JP6248159B2 - 発光デバイス用のスピロビフルオレン化合物 - Google Patents

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Description

本発明は、スピロビフルオレンをベースとした化合物および前記化合物を含む発光デバイスに関する。
様々な有機発光デバイス、特に小さな有機材料からのエレクトロルミネセンス(EL)に基づいた有機発光デバイスが盛んに研究され、開発されている。このような有機デバイスにおいて、形態学的に安定な非晶質薄膜を形成する能力は、有機発光ダイオード(OLED)用の小さな材料を開発するための重要な要求条件である。これは、小分子化合物が有機発光材料として使用される場合、化合物の分子が非常に小さく、その構造が非常に対称的である場合には、通常は結晶化が起こるためである。したがって、有機発光層中で用いられるとき、小分子化合物は結晶化などの形態学的変化に弱く、結晶が形成されると、それはOLEDの発光特性および有効寿命に好ましくない影響をもたらす。
デバイスの運転の間の熱応力は、非晶状態から熱力学的に安定な多結晶状態へのこのような相転移を引き起こす可能性があり、デバイスの著しい劣化につながる可能性がある。結果として、非晶状態を安定化するために高いガラス転移温度(Tg>150℃)を特徴とする材料を設計することがきわめて重要である。運転寿命を増加させるためにデバイスの安定性を改良するため、種々のホスト材料が報告されている。特に、スピロ結合を有する材料の設計は、それらの電気工学的機能性を維持したまま強化された形態学的安定性を有するOLED材料を得るための非常に良い戦略であった。
(特許文献1)には、少なくとも2つの構成成分の混合物を含有する固体有機材料を含有する発光層が開示されている。第1のホスト構成成分は、電荷を輸送することができ且
つ凝集体を形成することもできる有機化合物である。混合物の第2の構成成分は、電荷を輸送することができる有機化合物であり、第1のホスト構成成分と混合した時に、実質的に微小な孔を含有しない連続層を形成することができる。参考として、第2の構成成分として置換フルオレン誘導体、およびスピロビフルオレン誘導体等の様々な化合物が使用されている。
また、(特許文献2)には、ジベンゾセレノフェン誘導体、ベンゾ[b]セレノフェン誘導体、またはベンゾ[c]セレノフェン誘導体などの有機セレン化合物を含有する層から製造される発光デバイスが開示されている。これらの有機セレン化合物は、燐光有機金属ドーパントのためのホストとして役立ち得る。
上記の特許文献の他に、スピロビフルオレン化合物を開示する種々の参照文献がある。(非特許文献1)において、カルバゾールのビルディングブロックおよび9,9’−スピロビフルオレン(スピロ)ビルディングブロックのオリゴマー、特に、効率的な色変調可能な三重項発光に適したパラおよびメタ連結オリゴマーをベースとしたホストが、三重項励起状態の性質に関して調査されている。この参照文献において、青色、緑色および赤色光発光のためのホストの正孔および電子注入の改良も、このオリゴマーについて期待される。さらに、(非特許文献2)にも、一連のスピロ結合オリゴフルオレンおよび誘導体に関する模擬実験の結果が記載されている。
(特許文献3)には3,6−ビス−N−カルバゾリル−9,9’スピロビフルオレンが開示されている。
米国特許出願公開第2006/0141287号明細書 米国特許出願公開第2010/0072887号明細書 特開2010/027681号公報
Advanced Materials(Weinheim,Germany)(2004年)、16(18)、1624〜1629ページ Chemical Physics Letters(2008年)、461(1〜3)、9〜15ページ
しかしながら、上に開示された材料のいずれも、発光色、寸法安定性などの、デバイスの運転条件下の他の電気光学的および加工特性を維持したまま、OLED用途に必要な全ての要求条件、特に、高い燐光効率(高い三重項エネルギー)、高い形態学的安定性のために適したエネルギー準位を満たさない。したがって、上に示された要求条件の全てを満たすことができる新規なホスト材料を開発する必要がある。
驚くべきことに、添付した請求の範囲において定義された適切な置換基によって置換されたスピロビフルオレン系化合物は、発光デバイスにおいて使用された時に十分な寿命と十分な効率との両方を示すことが見出された。
本発明の1つの態様において、式(I)または(II)によって表わされる化合物が以下のように提供される。
Figure 0006248159
式中、Aが単結合またはビフェニル、トリフェニル、
Figure 0006248159
のうちの1つの二価の残基であり、それらの各々において炭素原子に結合した1つまたは複数の水素原子が水素以外の置換基によって置換されてもよく、ZがN、O、S、およびSiRから選択されるいずれか1つであり、YがN−R、O、SまたはSi(R)であり(RがC1〜20アルキルまたはアリールである)、RおよびRが独立に水素およびC1〜20アルキルから選択され、
〜Xが独立にスピロビフルオレニル以外の置換基から選択され、
l、pおよびqが独立に0〜4の整数から選択され、
mが0〜3の整数であり、
Figure 0006248159
式中、BおよびBが同時に水素ではないことを条件に、BおよびBが独立に水素、および複素環基から選択され、
rが0〜3の整数であり、
〜X、m、p、およびqが式(I)に定義された通りであり、
但し、式:
Figure 0006248159
の3,6−ビス−N−カルバゾリル−9,9’−スピロビフルオレンを例外とする。
本発明の化合物をOLED、光電地または有機半導体デバイスなどの様々な用途において使用することができる。例えば、それらの化合物は、OLED内の燐光エミッタのための効率的ホスト材料の役割を果たすことができる。また、本発明は、前記化合物を含むデバイス、好ましくは発光デバイスを提供する。
別個の電子輸送層、正孔輸送層、および発光層、ならびに他の層を有する有機発光デバイスを示す。 実施例2のデバイスの外部量子効率対輝度を示す。 実施例2のエレクトロルミネセンス(EL)スペクトルを示す。 実施例2のデバイスの寿命試験データ(L=2000Cd/mにおいてのルミネセンス対時間)を示す。
スピロ結合を有する材料の設計は、それらの電気工学的機能性を維持したまま強化された形態学的安定性を有するOLED材料を得るための非常に良い戦略であった。この考え方は、共通sp3−混成化原子によって、等しいまたは異なった機能(発光、電荷輸送)を有する2つの分子のπ系を連結する発想に基いている。スピロ結合に加えて、本発明の化合物では、置換基を特定位置に導入してこの化合物の三重項エネルギーを制御する。
本発明は、式(I)または(II)によって表わすことができるホスト材料を提供する。
Figure 0006248159
式中、Aが単結合またはビフェニル、トリフェニル、
Figure 0006248159
のうちの1つの二価の残基であり、それらの各々において炭素原子に結合した1つまたは複数の水素原子が水素以外の置換基によって置換されてもよく、ZがN、O、S、およびSiRから選択されるいずれか1つであり、YがN−R、O、SまたはSi(R)であり(RがC1〜20アルキルまたはアリールである)、RおよびRが独立に水素およびC1〜20アルキルから選択され、
〜Xが独立にスピロビフルオレニル以外の置換基から選択され、
l、pおよびqが0〜4の整数であり、
mが0〜3の整数であり、
Figure 0006248159
式中、BおよびBが同時に水素ではないことを条件に、BおよびBが独立に水素および複素環基から選択され、
rが0〜3の整数であり、
〜X、m、p、およびqが式(I)に定義された通りであり、
但し、以下の式:
Figure 0006248159
の3,6−ビス−N−カルバゾリル−9,9’−スピロビフルオレンを例外とする。
式IIから明らかであるが、式IIの化合物においてX1〜X4は、存在する場合(すなわちm、p、qおよびrの少なくとも1つがゼロではない場合)、Bおよび/またはBと異なっていることをここに明記することができる。
いくつかの実施形態において、化合物が式(I)によって表わされ、l、m、pおよびqが0である。他の実施形態において、化合物が式(II)によって表わされ、m、r、pおよびqが0である。
本発明によって、A、BおよびBはスピロビフルオレン環のメタ位置において置換されるが、その理由は、メタ位置の置換がスピロビフルオレン部分と分子の残部との間の共役を切り、高い三重項エネルギーを確保するのがよく、メタ置換されたスピロビフルオレンのオリゴマーは、パラ置換されたものと比べてより高い三重項エネルギーを有し、その結果、前者が青色エミッタのホストとしてより適しているからである。さらに、スピロ部分の存在は高いガラス転移温度をもたらし、形態学的に安定な非晶質薄膜の形成を促進し、それらは青色または白色光を生じるOLED発光層中のホストの本質的な特徴である。
本発明の具体的な態様において、Aが単結合である。別の態様において、Bが水素であり、Bが複素環基である。複素環基は、好ましくは、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、アクリジン、ジベンゾシロール、およびビピリジンから選択され得るがそれらに限定されず、各々が場合により水素以外の1つまたは複数の置換基によって置換されていてもよい。1つの具体的な実施形態において、複素環基が式(III)によって表わされる。
Figure 0006248159
式中、YがN−R、O、S、Si(R)であり(Rは、C1〜20アルキルまたはC1〜20アリールである)、XおよびXが独立に水素以外の置換基から選択され、sが0〜3の整数であり、tが0〜4の整数である。
別の実施形態において、複素環基は、式(IV)によって表される。
Figure 0006248159
式中、XおよびXが独立に水素以外の置換基から選択され、sおよびtが独立に0〜4の整数から選択される。
より具体的な実施形態において、本発明の化合物は式(V)〜(VIII)のいずれか1つによって表わされる。
Figure 0006248159
本発明の別の具体的な態様において、化合物は以下の式IX〜XIXのいずれか1つによって表わされる。
Figure 0006248159
Figure 0006248159
本発明の化合物の合成は、任意の公知の方法によって行なうことができる。一般に、本発明の実施形態によれば、式(I)および(II)の化合物を以下の反応スキームによって調製することができる。
Figure 0006248159
Figure 0006248159
式中、Xは、ハロゲン、好ましくは臭素原子などの脱離基である。
本発明は、上記の式(I)または(II)のスピロビフルオレン化合物と発光化合物とを含む発光デバイスを対象としている。適した発光化合物は当該技術分野に公知のおよび今後開発される発光化合物から選択することができ、例えば、限定しないが、米国特許出願公開第2008/238305号明細書に開示された式(XX)によって表わされる金属錯体から選択することができる。
Figure 0006248159
上述の金属錯体、特にイリジウム錯体は、スペクトルの可視領域において燐光発光を示すことができる。具体的な実施形態において、発光化合物は、スペクトルの青色領域において燐光発光を示す。
本発明の別の態様は、式(I)または(II)の化合物と、発光化合物、とりわけ金属錯体とを含むOLEDに関する。
本発明の別の態様は、OLEDにおける、式(I)または(II)の化合物と、上に定義された金属錯体などの発光化合物との使用に関する。
OLEDデバイスは一般に、
ガラス基材と、
酸化インジウムスズ(ITO)アノードなどの略透明なアノードと、
正孔輸送層(HTL)と、
発光層(EML)と、
電子輸送層(ETL)と、
Al層などの略金属カソードとを含む。発光層はホスト材料を含み、また、発光材料(ドーパント)も含む。発光材料は、電圧がデバイスの両端に印加される時に発光するようになっている。発光材料は、燐光エミッタ、より具体的には、上記の式(IX)によって表わされるイリジウム錯体などのイリジウム錯体であり得る。それらの層は、米国特許出願公開第2010/0190984号明細書に列挙されているように、当該技術分野に公知であり、その内容を全体において本願に組み込む。
スピロビフルオレン化合物を含むホスト層において発光材料をドーパントとして使用する場合、発光材料は、ホストとドーパントとの全重量に対して少なくとも1wt%、具体的には少なくとも3wt%、より具体的には少なくとも5wt%の量において一般に使用する。さらに、発光材料は、多くても30wt%、具体的には多くても25wt%の量において一般に使用する。
また、本発明は、OLED、光電地または有機半導体デバイスにおける本発明による化合物の使用に関する。
以下に、本発明を、実施例および比較例を参照して詳細に説明する。しかしながら、これらの実施例は、いかなる意味においても本発明の範囲を限定すると解釈されるべきではない。さらに、単位は、別記しない限り重量によって表わされる。
[合成の方法]
全ての反応は不活性雰囲気下で達成される。使用したボロン酸エステルは、購入するかまたは通常の方法に従って合成した。溶剤および試薬は、受入れたままで使用した。デバイスにおいて試験された全ての生成物は、2回昇華させた。
[合成の実施例1]
Figure 0006248159
[3,6−ジブロモ−フルオレノン]
Figure 0006248159
この化合物は、Yong Caoらの方法(Advanced Materials.(2008),20,2359−2364)に従って合成した。
[3,6−ジブロモ−スピロビフルオレン(3,6−Di−Br−SBF)]
Figure 0006248159
3−ブロモスピロビフルオレンの形成のために以下に使用した方法に従って、ジブロモ化合物を48%の収量で単離した。
[化合物XVI]
Figure 0006248159
3当量のジベンゾフランのボロン酸エステル(17.1ミリモル)および3,6−Di−Br−SBF(5.7ミリモル)を、トルエン中に可溶化した。次に、触媒Pd(PPh、NaCOおよびEtOHを添加し、媒体を加温して24時間還流した。蒸発および通常の後処理の後、白色の固体が回収され、フラッシュクロマトグラフィーにより所望の生成物が得られた(収量60%)。
[合成の実施例2〜6]
Figure 0006248159
[3−ブロモ−フルオレノン]
Figure 0006248159
三方フラスコ内で60mlの水を8.9mlのHCl(37%w/w、2.1当量)に添加し、媒体を0℃に冷却した。50mlの水に溶解されたNaNO(1.5当量)を0℃において滴下により添加した。この添加の終了時に、アセトン/水(400/230ml)の混合液中に可溶化された4−アミノ−2−ブロモベンゾフェノン(1当量、15.0g、51.6ミリモル)を注意深く添加した。室温において30分経過後に、混合物を3時間60℃に加温した。
塩化メチレンによる抽出および有機相の蒸発後に、褐色固体が回収され(17.4g)、フラッシュクロマトグラフィーを行った。ヘキサンによる結晶化後に高純度化合物が得られた(4.2g、32%の収量)。
[3−ブロモ−スピロビフルオレン(3−SBF)]
Figure 0006248159
この化合物を3−ブロモフルオレノンから2工程で製造した。最初に、2−ブロモビフェニル(1.05当量、4.0g、16.5ミリモル)を102mlの無水ジエチルエーテル(EtO)中に溶解させた。この溶液を−60℃に冷却し、BuLi(1.16当量)を滴下により添加した。この温度において10分経過後、白色沈殿物が生じ、それは、媒体が室温に温まった時に再び溶解した。次に、3−ブロモフルオレノンを添加し、反応混合物を一晩45℃に放置した。
NHCl(5%水溶液、260ml)の添加およびEtOによる抽出後、7.0gのアルコールが得られた。この固体を141mlのAcOH中に溶解させ、78mlのHCl/ジオキサン(20当量)の添加によって加水分解させた。溶剤を蒸発させた後、固体をクロマトグラフィに供し、5.86gの目標化合物(94%の収量)を得た。
[ジスピロビフルオレン(化合物V)]
Figure 0006248159
3−BrSBF(5.3g、14.5ミリモル)を、室温にて、125mlの無水THF中に溶解させた。Zn(1.54当量)およびEtNi(1当量)を反応物に添加し、全混合物を2時間の間65℃に加温した。次にNiBr(PPhを添加し、媒体を加温して72時間還流した。反応の間、0.05当量のニッケル触媒を添加することができた。48時間後に反応を止めて、反応媒体を、シリカパッドを通して濾過した。フラッシュクロマトグラフィーの後、二量体が30%の収量で回収された(m=1.41g)。
[3−N−カルバゾール−スピロビフルオレン(化合物IX)]
Figure 0006248159
Pd−ビスジベンジリデンアセトンPd(dba)(触媒、4%モル)およびトリス−t−ブチルホスフィン(P(tBu)、0.2eq)を二方フラスコ内のトルエン中に室温で導入した。窒素下で15分後、他の試薬〔3Br−SBF(1.9g、4.8ミリモル)、カルバゾール(0.84g、5.0ミリモル)およびtBuONa(1.44g、15ミリモル)〕を導入し、反応媒体を3時間の間90℃に加温した。濾過および溶剤の蒸発後に、固体をフラッシュクロマトグラフィに供し、1.7gの化合物IXを得た(収量74%、3.5ミリモル)。
[3−ジベンゾチオフェン−スピロビフルオレン(化合物X)]
Figure 0006248159
ジベンゾチオフェンのボロン酸エステルを、ジベンゾフランのボロン酸エステルの代わりに使用したこと以外は下記化合物XIと同じ方法で、化合物Xを調製した(収量65%)。
[3−(N−トリル−カルバゾール)−スピロビフルオレン(化合物XIV)]
Figure 0006248159
N−トリル−3−ボロン酸エステルカルバゾール(5.3ミリモル、2.1eq)を入れたフラスコに、3−Br−SBF(1eq、2.5ミリモル、1.0g)およびPd(PPh(2%モル、58mg)、トルエン(50ml)、EtOH(10ml)および5当量のNaCOの2M水溶液(5当量)を添加した。2日間還流させながら撹拌した後に、反応を冷却し、生成物をエーテルで抽出した。有機相を水およびブラインで洗浄した。無水MgSO上で乾燥させ、溶剤を真空蒸発させた後、生成物をフラッシュクロマトグラフィーによって回収した(m=1.4g、収量95%)。
[3−ジベンゾフラン−スピロビフルオレン(化合物XI)]
Figure 0006248159
化合物XVIと同様に、ジベンゾフランのボロン酸エステル(9.1ミリモル)および3−Br−SBF(5.7ミリモル)をトルエン中に溶解させた。次に触媒Pd(PPh、NaCOおよびEtOHを添加し、媒体を加温して20時間還流させた。蒸発および通常の後処理の後、4.5gの固体が回収され、クロマトグラフィーによって1.56gの高純度生成物が得られた(収量54%)。
[本発明のスピロビフルオレン化合物の特性決定]
スピンコーティング技術によって堆積させた正孔注入層以外は、全てのデバイスの実施例を高真空熱蒸発によって製造した。アノード電極は120nmの酸化インジウムスズ(ITO)であった。カソードは、1nmのLiFと、その後の100nmのAlとから成った。製造後すぐに全てのデバイスをエポキシ樹脂で封止されたガラス蓋に窒素グローブボックス(<1ppmのHOおよびO)内で封入し、湿分ゲッターをパッケージ内に取り入れた。浜松ホトニクス製のC9920−12外部量子効率測定システムを用いてデバイスを光学的および電気的に特性決定した。EQEは、%単位で表された外部量子効率を指し、PEはlm/W単位で表された出力効率を指し、CIEは1931国際照明委員会(1931 Commission Internationale de l’Eclairage)(CIE)座標を指す。寿命試験は、デバイスを室温において直流で駆動することによって行った。LT50は寿命の尺度であり、デバイスを定電流で駆動した場合に光の出力が初期値の50%低下する時間に相当する。
実施例1および2の有機積層体は、ITO表面から順に、スピンコーティングによって堆積され10分間の間200℃の熱板上で乾燥された60nmのPlexcore OC AQ−1100(Plextronics Inc.から供給されたもの);正孔輸送層(HTL)としての、30nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(□−NPD);発光層(EML)としての、9%、12.5%または15%のmc3(式20のIr−錯体)がドープされた30nmの化合物Vまたは化合物IX;ブロッキング層(BL)としての、5nmの3,3’−ジ(9H−カルバゾル−9−イル)ビフェニル(mCBP);および電子輸送層(ETL)としての、40nmのビス(2−メチル−8−キノリノラート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq)から成った。
比較例1では、ETLとしてのトリス(8−ヒドロキシ−キノリナト)アルミニウム(Alq3)と一緒に、ホスト材料およびブロッキング層としてDCzTを使用し、比較例2では、ホスト材料としてmCBPを使用したこと以外は、比較例1および2を実施例1および2と同様に製造した。
デバイスの構造を表1にまとめた。表2は、それらのデバイスについての測定結果を示す。パーセンテージは重量%単位である。本明細書において、DCzT、mCBP、化合物Vおよび化合物IXは以下の構造を有する。
Figure 0006248159
Figure 0006248159
表2に示されるように、本発明のホスト材料は、比較例よりも良い効率および寿命を示した。特に、1000Cd/mの初期輝度において、デバイスの寿命の結果は、本発明のホスト材料を導入したデバイスは比較例と比べて少なくとも20%の改良があったことを示す。
Figure 0006248159
本発明の範囲および精神から逸脱することなく、本発明に様々な改良および変更が実施できることは当業者には明らかであろう。従って、本開示は、添付されたクレームおよびそれらの同等物の範囲内にあるならば本発明の改良および変型に及ぶものとする。

Claims (11)

  1. 式(II)によって表わされる化合物であって
    Figure 0006248159

    式(II)中、BおよびBが同時に水素ではないことを条件として、BおよびBは、独立に水素、および複素環基から選択され、
    m、r、pおよびqは、0であり、
    前記複素環基が、式(III)によって表され、
    Figure 0006248159

    式(III)中、Yは、O、S、またはSi(R)(式中、RはC1〜20アルキルまたはアリールである)であり、XおよびXは、独立に水素以外の置換基から選択され、sは、0〜3の整数であり、tは、0〜4の整数である、化合物。
  2. が水素であり、Bが複素環基である、請求項1に記載の化合物。
  3. 式(III)中のsおよびtが0である、請求項1または2に記載の化合物。
  4. 式(X)〜(XIII)および(XVI):
    Figure 0006248159

    のいずれか1つによって表わされる、請求項1に記載の化合物。
  5. 式(II)によって表される化合物であって、
    Figure 0006248159

    式(II)中、Bは水素であり、Bは複素環基であり、
    m、r、pおよびqは、0であり、
    前記複素環基が、式(III)または式(IV)によって表され、
    Figure 0006248159

    式(III)中、Yは、N−R、O、S、またはSi(R)(式中、Rは、C1〜20アルキルまたはアリールである)であり、XおよびXは、独立に水素以外の置換基から選択され、sは、0〜3の整数であり、tは、0〜4の整数であり、
    Figure 0006248159

    式(IV)中、XおよびXは、独立に水素以外の置換基から選択され、sおよびtは、独立に0〜4の整数から選択される、化合物。
  6. 式(III)中のsおよびtが0である、請求項に記載の化合物。
  7. 式(IV)中のsおよびtが0である、請求項に記載の化合物。
  8. 請求項1〜のいずれか一項に記載の化合物と、発光化合物とを含む、発光デバイス。
  9. 前記発光化合物が以下の化合物:
    Figure 0006248159

    を含む、請求項に記載の発光デバイス。
  10. 請求項1〜のいずれか一項に記載の化合物の、有機発光デバイスにおける使用。
  11. 前記有機発光デバイスが有機発光ダイオードである、請求項10に記載の使用。
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