 일반적으로 사용되고 있지만, 반드시 그것에 한정되지는 않는다. 도면에서는 필름의 공급부는 공지의 기술이기 때문에 생략되어 있다.
<구성>
진공 챔버(100) 내는, 존 세퍼레이터(202)에 의해 적어도 2개의 존으로 이격되어 있다. 본 실시 형태의 진공 챔버(100) 내는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판(205)의 반송 방향으로 소정 간격을 두고 배치된 2개의 존 세퍼레이터(202)에 의해, 3개의 존(101, 102, 103)으로 구획되어 있다. 즉, 본 실시 형태에서는, 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이에 제3 존(103)이 형성된 경우를 예시하고 있다. 제3 존(103)은 복수 형성되어 있어도 된다.
그리고, 진공 챔버(100) 내로 보내진 플렉시블 기판(205)은, 복수의 롤러(201)에 의해 반송 방향이 180°반전되면서, 제1 존(101)과 제2 존(102)에 복수회 왕복 반송된 후에, 진공 챔버(100) 밖으로 보내지는 구성으로 되어 있다. 존 세퍼레이터(202)는 격벽을 구성한다. 복수의 롤러(201)는, 기판(205)을 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이를 왕래시키는 기구를 구성한다.
제1 존(101)에는, 원료 가스 도입 기구(501)에 의해, 원료 가스가 도입된다. 원료 가스에는, 주로 금속 또는 규소가 포함된다.
제2 존(102)에는 전극(203)이 설치되어 있고, 전극(203)에는, 성막할 목적의 막종에 대응한 타깃재가 세팅된다. 전극(203)은, 반송되는 기판(205)의 스퍼터링할 면과 대향 배치된다. 전극(203)을 복수 설치하는 경우에는, 전극(203)은 재질, 조성비의 면에서 모두 동일한 것을 사용해도 되며, 하나만 혹은 복수 혹은 각각에 있어서 상이한 것을 사용해도 된다. 도 1에서는, 전극으로서, 전극(203) 외에 전극(204)을 대향 배치한 경우를 예시하고 있다. 전극(203) 외에 전극(204)을 사용하면, 플렉시블 기판(205)으로의 양면 성막이 가능하다. 전극(203)과 전극(204)에 상이한 재료를 사용하면, 플렉시블 기판(205)의 한쪽 면과 다른 쪽 면에 상이한 재질의 박막을 형성할 수 있다.
제2 존(102)에는, 스퍼터링 가스 도입 기구(502)에 의해, 스퍼터링에 적합한 가스가 도입된다. 반응성 스퍼터링을 행하는 경우에는 반응성 가스도 함께 도입된다. 또한, 메탈 타깃이 아니라 산소 결손형의 도전성의 저급 산화물 타깃을 사용하고, 또한 반응성 가스를 도입하여 산화물 박막을 성막하는 경우에도 반응성 스퍼터링이라고 칭하는 경우가 있다. 이 예로서, 타깃재로 화학양론 조성비보다 산소의 함유량이 적은 산화인듐주석을 사용하고, 가스로 아르곤과 산소를 사용하여, 산화물 박막을 형성하는 경우 등을 들 수 있다. 본 발명에는, 이것도 반응성 스퍼터링에 포함하는 것으로 한다.
여기서, 상기 원료 가스에 주로 포함되는 금속 또는 규소 중 주된 성분이, 타깃에 포함되는 금속 또는 규소 중 주된 성분과 동일하게 되도록 하면, 동일종의(단일의) 박막을 형성할 수 있다. 반대로 그것들이 상이하도록 하면, 복수종의 성분을 갖는 박막을 제작할 수 있다. 막을 구성하는 성분 중, 스퍼터링 성막의 성분이 많고 반대로 제1 존(101)에 있어서 흡착되는 원료 가스의 성분이 적은 경우에는, 상기 원료 가스의 성분을 스퍼터링막으로의 도핑 재료로서 적용할 수도 있다.
전극(203) 및 전극(204)은, 스퍼터링 성막에 있어서 플라스마를 여기할 때의 전극으로 되어 있다. 전극(203 및 204)의 구조 및 특징에 대해서는 후술한다.
존 세퍼레이터(202)에는 플렉시블 기판(205)이 통과하기 위한 개구부가 형성되어 있다. 해당 개구부의 크기는 플렉시블 기판(205)의 반송 시에 해당 기판(205)이 해당 개구부의 벽면에 접촉하지 않을 범위에서 최소한의 크기가 적합하다. 개구부가 크면 존 세퍼레이터(202)로서의 역할을 충분히 달성할 수 없게 된다. 즉, 주목하는 존에 존재하는 가스와 인접하는 존에 존재하는 가스가 혼합되어, 그 양이 성장 중인 막에 영향을 미칠 만큼 커지면, 기대하는 막질이 얻어지지 않는 등 무시할 수 없는 문제가 된다. 따라서, 개구부는 가능한 범위에 있어서 작게 형성하는 것이 필요하다.
그 영향을 보다 완화하기 위해, 본 실시 형태에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이에, 완충용의 제3 존(103)을 설정하고 있다. 또한, 제3 존(103)에 불활성 가스를 도입하는 기구(503)를 마련한다. 이에 의해, 성막 시에 제3 존(103)에 불활성 가스를 도입함으로써, 제1 존(101)에 도입한 가스와 제2 존(102)에 도입한 가스가 직접 혼합되는 양을 경감할 수 있다. 제3 존(103)에 도입한 불활성 가스는, 제1 존(101) 또는/및 제2 존(102)을 통과하여 배기되는 흐름을 만들면 보다 효과적이다.
플렉시블 기판(205)은 존 세퍼레이터(202)의 개구부를 통하여 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이를, 제3 존(103)을 개재시켜 왕래하여 성막이 행해진다.
도 2는 전극(203) 또는 전극(204)의 구조를 도시한 개략 단면도이다. 전극(203) 또는 전극(204)은, 스퍼터링을 행하는 기구를 구성한다.
전극(203)과 전극(204)은 챔버(100) 내에서의 배치 장소가 상이할 뿐이며, 좌우의 설치 방향 등 실시 용도에 따라 주의가 필요한 케이스가 있기는 하지만, 기본적으로는 동일하다. 물론 서로 다른 것을 사용해도 된다. 플렉시블 기판(205)의 편면에 성막을 행하는 경우에는 어느 한쪽의 전극군을 사용하게 되지만, 양면에 성막하는 경우에는 양쪽을 동시에 설치하여 사용한다. 이하의 설명에서는 특별히 지적하지 않는 한, 전극(203)과 전극(204)은 서로 바꾸어 읽을 수 있으며, 이하의 구조의 설명에서는 전극(203)을 대표적으로 설명한다.
스퍼터링 타깃은, 통상, 플라스마를 여기할 때의 전극으로 되어 있다. 통상은 도전성이 높은 동판(백킹 플레이트라고 불림) 상에 스퍼터링 성막 시의 원재료로 되는 타깃재를 형성한 것을 사용한다. 도 2의 (1)은 백킹 플레이트(302)의 한쪽 면에 타깃재(303)를 배치한 예이다. 일반적인 스퍼터링 성막에서는, 타깃 이면은 진공에는 노출되지 않는 데 비해, 본 실시 형태에서 사용하는 전극(203)은, 주로 플렉시블 기판(205)의 사이에 설치되는 것이라는 점에서, 양면 스퍼터링하는 경우를 제외하고 전극(203)의 편면에는 절연체(301)를 배치하여 백킹 플레이트(302)로부터의 방전을 억제한다.
양면 스퍼터링하는 경우에는, 도 2의 (2)와 같이, 백킹 플레이트(302)의 양면에 타깃재(303)를 배치함으로써 그것이 가능하게 된다. 이때, 타깃재(303)에는 동일 재료를 사용해도 되고, 상이한 재료를 사용해도 된다. 상이한 재료를 사용하면, 단일이 아니라 각각의 재료를 포함하는 조성의 스퍼터링막을 형성할 수 있다. 타깃재(303)에는 금속 또는 규소를 포함하는 재료를 사용하여 스퍼터링 성막에 필요한 도전성을 확보한다. 산화물이나 질화물이라도, 도전성을 확보할 수 있으면 된다. 예를 들어, 이것도 전술하였지만, 산화인듐주석(ITO) 등도 성분이나 산화도를 적절하게 제어하여 제작함으로써 도전성을 갖는 타깃재로 될 수 있다. 타깃재의 도전성이 부족한 경우나 성막 중에 도전성이 저하되는 경우 등은 공지의 펄스화 DC 전원이나 듀얼 캐소드의 기술을 사용하거나 하여 방전이 정지되는 것을 억제할 수도 있다. 도전성을 갖지 않는 타깃재를 사용하는 경우에는, RF 전원을 사용하면 된다. 단, 이 경우에는 방전을 안정시키기 위해 모든 전극에서 위상의 동기를 취할 필요가 있는 등, 성막에 어느 정도의 제약은 발생한다.
도 2의 (3)은, 백킹 플레이트(302)의 일부에 타깃재(303)를 설치한 것 외에는 도 2의 (1)의 구성과 동일하다. 이러한 구성을 사용함으로써, 타깃재(303)가 존재하는 부분에 대향하는 플렉시블 기판(205) 상에 주로 스퍼터링 성막이 행해지고, 그 이외의 부분에서는 여기된 플라스마에 의한 기판(205) 표면의 개질/활성화만이 행해진다고 하는 선택적인 상황을 만들어 낼 수 있다. 따라서, 성막과 개질/활성화를, 동시가 아니라 약간 타이밍을 어긋나게 하여 실시하고 싶은 경우에 적합하다. 단, 백킹 플레이트(302)의 구성 물질이 스퍼터링되는 것을 방지하기 위해 백킹 플레이트(302)에는 스퍼터링률이 낮은 재료를 사용하는 것이 중요하게 된다.
도 2의 (4)는 그러한 제한을 완화하기 위한 것이며, 타깃재(303)가 배치되어 있는 부분에만 대응하여 배면에 마그네트론을 설치한 것이다. 이에 의해 타깃재(303)의 근방에만 높은 플라스마 밀도를 형성할 수 있기 때문에, 투입 전력을 억제할 수 있고, 상대적으로 백킹 플레이트(302)가 스퍼터링되는 양을 적게 할 수 있다.
도 2의 (5)는, 마그네트론(304) 2개를 표리 관계로 배치하여 양면 스퍼터링을 가능하게 한 예이다. 2개의 마그네트론(304)의 간섭을 방지하기 위해, 사이에 방자판(magnetic shield sheet)(미도시)을 설치해도 된다. 방자판에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.
도 2의 (6)은, 백킹 플레이트(302)의 한쪽 면에 타깃재(303)를 배치하고, 그 이면에 마그네트론(304)을 배치한 후 절연체(301)로 마그네트론을 보호한 후, 그 위에 도전체(305)를 배치하여, 타깃재(303) 또는 백킹 플레이트(302)와, 해당 도전체(305)가, 전기적으로 접속되어 있는 예를 도시한 것이다. 도전체의 재질은 불문한다. 또한, 전기적인 접속 방법도 불문한다. 이에 의해, 타깃재(303)를 갖는 면에서는 스퍼터링 성막이 실시되고, 한편, 도전체(305)를 갖는 면에서는 플렉시블 기판(205) 상에서 성장 중인 막의 표면 개질을 행할 수 있다. 도 2의 (6)은 타깃재(303)가 백킹 플레이트(302)의 일부에만 형성된 예이지만, 도 2의 (6)'처럼 백킹 플레이트(302)의 일면 가득 형성해도 된다. 타깃재(303)의 크기에 맞추어 마그네트론(304)의 크기도 적절히 변경된다.
도 2의 (7)은, 도 2의 (6)에서 도시한 전극의, 마그네트론(304)과 도전체(305)의 사이에 방자판(306)을 설치한 모습을 예시한 것이다. 방자판의 종류나 재질 등에는 특별히 제한은 없으며, 충분히 방자 효과를 발휘할 수 있는 것이면 된다. 마그네트론(304)으로부터의 자장의 누설을 방지하고 도전체(305)로부터의 스퍼터링을 최소한으로 억제할 수 있다면, 공지의 것을 적용할 수 있다.
또한, 도시는 하지 않았지만, 어느 전극에도 수랭 혹은 그 밖의 냉각 기구를 설치하여 전극에 대한 과잉 열의 축적을 방지해도 된다. 전극의 열은 플렉시블 기판(205)에 복사열(방사열)로서 전달되며, 플렉시블 기판(205)에 손상을 끼치는 한 요인이 되기 때문에, 피하는 것이 바람직하다.
<성막 방법>
이어서, 본 성막 장치를 사용한 성막 방법에 대하여 설명한다. 본 성막 장치를 사용함으로써, 성막은 다음과 같이 행해진다.
여기서, 각 전극의 차이에 의한 효과는 상술한 바와 같다. 또한, 성막 방법 자체는 동일하므로, 여기서는 도 2의 (7)의 타깃재(303)를 백킹 플레이트(302)의 일면 가득 형성한 도 2의 (7)'만을 예로 들어, 도 3을 참조하면서 설명한다.
타깃재(303)에는 전술한 바와 같이 도전성이 있는 것을 사용한다. 원료 가스를 사용한 성막에서는 실시가 곤란한 재료를 스퍼터링 성막의 타깃재로서 선택할 수 있다는 것도 본 발명의 특징의 하나이다. 즉, CVD나 ALD에서는 고융점 금속이나 그의 화합물은 원료 가스로서 취출하기 위해 일반적으로 고온이 필요하며, 따라서 성막 시에도 고온이 필요하기 때문에 플렉시블 기판(205)으로의 성막이 곤란하지만, 그러한 재료도 스퍼터링 성막이라면 타깃재라고 하는 형태로 채용할 수 있다. 따라서, 본 성막에서는 여러 가지 재료를 성막할 수 있다.
여기서, 도면에서는 모두 동일한 전극(203)을 배치한 예를 도시하였지만, 제작하고 싶은 막에 따라 적절한 것을 각각의 전극으로서 선택해도 되고, 씨닝해도 된다. 즉, 상기 설명에서는, 기판(205)이 제1 존(101)으로부터 제2 존(102)으로 이동할 때마다, 스퍼터링 성막 장치를 구성하는 전극(203) 또는 전극(204)에서 스퍼터링을 행하도록 구성되어 있지만, 전극(203) 또는 전극(204)이, 제2 존(102)에 있어서, 적어도 1개소 설치되어 있으면 된다. 또한, 전극(203) 또는 전극(204)의 설정 위치나 개수는, 막질과 성막 속도의 균형에 따라서 결정된다.
본 성막 장치에 의한 성막 방법은, 우선, 플렉시블 기판(205)을 성막 장치의 진공 챔버(100)에 세팅하여 챔버(100)를 진공 상태로 한다. 요구되는 진공도는 제조할 막의 막질이나 허용되는 처리 속도 등에 따라 바뀌게 되기 때문에, 일의적으로 결정하는 것은 적당하지 않다. 플렉시블 기판(205)의 재질은 PET나 PEN, 폴리이미드 등 외에, 포일이나 종이, 천 등, 본 장치 구성에서의 기판(205)의 반송에 견딜 수 있는 것이라면 적용 가능하다. 박화하여 구부릴 수 있게 된 규소나 유리여도 된다. 상기를 복수 포함하는 복합 재료여도 된다.
필요하다면 진공 챔버(100)를 적절히 가열한다.
계속해서, 제1 존(101)에 금속 또는 규소를 포함하는 원료 가스를, 제2 존(102)에 아르곤 가스를 도입한다. 제2 존(102)에서 반응성 스퍼터링을 실시하는 경우에는 산소 등의 반응성 가스도 함께 도입한다. 예비 스퍼터링에 의한 타깃 표면 클리닝 등은, 이때 끝내 둔다.
또한, 제3 존(103)에는 퍼지 가스로서, 불활성의 아르곤 또는 질소 가스를 도입하면 된다. 이때, 제3 존(103)의 가스압이, 다른 영역의 가스압보다 가장 높아지도록 설정하면 된다. 이에 의해 제1 존(101)에 도입한 전구체와 제2 존(102)에 도입한 스퍼터링용의 가스가 혼합될 가능성이나 그의 비율을 낮출 수 있다. 또한, 예를 들어 스퍼터링용의 가스로서 제1 존(101)에 도입한 상기 원료 가스에 대하여 불활성의 종을 선택하는 경우에는 꼭 그렇지만은 않다.
이어서, 플렉시블 기판(205)의 반송을 개시함과 함께 스퍼터링 성막을 행한다. 일반적인 DC 스퍼터링을 사용할 수 있지만, 캐소드(타깃)의 수에 따라서는 고주파나 마이크로파, 유도 결합 플라스마(ICP) 등도 플라스마 여기원으로서 사용할 수 있다. 아킹 억제를 위해 공지의 기술을 적용해도 된다. 예를 들어 펄스화 DC 전원의 사용이나, 아크 커트 제어 회로 부착 DC 전원의 사용 등이 이에 해당된다.
스퍼터링 성막 시에 플라스마에 투입하는 전력은 원하는 막질, 성막 속도에 따라 자유롭게 설정할 수 있다. 일반적으로 스퍼터링 성막에서는 방전 전력에 비례하여 제작되는 막의 막 두께는 두껍게 된다. 그러나, 본 성막법의 특징은 상기 원료 가스의 흡착과 스퍼터링에 의한 성막을 상보적으로 교대로 반복하여 행한다는 점에서, 스퍼터링 성막만이 돌출되어 이루어지는 것은 본 성막법의 이점을 손상시키는 것으로 이어진다.
이때, 반송되는 플렉시블 기판(205)에 주목해 보면, 진공 챔버(100)의 성막실로 도입된 플렉시블 기판(205)은 제1 존(101)에서 금속 또는 규소를 포함하는 가스에 노출된다. 이 예에서는 도 3의 좌측 상단으로부터 플렉시블 기판(205)이 진공 챔버(100)의 성막실로 들어오는 것으로 한다. 원료 가스는 플렉시블 기판(205)의 표면에 흡착된다. 그 후, 플렉시블 기판(205)은 존 세퍼레이터(202)의 개구부를 통과하여 제3 존(103)으로 이동하고, 불활성 가스에 노출되지만, 제1 존(101)에서 이미 흡착된 원료 가스는 그대로 플렉시블 기판(205)의 표면에 남아 있다. 계속해서 플렉시블 기판(205)은 앞서와 마찬가지로 존 세퍼레이터(202)의 개구부를 통과하여 제2 존(102)으로 이동하고, 여기서 스퍼터링 성막을 위한 가스에 노출된다.
도 3의 예에서는 도 2의 (7)'에서 도시한 전극이 그 방향에서 수용되어 있다. 즉, 공간(401) 근방에서는 전극(203)에 의한 방전에 의해 플라스마가 여기되고, 공간(401) 근방에 위치하는 플렉시블 기판(205)은 전술한 표면 흡착된 원료 가스가 개질된다. 표면 근방에 존재하는 원소에 의해 어떻게 개질될지는 서로 다르다. 예를 들어, 원소로서 산소가 존재하는 경우에는 산화될 것이 예상된다. 계속해서 플렉시블 기판(205)은 롤러(201)에 의해 180°반전되고, 다시 전극(203) 앞으로 유도된다. 이때의 플렉시블 기판(205)의 방향으로부터 고려하면, 전극(203)은 그 표면에 타깃재(303)가 있는 쪽에 면해 있고, 타깃재(303)의 구성 물질이 스퍼터링되어 있다. 따라서, 공간(402) 근방에서는 플렉시블 기판(205) 상에 스퍼터링 성막이 진행된다. 그 후, 플렉시블 기판(205)은 존 세퍼레이터(202)의 개구부를 통하여 제3 존(103)으로 들어가고, 계속해서 마찬가지로 제1 존(101)으로 들어가게 된다. 이것을 반복함으로써 일련의 성막이 진행된다.
또한, 여러 가지 케이스가 고려되기 때문에 수치로 나타내는 것은 적절하지는 않지만, 예를 들어 공간(402) 근방을 플렉시블 기판(205)이 1회 통과할 때 막 두께로서 약 0.2 내지 1nm 정도가 스퍼터링 성막에 의해 형성되도록 스퍼터링 성막의 투입 전력 등을 조정하면, 막질의 저하를 억제하면서 막 성장 속도를 살릴 수 있어 적합하다.
원하는 막 두께로 될 때까지 플렉시블 기판(205)을 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이에서 왕래시킨다. 도 3에서는 설명을 간단하게 하기 위해 5 왕복분만 묘화하고 있지만, 몇 번 왕복시킬지를 정하는 것은 플렉시블 기판(205)의 턴 수이기 때문에, 목적의 막 두께에 대하여 미리 턴 수를(즉 롤러(201)와 전극(203)의 수를) 고려하여 설계한 장치를 사용한다. 일반적으로, 10 내지 50nm의 막 두께가 필요하다고 일컬어지고 있으며, 이러한 막 두께를 기준으로 하여 턴 수를 설정하면 된다.
기판(205)의 반송 속도는 막질로부터의 요구 및 허용되는 스루풋에 따라서 제한되기 때문에, 규정하는 것은 적합하지는 않다.
원하는 막 두께로 될 때까지 성막을 실시한 후에는, 플라스마를 오프로 하고, 원료 가스 그 밖의 가스의 공급을 멈추고, 진공 챔버(100)를 진공화하여 챔버(100) 내에 남은 가스를 완전히 배기한 후, 진공 챔버(100)를 벤트시켜 플렉시블 기판(205)을 취출한다. 롤 투 롤로 다른 챔버로부터 플렉시블 기판(205)의 권출ㆍ권취를 행하는 케이스에서는 해당 다른 챔버를 벤트시켜 성막 완료의 롤을 취출한다.
이상으로 성막이 완료된다.
<본 실시 형태의 효과>
본 실시 형태의 성막 장치를 사용함으로써, 플렉시블 기판(205)이 제1 존(101)을 통과하는 과정에서 금속 또는 규소를 포함하는 원료 가스는 플렉시블 기판(205)에 존재하는 홀이나 피트도 포함시켜 3차원적으로 플렉시블 기판(205) 전체를 덮는다. 플렉시블 기판(205)이, 계속되는 제2 존(102)을 통과하는 과정에서 스퍼터링 성막에 의해 스퍼터링 타깃을 구성하는 성분을 포함하는 박막이 형성된다. 이것으로 스퍼터링 성막 조건에 따라 수 원자층에서부터 수십 혹은 수백 원자층분의 막 두께의 퇴적을 기대할 수 있다. 이것을 반복함으로써 제1 존(101)에서는 1 원자층 레벨의 박막(ALD막)이, 제2 존(102)에서는 스퍼터링 성막에 의한 후막(스퍼터링막)이 얻어지게 된다.
스퍼터링 성막법은 결함이 많은 성막법이기는 하지만, 가령 결함이 있다고 해도, 제1 존(101)에 있어서 원료 가스가 그 결함까지도 덮음으로써, 전체로서 양호한 박막을 형성할 수 있다. 이들은 절연막, 유전막, 가스 배리어막 등의 성막에도 적용 가능하다.
즉, ALD에서는, 1층(원자층) 단위로 성막되지만, 대상으로 하는 기판의 상태나 이물(오염물)에 따라, 전구체의 흡착 상황도 상이하다. 이 때문에, 기판 상에 순차적으로 원자층이 이상적으로 형성되는 일이 없다고 하는 문제가 있다. 한편, 스퍼터링법은, 원자층 단위로 치밀한 막 형성까지는 불가능하지만, 스퍼터링막의 형성은 ALD와 비교하면 용이하다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 제1 존(101)에서의 전구체 흡착(ALD에 의한 흡착)과, 계속되는 제2 존(102)에서의 스퍼터링에 의한 성막의 조합에 의해, 서로 보완되는 관계로 되어 있다. 구체적으로는, 스퍼터링막의 간극을 ALD막으로 메우며, 나아가서는 스퍼터링막으로의 전구체의 흡착이 좋고 ALD막을 성막하기 쉽다고 하는 효과를 갖는다.
또한, 고분자 재료를 포함하는 기판의 표면에는, 고분자 구조면의 요철이나 공동부(전자 현미경으로 보면 평탄한 면은 아님)가 있기 때문에, 성막의 초기 단계에서는, ALD막을 성막하기 어렵다고 하는 문제도 해소할 수 있다는 효과도 있다. 단, 완전히 치밀하게 성막된 ALD막에는 배리어성이 미치지 못할 가능성이 있기는 하지만, 본 실시 형태에서는, 스퍼터링막의 경도도 포함시켜, ALD막의 취약성도 커버되어 있다고 하는 효과도 기대할 수 있다.
또한, 제3 존(103)을 설정하고, 제3 존(103)에 불활성 가스를 도입하는 구성을 사용함으로써, 제1 존(101)과 제2 존(102)의 사이에서 가스의 믹싱을 억제할 수 있고, 플렉시블 기판(205) 상으로의 예기치 않은 박막 퇴적을 억제할 수 있다. 또한, 제1 존(101)이나 제3 존(103)에 있어서는 챔버(100) 내벽으로의 박막 퇴적을 억제할 수 있다.
또한, 타깃재가 전극(203)의 일부에만 배치되어 있다.
이러한 구성을 사용함으로써, 전극(203)의 표면 중 타깃재로 덮여 있지 않은 부분은 제1 존(101)에서 플렉시블 기판(205)에 흡착된 금속 또는 규소를 포함하는 가스를 효율적으로 분해 또는 반응시킨 후, 스퍼터링에 의한 성막분을 적층할 수 있다.
또한, 전극(203) 중, 타깃재가 배치되어 있는 부분에만 대응하여 마그네트론이 배치되어 있다.
스퍼터링 타깃(전극(203))에 마그네트론을 조합하는 것 자체는 공지의 기술이다. 이에 비해, 본 실시 형태는 전극(203) 표면 중, 타깃재로 덮여 있는 부분에 마그네트론을 조합하고, 타깃재로 덮여 있지 않은 부분에는 마그네트론을 설치하지 않고 그대로 남기는 것이다.
이러한 구성을 사용함으로써, 투입하는 전력에 따라서는, 마그네트론을 조합한 부분은 타깃재로부터 스퍼터링되는 입자의 양이 비약적으로 상승하고(스퍼터링률의 향상), 그렇지 않은 부분은 거의 스퍼터링되지 않는다는 등의 선택적인 상황을 만들어 낼 수 있다.
또한, 플렉시블 기판(205)에 상대되는 전극(203)의 2면 중 한쪽 면에만 타깃재가 형성되어 있다.
이러한 구성을 사용함으로써, 한쪽 면에서는 플렉시블 기판(205) 상에 스퍼터링 성막을 행할 수 있고, 다른 쪽 면에서는 플렉시블 기판(205) 상에 형성된 박막 또는 성장 중인 박막에 대하여 표면의 개질을 행할 수 있다.
또한, 플렉시블 기판(205)에 상대되는 전극(203)의 2면 중 한쪽 면에만 타깃재가 형성되어 있는 전극(203)에 있어서, 해당 전극(203)의 다른 쪽 면에 마그네트론이 설치되고, 해당 마그네트론을 덮도록 도전체가 형성되어, 타깃재와 해당 도전체가 전기적으로 접속되어 있다.
이러한 구성을 사용함으로써, 한쪽 면에서 마그네트론 스퍼터링을 실시할 수 있음과 동시에, 다른 쪽 면에서 플렉시블 기판(205) 상에서 형성된 박막 또는 성장 중인 박막에 대하여 표면의 개질을 행할 수 있다.
또한, 마그네트론과 상기 도전체의 사이에, 방자 구조체가 설치되어 있다.
이러한 구성을 사용함으로써, 타깃재와 반대측에 위치하는 도전체에 미치는 자장의 영향을 없애거나 또는 적게 할 수 있고, 상기 도전체 표면이 스퍼터링되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 스퍼터링이 반응성 스퍼터링인 경우에는, 플렉시블 기판(205) 상에 흡착된 원료 가스를 반응성 가스 그곳에서 플라스마에 의해 파생되는 활성종에 의해 효율적으로 개질하여 박막을 형성할 수 있다.
이상, 본원이 우선권을 주장하는, 일본 특허 출원 제2015-053394호(2015년 3월 17일 출원)의 전체 내용은, 참조에 의해 본 개시의 일부를 이룬다.
여기서는, 한정된 수의 실시 형태를 참조하면서 설명하였지만, 권리 범위는 그것들에 한정되는 것은 아니며, 상기의 개시에 기초하는 각 실시 형태의 개변은 당업자에게 있어서 자명한 것이다. 즉, 본 발명은, 이상에 기재한 각 실시 형태에 한정될 수 있는 것은 아니다. 당업자의 지식에 기초하여 각 실시 형태에 설계의 변경 등을 가하는 것이 가능하며, 그러한 변경 등을 추가한 형태도 본 발명의 범위에 포함된다.
<산업상 이용가능성>
본 발명은 기판을 반송하면서 기판 상에 박막을 제작하는 공정에 있어서, 설비를 대규모화하지 않고 성막을 실시할 수 있어, 생산 비용 저감에 공헌한다. 또한, 다종다양의 막종을 만들어낼 수 있다.
100: 진공 챔버
101: 제1 존
102: 제2 존
103: 제3 존
201: 롤러
202: 존 세퍼레이터
203, 204: 전극
205: 플렉시블 기판
301: 절연체
302: 백킹 플레이트
303: 타깃재
304: 마그네트론
305: 도전체
306: 방자판
401, 402: 공간
501, 502, 503: 가스를 도입하는 기구

Claims (8)

  1. 진공 챔버 내를 이동하는 플렉시블 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치이며,
    상기 진공 챔버 내를, 적어도 제1 존과 제2 존으로 구획 형성함과 함께 상기 플렉시블 기판이 통과하는 개구가 형성된 격벽과,
    상기 플렉시블 기판을, 상기 제1 존과 상기 제2 존의 사이를 왕래시키는 기구와,
    상기 제1 존에 금속 또는 규소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 기구와,
    상기 제2 존에 배치되어 금속 또는 규소를 포함하는 재료를 타깃재로 하여 스퍼터링을 행하는 기구를 포함하고,
    상기 스퍼터링을 행하는 기구는 전극을 구비하고, 상기 타깃재가 상기 전극의 일부에만 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 존과 상기 제2 존의 사이에 배치된 제3 존을 갖고, 또한, 상기 제3 존에 불활성 가스를 도입하는 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스퍼터링을 행하는 기구는 전극을 구비하고, 상기 전극 중, 상기 타깃재가 배치되어 있는 부분에만 대응하여 그 배면에 마그네트론이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스퍼터링을 행하는 기구는, 상기 플렉시블 기판에 상대되는 전극을 구비하고, 그 전극의 2면 중 한쪽 면에만 타깃재가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플렉시블 기판에 상대되는 전극의 2면 중, 한쪽 면에만 타깃재가 형성됨과 함께 다른 쪽 면에 마그네트론이 설치되고, 해당 마그네트론을 덮도록 도전체가 형성되어, 타깃재와 해당 도전체가 전기적으로 접속되어 있는 구성을 포함하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 마그네트론과 상기 도전체의 사이에, 방자 구조체(magnetic shielding structure)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스퍼터링이 반응성 스퍼터링인 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
KR1020177024907A 2015-03-17 2016-03-11 성막 장치 KR102613896B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-053394 2015-03-17
JP2015053394A JP6672595B2 (ja) 2015-03-17 2015-03-17 成膜装置
PCT/JP2016/001388 WO2016147633A1 (ja) 2015-03-17 2016-03-11 成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170128265A KR20170128265A (ko) 2017-11-22
KR102613896B1 true KR102613896B1 (ko) 2023-12-15

Family

ID=56918620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177024907A KR102613896B1 (ko) 2015-03-17 2016-03-11 성막 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10685817B2 (ko)
EP (1) EP3272900B1 (ko)
JP (1) JP6672595B2 (ko)
KR (1) KR102613896B1 (ko)
CN (1) CN107429382B (ko)
WO (1) WO2016147633A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6604463B1 (ja) * 2018-03-30 2019-11-13 Ｊｆｅスチール株式会社 表面処理設備
CN111560595A (zh) * 2020-03-30 2020-08-21 维达力实业(深圳)有限公司 含硅负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池
CN114481080A (zh) * 2021-12-24 2022-05-13 重庆金美新材料科技有限公司 一种真空镀、水镀一体化设备和超薄铜箔的生产方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010242150A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Toppan Printing Co Ltd 成膜装置、成膜方法、ガスバリア性積層体、並びにガスバリア性フィルタ及び光学部材
JP2011504546A (ja) * 2007-07-25 2011-02-10 ジーエス ナノテク カンパニー リミテッド 非電導性ターゲットを使用するスパッタリングによるセラミック薄膜の成膜方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59179783A (ja) 1983-03-31 1984-10-12 Toshiba Corp スパツタリングタ−ゲツト
US4420385A (en) 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
JPH07176481A (ja) 1993-12-20 1995-07-14 Ulvac Japan Ltd 多層膜作成装置
JPH09307128A (ja) 1996-05-20 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 薄膜光電変換素子の製造装置および製造方法
JP3386677B2 (ja) 1996-08-13 2003-03-17 日立金属株式会社 金属シリサイドタ−ゲット材
JP4043077B2 (ja) * 1997-07-31 2008-02-06 松下電器産業株式会社 マグネトロンスパッタ装置およびそれに使用するマグネットユニット
WO1999053117A2 (en) 1998-04-14 1999-10-21 Cvd Systems, Inc. Film deposition system
US6186090B1 (en) * 1999-03-04 2001-02-13 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor
JP4430165B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-10 日東電工株式会社 真空薄膜形成装置および真空薄膜形成方法
JP2001316818A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Canon Inc 膜形成方法及び形成装置、並びにシリコン系膜、起電力素子及びそれを用いた太陽電池、センサー及び撮像素子
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
DE102004036170B4 (de) 2004-07-26 2007-10-11 Schott Ag Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Vakuumbeschichtung und deren Verwendung
JP4720464B2 (ja) 2004-11-30 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP4725253B2 (ja) * 2005-09-01 2011-07-13 住友金属鉱山株式会社 巻取式複合真空表面処理装置及びフィルムの表面処理方法
US20070068794A1 (en) 2005-09-23 2007-03-29 Barret Lippey Anode reactive dual magnetron sputtering
ATE507320T1 (de) 2006-03-26 2011-05-15 Lotus Applied Technology Llc Atomlagenabscheidungssystem und verfahren zur beschichtung von flexiblen substraten
US20070281089A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-06 General Electric Company Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects
JP4408879B2 (ja) * 2006-08-22 2010-02-03 株式会社イトロ 固体物質の表面改質装置およびそれを用いた表面改質方法
CN201162043Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-10 北京京东方光电科技有限公司 磁控溅射靶结构及设备
JP5081712B2 (ja) 2008-05-02 2012-11-28 富士フイルム株式会社 成膜装置
US20090291209A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US20100078312A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Tango Systems, Inc. Sputtering Chamber Having ICP Coil and Targets on Top Wall
WO2010065955A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Solopower, Inc. Method and apparatus for forming contact layers for continuous workpieces
JP5246017B2 (ja) * 2009-04-28 2013-07-24 パナソニック株式会社 スパッタリング装置
JP5434484B2 (ja) 2009-11-02 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5621258B2 (ja) * 2009-12-28 2014-11-12 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
US8398834B2 (en) * 2010-04-02 2013-03-19 NuvoSun, Inc. Target utilization improvement for rotatable magnetrons
JP5352537B2 (ja) * 2010-06-29 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
JP5648402B2 (ja) * 2010-09-30 2015-01-07 住友金属鉱山株式会社 スパッタリング装置、スパッタリング方法及び金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法
KR101819781B1 (ko) 2010-10-16 2018-02-28 울트라테크 인크. 원자 층 증착 코팅 시스템
US8968537B2 (en) 2011-02-09 2015-03-03 Applied Materials, Inc. PVD sputtering target with a protected backing plate
JP5787779B2 (ja) 2012-01-25 2015-09-30 日東電工株式会社 導電性フィルムロールの製造方法
JP2013234365A (ja) 2012-05-09 2013-11-21 Mitsubishi Plastics Inc ガスバリア性フィルムの製造方法
JP2014027191A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Hitachi High-Technologies Corp 光ｃｖｄ膜の製造方法、及び光ｃｖｄ膜の製造装置
US20140326182A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Areesys Corporation Continuous Substrate Processing Apparatus
JP6547271B2 (ja) 2014-10-14 2019-07-24 凸版印刷株式会社 フレシキブル基板上への気相成長法による成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011504546A (ja) * 2007-07-25 2011-02-10 ジーエス ナノテク カンパニー リミテッド 非電導性ターゲットを使用するスパッタリングによるセラミック薄膜の成膜方法
JP2010242150A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Toppan Printing Co Ltd 成膜装置、成膜方法、ガスバリア性積層体、並びにガスバリア性フィルタ及び光学部材

Also Published As

Publication number Publication date
US20180005800A1 (en) 2018-01-04
EP3272900A4 (en) 2018-11-14
EP3272900A1 (en) 2018-01-24
JP2016172901A (ja) 2016-09-29
US10685817B2 (en) 2020-06-16
KR20170128265A (ko) 2017-11-22
CN107429382A (zh) 2017-12-01
EP3272900B1 (en) 2021-04-21
WO2016147633A1 (ja) 2016-09-22
JP6672595B2 (ja) 2020-03-25
CN107429382B (zh) 2020-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Knoops et al. Status and prospects of plasma-assisted atomic layer deposition
US20240162037A1 (en) Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US8967082B2 (en) Plasma processing apparatus and gas supply device for plasma processing apparatus
US7498230B2 (en) Magnesium-doped zinc oxide structures and methods
US20200232088A1 (en) Apparatus and system for vacuum deposition on a substrate and method for vacuum deposition on a substrate
KR102613896B1 (ko) 성막 장치
JP5959099B2 (ja) 積層体の製造方法
KR102405729B1 (ko) 저주파수 바이어스를 활용한 유전체 막들의 기하학적 선택적 증착
JP6049051B2 (ja) 両面真空成膜方法
KR20150131265A (ko) 회전 플래튼 및 챔버를 위한 플라즈마 소스
EP3811395B1 (en) Plasma source and method of operating the same
US20170211177A1 (en) Method for forming film on flexible substrate by vapor deposition
US8119514B2 (en) Cobalt-doped indium-tin oxide films and methods
KR20210016859A (ko) 전이금속 칼코게나이드 박막의 형성방법
US9133546B1 (en) Electrically- and chemically-active adlayers for plasma electrodes
JP5733507B2 (ja) 成膜方法
JP2017218611A (ja) 成膜装置および成膜方法
KR20220046476A (ko) 특징부의 측벽 상에 실리콘 질화물을 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN115915920A (zh) 基于卤化的间隙填充方法和系统

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant