JP2010237491A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010237491A5
JP2010237491A5 JP2009086038A JP2009086038A JP2010237491A5 JP 2010237491 A5 JP2010237491 A5 JP 2010237491A5 JP 2009086038 A JP2009086038 A JP 2009086038A JP 2009086038 A JP2009086038 A JP 2009086038A JP 2010237491 A5 JP2010237491 A5 JP 2010237491A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
underlayer film
resist underlayer
formula
linear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009086038A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010237491A (ja
JP5382321B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009086038A priority Critical patent/JP5382321B2/ja
Priority claimed from JP2009086038A external-priority patent/JP5382321B2/ja
Publication of JP2010237491A publication Critical patent/JP2010237491A/ja
Publication of JP2010237491A5 publication Critical patent/JP2010237491A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5382321B2 publication Critical patent/JP5382321B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009086038A 2009-03-31 2009-03-31 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 Active JP5382321B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009086038A JP5382321B2 (ja) 2009-03-31 2009-03-31 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009086038A JP5382321B2 (ja) 2009-03-31 2009-03-31 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010237491A JP2010237491A (ja) 2010-10-21
JP2010237491A5 true JP2010237491A5 (https=) 2012-05-17
JP5382321B2 JP5382321B2 (ja) 2014-01-08

Family

ID=43091864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009086038A Active JP5382321B2 (ja) 2009-03-31 2009-03-31 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5382321B2 (https=)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9395628B2 (en) 2013-02-25 2016-07-19 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition containing aryl sulfonate salt having hydroxyl group
CN105324720B (zh) 2013-06-26 2020-01-03 日产化学工业株式会社 包含被置换的交联性化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP6394926B2 (ja) 2014-03-26 2018-09-26 日産化学株式会社 添加剤及び該添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
JP6497535B2 (ja) 2015-11-17 2019-04-10 日産化学株式会社 レジスト下層膜形成組成物用添加剤及び該添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
US11675270B2 (en) 2016-09-15 2023-06-13 Nissan Chemical Corporation Resist underlayer film-forming composition
CN118011734A (zh) 2017-02-03 2024-05-10 日产化学株式会社 包含具有含脲键的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
KR102214895B1 (ko) 2017-12-26 2021-02-09 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP7468645B2 (ja) 2020-06-12 2024-04-16 日産化学株式会社 ジオール構造を含むレジスト下層膜形成用組成物
JP7646684B2 (ja) * 2020-08-17 2025-03-17 Jsr株式会社 下層膜形成用組成物、下層膜、及び、リソグラフィープロセス
US20230333474A1 (en) 2020-09-28 2023-10-19 Nissan Chemical Corporation Resist underlayer film-forming composition comprising fluoroalkyl group-containing organic acid or salt thereof
WO2022196485A1 (ja) * 2021-03-19 2022-09-22 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005351983A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Jsr Corp 塩基遮断性反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法
US7544750B2 (en) * 2005-10-13 2009-06-09 International Business Machines Corporation Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength
WO2008047638A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Process for semiconductor device production using under-resist film cured by photocrosslinking
JP4745298B2 (ja) * 2007-06-18 2011-08-10 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010237491A5 (https=)
JP2009053657A5 (https=)
KR102149136B1 (ko) 현상액 및 감광성 수지 조성물의 현상 처리 방법
JP2012103679A5 (https=)
JP2009258723A5 (https=)
JPWO2012046770A1 (ja) ガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物、ガイドパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法
TW200426501A (en) Method of formation of photoresist patterns utilizing water-soluble negative-tone photoresist
JP2005300853A5 (https=)
TW200942998A (en) Resist processing method
TWI455924B (zh) 聚合性三級酯化合物、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法
JP6398364B2 (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JPWO2019146378A1 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
JP2009048182A5 (https=)
JP2014164177A5 (https=)
JP2014170190A5 (https=)
WO2017065207A1 (ja) レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2009115835A5 (https=)
JP6186116B2 (ja) ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法、及び下地剤
JP2016200643A (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2021528677A (ja) フォトレジスト組成物、フォトレジストコーティング、エッチングされたフォトレジストコーティングおよびエッチングされたSi含有層を製造する方法、ならびにそれらを用いたデバイスの製造
JP7058336B2 (ja) 光増感剤、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及び配線基板の製造方法
TW201610613A (zh) 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法
JP2000147761A (ja) 感光性ポリイミド組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
WO2013183686A1 (ja) 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
TWI640832B (zh) 感光性樹脂組合物