JP2010238847A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ生成空間9及び処理空間6を有するチャンバ2と、プラズマ生成空間9に対応する部分の外方に配設されたコイル16と、処理空間6に設けられた基板K載置用の基台10と、プラズマ生成空間9に処理ガスを供給する処理ガス供給手段19と、コイル16に高周波電力を供給する高周波電力供給手段17と、基台10に高周波電力を供給する基台電力供給手段13とを備える。接地された導電性の材料から構成される円筒状のプラズマ密度調整部材20を、プラズマ生成空間9と基台10との間のチャンバ2内壁に固設する。プラズマがプラズマ密度調整部材20を通過する際にその平面内密度が平準化されて、基板Kに導かれる。
【選択図】図1
Description
円筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、該胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及びこのプラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有する非導電性のチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に、これを捲回するように配設されたコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給手段と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給手段と、
上部及び下部が開口した円筒状の部材からなり、その上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材とを備えてなり、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ密度調整部材は、接地された導電性の材料から構成されるとともに、その下端部の内径が、その上端部の内径及び前記プラズマ生成空間を形成する胴部内径よりも小径の漏斗状に形成されたプラズマエッチング装置に係る。
2 チャンバ
3 下胴部
4 底板
5 中間板
6 処理空間
7 上胴部
8 天板
9 プラズマ生成空間
10 基台
13 高周波電源
15 芯部材
16 コイル
17 高周波電源
19 エッチングガス供給源
20 プラズマ密度調整部材
Claims (3)
- 円筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、該胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及びこのプラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有する非導電性のチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に、これを捲回するように配設されたコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給手段と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給手段と、
上部及び下部が開口した円筒状の部材からなり、その上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材とを備えてなり、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ密度調整部材は、接地された導電性の材料から構成されるとともに、その下端部の内径が、その上端部の内径及び前記プラズマ生成空間を形成する胴部内径よりも小径となった漏斗状に形成されてなることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記天板の中心部に、これから下方に垂下する円筒状の芯部材を設けて、前記プラズマ生成空間をドーナツ状に形成した請求項1記載のプラズマエッチング装置。
- 前記芯部材が非導電性の材料から構成されてなることを特徴とする請求項2記載のプラズマエッチング装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178578A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-09-13 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマ密度調整部材 |
JP2013098520A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
WO2014050903A1 (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
KR20140046481A (ko) * | 2011-08-19 | 2014-04-18 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 고효율 플라즈마 소스 |
JP2016189374A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 半導体素子の製造方法及びその製造に用いられるプラズマエッチング装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201318249D0 (en) * | 2013-10-15 | 2013-11-27 | Spts Technologies Ltd | Plasma etching apparatus |
DE102014216195A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats |
US11201036B2 (en) | 2017-06-09 | 2021-12-14 | Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd | Plasma strip tool with uniformity control |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007083A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2004241437A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005531125A (ja) * | 2001-10-22 | 2005-10-13 | ユナクシス・ユーエスエイ・インコーポレーテッド | パルス化プラズマを使用したフォトマスク基板のエッチングのための方法及び装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1162646A3 (en) * | 2000-06-06 | 2004-10-13 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma treatment apparatus and method |
US20030092278A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Fink Steven T. | Plasma baffle assembly |
JP2004079465A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Shimadzu Corp | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
GB0323001D0 (en) * | 2003-10-01 | 2003-11-05 | Oxford Instr Plasma Technology | Apparatus and method for plasma treating a substrate |
JP4459877B2 (ja) | 2004-08-12 | 2010-04-28 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
JP4578893B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-11-10 | 住友精密工業株式会社 | シリコン材のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
KR100683174B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 가속장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리시스템 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007083A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2005531125A (ja) * | 2001-10-22 | 2005-10-13 | ユナクシス・ユーエスエイ・インコーポレーテッド | パルス化プラズマを使用したフォトマスク基板のエッチングのための方法及び装置 |
JP2004241437A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140046481A (ko) * | 2011-08-19 | 2014-04-18 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 고효율 플라즈마 소스 |
JP2014531701A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-11-27 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | 高効率プラズマソース |
KR101659594B1 (ko) * | 2011-08-19 | 2016-09-23 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 고효율 플라즈마 소스 |
JP2013098520A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
JP2012178578A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-09-13 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマ密度調整部材 |
WO2014050903A1 (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
KR20150058150A (ko) * | 2012-09-27 | 2015-05-28 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 플라즈마 식각 장치 |
EP2903019A4 (en) * | 2012-09-27 | 2016-06-08 | Spp Technologies Co Ltd | plasma etching |
JPWO2014050903A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-08-22 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
KR102107496B1 (ko) * | 2012-09-27 | 2020-05-07 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 플라즈마 식각 장치 |
JP2016189374A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 半導体素子の製造方法及びその製造に用いられるプラズマエッチング装置 |
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