TW201423864A - 電漿設備及其反應腔室 - Google Patents

Abstract

本發明提出了一種電漿設備及其反應腔室。該反應腔室包括腔體、線圈和多個磁鐵。其中腔體內具有反應腔。線圈環繞腔體的外周壁設置。多個磁鐵設在腔體之外且沿腔體的周向間隔佈置，多個磁鐵的N極或S極朝向同一方向，且每個磁鐵的N極與S極的方向相反。根據本發明提供的用於電漿設備的反應腔室，通過在腔體的外面沿腔體的周向設置多個磁鐵，在對晶片進行清洗製程的過程中，磁鐵可吸引由製程氣體例如Ar形成的電漿朝向反應腔的邊緣處運動，從而降低了反應腔的中心處的電漿密度，增加了反應腔的邊緣處的電漿密度，進而提高了反應腔內電漿分佈的均勻性，以使電漿可對基座上的晶片均勻地蝕刻。

Description

電漿設備及其反應腔室

本發明涉及半導體設備領域，尤其是涉及一種電漿設備及其反應腔室。

在物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，以下簡稱PVD）製程中，特別是積體電路（integrated circuit，IC）、矽穿孔（Through Silicon Vias，TSV）、封裝（Packaging）等的製造製程中，需要一種預清洗製程腔室，用以進行預清洗製程，該預清洗製程作為PVD製程的一部分，其目的是為了在晶片沉積金屬膜之前，清除晶片表面的污染物，從而提高後續金屬膜沉積製程的效果。
傳統的預清洗反應腔室由頂蓋、金屬環、螺線管線圈、射頻電源和射頻匹配器等組成，射頻電源可通過射頻匹配器將射頻功率施加至螺線管線圈上，用於將氣體例如Ar（氬氣）等的惰性氣體激發為電漿。但是，由於Ar被激發為電漿後，其電漿中的正、負粒子彼此很難碰撞複合，而電漿邊緣區域中的正粒子或負粒子的電荷容易與製程腔室的腔室壁複合，導致電漿中心區域的粒子密度高於邊緣區域的粒子密度，製程均勻性差，從而影響後續沉積製程的效果。

本發明旨在至少在一定程度上解決上述技術問題之一。
為此，本發明的一個目的在於提出一種用於電漿設備的反應腔室，該反應腔室內的電漿分佈更加均勻。
本發明的另一個目的在於提出一種電漿設備。
根據本發明第一方面的用於電漿設備的反應腔室，包括：腔體，該腔體內具有反應腔；線圈，該線圈環繞該腔體的外周壁設置；和多個磁鐵，該多個磁鐵設在該腔體之外且沿該腔體的周向間隔佈置，該多個磁鐵的N極或S極朝向同一方向，且每個磁鐵的N極與S極的方向相反。
根據本發明提供的用於電漿設備的反應腔室，通過在腔體的外面，且沿腔體的周向設置多個磁鐵，在對晶片進行清洗製程的過程中，磁鐵可吸引由製程氣體例如Ar形成的電漿朝向反應腔的邊緣處，即，朝向反應腔的周壁處運動，從而降低了反應腔的中心處的電漿密度，增加了反應腔的邊緣處的電漿密度，進而提高了反應腔內電漿分佈的均勻性，以使電漿可對基座上的晶片均勻地蝕刻，從而不僅提高了晶片上雜質的去除效果，而且還有效增加了用於電漿設備的反應腔室的製程視窗。
另外，根據本發明提供的用於電漿設備的反應腔室，還可以具有如下附加技術特徵：
在本發明的一個實施例中，該多個磁鐵的N極均朝向上方，該多個磁鐵的S極均朝向下方；或者，該多個磁鐵的N極均朝向下方，該多個磁鐵的S極均朝向上方。由此，由磁鐵產生的磁場向電漿中的帶電運動粒子施加的牽引力最大，且該牽引力的方向平行於腔體的徑向，從而可以更有效的牽引位於反應腔的中心處的Ar電漿朝向反應腔的邊緣處運動。
在本發明的一個實施例中，該用於電漿設備的反應腔室還包括遮罩件，該遮罩件繞該腔體的周向設在該腔體的外周壁上，該線圈設在該遮罩件內。通過設置遮罩件，可遮罩掉腔體外部的電場，從而可以避免該電場對用於電漿設備的反應腔室內電漿分佈的影響，而且，線圈設在遮罩件內也方便了線圈的安裝固定。
在本發明的一個實施例中，該多個磁鐵設在該腔體的頂部，或者該多個磁鐵環繞該腔體的外周壁設置。由此，可提高用於電漿設備的反應腔室內的電漿分佈的均勻性。
在本發明的另一個實施例中，該多個磁鐵位於該線圈的上方或下方。由此，同樣可提高用於電漿設備的反應腔室內的電漿分佈的均勻性。
進一步地，該多個磁鐵位於該線圈的正上方或正下方。
在本發明的一些實施例中，該磁鐵為永久磁鐵或電磁鐵。
在本發明的一個實施例中，該磁鐵為柱狀且該磁鐵的軸向與該腔體的軸向相平行。
在本發明的一個實施例中，該線圈為螺線管線圈，且該螺線管線圈為1匝或多匝。
在本發明的一個實施例中，該多個磁鐵沿該腔體的周向均勻或非均勻地佈置。
在本發明的一個實施例中，該腔體包括：絕緣筒；第一金屬環，該第一金屬環設在該絕緣筒的頂端；頂蓋，該頂蓋設在該第一金屬環的頂面上；第二金屬環，該第二金屬環設在該絕緣筒的底端；和第三金屬環，該第三金屬環設在該第二金屬環的底面上。
根據本發明第二方面的電漿設備，包括：反應腔室，該用於電漿設備的反應腔室為根據本發明上述第一方面的用於電漿設備的反應腔室；基座，該基座設在該用於電漿設備的反應腔室的底部，用於承載晶片；和第一射頻電源，該第一射頻電源通過第一匹配器與該反應腔室的線圈相連。
在本發明的一些實施例中，該第一射頻電源的頻率包括400kHz、2MHz、13.56MHz、40MHz或60MHz。
在本發明的一個實施例中，該電漿設備還包括第二射頻電源，該第二射頻電源通過第二匹配器與該基座相連。通過設置第二射頻電源和第二匹配器，可使基座產生射頻偏壓，以吸引電漿轟擊基座上的晶片，從而改善了晶片雜質的去除效果，同時還可縮短製程時間。
本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐瞭解到。

1．．．腔體

2．．．線圈

3．．．磁鐵

4．．．遮罩件

11．．．反應腔

12．．．絕緣筒

13、15、16．．．金屬環

14．．．頂蓋

100．．．反應腔室

200．．．基座

300、400．．．射頻電源

310、410．．．匹配器

1000．．．電漿設備

本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：
第1圖為本發明一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的示意圖；
第2圖為本發明一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的俯視圖；
第3圖為本發明另一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的示意圖；
第4圖為本發明再一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的示意圖；
第5圖為本發明再一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的示意圖；
第6圖為本發明再一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室的示意圖；
第7圖為本發明一個實施例提供的電漿設備的示意圖；
第8圖為本發明一個實施例提供的電漿設備的俯視圖；
第9圖為晶片上49個待測點在晶片上分佈的示意圖；以及
第10圖為第9圖中腔體外設置磁鐵時的各待測點上蝕刻速率與腔體外無磁鐵時的各待測點上蝕刻速率的對比曲線圖。

下面詳細描述本發明的實施例，該實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“頂”、“底”“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之“上”或之“下”可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水準高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水準高度小於第二特徵。
下面參考第1圖至第10圖描述本發明實施例提供的用於電漿設備的反應腔室100，可在對晶片沉積金屬膜之前，用於清除晶片表面上的污染物或溝槽及穿孔底部的殘餘物。
如第1圖和第2圖所示，本發明一個實施例提供的用於電漿設備的反應腔室100包括腔體1、線圈2和多個磁鐵3。
其中，腔體1內具有反應腔11，基座200（如第7圖和第8圖所示）可設在反應腔11的底部，用於承載晶片，反應腔11內可預先通入製程所需的製程氣體，例如惰性氣體Ar（氬氣），在下面的描述中，製程氣體均以惰性氣體Ar為例。當然，本發明不限於此，例如在製程過程中也可通入其他製程氣體，如惰性氣體氦氣。
線圈2環繞腔體1的外周壁設置，例如線圈2可以纏繞在腔體1的外周壁上，線圈2可由射頻電源例如第一射頻電源300（如第7圖和第8圖所示）輸入預定的射頻功率，從而線圈2可激發反應腔11內的製程氣體例如惰性氣體Ar形成高密度的電漿。
多個磁鐵3設在腔體1之外，且多個磁鐵3沿腔體1的周向間隔佈置，在實際應用中，多個磁鐵3可環繞腔體1的外周壁設置，例如多個磁鐵3可以是緊貼腔體1的外周壁設置，當然也可與腔體1的外周壁在其徑向上隔開一定的距離。而且，多個磁鐵3的N極（或S極）朝向同一方向，且每個磁鐵的N極與S極的方向相反。
在對晶片進行清洗製程的過程中，線圈2激發反應腔11內的製程氣體例如惰性氣體Ar形成高密度的電漿，同時，由磁鐵3產生的磁場會施加給電漿中的帶電運動粒子例如Ar電漿一個牽引力，該牽引力會牽引Ar電漿沿反應腔11的徑向向外運動，即，朝向反應腔11的周壁處運動，換言之，由磁鐵3產生的磁場會牽引位於反應腔11的中心處的Ar電漿朝向反應腔11的邊緣處運動，從而可以使中心處的Ar電漿的密度與邊緣處的Ar電漿密度趨於均勻。
優選的，多個磁鐵3的N極（或S極）朝向上方或下方，即，若各個磁鐵3的N極均朝向上方，則各個磁鐵3的S極與N極相反，即均朝向下方；反之，若各個磁鐵3的S極均朝向上方，則各個磁鐵3的N極與S極相反，即均朝向下方。這樣，由磁鐵3產生的磁場向電漿中的帶電運動粒子施加的牽引力最大，且該牽引力的方向平行於腔體1的徑向，從而可以更有效的牽引位於反應腔11的中心處的Ar電漿朝向反應腔11的邊緣處運動。當然，多個磁鐵3的N極（或S極）的方向也可以相對於上下方向（即，腔體1的軸向）傾斜，即，多個磁鐵3的N極（或S極）的方向與上下方向呈銳角或直角，由磁鐵3產生的磁場同樣可以向電漿中的帶電運動粒子施加牽引力，以使位於反應腔11的中心處的Ar電漿朝向反應腔11的邊緣處運動。
本發明實施例提供的用於電漿設備的反應腔室100，通過在腔體1的外面，且沿腔體1的周向設置多個磁鐵3，在對晶片進行清洗製程的過程中，磁鐵3可吸引由製程氣體例如Ar形成的電漿朝向反應腔11的邊緣處，即，朝向反應腔11的周壁處運動，從而降低了反應腔11的中心處的電漿密度，增加了邊緣處的電漿密度，進而提高了反應腔11內電漿分佈的均勻性，以使電漿可對基座200上的晶片均勻地蝕刻，從而不僅提高了晶片上雜質的去除效果，而且還有效增加了反應腔室100的製程視窗。
如第1圖和第2圖所示，反應腔室100還包括遮罩件4，遮罩件4繞腔體1的周向設在腔體1的外周壁上，具體地，遮罩件4可以是上下敞開（即，上下兩端具有開口）的筒狀件，遮罩件4可緊密地套設在腔體1的外周壁上，遮罩件4的上端可鄰近腔體1的上端面，且遮罩件4的下端可鄰近腔體1的下端面，以遮蔽腔體1的整個外周壁。
遮罩件4優選為電遮罩件，用於遮罩掉外部環境中的電場，以防止外部電場影響反應腔室100正常工作，從而可以提高電漿對晶片蝕刻速率的均勻性。遮罩件4可由鋁合金等非導磁材料製成。
進一步地，如第1圖所示，線圈2可設在遮罩件4內。換言之，在將遮罩件4安裝至腔體1的外周壁上之前，線圈2可預先固定在遮罩件4內，然後，將遮罩件4安裝在腔體1的外周壁上。即，線圈2被遮罩件4完全包覆。由此，通過將線圈2設在遮罩件4內，可以方便線圈2的安裝固定，從而提高了裝配效率。線圈2優選為螺線管線圈2，螺線管線圈2可以為1匝，當然也可以是多匝，也就是說，對於本領域的技術人員而言，可根據實際製程要求來設置螺線管線圈2的匝數，以滿足製程要求。
在本發明的優選實施例中，參照第2圖所示，多個磁鐵3環繞腔體1的外周壁設置。優選地，多個磁鐵3可設在遮罩件4的外周壁上且位於其下部，如第1圖所示，由此，方便了磁鐵3的安裝固定。當然，容易理解的是，多個磁鐵3也可直接設在腔體1的外周壁的下部。如第7圖和第8圖所示，基座200位於反應腔11的底部，腔體1內的電漿在製程過程中會轟擊由基座200承載的晶片，因此，通過使多個磁鐵3環繞腔體1的外周壁且對應於其下部設置，可以使反應腔11內的電漿的分佈趨於均勻，尤其可以使處於反應腔11的鄰近晶片的底部空間內的電漿分佈的更加均勻。
具體而言，多個磁鐵3在腔體1的軸向上可位於線圈2的下方，優選的，多個磁鐵3位於線圈2的正下方，如第6圖所示。這樣可以更好地提高反應腔11內尤其是反應腔11底部鄰近晶片處的電漿分佈的均勻性，從而可以提高晶片蝕刻的均勻性，進而可以提高後續沉積金屬膜製程的沉積效果。
當然，可選地，在本發明的另一個實施例中，多個磁鐵3可在腔體1的軸向上位於線圈2的上方，優選的，多個磁鐵3位於線圈2的正上方，如第5圖所示。在本發明的再一個實施例中，多個磁鐵3也可設在腔體1的頂部，例如，多個磁鐵3可設在腔體1的頂蓋14上，且沿腔體1的周向排列成環形，如第4圖所示。或者，多個磁鐵3還可環繞在腔體1的外周壁的上部設置，例如，多個磁鐵3可設在遮罩件4的外周壁上且位於對應於腔體1的外周壁的上部的位置處，如第3圖所示。
優選的，如第1圖和第2圖所示，多個磁鐵3在腔體1的徑向截面上的投影形狀相同，例如各個磁鐵3在腔體1的徑向截面上的投影形狀均形成為長條形，且多個磁鐵3的上端處於同一水平面內，且多個磁鐵3的下端也處於同一水平面內，換言之，多個磁鐵3的上端高度均相同，且多個磁鐵3的下端高度也均相同，從而可以避免由於多個磁鐵3的上端或下端的高度的不同而影響反應腔11內電漿分佈的均勻性。
參照第1圖和第2圖所示，磁鐵3可為柱狀且磁鐵3的軸向與腔體1的軸向相平行，容易理解，柱狀的磁鐵3在其軸向（即，長度方向）上的兩端即為磁鐵3的兩極，因此，當柱狀的磁鐵3的軸向與腔體1的軸向相平行時，磁鐵3的N極（或S極）必然朝上或朝下。這樣，由磁鐵3產生的磁場向電漿中的帶電運動粒子施加的牽引力最大，且該牽引力的方向平行於腔體1的徑向，從而可以更有效的牽引位於反應腔11的中心處的Ar電漿朝向反應腔11的邊緣處運動。例如，磁鐵3在腔體1的徑向截面上的投影形狀可形成為圓柱形，其中，圓柱形磁鐵3的軸向與腔體1的軸向相平行。
磁鐵3可以是永久磁鐵，當然也可以是電磁鐵。優選地，多個磁鐵3沿腔體1的周向均勻地分佈，這樣可進一步提高反應腔11內電漿分佈的均勻性，進而提高電漿對晶片蝕刻速率的均勻性，有效增加製程視窗，利於晶片產品的開發。當然，本發明並不限於此，在本發明的其他實施例中，多個磁鐵3也可沿腔體1的周向非均勻地佈置。
可以理解的是，多個磁鐵3在腔體1周向上分佈的密集程度可根據實際製程要求來設置。
如第1圖和第2圖所示，腔體1可包括絕緣筒12、第一金屬環13、頂蓋14、第二金屬環15和第三金屬環16。其中，絕緣筒12可為上下敞開的圓筒狀件，絕緣筒12可以由任意絕緣材料製成，例如可由陶瓷材料製成，即絕緣筒12可為陶瓷絕緣筒。
如第1圖和第2圖所示，第一金屬環13設在絕緣筒12的頂端，優選的，第一金屬環13的徑向尺寸與絕緣筒12的徑向尺寸相同，這樣第一金屬環13設在絕緣筒12的頂端後，第一金屬環13的內壁面與絕緣筒12的內壁面大致平齊，且第一金屬環13的外壁面與絕緣筒12的外壁面大致平齊。頂蓋14設在第一金屬環13的頂面上，用於封閉反應腔11的頂部。
如第1圖和第2圖所示，第二金屬環15設在絕緣筒12的底端，優選的，第二金屬環15的徑向尺寸與絕緣筒12的徑向尺寸相同，這樣在第二金屬環15安裝在絕緣筒12的底端後，第二金屬環15的內壁面與絕緣筒12的內壁面大致平齊，且第二金屬環15的外壁面與絕緣筒12的外壁面大致平齊。第三金屬環16設在第二金屬環15的底面上，優選的，第三金屬環16的內徑小於第二金屬環15的內徑。
根據本發明實施例提供的用於電漿設備的反應腔室100，通過在腔體1的外部，且沿腔體1的周向設置多個磁鐵3，在對晶片進行清洗製程的過程中，由多個磁鐵3產生的磁場可向腔體1內的電漿中的帶電粒子施加牽引力，該牽引力可以使帶電粒子向反應腔11的邊緣處運動，從而可以降低反應腔11的中心處的電漿密度，增加反應腔11的邊緣處的電漿密度，進而可以實現使反應腔11內的電漿均勻分佈的目的，降低反應腔11的中心處與邊緣處的電漿的分佈差異，從而可以提高對晶片或工件製程處理的均勻性，更好地去除晶片或工件上的雜質，並較大程度地增加了製程視窗。
下面參考第7圖至第10圖描述根據本發明實施例提供的電漿設備1000。
如第7圖和第8圖所示，本發明一個實施例提供的電漿設備1000包括用於電漿設備的反應腔室、基座200和第一射頻電源300。反應腔室100可以為根據本發明上述實施例描述的用於電漿設備的反應腔室100。基座200設在反應腔室100的底部，用於承載晶片。第一射頻電源300通過第一匹配器310與線圈2相連，具體地說，第一射頻電源300可通過第一匹配器310將預定大小的射頻功率傳輸至線圈2中，以激發反應腔11內的製程氣體形成高密度的電漿。其中，第一射頻電源300輸出的頻率可以是400kHz、2MHz、13.56MHz、40MHz或60MHz中的其中一種，對於本領域的技術人員而言，可根據實際製程要求從中選擇適宜的頻率以獲得良好的製程效果。
優選地，電漿設備1000還包括第二射頻電源400，第二射頻電源400通過第二匹配器410與基座200相連。通過設置第二射頻電源400和第二匹配器410，可使基座200產生射頻偏壓，以吸引電漿轟擊基座200，從而不僅可以進一步改善晶片雜質的去除效果，而且還可以縮短製程時間。
參照第9圖和第10圖，其中第9圖示出了晶片上49個待測點（即數字1-49）在晶片上的分佈位置。第10圖為第9圖中腔體1外設置磁鐵3時的各待測點上蝕刻速率與腔體1外無磁鐵3時的各待測點上蝕刻速率的對比曲線圖。從第10圖中可以看出，本發明的電漿設備1000，由於在腔體1外設置有多個磁鐵3，從而可大大降低反應腔11中心處的電漿密度，同時增加邊緣處的電漿密度，進而使反應腔11內的電漿分佈趨於均勻，提高了電漿設備1000對晶片去除雜質的製程效果。
本發明實施例提供的電漿設備1000，適用範圍廣，例如本發明的電漿設備1000可應用於鋁、鈦/氮化鈦、鎢等PVD領域的晶片清洗製程，也可應用於矽穿孔、晶圓級封裝製程領域。此外，本發明的電漿設備1000還可應用於銅阻障和種晶層PVD製程領域的預清洗。
在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、 “示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
儘管上面已經示出和描述了本發明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發明的限制，本領域的普通技術人員在不脫離本發明的原理和宗旨的情況下在本發明的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。

2．．．線圈

3．．．磁鐵

4．．．遮罩件

11．．．反應腔

12．．．絕緣筒

13、15、16．．．金屬環

14．．．頂蓋

100．．．反應腔室

Claims (1)

1．一種用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，包括：

   腔體，該腔體內具有反應腔；

   線圈，該線圈環繞該腔體的外周壁設置；和

   多個磁鐵，該多個磁鐵設在該腔體之外且沿該腔體的周向間隔佈置，該多個磁鐵的N極或S極朝向同一方向，且每個磁鐵的N極與S極的方向相反。

2．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該多個磁鐵的N極均朝向上方，該多個磁鐵的S極均朝向下方；或者，該多個磁鐵的N極均朝向下方，該多個磁鐵的S極均朝向上方。

3．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，還包括遮罩件，該遮罩件繞該腔體的周向設在該腔體的外周壁上，該線圈設在該遮罩件內。

4．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該多個磁鐵設在該腔體的頂部，或者該多個磁鐵環繞該腔體的外周壁設置。

5．如申請專利範圍第4項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該多個磁鐵位於該線圈的上方或下方。

6．如申請專利範圍第5項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該多個磁鐵位於該線圈的正上方或正下方。

7．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該磁鐵為永久磁鐵或電磁鐵。

8．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該磁鐵為柱狀且該磁鐵的軸向與該腔體的軸向相平行。

9．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該線圈為螺線管線圈，且該螺線管線圈為1匝或多匝。

10．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該多個磁鐵沿該腔體的周向均勻或非均勻地佈置。

11．如申請專利範圍第1項所述的用於電漿設備的反應腔室，其特徵在於，該腔體包括：

絕緣筒；

第一金屬環，該第一金屬環設在該絕緣筒的頂端；

頂蓋，該頂蓋設在該第一金屬環的頂面上；

第二金屬環，該第二金屬環設在該絕緣筒的底端；和

第三金屬環，該第三金屬環設在該第二金屬環的底面上。

12．一種電漿設備，其特徵在於，包括：

反應腔室，該反應腔室為如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的用於電漿設備的反應腔室；

基座，該基座設在該反應腔室的底部，用於承載晶片；和第一射頻電源，該第一射頻電源通過第一匹配器與該反應腔室的線圈相連。

13．如申請專利範圍第12項所述的電漿設備，其特徵在於，該第一射頻電源的頻率包括400kHz、2MHz、13.56MHz、40MHz或60MHz。

14．如申請專利範圍第12項所述的電漿設備，其特徵在於，還包括第二射頻電源，該第二射頻電源通過第二匹配器與該基座相連。