JP2010232747A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】A/D変換の分解能を低下させることなく回路規模と消費電流を削減することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】入射される電磁波の大きさに応じた信号を出力する複数の画素3を備える撮像部2と、撮像部2からの前記信号に応じた電圧と基準電圧を比較し、比較結果を出力するカラム回路10から15と、撮像部2からの前記信号に応じた周波数のクロックを出力するカラム回路10から15と、前記クロックをカウントするカラム回路10から15と、カラム回路10から15のクロック出力時間またはカラム回路10から15のカウント時間を制御して、前記比較結果に応じた所定時間のみ前記クロックのカウントが行われるようにするカラム回路10から15と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、デジタルスチルカメラやカムコーダに適用される、固体撮像装置に関する。
近年、デジタルスチルカメラやカムコーダに代表される撮像装置には、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ(以下、CCDイメージャと称する)や、MOS(Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ(以下、MOSイメージャと称する)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ(以下、CMOSイメージャと称する)に代表される固体撮像装置が搭載されている。
(C)MOSイメージャの中には、画素内の電荷生成手段(例えば、フォトダイオード)で生成された信号電荷に応じた信号(以下、画素信号と称する)を増幅する駆動トランジスタを有する増幅型固体撮像素子(Active Pixel Sensor)(以下、APSと称する)構成の画素を備えた増幅型固体撮像装置がある。更に、各カラムにA/D変換手段を有し、垂直信号線に読み出された画素信号をA/D変換することができるカラムADC型(列並列A/D変換方式)固体撮像装置がある。
従来のカラムADC型固体撮像装置における画素信号のA/D変換方式には、逐次比較A/D変換方式、シングルスロープA/D変換方式、サイクリックA/D変換方式等がある。このほか、カラムに備えられた“Time to Digital Converter”(以下、TDCと称する)が、画素信号に応じた周波数のクロックを出力し、このクロックをカウンタがカウントすることで、画素信号をA/D変換する方式が提案されている。この方式により、画素信号を比較的容易に高S/NでA/D変換する固体撮像装置が示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−270293号公報
TDCによるA/D変換は、クロック生成部が備える複数の反転回路の各遅延量が、入力される信号の大きさに応じて変化することを利用している。このため、従来のTDC型A/D変換器を備えたカラムADC型固体撮像装置がA/D変換を行う場合、少なくとも想定される全ての画素信号に応じた周波数のクロックをカウントできるカウント段数(分解能)を備える必要があり、カラムADC型固体撮像装置の回路規模が増大する原因となっていた。
さらに、カラムADC型固体撮像装置がA/D変換を行う場合、全画素で一律の駆動時間で動作しており、消費電流が増大する原因となっていた。
本発明は、前記の諸点に鑑みてなされたものであり、A/D変換の実質の分解能を低下させることなく回路規模と消費電流を削減することが可能な固体撮像装置を提供することを目的としている。
本発明は、入射される電磁波の大きさに応じた信号を出力する複数の画素を備える撮像部と、前記撮像部からの前記信号に応じた電圧と基準電圧を比較し、比較結果を出力する比較部と、前記撮像部からの前記信号に応じた周波数のクロックを出力するクロック生成部と、前記クロックをカウントするカウント部と、前記クロック生成部のクロック出力時間または前記カウント部のカウント時間を制御して、前記比較結果に応じた所定時間のみ前記クロックのカウントが行われるようにする動作時間制御部と、を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また本発明は、前記比較部での前記比較結果および前記所定時間内における前記クロックのカウント値に基づいて前記撮像部からの前記信号を算出する算出部を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また本発明は、電圧制御発振回路を有する前記クロック生成部を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また本発明は、円環遅延回路を有する前記クロック生成部を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また本発明は、前記カウント部が、非同期型カウンタであることを特徴とする固体撮像装置である。
本発明によれば、画素信号による電圧に応じてクロック生成部またはカウント部の動作時間を変化させることで、A/D変換の実質の分解能を低下させることなく、回路規模と消費電流を削減することができる。
本実施の一形態による固体撮像装置のブロック図である。 NMOSトランジスタを用いた読出電流源部5の構成例を示す図である。 アナログ処理部7の構成例を示す図である。 カラム回路10の構成例を示す図である。 クロック生成部101の構成例を示す図である。 RDLの構成例を示す図である。 「ΔVの電圧範囲」と、「比較結果」と、「動作時間データ」と、「動作時間内に所定数のクロック波数がカウントされたとした場合の電圧ΔV」と、の関係を示す図である。 図4に示すカラム回路10における、クロック生成部101の動作を示すタイムチャートである。 カラム回路10の他の構成例を示す図である。 図9に示すカラム回路10における、クロック生成部101の動作を示すタイムチャートである。 固体撮像装置1の全体動作を示すフローチャートである。
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の一形態による固体撮像装置のブロック図である。図1において、固体撮像装置1は、撮像部2と、画素3と、読出電流源部5と、アナログ処理部7と、AD変換部9と、カラム回路10から15と、出力部17と、制御部20と、垂直選択部21と、水平選択部22と、水平信号線30と、垂直制御線110から113と、垂直信号線130から135と、比較結果出力線400から405と、水平制御線40から45と、垂直選択部制御線50と、読出電流源部制御線51と、アナログ処理部制御線52と、AD変換部制御線53と、水平選択部制御線54と、を備える。
撮像部2には、複数の画素3が行列状に2次元配置されている。各画素3は、個々に例えばフォトダイオード、フォトゲート、フォトトランジスタなどの光電変換素子(不図示)と、トランジスタ回路(不図示)を備え、垂直制御線110から113のいずれかを選択することによってその画素行が選択されると、入射された光量に応じた電圧の画素信号を、読出電流源部5に出力する。なお画素3は、図1に示された個数(4行6列)に限られず、より多く配置してよい。その場合、カラム回路、垂直信号線等も画素3の列数に応じて配置数が増える。また、垂直制御線も画素3の行数に応じて配置数が増える。また画素3の2次元配置は行列状に限られず、例えば画素が三角状に配置された、いわゆるデルタ配置でもよい。
垂直選択部21は、制御部20から垂直選択部制御線50を経由して選択信号により指示を受け、垂直制御線110から113のいずれか1つを選択することで、行列状に2次元配置された複数の画素3の中から、選択した垂直制御線に接続された画素3を、行単位で選択する。
例えば、垂直選択部21が垂直制御線110を選択すると、その垂直制御線110に接続されている画素3、すなわち撮像部2の最下行に配置された複数の画素3を、行単位で選択することができる。垂直制御線111から113についても同様に、垂直選択部21は、それぞれの垂直制御線に接続されている複数の画素3を、行単位で選択することができる。なお、画素3を駆動するためのパルス信号も垂直制御線110に通すことができる、としてもよい。
水平選択部22は、水平制御線40から45を介した指示により、後述する図4のメモリー部105に記憶されたデータを、水平信号線30を経由して出力部17に出力させることができる。出力部17は、水平信号線30を経由して受信したデータを画像処理等の信号処理ブロック(不図示)に出力することができる。
以下では例として、垂直選択部21が選択した垂直制御線110により撮像部2の最下行に配置された画素3から出力された画素信号が、垂直信号線130から135を経由して読出電流源部5に入力され、読出電流源部5からの出力が、垂直信号線130から135を経由してアナログ処理部7に入力され、アナログ処理部7からの出力が、垂直信号線130を経由してAD変換部9が備えるカラム回路10から15に入力される場合について説明をする。
図2に、NMOSトランジスタを用いた読出電流源部5の構成例を示す。読出電流源部5のドレイン端子には垂直信号線130から135が接続され、ゲート端子には制御部20の読出電流源部制御線51から所定の電圧が印加され、ソース端子はグランド電位に接続されている。読出電流源部5により、画素3から垂直信号線130から135を経由して入力された画素信号を増幅して、増幅後の画素信号をアナログ処理部7に垂直信号線130から135を経由して出力する。
図3に、アナログ処理部7の構成例を示す。アナログ処理部7は、CDS処理部72と、比較部71と、バッファ部73と、垂直信号線130と、比較結果出力線400から405と、を備える。なお、アナログ処理部7は、電圧を増幅するためのPGA(Programmable Gain Amplifier)回路をさらに備える、としてもよい。
CDS処理部72には、垂直信号線130から135を介して入力された増幅後の画素信号に相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)(以下、CDSと称する)処理を行うよう、アナログ処理部制御線52経由で制御部20からの指示が入力される。
CDS処理部72は、CDS処理として画素3が備えるトランジスタ回路(不図示)をリセットした場合における増幅後の画素信号に応じた電圧(以下、リセットレベルと称する)と信号レベルとの差分処理を行うことで、固定パターンノイズ(Fixed Pattern Noise)(以下、FPNと称する)やリセットノイズなどのノイズ成分を取り除く。次にCDS処理部72は、CDS処理後の電圧をバッファ部73に出力する。バッファ部73はインピーダンスを調整して、CDS処理後の電圧を後述する図4のクロック生成部101に出力する。
比較部71は、コンパレータ74と、可変比較電圧Vcmpを出力する可変比較電圧器75と、を備える。比較部71は、CDS処理部72から出力されるCDS処理後の電圧と可変比較電圧Vcmpとを比較し、その比較結果を比較結果出力線400から405経由で動作時間制御部107に出力する。比較部71は、CDS処理後の電圧の比較結果を、比較結果出力線400から405を介して後述する図4のメモリー部105に出力する。すなわち制御部20が、各画素の読み出し時間内にアナログ処理部制御線52を用いて可変比較電圧VcmpをV1、V2と逐次変更し、CDS処理後の電圧と可変比較電圧Vcmpとを比較することで、CDS処理後の電圧の高さを分類することができる。ここで可変比較電圧Vcmpは、V1<V2の高低関係があるものとする。なお、比較電圧Vcmpは、V1、V2の2値に限らなくてよい。
比較部71の比較結果は、CDS処理後の電圧がV1より低い電圧である場合をCOMP1、CDS処理後の電圧がV1以上でV2より低い電圧である場合をCOMP2、CDS処理後の電圧がV2以上である場合をCOMP3とする。このようにCDS処理後の電圧を、その電圧の高さに応じて3値で表現することができる。なお、CDS処理後の電圧の分類はこの3値に限らず、可変比較電圧Vcmpに応じて増減してもよい。
図4は、カラム回路10の構成例を示す図である。ここでカラム回路10は、クロック生成部101と、カウント部103と、メモリー部105と、動作時間制御部107と、垂直信号線130と、水平信号線30と、水平制御線40と、比較結果出力線400と、AD変換部制御線53と、を備える。なお、図1のカラム回路11から15は、カラム回路10と同構成を有する。
クロック生成部101は、制御部20から「動作時間データ」を取得した動作時間制御部107の指示で動作時間だけ動作し、バッファ部73から入力されるCDS処理後の電圧に応じた周波数のクロックを生成し、カウント部103に出力する。
クロック生成部101は、動作時間制御部107から入力されるStart信号がHighになると反転動作を開始し、クロック(CLKOUT)を出力する。また、クロック生成部101は、Start信号がLowになると反転動作を終了し、クロック(CLKOUT)の出力を停止する。動作時間制御部107がクロック生成部101に指示をする構成となっている場合、「動作時間データ」はクロック生成部101の動作時間を意味する。ここで、Start信号がHighになる時間、すなわちクロック生成部101の動作時間は、比較部71の「比較結果」に応じて決まる。
図5は、クロック生成部101の構成例を示す。クロック生成部101は、30個のINV回路202から231と、1個のNAND回路201と、を有し、これらがリング状に複数段接続された電圧制御発振回路(Voltage Controlled Oscillator)(以下、VCOと称する)を備える。
電源電圧VDD(所定の固定電圧、図5と図6に図示。図1から図4、図9には不図示)とCDS処理後の電圧Vinとの差(VDD−Vin)を、以下、ΔVと称する。INV回路202から231と、NAND回路201は、ΔVが大きくなると遅延量が小さくなる特性があるものとする。したがって、VCOから出力されるクロックの周波数はΔVが大きくなるほど高くなる。なお、VCOが備えるINV回路の個数は、図5に例として示された30個に限る必要はない。同様に、VCOが備えるNAND回路の個数は、図5に例として示された1個に限る必要はない。尚、アナログ処理部7の構成に応じてVinをクロック生成部101の電源側に接続するようにしても構わない。
また、クロック生成部101は、VCOを備える代わりに、30個のINV回路302から331と、2個のNAND回路すなわちNAND回路301とNAND回路332と、を有した円環遅延回路(Ring Delay Line)(以下、RDLと称する)を備えてもよい。RDLから出力されるクロック(CLKOUT)の動作は、VCOと同様である。
図6にRDLの構成例を示す。RDLは、NAND回路332の出力はNAND回路301の入力に帰還される。またINV回路329への入力は、フィードフォワードループとしてNAND回路332にも入力される。INV回路302から331と、NAND回路301と、NAND回路332と、はΔVが大きくなると遅延量が小さくなる特性があるものとする。したがって、RDLから出力されるクロックの周波数はΔVが大きくなるほど高くなる。なお、フィードフォワードループを設けているのは、RDLが発振するようにするためである。またRDLが備えるINV回路の個数は、図6に例として示された30個に限る必要はない。また、RDLが備えるNAND回路の個数は、図6に例として示された2個に限る必要はない。更に、NAND回路の挿入位置およびフィードフォワードループもこれに限る必要はない。
カウント部103は、クロック生成部101から入力されるクロックをカウントし、クロックのカウント値をメモリー部105に出力する。ここでカウント部103は、例としてクロックを16波までカウントできるカウント段数を備えるものとする。なおカウント部103は、非同期型カウンタ回路が好適であるが、同期型カウンタ回路でも構わない。
メモリー部105は、カウント部103から入力されたカウント値を記憶する。またメモリー部105は、「比較結果」を記憶する。更に、カラム回路10には、クロック生成部101を構成する反転回路(NAND回路およびINV回路)からの出力信号を検出する検出手段およびその値を保持するメモリー手段を内蔵するようにしても構わない。
制御部20は、「比較結果」が「COMP1」に対応する「動作時間データT1」、「比較結果」が「COMP2」に対応する「動作時間データT2」、「比較結果」が「COMP3」に対応する「動作時間データT3」、をAD変換部制御線53経由で動作時間制御部107に出力する。動作時間制御部107は、比較部71での比較結果に応じた動作時間を選択する。
図7は、「ΔVの電圧範囲」と、「比較結果」と、「動作時間データ」と、「動作時間内に所定数のクロック(例えば16波)がカウントされたとした場合の電圧ΔV」と、の設計事項として予め決められた関係を示す表である(以下、対応表と称する)。ここで、「動作時間データ」に示された動作時間の長さは、T1>T2>T3の関係があるものとし、所定の時間Tを用いて例えば、T1=1.0T、T2=0.75T、T3=0.5T、とする。
以下では、例として、ΔVが1.5[V]より高い場合の「比較結果」を「COMP3」、ΔVが1.0[V]より高くかつ1.5[V]以下である場合の「比較結果」を「COMP2」、ΔVが1.0[V]以下の場合の「比較結果」を「COMP1」、として以下説明をする。また、例として所定数の波数を16波として以下説明をする。
図8は、図4に示すカラム回路10における、クロック生成部101の動作を示すタイムチャートである。このタイムチャートは、例として、ΔVが2.0[V]、1.8[V]、1.5[V]、1.25[V]、1.0[V]である場合の、Start信号と、出力するクロック(CLKOUT)との関係を示す。
比較部71での「比較結果」が例えば「COMP3」であった場合(図8(A)、(B))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP3」に対応する「動作時間データT3」を選択する。つまり、Start信号は0.5T時間だけHighとなり、クロック生成部101は、クロック(CLKOUT)を0.5T時間だけ出力して停止する。
同様の動作により、比較部71での「比較結果」が「COMP2」である場合(図8(C)、(D))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP2」に対応する「動作時間データT2」を選択する。つまり、Start信号は0.75T時間だけHighとなり、クロック生成部101は、クロック(CLKOUT)を0.75T時間だけ出力して停止する。また、比較部71での「比較結果」が「COMP1」である場合(図8(E))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP1」に対応する「動作時間データT1」を選択する。つまり、Start信号は1.0T時間だけHighとなり、クロック生成部101は1.0T時間だけクロックを出力して停止する。
次に、クロックのカウント数からΔVを算出する算出方法について説明する。例えば、比較部71での「比較結果」が「COMP3」で、カウント値が16波である場合、対応表からΔVは2.0[V]と判る。また、比較部71での「比較結果」が「COMP3」で、カウント値が例えば14波である場合、対応表により0.5T時間に16波カウントした場合はΔV=2.0[V]であることが判り、0.75T時間に16波(0.5T時間あたりでは10.7波)カウントした場合はΔV=1.5[V]であることが判るので、0.5T時間に14波カウント場合は比例計算により、ΔV=((2.0−1.5)/(16−10.7))×(14−10.7)+1.5で算出結果が示される。これにより制御部20は、ΔVを約1.8[V]と算出することができる。
以上の説明により、カウント部103は、電圧によらず所定数の波数までカウントできる分解能(カウント段数)を備えればよいので、回路規模が必要以上に増大することを防ぐことができる。また、クロック生成部101は、クロックを動作時間だけ出力するので、消費電流が必要以上に増大することを防ぐことができる。
図9は、カラム回路10の他の構成例を示す図である。ここでカラム回路10は、クロック生成部101と、カウント部103と、メモリー部105と、動作時間制御部107と、垂直信号線130と、水平信号線30と、水平制御線40と、比較結果出力線400と、AD変換部制御線53と、を備える。図9に示すように動作時間制御部107がクロック生成部101に指示をしない構成となっている場合、「動作時間データ」はカウント部103の動作時間を意味する。なお、図1に示されたカラム回路11から15は、カラム回路10と同構成を有する。尚、カラム回路10には、クロック生成部101を構成する複数個の反転回路(NAND回路およびINV回路)からの出力信号を検出する検出手段およびその値を保持するメモリー手段を内蔵するようにしても構わない。
図10は、図9に示すカラム回路10における、クロック生成部101の動作を示すタイムチャートである。動作タイムチャートは、例として、ΔVが2.0[V]、1.8[V]、1.5[V]、1.25[V]、1.0[V]である場合の、Start信号と、出力するクロック(CLKOUT)との関係を示す。
比較部71での「比較結果」が例えば「COMP3」であった場合(図10(A)、(B))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP3」に対応する「動作時間データT3」を選択する。つまり、カウント部103は、クロック(CLKOUT)を0.5T時間に16波カウントして停止する。すなわち図8とは異なり、クロック(CLKOUT)の出力が続いても、その代わりにカウント部103が0.5T時間だけカウント動作を行うことにより、カウント値は16となる。
同様の動作により、比較部71での「比較結果」が「COMP2」である場合(図10(C)、(D))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP2」に対応する「動作時間データT2」を選択する、つまり、カウント部103は、クロック(CLKOUT)を0.75T時間だけカウントして停止する。また、比較部71での「比較結果」が「COMP1」である場合(図10(E))、動作時間制御部107は、図7に示す対応表により、「COMP1」に対応する「動作時間データT1」を選択する。つまり、カウント部103は1.0T時間だけクロックをカウントして停止する。
したがって前述と同様に、カウント部103は、電圧によらず所定数の波数までカウントできる分解能(カウント段数)を備えればよいので、回路規模が必要以上に増大することを防ぐことができる。また、カウント部103は、カウント時間を終了するとカウント動作を行わないので、消費電流が必要以上に増大することを防ぐことができる。
出力部17は、水平信号線30を介して入力されるデータに基づいて、例えば算出方法で説明した算出部を設け、撮像信号として外部回路に出力する。この出力部17には、例えば、黒レベル調整、列バラツキ補正、色処理などの信号処理機能を内蔵しても構わない。尚、算出部は出力部17の後段回路等に設けるようにしても構わない。その場合、出力部17は、例えば、バッファリングだけでも構わない。更に、nビットパラレルのデジタルデータをシリアルデータに変換して出力するようにしても構わない。その場合、例えばPLL等の逓倍回路を固体撮像装置1に内蔵するようにしても構わない。以上に述べた動作以降は、出力部17から出力された算出結果を用いて、例えば信号処理ブロック(不図示)が画像処理等を行う。
図11は、固体撮像装置1の全体動作を示すフローチャートである。撮像部2の最下行の画素3が選択された場合を例に動作を説明する。まず、制御部20は、垂直選択部21を用いて垂直制御線110を選択する(ステップS1)。これにより、撮像部2の最下行の画素3が選択される。
制御部20は、読出電流源部5を用いて、選択された画素3での信号に応じた信号電圧を出力し、アナログ処理部7に出力する(ステップS2)。制御部20は、CDS処理部72にCDS処理を指示する(ステップS3)。CDS処理部72は、入力された信号電圧にCDS処理を行う(ステップS4)。CDS処理部72は、CDS処理後の電圧をバッファ部73に出力する(ステップS5)。
制御部20は可変比較電圧Vcmpを逐次変更する。比較部71は、CDS処理後の電圧と、可変比較電圧Vcmpを比較する(ステップS6)。比較部71は、「比較結果」をメモリー部105に出力する(ステップS7)。メモリー部105は、「比較結果」を記憶する(ステップS8)。この「比較結果」に基づいて、動作時間制御部107によりクロック生成部101あるいはカウント部103の動作時間が決定される(ステップS9)。
バッファ部73は、CDS処理後の電圧をクロック生成部101に出力する(ステップS10)。
クロック生成部101は、入力される電圧に応じた周波数のクロックを生成し、動作時間データに応じてカウント部103に出力する(ステップS11)。カウント部103は、入力されるクロックを前述のように動作時間データに応じてカウントし、カウント値をメモリー部105に出力する(ステップS12)。ここで前述のように、カウンタは所定の分解能(カウント段数)を備えればよいため、回路規模の増大を防ぐことができる。また、所定の時間でカウント部103は停止するので、消費電流の増大を防ぐことができる。メモリー部105は、カウント部103から入力されたカウント値および動作時間データを記憶する(ステップS13)。
水平選択部22は、メモリー部105に記憶されたデータを、出力部17に水平信号線30を経由して出力する(ステップS14)。出力部は、例えば算出方法で説明した計算を内蔵した算出部により、算出する(ステップS15)。その後、出力部17は、画像処理等の信号処理ブロック(不図示)に算出結果を出力する(ステップS16)。以降は、画像処理等の信号処理ブロック(不図示)等が画像処理等を行うことができる。
以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
例えば制御部20は、各部にクロックあるいはパルスを供給するタイミングジェネレータ(不図示)と、そのタイミングジェネレータの制御ブロック(不図示)と通信する通信ブロック(不図示)、を備えてもよい。さらに制御部20は、固体撮像装置1とは独立したブロックであってもよい。その場合、撮像モジュールは、固体撮像装置1と、制御部20と、画像処理等の信号処理ブロック(不図示)と、電源回路(不図示)と、を備えるとしてもよい。
また、本発明に記載の画素は、画素3に対応し、撮像部は、撮像部2に対応し、比較部は、比較部71に対応し、クロック生成部は、クロック生成部101に対応し、カウント部は、カウント部103に対応し、動作時間制御部は、動作時間制御部107に対応し、算出部は、出力部17に対応する。
また、図11に示す各ステップを実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより、通信端末の実行処理を行ってもよい。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、OS(Operating System)や周辺機器等のハードウェアを含むものであってもよい。
また、「コンピュータシステム」は、WWWシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境(あるいは表示環境)も含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、フラッシュメモリ等の書き込み可能な不揮発性メモリ、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。
さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ(例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory))のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク(通信網)や電話回線等の通信回線(通信線)のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。
さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であっても良い。
本発明は、デジタルスチルカメラやカムコーダに適用される、固体撮像装置に好適である。
1…固体固体撮像装置 2…撮像部 3…画素 5…読出電流源部 7…アナログ処理部 9…AD変換部 10から15…カラム回路 17…出力部 20…制御部 21…垂直選択部 22…水平選択部 30…水平信号線 40から45…水平制御線 50…垂直選択部制御線 51…読出電流源部制御線 52…アナログ処理部制御線 53…AD変換部制御線 54…水平選択部制御線 71…比較部 72…CDS処理部 73…バッファ部 74…コンパレータ 75…可変比較電圧器 101…クロック生成部 103…カウント部 105…メモリー部 107…動作時間制御部 110から113…垂直制御線 130から135…垂直信号線 201…NAND回路 202から231…INV回路 301…NAND回路 302から331…INV回路 332…NAND回路 400から405…比較結果出力線

Claims (5)

  1. 入射される電磁波の大きさに応じた信号を出力する複数の画素を備える撮像部と、
    前記撮像部からの前記信号に応じた電圧と基準電圧を比較し、比較結果を出力する比較部と、
    前記撮像部からの前記信号に応じた周波数のクロックを出力するクロック生成部と、
    前記クロックをカウントするカウント部と、
    前記クロック生成部のクロック出力時間または前記カウント部のカウント時間を制御して、前記比較結果に応じた所定時間のみ前記クロックのカウントが行われるようにする動作時間制御部と、
    を備えることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記比較部での前記比較結果および前記所定時間内における前記クロックのカウント値に基づいて前記撮像部からの前記信号を算出する算出部を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 電圧制御発振回路を有する前記クロック生成部を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  4. 円環遅延回路を有する前記クロック生成部を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  5. 前記カウント部は、非同期型カウンタであることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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