JP2010239051A5 - - Google Patents
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Description
本発明の光半導体装置は、１．２５μｍ以上の波長を有する伝播光が導波される光半導体装置であって、ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍ以上の一定の幅を有する領域と、前記領域よりも幅が狭くなる第１領域を含む半導体からなる埋め込み型の第１の導波路と、ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍよりも小さい一定の幅を有する領域と、前記領域よりも幅が広くなる第２領域とを含み、前記第１の導波路と屈折率が異なる半導体からなる埋め込み型の第２の導波路とを有し、前記第１の導波路と前記第２の導波路とは、前記第１領域と前記第２領域とを含み前記第１領域と前記第２領域の接合面が１．３５μｍ以下の幅である中間導波部によって接続されることを特徴とする。本構成によれば、中間導波路における接合面が高次モードの発生が許容される幅（１．３５μｍ）よりも狭い位置に設けられるため、接合面が完全平面でなくとも、高次モードの発生を抑制することができる。
Claims (5)
- １．２５μｍ以上の波長を有する伝播光が導波される光半導体装置であって、
ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍ以上の一定の幅を有する領域と、前記領域よりも幅が狭くなる第１領域を含む半導体からなる埋め込み型の第１の導波路と、
ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍよりも小さい一定の幅を有する領域と、前記領域よりも幅が広くなる第２領域とを含み、前記第１の導波路と屈折率が異なる半導体からなる埋め込み型の第２の導波路とを有し、
前記第１の導波路と前記第２の導波路とは、前記第１領域と前記第２領域とを含み前記第１領域と前記第２領域の接合面が１．３５μｍ以下の幅である中間導波部によって接続されることを特徴とする光半導体装置。 - 前記第１の導波路は半導体レーザの活性層であり、前記第２の導波路は光変調器の光吸収層であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
- 前記第１および第２の導波路のコアは、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、或いはその多層構造からなることを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
- 前記第１および第２の導波路上にはそれぞれコンタクト層が設けられると共に、前記中間導波部上には、各コンタクト層の間の離間領域が位置することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
- 前記コンタクト層の一部は、前記中間導波部上に位置することを特徴とする請求項４記載の光半導体装置。
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