JP2010239156A - 接続構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが異方性導電フィルムを介して異方性導電接続されてなる接続構造体は、第1の電子部品として、異方性導電フィルム側の表面に配置された少なくとも一対の端子を有し、該一対の端子の間に第1の絶縁層を有しているものを使用し、第2の電子部品として、第1の電子部品の第1の絶縁層に対向する表面には凹部が形成されており、該凹部の底面には第2の絶縁層が形成されているものを使用する。
【選択図】図1
Description
第1の電子部品は、表面に第1の絶縁層を有し、第1の絶縁層を表面方向で挟む位置に少なくとも一対の端子が配置されており、
第1の電子部品の第1の絶縁層に対向する第2の電子部品の表面には凹部が形成されており、該凹部の底面には第2の絶縁層が形成されている接続構造体を提供する。
第1の電子部品として、異方性導電フィルム側の表面に少なくとも一対の端子を有し、一対の端子間に第1の絶縁層を有するものを使用し、
第2の電子部品として、第1の電子部品の第1の絶縁層に対向する表面に凹部が形成され、該凹部の底面には第2の絶縁層が形成されているものを使用することを特徴とする製造方法を提供する。
成膜成分としてフェノキシ樹脂(YP50、東都化成(株))30質量部に、液状エポキシ化合物としてビスフェノールAエポキシ樹脂(EP828、ジャパンエポキシレジン(株))30質量部と、アミン系硬化剤(PHX3941HP、旭化成(株))39質量部、エポキシシランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同株式会社)1質量部、金メッキ被覆樹脂粒子(ブライト、日本化学工業(株))35質量部、及び溶剤としてトルエン50質量部とを均一に混合した。得られた混合物をバーコーターでセパレーレータとしてのポリエチレンテレフタレートフィルムに20μmの乾燥厚となるように塗布し、80℃のオーブン中で5分間加熱乾燥し、熱硬化性の異方性導電フィルムを作成した。
厚さ0.7mm、縦2cm、横8cmのガラス基板(品名:コーニング#1737、コーニング社製)のほぼ中央に、18mm×1mm角で深さ2μmの凹部を以下に説明するように形成した。
電子部品の回路形成面に、スパッタリング法により厚さ500nmの表1の材料から第1の絶縁層としてパッシベーション膜を形成した。このパッシベーション膜の端子形成位置対応箇所をフォトリソグラフ法により除去し、その端子形成位置に、30×85μmの矩形のペリフェラル配置で高さ12μmの金バンプを形成することにより、第1の絶縁層を備えた電子部品を作成した。
加熱加圧ボンディング装置のステージに参考例2で作成した配線基板を置き、その上に参考例1で作成した異方性導電フィルムを置き、更にその上に参考例3で作成した電子部品を置き、加熱加圧ボンディングヘッドで、190℃の圧着温度、80Pa/バンプ層面積の圧力で、15秒間加熱加圧することにより半導体装置を製造した。
凹部を形成していない配線基板であって、その電極側表面に第2の絶縁層として窒化ケイ素膜を形成した配線基板を使用した以外は、実施例1と同様に半導体装置を作成した。
凹部を形成せず、しかも電極側表面に第2の絶縁層を形成しない配線基板を使用した以外は、実施例1と同様に半導体装置を作成した。
凹部は形成されているが、その底部に第2の絶縁層が形成されていない配線基板を使用する以外は、実施例1と同様に半導体装置を作成した。
端子側表面に第1の絶縁層を形成していない電子部品を使用する以外は、実施例1と同様に半導体装置を作成した。
凹部を形成していない配線基板であって、その電極側表面に第2の絶縁膜を形成していない配線基板を使用し、端子側表面に第1の絶縁層を形成していない電子部品を使用し、それ以外は実施例1と同様に半導体装置を作成した。
半導体装置の異方性導電フィルムの硬化物と電子部品との界面(電子部品側界面)並びに異方性導電フィルムの硬化物と配線基板との界面(配線基板側界面)について、浮きや剥離が発生しているか否かを、ガラス基板側から目視観察し、以下の基準に従って評価した。得られた結果を表1に示す。ランクAの場合、電子部品と配線基板との間に挟持された異方性導電フィルムの硬化物の応力緩和力が十分であることを意味し、ランクBの場合、その応力緩和力が不十分であることを意味し、ランクCは、その応力緩和力が非常に不十分であることを意味する。
A: 界面に浮きや剥離が全く観察されない場合。
B: 界面にわずかに浮き又は剥離が観察された場合。
C: 界面の全体に亘って浮き又は剥離が観察された場合。
製造直後の半導体装置及び湿熱試験(85℃、85%RH、500時間放置)後の半導体装置の接続信頼性について、半導体装置と配線基板との間の導通抵抗を、 を用いて測定し、以下の基準により評価した。
AA: 導通抵抗が0.1以上1.0Ω未満である場合。
A: 導通抵抗が1.0以上10Ω未満である場合。
B: 導通抵抗が10以上50Ω未満である場合。
C: 導通抵抗が50Ω以上〜オープンである場合。
1a 電極パッド
1b 凹部
1c 第2の絶縁層
2 半導体チップ
2a バンプ
2b ペリフェラル配置のバンプ2aで囲われた領域
2c 第1の絶縁層
3 熱硬化物
3′異方性導電フィルム
4 加熱加圧ツール
Claims (7)
- 第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが異方性導電フィルムを介して異方性導電接続されてなる接続構造体であって、
第1の電子部品は、異方性導電フィルム側の表面に配置された少なくとも一対の端子を有し、該一対の端子の間に第1の絶縁層を有しており、
第1の電子部品の第1の絶縁層に対向する第2の電子部品の表面には凹部が形成されており、該凹部の底面には第2の絶縁層が形成されている接続構造体。 - 第1の電子部品が、半導体チップまたはフレキシブルプリント配線板である請求項1記載の接続構造体。
- 第1の電子部品が、半導体チップであって、その端子がペリフェラル配置のバンプである請求項1記載の接続構造体。
- 第1の絶縁層が、SiN、SiON又はSiO2から形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の接続構造体。
- 第2の絶縁層が、SiN、SiO2又はシランカップリング剤から形成されている請求項1〜4のいずれかに記載の接続構造体。
- 第2の電子部品が、ガラス絶縁基板の表面に配線が形成されたものである請求項1〜5のいずれかに記載の接続構造体。
- 第2の電子部品の端子上に、異方性導電フィルムを介して、第1の電子部品の端子を位置合わせし、当該第1の電子部品を第2の電子部品に対して加熱加圧して異方性導電接続する。工程を有する接続構造体の製造方法において、
第1の電子部品として、異方性導電フィルム側の表面に少なくとも一対の端子を有し、一対の端子間に第1の絶縁層を有するものを使用し、
第2の電子部品として、第1の電子部品の第1の絶縁層に対向する表面に凹部が形成され、該凹部の底面には第2の絶縁層が形成されているものを使用することを特徴とする製造方法。
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