JP2010232222A - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】高温条件に暴露しても発光特性を損なわない有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式(1)で表される化合物を前記有機層のいずれかの層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
Figure 2010232222

(nは1から7の整数を表す。Rはそれぞれ独立に置換基を表す。m及びoはそれぞれ独立に0〜2の整数を表す。Xはそれぞれ独立に硫黄原子、酸素原子、NRのいずれかを表す。Yはそれぞれ独立に置換基を表す。Lは連結基を表す。)
【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子(以下、「有機EL素子」ともいう)に関する。
有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
有機EL素子の各々の薄層はスピンコートによる塗布法や、低分子であれば蒸着法によって形成されている。また、特許文献2のようにスピンコートにより素子材料前駆体の薄膜を形成し、その後に電界への暴露、光照射などによって素子材料の膜を作製する方法も報告されている。
しかしながら蒸着法を用いる多くの低分子材料は沸点、ガラス転移温度(以下Tgと表す)が低いものが多く、作製した膜を高温条件に曝すことで結晶化や膜質の変化が起こってしまうことがあった。これは分子が運動エネルギーを得て再配列しようとする性質のためである。この結果、加熱後の素子は加熱前に比べ部分的に発光しなくなる、輝度が下がるなど発光特性を維持できなくなることがあった。
かかる問題を解決するには分子量を大きくするだけでなく、分子が結晶配列を採ろうとすることを抑制する自由回転部位の多い構造が求められる。しかしながら、有機EL素子材料に広く用いられている材料の多くは、高い電荷輸送性を維持するためπ結合を隣接させることを目的とし、ベンゼンなどの芳香族環を直接連結した剛直な構造のものであった。このため、有機EL素子材料で自由回転可能なsp3炭素などを連結基に用いることはなかった。
特許文献1では高い電荷輸送性をもつチオフェン環をアリーレン基で連結した蛍光発光材料が報告されている。この報告ではチオフェン環は直接連結またはベンゼン環によって連結されており、熱経時での発光安定性についての記載はない。そしてこの手段ではアリーレン基とチオフェン環との間に自由回転性がなく、分子全体が剛直化しているため、上記の高温時の膜質変化の課題は解決されないと考えられる。
特許文献2ではチオフェン環やピロール環等の芳香族ヘテロ5員環を用いた化合物を様々な方法で連結したポリマーが報告されている。
しかし、特許文献2に記載のカチオン重合法での膜形成を行うためには、チオフェン環の末端2位は無置換でなければならず、化学的活性な該部位を保護せずに蒸着によって膜を形成することは困難であると考えられる。
また、メチレンやシリレンを連結基として用いた化合物は、単結合やアリーレン結合を用いた化合物となんら区別されず、連結基を非共役化することについての記載はない。さらに高温条件下における検討はされていない。
また、上記の文献ではヘテロ5員環を用いた化合物はいずれも蛍光材料として用いることを想定している。
国際公開第04/58850号パンフレット 特開2007−19462号公報
長時間駆動により熱が蓄積されるパソコン用ディスプレイや、非駆動時に高温条件に曝される車載ディスプレイ、有機薄膜太陽電池等の高温条件で用いられる他の電子デバイスなどの用途に有機EL素子を用いる場合、高温条件に素子を暴露しても、その発光特性を損なわずに発光し得ることが求められる。
本発明の目的は、高温条件に暴露しても発光特性を損なわない有機電界発光素子の提供にある。
本発明者らは種々検討の結果、チオフェンやピロール等の芳香族ヘテロ5員環を非共役連結基で連結した化合物が有機EL素子材料として十分な電荷輸送性を持つことを見出した。また、これらの化合物を素子に用い高温条件下で駆動させたところ、その発光特性を損なわずに駆動させることに成功した。かかる知見に基づき、下記構成の化合物を用いた発明により上記課題が解決される事を見出した。
さらに、発光材料、特に燐光材料と併用することでより高輝度で発光する素子が得られる事を見出した。
すなわち、本発明は、以下の通りである。
〔1〕
一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式(1)で表される化合物を前記有機層のいずれかの層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
Figure 2010232222
(nは1から7の整数を表す。
Rはそれぞれ独立に置換基を表す。
m及びoはそれぞれ独立に0〜2の整数を表す。
Xはそれぞれ独立に硫黄原子、酸素原子、NRのいずれかを表す。
はそれぞれ独立に置換基を表す。
はO、S、Sir3132、NR若しくはアルキレンから選ばれる連結基又はこれらが組合わされて構成されるものを表す。ここでRは水素、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基のいずれかを表す。r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)
〔2〕
一般式(1)においてLがCR2122またはSir3132(R21、R22、r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)であることを特徴とする〔1〕に記載の有機電界発光素子。
〔3〕
一般式(1)においてXが硫黄原子であることを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載の有機電界発光素子。
〔4〕
一般式(1)で表される化合物が一般式(2)で表されることを特徴とする〔3〕に記載の有機電界発光素子。
Figure 2010232222
(nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R及びRはそれぞれ独立に置換基を表す。)
〔5〕
前記発光層に燐光発光材料と一般式(1)で表される化合物とを共に含むことを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔6〕
前記燐光発光材料が白金錯体であることを特徴とする〔5〕に記載の有機電界発光素子。
〔7〕
前記白金錯体が下記一般式(3)で表されることを特徴とする〔6〕に記載の有機電界発光素子。
Figure 2010232222
(Lは二価の連結基を表す。
は、硫黄原子、リン原子、酸素原子又は窒素原子を表す。
は、炭素原子、硫黄原子又はリン原子を表す。
、R、及びRはそれぞれ独立に置換基を表し、a,b,cはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。)
〔8〕
前記発光層に燐光発光材料と前記一般式(1)で表される化合物と、さらに一般式(4−1)または(4−2)で表される化合物のいずれかと、を共に含むことを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
Figure 2010232222
(d、及びeは0〜3の整数を表し,少なくとも一方は1以上である。fは1〜3の整数を表す。Rは下記一般式(5)で表されるカルバゾール基を表す。)
Figure 2010232222
(Rはそれぞれ独立に置換基を表し、gは0〜8の整数を表す。)
〔9〕
一般式(2)で表される電荷輸送性化合物。
Figure 2010232222
(nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R,Rはそれぞれ独立に置換基を表す。)
本発明の有機EL素子によれば、高温条件に素子を暴露しても、その発光特性を損なわずに発光させることが出来る。本発明の有機EL素子では、芳香族ヘテロ5員環を用いることにより、通常電荷輸送材料としては不適と考えられる非共役連結構造であっても有機EL素子に用いるのに十分な電荷輸送性を確保することが出来る。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式(1)で表される化合物を前記有機層のいずれかの層に含有する。
Figure 2010232222
(一般式(1)中、nは1〜7の整数を表す。
Rはそれぞれ独立に置換基を表す。
m及びoはそれぞれ独立に0〜2の整数を表す。
Xはそれぞれ独立に硫黄原子、酸素原子、NRのいずれかを表す。
はそれぞれ独立に置換基を表す。
はO、S、Sir3132、NR若しくはアルキレンから選ばれる連結基又はこれらが組合わされて構成されるものを表す。ここでRは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基のいずれかを表す。r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)
nは1〜7の整数を表す。蒸着可能な分子量を保つ観点から合成容易性と純度向上容易さの観点からn=1〜3が好ましく、n=1がより好ましい
m、oはそれぞれ独立に0〜2の整数を表し、好ましくはm=o=0である。
Rはそれぞれ独立に置換基を表し、蒸着可能な材料を提供する観点で総炭素数は30を越えないことが好ましい。
Rが表す置換基はそれぞれ独立に、アルキル基(メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなど)、アルケニル基(ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなど)、アルキニル基(プロパルギル、3−ペンチニルなど)、アリール基(フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなど)、アミノ基(アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなど)、アリールオキシ基(フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなど)、ヘテロ環オキシ基(ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなど)、アシル基(アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなど)、アルキルチオ基(メチルチオ、エチルチオなど)、アリールチオ基(フェニルチオなど)、ヘテロ環チオ基(ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなど)、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基(ヘテロ原子として例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなど)、シリル基(トリメチルシリル、トリフェニルシリルなど)が挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、最も好ましくはアルキル基、アリール基である。アルキル基、アリール基ともに炭素数14以下で構成されるものが好ましく、さらにアルキル基は置換位置が4級炭素となるものが好ましい。また、これらの置換基は更なる置換基により置換されていてもよい。
同一の5員環が2つの置換基を持つ時、これらは互いに結合して環を形成しても良く、例えば以下のような構造が挙げられる。
Figure 2010232222
Xはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、NRのいずれかを表し、適切なエネルギーギャップを持ち層界面における電荷の注入性を保つ観点から硫黄原子が好ましい。
は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、好ましくは炭素数10以下の置換または無置換のアルキル基(メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなど)、炭素数10以下の置換または無置換のアリール基(フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなど)、または炭素数9以下の置換または無置換のヘテロ環基(ヘテロ原子として例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなど)である。化学的安定性を保ちつつ、嵩高い芳香族環同士が重なろうとすることによる材料の結晶性上昇を抑制する観点からRはメチル、エチル、iso−プロピル、フェニル、ピリジルなどの安定で分子量の小さい置換基が好ましい。
はそれぞれ独立に置換基を表し、Yが表す置換基としては、Rにおける置換基を挙げることができる。Yは重合活性位を蒸着熱、駆動時のエネルギー、電荷から保護し分解を抑制する目的で、剛直な結合を形成し熱分解性の低いものが好ましい。Yとして具体的にはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環基、シリル基が挙げられ、上記観点からYはAr,ヘテロ環基、CR212223、Sir313233が好ましく、最も好ましくはY=CR212223またはSir313233である。
はO,S、Sir3132、NRまたは主鎖が炭素数1〜6のアルキレンから選ばれる連結基又はこれらが組合わされて構成されるものを表す。電荷輸送を円滑に行うため分子内のヘテロ5員環同士は互いに近づいていることが望ましく、LはCR2122,O,S、Sir3132、NRが好ましく、さらに化学的安定性の観点からLはCR2122又はSir3132であることが最も好ましい。
21、R22、R23はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基を表す。無置換であっても置換基を有していてもよく、好ましくはアルキル基(メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなど)、アリール基(フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなど)、ヘテロ環基(ヘテロ原子として例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなど)であり、より好ましくは炭素数10以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数10以下の置換または無置換のアリール基である。中でも、より好ましくは、メチル、エチル、iso-プロピル、tert−ブチル、フェニル、ピリジルであり、特に好ましくはメチル、フェニルである。
31、r32、r33として挙げられる置換基としてはR21、R22、R23と同様のものを挙げることができ、好ましい範囲も同様である。
一般式(1)においてLがCR2122またはSir3132(R21、R22、r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)であることが好ましい。
本発明において、上記一般式(1)で表される化合物は、下記一般式(2)で表されることが好ましい。一般式(2)で表される化合物はヘテロ5員環の3位及び4位に置換基を有しないことから、5員環の近傍に他分子が接近することが可能であり、そのため電化輸送能を妨げない点で有利である。
Figure 2010232222
(一般式(2)中、nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R及びRはそれぞれ独立に置換基を表す。)
nは1〜7の整数を表し、好ましい範囲は一般式(1)と同じである。
およびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。
は炭素原子であることが好ましい。原子半径の小さい炭素原子を用いた方がチオフェン環の距離が近づき、電荷輸送に有利であるためである。
、Rはそれぞれ独立に置換基を表す。無置換であっても置換基を有していてもよく、R21、R22、R23が表す置換基と同様のものを挙げることができる。好ましくは、炭素数10以下のアルキル基または炭素数10以下のアリール基を表す。
さらに上記一般式(2)で表される化合物は、下記一般式(5)で表されることが好ましい。下記一般式(5)で表される化合物は、チオフェンを3つ以上連結したものに比べ合成が容易であり、その純度も高くする事ができる。これらの結晶性の低い化合物を合成する際には、カラムクロマトグラフィーを一般に用いるが、チオフェンが多く連なった化合物を構成する際には、チオフェン数の異なる副生成物を除かなければならない。一般式(5)で表される化合物はこのような副生成物を生じることがないため、有利である。
Figure 2010232222
(一般式(5)中、Y、Lb、、Rは一般式(2)におけるY、Lb、、Rと同義である。)
本発明の一般式(1)、(2)、及び(5)で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から2000以下であることが好ましく、1200以下であることがより好ましく、1000以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、250以上が好ましく、350以上がより好ましく、400以上が特に好ましい。
〔一般式(2)で表される化合物〕
本発明は下記一般式(2)で表される化合物にも関する。一般式(2)で表される化合物は、電荷輸送性化合物として有用である。
Figure 2010232222
(一般式(2)中、nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R及びRはそれぞれ独立に置換基を表す。)
一般式(2)におけるn、Y、L、R及びRにおける例示及び好ましいものは前記一般式におけるn、Y、L、R及びRと同様である。
上記一般式(1)、(2)、及び(5)で表される化合物として例示した化合物は、例えばHeterocyclic Chemistry (1992) 523頁、Chemical Abstruct (1955)5430頁、JCS Perkin TransactionI (1976)897頁に記載の方法、またはその組み合わせによって合成する事ができる。また、様々なヘテロ5員環とケトンを75%硫酸中で加熱することにより4級メチレンで架橋されたヘテロ5員環化合物を得る事が出来る。本反応は無溶媒で進行するが、用いる材料によっては酢酸、ポリりん酸、希硫酸などを溶媒として用いてもよい。
特に(2)で表される化合物として例示した化合物は、下記に示す方法を組み合わせることによって合成する事ができる。
Figure 2010232222
ケイ素上の置換基が異なる化合物を合成する場合は対応するクロロケイ素化合物を反応剤として用いればよい。
Figure 2010232222
両端の置換基が片方ケイ素、片方炭素である化合物を合成する場合は以下の反応を用いた後に炭素置換基を導入すればよい。
Figure 2010232222
チオフェン環が4以上の化合物を合成するにはこれらの反応を組み合わせる、また、繰り返すことにより合成される。
以下に、本発明における一般式(1)、(2)、及び(5)で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
一般式(1)で表される化合物は、その機能が限定されることはなく、一般式(1)で表される化合物は、有機層が複数の場合、該化合物を含有する層以外のいずれの層にも含有することができる。一般式(1)で表される化合物は、発光層に含有されることがより好ましく、ホスト材料として発光層に含有されることがさらに好ましい。発光材料は一種であっても二種以上を組み合わせて用いても良いが、少なくとも一種の発光材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。
発光層にホスト材料として含有される場合、発光層におけるホスト材料の含有率の合計は、50〜99.9質量%であることが好ましく、60〜98質量%であることがより好ましい。本発明の化合物と、さらに1種以上のホスト材料を共に含有する場合、本発明の化合物とその他のホスト材料全体の重量比は同量に近い事が好ましく、20:80〜50:50が好ましく、35:65〜50:50がより好ましく、40:60〜50:50が最も好ましい。この場合、本発明の化合物は発光層中において主成分(含有量が一番多い成分)であることが好ましい。また正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、70〜100%であることが好ましく、85〜100%であることがより好ましく、99〜100%であることが最も好ましい。本発明の化合物は熱経時安定性と共に正孔輸送性に優れ、大きなイオン化ポテンシャルを持つため、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層として用いるのが好ましく、正孔輸送層として用いるのが最も好ましい。正孔輸送層として本発明の化合物を用いる場合、発光層にも本発明の化合物を含んで成る事が素子作製の簡便化の観点からも好ましい。
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、特に好ましくは燐光発光材料である。
蛍光発光材料、燐光発光材料については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
好ましい燐光発光材料としては、Ir錯体、Pt錯体、Cu錯体、Re錯体、W錯体、Rh錯体、Ru錯体、Pd錯体、Os錯体、Eu錯体、Tb錯体、Gd錯体、Dy錯体、及びCe錯体が挙げられる。
特に好ましくは、Ir錯体、Pt錯体である。Ir錯体は本発明の化合物と同時に用いた場合、白金錯体と比べて駆動電圧が大きくなる。これについては、Ir錯体が通常8面体6配位の構造をとり、表面積の大きいかさ高い構造をとっているため、本発明の化合物と近接しにくく、電荷の授受が妨げられるためと考えている。
上記金属錯体は、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むものが好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性の観点で、白金錯体であることが好ましく、中でも4座の多座配位子を含む白金錯体が特に好ましい。
4座の多座配位子を含む白金錯体としては、一般式(3)で表される化合物が好ましい。
Figure 2010232222
(一般式(3)中、Lは二価の連結基を表す。Xは、硫黄原子、リン原子、酸素原子又は窒素原子を表す。Xは、炭素原子、硫黄原子又はリン原子を表す。R、Rはそれぞれ独立に置換基を表す。Rは置換基を表す。a、b、cはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。)
Lは二価の連結基を表す。白金の4座錯体は白金からの結合手が全て同一平面上にあり、錯体全体が平面構造をとっている。このためしばしば配位子のπ軌道や双極子モーメント、白金のd軌道の相互作用により、錯体の会合体を作ることが知られている(三共出版、金属錯体の光化学、101頁―103頁)。会合体はエネルギーギャップが狭く、発光スペクトルのシャープさや発光効率の悪化を招く。Lが低極性であれば分子の極性モーメントが小さくなり、錯体同士の会合発光を抑制することができる。Lとして具体的には、アルキレン基(メチレン、エチレン、プロピレンなど)、アリーレン基(フェニレン、ナフタレンジイル)、ヘテロアリーレン基(ピリジンジイル、チオフェンジイルなど)、イミノ基(−NR−)(フェニルイミノ基など)、オキシ基(−O−)、チオ基(−S−)、ホスフィニデン基(−PR−)(フェニルホスフィニデン基など)、シリレン基(−Sirr’−)(ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など)、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
Lは好ましくはアルキレン基(メチレン、エチレン、プロピレンなど)、アリーレン基(フェニレン、ナフタレンジイル)、ヘテロアリーレン基(ピリジンジイル、チオフェンジイルなど)、シリレン基(−Sirr’−)(r、r‘として挙げられる置換基としてはR21と同様のものを挙げることができ、好ましい範囲も同様である。例えば、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など)であり、さらに好ましくはメチレン基である。
は、硫黄原子、リン原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらは置換基を有していてもよい。
は、白金と剛直に結合を形成する原子であることが好ましく、具体的には酸素原子、窒素原子が好ましい。さらに好ましくは酸素原子である。
は、炭素原子、硫黄原子又はリン原子を表し、これらは置換基を有していてもよい。
が炭素原子の場合は、該炭素原子がカルボニル基・イミノ基・チオカルボニル基を形成しても良い。該炭素原子が置換基を有する場合、その置換基としては具体的にアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基が挙げられる。
が硫黄原子または燐原子の場合、置換基としては具体的にアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基が挙げられる。
が硫黄原子の場合は、化学的安定性の観点から2価または6価の硫黄原子であることが好ましい。また、該硫黄原子がスルホニル基を形成しても良い。
が燐原子の場合は、安定性の観点から5価の燐原子であることが好ましい。該燐原子が5価である場合は無置換または置換のホスホリル基を形成しても良い。Xは、熱的安定性の観点から炭素原子が好ましく、該炭素原子がカルボニル基を形成する場合が最も好ましい。
また、これらのX及びXが互いに環を形成することはない。
、Rはそれぞれ独立に置換基を表す。a、bはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。a,bが2以上の整数である時、R、Rは互いに同一でも異なっていても良い。R、Rは具体的にはハロゲン原子、シアノ基、シリル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基のいずれかであり、好ましくはハロゲン原子、シアノ基、ジアルキルアミノ基、アルキル基である。アルキル基、ジアルキルアミノ基は炭素数が1〜20である事が分子体積を大きくしすぎない観点から好ましい。
また、Rは置換基を表す。cは0〜3の整数で表す。cが2以上の整数である時、Rは互いに同一でも異なっていても良い。Rは具体的にはハロゲン原子、シアノ基、シリル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基のいずれかであり、好ましくはハロゲン原子、シアノ基、アルキル基である。
一般式(3)で表される化合物の置換基の結合位置と結合数の好ましい態様として、以下の構造が挙げられる。
Figure 2010232222
(一般式(IIId)、(IIIe)、及び(IIIf)中、L、X、X、R、R、R、a、b、cは一般式(3)におけるL、X、X、R、R、R、a、b、cと同義である。)
一般式(3)で表される化合物として例示した化合物は、例えば特開2006−261623号公報に示すものと同様の工程によって製造することができる。
本発明の一般式(3)で表される化合物は、有機電界発光素子を真空蒸着プロセスや溶液塗布プロセスを用いて作成するので、蒸着適性や溶解性の観点から、2000以下であることが好ましく、1200以下であることがより好ましく、1000以下であることが特に好ましい。また、蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、250以上が好ましく、350以上がより好ましく、400以上が特に好ましい。
以下に、本発明における一般式(3)で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
下記、一般式(1)、(2)、(3)及び(5)の説明における水素原子は同位体(重水素原子等)も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
前記発光層は、一般式(1)、(2)、及び(5)で表される化合物と、燐光発光材料(3)と、さらにホスト材料を含む事が好ましい。ホスト材料としては、正孔輸送性ホスト材料であっても、電子輸送性ホスト材料であってもよいが、正孔輸送性ホスト材料を用いることができる。
本発明においては、発光層に燐光発光材料と前記一般式(1)で表される化合物と、さらに一般式(4−1)または(4−2)で表される化合物のどちらか一方と、を含むことが好ましい。
前記ホスト材料は下記一般式(4−1)または(4−2)で表される化合物であることが好ましい。
Figure 2010232222
(一般式(4−1)及び(4−2)中、d、eは0〜3の整数を表し、少なくとも一方は1以上である。fは1〜3の整数を表す。Rは下記一般式(5)で表されるカルバゾール基を表す。)
Figure 2010232222
(一般式(5)中、Rはそれぞれ独立に置換基を表す。gは0〜8の整数を表す。)
はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、好ましくは炭素数10以下のアルキル基、炭素数10以下の置換または無置換のアリール基である。
gは0〜8の整数を表し、電子輸送を担うカルバゾール骨格を遮蔽しすぎない観点から0〜4が好ましい。また、合成容易さの観点から、カルバゾールが置換基を有する場合、左右に対称になるように置換基を持つものが好ましい。
一般式(4−1)において、他方のベンゼン環の置換位置に対しメタでRが置換することが好ましい。オルト置換では隣り合う置換基の立体障害が大きいため結合が開裂しやすく、耐久性が低くなる。また、パラ置換では分子形状が剛直な棒状へと近づき、結晶化しやすくなるため高温条件での素子劣化が起こりやすくなる。また、一般式4−2において、fが2または3の場合、同様の観点からRが互いにメタで置換することが好ましい。
一般式(4−1)及び(4−2)が水素原子を有する場合、同位体(重水素原子等)も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が同位体に置き換わっていてもよく、また一部が同位体を含む化合物である混合物でもよい。好ましくは一般式(5)におけるRが重水素によって置換されたものであり、特に好ましくは以下の構造が挙げられる。
Figure 2010232222
更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明の一般式(4−1)及び(4−2)で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から2000以下であることが好ましく、1200以下であることがより好ましく、800以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、250以上が好ましく、300以上が特に好ましい。
以下に、本発明における一般式(4−1)及び(4−2)で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
Figure 2010232222
〔有機電界発光素子〕
本発明の素子について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、前記一般式(1)で表される化合物を含有する層を有する。
本発明の有機電界発光素子において、発光層及び一般式(1)で表される化合物を含有する層は有機層であり、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明もしくは半透明であることが好ましい。
有機層としては特に限定されないが、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層、保護層などを有していてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。
本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
本発明の素子を構成する各要素について詳細に説明する。
(基板)
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。
(陽極)
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
(陰極)
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
(有機層)
本発明の有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
(発光層)
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
基板、陽極、陰極、有機層、発光層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
発光層としては、発光材料とホスト材料として一般式(1)で表される化合物とを用いたものが好ましい。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。発光層が複数の場合、一般式(1)で表される化合物を二層以上の発光層に含んでもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。
発光材料の含有量は、発光層中に、発光層の総質量に対して、0.1質量%以上50質量%以下の範囲が好ましく、0.2質量%以上50質量%以下の範囲がより好ましく、0.3質量%以上40質量%以下の範囲がさらに好ましく、5質量%以上30質量%以下の範囲が最も好ましい。
本発明の化合物と併用する発光材料が燐光発光材料である場合、その含有量は発光層の総質量に対して、0.1質量%以上50質量%以下の範囲が好ましく、1質量%以上40質量%以下の範囲がより好ましく、5質量%以上30質量%以下の範囲が最も好ましい。特に5質量%以上30質量%以下の範囲では、その有機電界発光素子の発光の色度は、燐光発光材料の添加濃度依存性が小さい。
本発明の有機電界発光素子は、上記化合物(1)(一般式(1)で表される化合物)に対し、少なくとも一種の燐光発光材料を該発光層の総質量に対して5〜30質量%含有することが最も好ましい。
(ホスト材料)
ホスト材料とは、発光層において主に電荷の注入、輸送を担う化合物であり、また、それ自体は実質的に発光しない化合物のことである。本明細書において「実質的に発光しない」とは、該実質的に発光しない化合物からの発光量が好ましくは素子全体での全発光量の5%以下であり、より好ましくは3%以下であり、さらに好ましくは1%以下であることをいう。
本発明においては、発光層が、ホスト材料を含むことが好ましい。
発光層中のホスト材料の濃度は、特に限定されないが、発光層中において主成分(含有量が一番多い成分)であることが好ましく、50質量%以上99.9質量%以下がより好ましく、50質量%以上99.8質量%以下がさらに好ましく、60質量%以上99.7質量%以下が特に好ましく、70質量%以上95質量%以下が最も好ましい。また、2種類以上のホスト材料を併用する場合、膜内でより多くのホスト分子が他の分子に近接する事が好ましい。そのため、2つのホスト材料の重量比は同量に近い事が好ましく、20:80〜50:50が好ましく、35:65〜50:50がより好ましく、40:60〜50:50が最も好ましい。
前記ホスト材料のガラス転移点は、60℃以上500℃以下であることが好ましく、70℃以上300℃以下であることがより好ましく、90℃以上250℃以下であることがさらに好ましい。
本発明の発光層に含まれるホスト材料の膜状態での蛍光波長は、400nm以上650nm以下の範囲であることが好ましく、420nm以上600nm以下の範囲であることがより好ましく、440nm以上550nm以下の範囲であることがさらに好ましい。
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、インドール骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するもの、チオフェン骨格を有するもの、フラン骨格を有するもの、ピロール骨格を有するもの、シロール骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられ、好ましくは一般式(1)で表される材料である。
本発明に用いるホスト材料として例えば、特開2002−100476号公報の段落〔0113〕〜〔0161〕に記載の化合物及び特開2004−214179号公報の段落〔0087〕〜〔0098〕に記載の化合物を好適に用いることができるが、これらに限定されることはない。
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
(正孔注入層、正孔輸送層)
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
(電子注入層、電子輸送層)
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2−メチル−8−キノリナト)4−フェニルフェノラート(Aluminum (III)bis〔2−methyl−8−quinolinato〕4−phenylphenolate(balqと略記する))等のアルミニウム錯体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(2,9−Dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline(BCPと略記する))等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
(保護層)
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
保護層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
<封止容器>
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。封止容器と素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
本発明の素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
本発明の素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の例に示される部分についてのみの範囲に制限されるものではない。
〔合成例1〕下記の例示化合物1を合成した。
Figure 2010232222
チオフェン(25.0g、300mmol、2.0当量)とアセトン(11mL、150mmol、1.0当量)とを混合し、内温が90℃になるように75%硫酸水溶液を滴下した。反応系を放冷後、飽和炭酸カリウム水溶液中に滴下して中和し、酢酸エチルで抽出を行った。有機相をまとめて乾燥、濃縮し、得られた残渣をカラムにて精製することで、化合物aを粘性液体として7g(22%)得た。
Figure 2010232222
化合物a(3.0g、14mmol、1.0当量)をヘキサン(46mL)とジメトキシエタン(23mL)の混合溶媒に溶解し、氷冷した。ノルマルブチルリチウム(1.6mol/Lヘキサン溶液、35mL、57mmol、4.0当量)を滴下し、その後室温で2時間半攪拌を行った。その後クロロトリフェニルシラン(17.0g、57mmol、4.0当量)を加え、さらに2時間攪拌した。反応系に希塩酸水溶液を加え、クロロホルムで抽出を行った。有機相をまとめて乾燥、濃縮し、酢酸エチルを加えて得られた沈殿を濾過することで例示化合物1を白色固体として6.8g(67%)得た。
H−NMR (300mhz, CDCl)δ:1.85(s,6H),6.93(d,J=4.0Hz,2H),7.11(d,J=4.0Hz,2H),7.33−7.46(m,18H),7.55−7.58(m,12H).
〔合成例2〕下記の例示化合物2を合成した。
Figure 2010232222
化合物a(5.0g、24mmol、1.0当量)と1,1−ジフェニルエタノール(9.5g、48mmol、2.0当量)とを二硫化炭素(25mL)に溶解し、氷冷した。四塩化すず(12.5g、48mmol、2.0当量)を滴下し、その後室温で2時間半攪拌を行った。反応系に希塩酸水溶液を加え、酢酸エチルで抽出を行った。有機相をまとめて乾燥、濃縮し、得られた残渣をカラムにて精製することで、例示化合物2をガラス状固体として6.3g(46%)得た。
H−NMR (300mhz, CDCl)δ:1.75(s,6H),2.18(s,6H),6.36(d,J=4.0Hz,2H),6.62(d,J=4.0Hz,2H),7.13−7.29(m,20H).
同様にして、下記の例示化合物3〜7を合成した。また、下記の比較化合物ref−1〜ref−3及びPt−1、Pt−2、Ir−1、Ir−2、Fl−1を準備した。
〔実施例〕
(素子の作製)
0.5mm厚み、2.5cm角のITO膜を有するガラス基板(ジオマテック社製、表面抵抗10Ω/□)を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。この透明陽極(ITO膜)上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第1層:DNTPD:膜厚160nm
第2層:NPD:膜厚10nm
第3層:化合物1及びPt−1(質量比85:15):膜厚60nm
第4層:BAlq:膜厚10nm
第5層:BCP及び1%Li:膜厚20nm
この上に、フッ化リチウム1.0nm及び金属アルミニウム100nmをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止し、本発明の素子1−1を得た。
また、下記表1に示すように、第3層の発光層材料を変更し、本発明の素子または比較素子を作製した。
得られた各種素子に対し、定電圧(7.0V)印加時の輝度を調べた。その後素子をエスペック社製オーブンPH−101中に入れ、102℃、24時間で静置した。取り出した素子を放冷した後、再び同じ強度の電圧を印加し、輝度を測定した。なお、下記例において、各種測定は以下のように行なわれた。
(a)発光輝度
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計BM−8にて測定した。発光色は目視にて確認した。表では加熱前の輝度(本発明の素子1−1に対する相対値)と加熱後に得られた輝度が加熱前の輝度に占める割合(%)を用いて評価している。
Figure 2010232222
表1の結果から、本発明の素子は、加熱後の駆動においてもほぼ同等の輝度を維持していることが分かる。
第3層を化合物1、Pt−1、H−1(質量比45:15:40)とする以外は同様にして本発明の素子2−1を作製し、同様に評価を行った。
また、素子2−1と同様に本発明の素子2−2を作製し評価を行った。
Figure 2010232222
表2の結果から、H−1またはH−2と共に用いることで加熱前の発光輝度が向上することが分かる。
第2層を化合物1とする以外は1−1と同様にして本発明の素子3−1を作製し、同様に評価を行った。
Figure 2010232222
表3の結果から、正孔輸送層として本発明の化合物を用いると加熱前の輝度が向上し、また加熱後の輝度もほとんど低下しないことがわかる。
上記例で使用した化合物の構造を以下に示す。
例示化合物
Figure 2010232222
比較化合物
Figure 2010232222
発光材料
Figure 2010232222
その他、実施例で使用した化合物
Figure 2010232222

Claims (9)

  1. 一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式(1)で表される化合物を前記有機層のいずれかの層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
    Figure 2010232222
    (nは1から7の整数を表す。
    Rはそれぞれ独立に置換基を表す。
    m及びoはそれぞれ独立に0〜2の整数を表す。
    Xはそれぞれ独立に硫黄原子、酸素原子、NRのいずれかを表す。
    はそれぞれ独立に置換基を表す。
    はO、S、Sir3132、NR若しくはアルキレンから選ばれる連結基又はこれらが組合わされて構成されるものを表す。ここでRは水素、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基のいずれかを表す。r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)
  2. 一般式(1)においてLがCR2122またはSir3132(R21、R22、r31、r32はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基のいずれかを表す。)であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
  3. 一般式(1)においてXが硫黄原子であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
  4. 一般式(1)で表される化合物が一般式(2)で表されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2010232222
    (nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R及びRはそれぞれ独立に置換基を表す。)
  5. 前記発光層に燐光発光材料と一般式(1)で表される化合物とを共に含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発光素子。
  6. 前記燐光発光材料が白金錯体であることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光素子。
  7. 前記白金錯体が下記一般式(3)で表されることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2010232222
    (Lは二価の連結基を表す。
    は、硫黄原子、リン原子、酸素原子又は窒素原子を表す。
    は、炭素原子、硫黄原子又はリン原子を表す。
    、R、及びRはそれぞれ独立に置換基を表し、a,b,cはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。)
  8. 前記発光層に燐光発光材料と前記一般式(1)で表される化合物と、さらに一般式(4−1)または(4−2)で表される化合物のいずれかと、を共に含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の有機電界発光素子。
    Figure 2010232222
    (d、及びeは0〜3の整数を表し,少なくとも一方は1以上である。fは1〜3の整数を表す。Rは下記一般式(5)で表されるカルバゾール基を表す。)
    Figure 2010232222
    (Rはそれぞれ独立に置換基を表し、gは0〜8の整数を表す。)
  9. 一般式(2)で表される電荷輸送性化合物。
    Figure 2010232222
    (nは1〜7の整数を表す。YおよびLはそれぞれ独立に炭素原子またはケイ素原子のいずれかを表す。R,Rはそれぞれ独立に置換基を表す。)
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09241265A (ja) * 1996-03-07 1997-09-16 Juzo Nakayama テトラチエニルシラン誘導体およびその製造方法
JP2000129043A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂組成物
JP2003138251A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Canon Inc 有機発光素子
WO2004058850A1 (ja) * 2002-12-25 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 高分子化合物、電界発光素子及び発光装置
JP2007019462A (ja) * 2005-03-16 2007-01-25 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010526121A (ja) * 2007-05-08 2010-07-29 ユニヴェルシテ リブル ドゥ ブリュッセル オリゴチオフェン誘導体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09241265A (ja) * 1996-03-07 1997-09-16 Juzo Nakayama テトラチエニルシラン誘導体およびその製造方法
JP2000129043A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂組成物
JP2003138251A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Canon Inc 有機発光素子
WO2004058850A1 (ja) * 2002-12-25 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 高分子化合物、電界発光素子及び発光装置
JP2007019462A (ja) * 2005-03-16 2007-01-25 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010526121A (ja) * 2007-05-08 2010-07-29 ユニヴェルシテ リブル ドゥ ブリュッセル オリゴチオフェン誘導体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
QUN SHEN: "Synthesis of tetraarylsilanes and its usage as blue emitters in electroluminescence", SYNTHETIC METALS, vol. Volume 158, Issues 21-24, JPN6013038702, December 2008 (2008-12-01), pages 1054 - 1058, ISSN: 0002600274 *

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