JP2010230714A - 光学シート及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】光学素子の光取出し効率を向上させる光学シート及びその製造方法の提供。
【解決手段】光学シート10は、発光素子の光出射側とは反対側に配置される光学シート10であって、光を反射させる凹凸パターンを有する第1の層2と、前記凹凸パターン上に積層され、光透過性材料で形成された第2の層3とを有しており、第2の層の屈折率3と発光素子における発光層の屈折率との差が、0.3以内であって、凹凸パターンのピッチが100nm〜5,000nmである。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機EL素子等の屈折率の高い発光体を用いた光学素子に用いられる光学シート及びその製造方法に関する。
屈折率の高い発光体から、外部に発光するデバイス(例えば、有機ELディスプレイ等)では、内部の発光体から出射される光の出射角度が大きいと、屈折率の低い層(例えば、透明ガラス基板など)との境界面において全反射が発生する。また、出射角度にかかわらず、その境界面での反射も発生する。これらのために、光が内部に閉じ込められて光を外部に取り出しにくくなり、発光効率の低下を招いている。
そのため、光取出し効率を改善するための種々の構成からなる発光体素子が提案されている。
陽極と陰極間に発光層を含む一層以上の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、素子界面での全反射を抑制する位置に回折格子又はゾーンプレートが構成要素として形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子が知られている(特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1の例では、回折格子やゾーンプレートに至るまでに、屈折率の小さな層を通り、全反射の抑制には限界があるという問題があった。
また、凹凸状の散乱層を発光面側の背面に備えることにより、発光層から中間層を透過して散乱層に入射される光を、発光面側に散乱反射させて、光を取り出すものも知られている(非特許文献1、非特許文献2参照)。
しかしながら、非特許文献1及び2の例では、全反射により発光層からの光取出し効率が未だ十分でないという問題があった。
特許第2991183号公報
上浦 紀彦、外4名「OLED光取り出し効率改善の検討」 社団法人 電子情報通信学会、信学技報、EID2007−102、OME2007−84(2008−03)p.1〜4 Hiroshi Sano 外12名 「An Organic Light−Emitting Diode with Highly Efficient Light Extraction Using Newly Developed Diffraction Layer」、SID 08 DIGEST、p.515〜517
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光学素子の光取出し効率を向上させる光学シート及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 発光素子の光出射側とは反対側に配置される光学シートであって、光を反射させる凹凸パターンを有する第1の層と、前記凹凸パターン上に積層され、光透過性材料で形成された第2の層とを有することを特徴とする光学シートである。
<2> 第2の層の屈折率と発光素子における発光層の屈折率との差が、0.3以内である前記<1>に記載の光学シートである。
<3> 凹凸パターンのピッチが100nm〜5,000nmである前記<1>から<2>のいずれかに記載の光学シートである。
<4> 第2の層には、金属酸化物が分散されている前記<1>から<3>のいずれかに記載の光学シートである。
<5> 凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比が0.1〜4.0である前記<1>から<4>のいずれかに記載の光学シートである。
<6> 第2の層の外側面に配置された支持フィルムを有する前記<1>から<5>のいずれかに記載の光学シートである。
<7> 前記<1>から<6>のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、支持フィルムに光透過性材料としての硬化性樹脂を塗布する塗布工程と、表面に凹凸パターンを有するモールドを前記硬化性樹脂に圧着しながら、前記硬化性樹脂を硬化させて第2の層を形成する第2の層形成工程と、前記第2の層の上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する第1の層形成工程と、を含むことを特徴とする光学シートの製造方法である。
<8> 支持フィルムが帯状フィルムであり、モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、塗布工程において、硬化性樹脂を前記帯状フィルムに対して連続して塗布し、第2の層形成工程において、前記硬化性樹脂が塗布された帯状フィルムを前記第1のロール型に巻き付ける前記<7>に記載の光学シートの製造方法である。
<9> 薄膜の表面に樹脂含有塗布液を塗布して、第1の層を含む積層体を形成する積層体形成工程をさらに含み、該積層体形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、反射材料からなる薄膜が成膜された帯状フィルムを巻き付ける前記<8>に記載の光学シートの製造方法である。
<10> 前記<1>から<6>のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、凹凸パターンを有するモールドの表面に、光反射シートを重ねて熱圧着し、前記光反射シートに凹凸パターンを形成して第1の層を形成する第1の層形成工程と、前記第1の層の表面に、光透過性材料としての樹脂を含む樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する第2の層形成工程と、を含むことを特徴とする光学シートの製造方法である。
<11> 反射シートが帯状シートであり、モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、第1の層形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成して第1の層を形成し、第2の層形成工程において、前記第1の層の表面に樹脂含有塗布液を連続して塗布する前記<10>に記載の光学シートの製造方法である。
<12> 第2の層形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、前記帯状フィルムを巻き付ける前記<11>に記載の光学シートの製造方法である。
<13> 第2の層上に支持フィルムを貼付する工程をさらに含む前記<10>から<12>のいずれかに記載の光学シートの製造方法である。
<14> 前記<1>から<6>のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、凹凸パターンを有するモールドを支持フィルム表面に圧着しながら凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記凹凸の上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する第1の層形成工程と、前記第1の層の表面に、光透過性材料としての樹脂を含む樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する第2の層形成工程と、を含むことを特徴とする光学シートの製造方法である。
<15> 支持フィルムが帯状フィルムであり、モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、凹凸形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成して、第1の層形成工程において、前記凹凸パターン上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する前記<14>に記載の光学シートの製造方法である。
<16> 第2の層形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、帯状フィルムを巻き付ける前記<15>に記載の光学シートの製造方法である。
<17> 第2の層上に支持フィルムを貼付する工程をさらに含む前記<14>から<16>のいずれかに記載の光学シートの製造方法である。
本発明によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、光学素子の光取出し効率を向上させる光学シート及びその製造方法を提供することができる。
図1は、本発明の光学シートの一例を説明するための概略図である。 図2は、本発明の光学シートの他の一例を説明するための概略図である。 図3Aは、本発明の光学シートの製造方法の一例を説明するための概略図である(その1)。 図3Bは、本発明の光学シートの製造方法の一例を説明するための概略図である(その2)。 図3Cは、本発明の光学シートの製造方法の一例を説明するための概略図である(その3)。 図3Dは、本発明の光学シートの製造方法の一例を説明するための概略図である(その4)。 図3Eは、本発明の光学シートの製造方法の一例を説明するための概略図である(その5)。 図4は、本発明の光学シートの基板への転着の一例を説明するための概略図である。 図5Aは、本発明の光学シートの製造方法に用いられるRoll to Roll製造装置の一例を説明するための概略図である。 図5Bは、本発明の光学シートの製造方法に用いられるRoll to Roll製造装置の他の一例を説明するための概略図である(その1)。 図5Cは、本発明の光学シートの製造方法に用いられるRoll to Roll製造装置の他の一例を説明するための概略図である(その2)。 図6Aは、本発明の光学シートの製造方法の他の一例を説明するための概略図である(その1)。 図6Bは、本発明の光学シートの製造方法の他の一例を説明するための概略図である(その2)。 図6Cは、本発明の光学シートの製造方法の他の一例を説明するための概略図である(その3)。 図6Dは、本発明の光学シートの製造方法の他の一例を説明するための概略図である(その4)。 図7は、本発明の光学シートの配置の一例を説明するための概略図である。 図8は、本発明の光学シートにおける凹凸パターンのピッチ及び凸部のアスペクト比を説明するための概略図である。 図9は、本発明の光学シートにおける凹凸パターンのピッチを説明するための概略図(上面図)である。
以下、本発明の光学シート及びその製造方法について、詳細に説明する。
(光学シート)
本発明の光学シートは、少なくとも、第1の層と、第2の層と、を有し、さらに必要に応じて、その他の部材を有する。
<第1の層>
前記第1の層としては、凹凸パターンを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、積層体(図1における3及び4)、光反射部材(図2における4)、などが挙げられる。
前記積層体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、反射材料からなる薄膜と樹脂層との積層体、などが挙げられる。
前記光反射部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面に凹凸パターンが形成された金属光沢シート、などが挙げられる。
<<凹凸パターン>>
前記凹凸パターンとしては、光を反射させるものである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光反射材料からなる薄膜、金属光沢フィルムの表面部分、などが挙げられる。
前記凹凸パターンの形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、筋状(縞状)に延びた形状、散点状に配列された形状、などが挙げられるが、中でも、散点状に配列された形状が好ましい。
前記凹凸パターンのピッチPとしては、発光効率を向上させることができる限り、特に制限はなく、目的、材料、構造に応じて適宜選択することができるが、100nm〜5,000nmが好ましく、300nm〜2,000nmがより好ましい。
前記凹凸パターンのピッチPが100nm未満であると、凹凸形成が困難となり、生産性が低下することがあり、5,000nmを超えると、発光効率の向上に寄与しないことがある。
なお、前記凹凸パターンのピッチPは、図8及び図9に示すように、凹凸の周期を示す。
前記凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比X/Yとしては、発光効率を向上させることができる限り、特に制限はなく、目的、材料、構造に応じて適宜選択することができるが、0.1〜4.0が好ましく、0.2〜2.0がより好ましく、0.3〜1.0が特に好ましい。
前記凸部のアスペクト比X/Yが0.1未満であると発光効率の向上に寄与しないことがあり、4.0を超えると、凹凸形成が困難となり、生産性が低下することがある。
なお、前記凸部のアスペクト比は、図8に示すように、凸部の高さXと半値幅Yとの比X/Yを示し、10個の凸部についての平均値を示す。
<第2の層>
前記第2の層は、少なくとも、光透過性材料を含み、金属酸化物、さらに必要に応じでその他の成分を含む。
前記光透過性材料としては、溶融状態から硬化させることが可能であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、各種光硬化性樹脂、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂、などが挙げられる。
前記光硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、
例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などが挙げられ、必要に応じて、光開始剤などを混合したものを用いてもよい。
前記熱可塑性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、
例えば、ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、などが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコーン系樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、などが挙げられる。
前記光透過性材料は、後述する発光素子との密着性を向上することができる点で、粘着成分、などを含んでいることが好ましいが、前記光透過性材料と前記発光素子とを光学密着することができれば、前記粘着成分を含んでいなくてもよい。
前記金属酸化物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化錫、酸化アンチモン、などが挙げられる。該金属酸化物が前記第2の層に分散されることで、前記第2の層の屈折率を向上させることができる。
前記第2の層の屈折率としては、特に制限はなく、目的、材料に応じて適宜選択することができるが、発光層の屈折率(例えば、1.7〜2.0)が高く、該発光層に固着させる透明基材の屈折率(例えば、1.4〜1.6)が低い有機EL素子に用いられる場合、1.7〜2.0が好ましく、発光層との屈折率差が0.3以内であることがより好ましく、発光層との屈折率差が0.1以内であることが特に好ましい。
前記屈折率差が0.3を超えると、発光効率の向上に寄与しなくなることがある。
なお、前記屈折率は、エリプソメトリ法により、例えば、アッベ屈折率計(アタゴ(株)製)などを用いて測定される。
前記第2の層の配置としては、前記凹凸パターン上に積層される限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<その他の部材>
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、支持フィルム、などが挙げられる。
<<支持フィルム>>
前記支持フィルムとしては、少なくとも第2の層の外側面に配置された(第1の層及び第2の層の外側面に配置されていてもよい)ものである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等の剥離性及び可撓性を有する支持フィルム、などが挙げられる。
前記支持フィルムが剥離性を有することで、第2の層からの剥離が容易となり、対象物に光学シートを貼り付ける作業が容易になる。また、前記支持フィルムが可撓性を有することで、光学シートを巻き取って搬送、保管などができるとともに、対象物に光学シートを貼り付ける作業が容易になる。
前記支持フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、取扱性及びコストの点から、50μm〜200μmが好ましい。前記支持フィルムの厚みが50μm未満であると、剛性が低くて、ハンドリングを含めた取扱が困難となることがあり、200μmを超えると、剛性が高すぎてフレキシブル性が乏しくなるばかりか、コスト高となってしまうことがある。なお、前記支持フィルムの厚みとしては、透過率を向上する点からは、より薄い方が好ましい。
光学シートは、例えば、図1に示すように、凹凸パターン3を有する第1の層4と、凹凸パターン3上に積層された第2の層2と、第2の層2上に形成された支持フィルム1とを有していてもよく、また、図2に示すように、凹凸パターンが表面に形成された第1の層4と、凹凸パターン上に積層された第2の層2と、第2の層2上に形成された支持フィルム1とを有していてもよい。
(光学シートの製造方法)
<第1の実施形態>
本発明の光学シートの製造方法の第1の実施形態は、塗布工程と、第2の層形成工程と、第1の層形成工程と、を少なくとも含み、積層体形成工程、さらに必要に応じて、その他の工程を含む。
<<塗布工程>>
前記塗布工程は、支持フィルムに光透過性材料としての硬化性樹脂を塗布する工程である。
前記支持フィルム及び前記硬化性樹脂は、前述した通りである。
前記硬化性樹脂の塗布厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3μm〜30μmが好ましい。
前記塗布としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エクストルージョン塗布、バー塗布、グラビア塗布、ロール塗布、などが挙げられる。
<<第2の層形成工程>>
前記第2の層形成工程は、表面に凹凸パターンを有するモールドを硬化性樹脂に圧着しながら、硬化性樹脂を硬化させて第2の層を形成する工程である。モールドを硬化性樹脂に圧着させることにより、モールドにおける凹凸パターンを硬化性樹脂に転写させることができる。
前記モールドとしては、表面に凹凸パターンを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記モールドにおける凹凸パターンの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子ビーム(EB)リソグラフィ及びエッチング、レーザー描画、などが挙げられる。中でも、レーザー描画が、大面積の原版、ロール形状の原版にも対応できる点で、好ましい。
前記硬化の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、UV照射、加熱などが挙げられる。
前記UV照射は、支持フィルムが透明である場合は、支持フィルムを通して照射可能であり、モールドが透明である場合は、モールドを通して照射可能である。
前記加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<<第1の層形成工程>>
前記第1の層形成工程は、第2の層の上に反射材料からなる薄膜を成膜して第1の層を形成する工程である。
前記反射材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、などが挙げられる。
前記薄膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、10nm〜100nmが好ましい。
前記薄膜の厚みが、10nm未満であると、該薄膜が破壊されることがあり、100nmを超えると、凹凸ピッチに影響を与えることがある。
前記成膜の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、蒸着、スパッタ、などが挙げられ、中でも、大気圧において実施できる点で、大気圧プラズマなどを用いた方法が好ましい。
<<積層体形成工程>>
前記積層体形成工程は、薄膜の表面に樹脂含有塗布液を塗布して、(第1の層を含む)積層体を形成する工程である。
前記樹脂含有塗布液は、少なくとも、樹脂を含み、溶媒、その他必要に応じて、その他の成分を含む。
前記樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、各種光硬化性樹脂、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂、などが挙げられる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、キシレン、ベンゼン、などが挙げられる。
樹脂含有塗布液の乾燥後の塗布厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3μm〜30μmが好ましい。
前記塗布厚みが3μm未満であると、凹凸形成や均一膜形成が困難となることがあり、30μmを超えると、生産効率が低下し、材料コストが高くなることがある。
前記塗布としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エクストルージョン塗布、バー塗布、グラビア塗布、ロール塗布、などが挙げられる。
前記積層体の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、UV照射、乾燥、などが挙げられる。
前記樹脂含有塗布液が光硬化性樹脂である場合、該光硬化性樹脂がUV照射により硬化して第1の層を含む積層体が形成されるが、酸素が存在すると硬化しないため、酸素除去のために、窒素パージ、透明材料のラミネート、などを行うことが好ましい。また、ロールに、塗布面を接触させて巻き付けながらUV照射することにより、酸素を遮断して、連続的に硬化することができると共に、表面が平滑な積層膜を形成することができる。
前記樹脂含有塗布液が溶媒を含む場合、乾燥により溶媒が蒸発して第1の層が形成されるが、表面に凹凸が残存しないように、乾燥前に塗布された樹脂含有塗布液を平滑面に圧着させることが好ましい。
本発明の光学シートの製造方法の第1の実施形態では、例えば、図3A〜図3Eに示すように、支持フィルム40に光透過可能な硬化性樹脂41が塗布され(図3A)、モールド42が硬化性樹脂41に圧着されながらUV光などの放射線が照射されて、硬化性樹脂41の表面にモールド42の表面の凹凸構造が転写され(図3B)、モールド42が硬化性樹脂41から剥離され(図3C)、凹凸構造が転写された硬化性樹脂41上に、反射材料からなる薄膜43が形成され(図3D)、薄膜43上に、樹脂材料44が塗布されて、平滑な表面が形成される(図3E)。
製造された光学シートは、図4に示すように、基板に転着された後、支持フィルム40が剥離される。
また、上記光学シートの製造方法において、硬化性樹脂41と樹脂材料44を入れ替えて形成することも可能であるが、その場合は、基板に光学シートを転着する際に、支持フィルム40を剥離して、その剥離した面(樹脂材料44からなる面)を基板に転着する。
<<Roll to Rollによる製造>>
光学シートは、例えば、図5Aに示すようなRoll to Roll製造装置を用いると効率よく製造することができる。
本発明の光学シートの製造方法の第1の実施形態において、前記Roll to Ro
llによる製造を行う場合、前記支持フィルムを帯状フィルムとし、前記モールドを外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型とし、前記塗布工程において、硬化性樹脂を前記帯状フィルムに対して連続して塗布し、前記圧着工程において、前記硬化性樹脂が塗布された帯状フィルムを前記第1のロール型に巻き付け、前記積層体形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、反射材料からなる薄膜が成膜された帯状フィルムを巻き付ける。
図5Bに示すように、光学シート10の製造方法は、支持フィルム11Fの巻出し工程S10、第2の層形成工程(第2の層塗布工程S20及び第2の層硬化工程S30)、積層体形成工程(薄膜成膜工程(不図示)、第1の層塗布工程S40及び第1の層硬化工程S50)、及び巻取工程S60を有する。
巻出し工程S10では、長い帯状フィルムである第1の支持フィルム11Fが巻かれたロール11Rから第1の支持フィルム11Fを巻出して、後の工程へ送り出す。送り出されたワーク(第1の支持フィルム11F)は、適宜、図示しないローラにより進行方向を案内される。
第2の層塗布工程S20では、エクストルージョン塗布によって金属酸化物等により、屈折率が高く調整された光硬化性樹脂(第1の光硬化性樹脂)を塗布する。塗布する第1の光硬化性樹脂の厚みは、例えば3μm〜30μmとする。
第2の層硬化工程S30では、ロール金型31(第1のロール型)に、第1の光硬化性樹脂の層が設けられた第1の支持フィルム11Fを、第1の光硬化性樹脂の層を対面させて巻き付ける。そして、ロール金型31に巻き付けた第1の支持フィルム11Fに外側から光源32で硬化光としての紫外線(UV)を照射する。ロール金型31には、表面に、100nm〜5,000nmピッチの凹凸パターンが予め形成されており、この凹凸パターンの形状が第1の光硬化性樹脂に転写された状態で、上記のように硬化光を照射する。そのため、第1の光硬化性樹脂はロール金型31の凹凸形状が転写されて硬化し、第2の層となる。なお、第1の支持フィルム11Fの外側から硬化光を照射して第1の光硬化性樹脂を硬化させるために、第1の支持フィルム11Fは、硬化光の透過率が高いものを用いるのがよい。
ロール金型31からは、ワークの進行に伴い、第2の層が設けられた第1の支持フィルム11Fが剥離される。
薄膜成膜工程(不図示)では、反射材料からなる薄膜が凹凸形状が形成された第2の層の表面に成膜される。
第1の層塗布工程S40では、成膜された薄膜の表面に、アクリル系の光硬化性樹脂(第2の光硬化性樹脂)をエクストルージョン塗布によって塗布する。塗布厚さは、第1の光硬化性樹脂と同様、3μm〜30μmとすることができる。この塗布の際、凹凸パターンに空気が混入すると考えられるが、凹凸パターンのピッチがサブミクロン程度に小さくなると、キャピラリ効果により凹凸パターンの谷部まで第2の光硬化性樹脂が入り込んで空気は混入しない。もっとも、第1の層塗布工程S40の雰囲気を減圧して、空気の混入をより確実に防止してもよい。第1の層塗布工程S40により塗布された第2の光硬化性樹脂の表面は、表面張力により平滑となる。
第1の層硬化工程S50では、第2の光硬化性樹脂に光源52により硬化光としての紫外線(UV)を照射する。これにより、第2の光硬化性樹脂が硬化し、第1の層となる。この硬化の際、酸素が存在すると、硬化が進まないため、窒素パージなどにより、酸素を除去するか、図示はしないが、硬化光が透過する材料をラミネートした上で、この透明材料を通して硬化光を照射するとよい。
巻取工程S60では、第2の支持フィルム14をロール14Rから巻き出して、第1の層の表面に貼り付けた後、巻取装置により、完成した光学シート10を巻き取る。なお、第2の支持フィルム14を設けるか否かは任意である。
このようにして、光学シート10を連続的に大量に生産することが可能である。なお、支持フィルムを設けない光学シート10を製造する場合には、第1の層硬化工程S50の後に、第1の支持フィルム11Fを光学シート10から剥離する剥離工程を設け、この第1の支持フィルム11Fが剥離されたものを製品とすればよい。
また、第1の層の表面の平滑性を向上させたい場合、図5Cに示すように、第1の層塗布工程S40の後の第1の層硬化工程S50において、外周面が平滑なロール金型51(第2のロール型)に第2の光硬化性樹脂13Aの層が対面するようにワークを巻き付け、この巻き付けたワークの外側から光源52で紫外線を照射するとよい。これにより、ロール金型51の平滑な表面が第2の光硬化性樹脂13Aに転写されて第2の光硬化性樹脂13Aが硬化し、第2の層2上に形成された第1の層4の表面がより平滑となる。また、第2の光硬化樹脂13Aがロール金型51に封止されることで、酸素が遮断され、硬化が可能となる。なお、ここでの平滑とは、凹凸パターンにおける凹凸よりも平滑の意味である。
<第2の実施形態>
本発明の光学シートの製造方法の第2の実施形態は、第1の層形成工程と、第2の層形成工程と、を少なくとも含み、貼付工程、さらに必要に応じて、その他の工程を含む。
<<第1の層形成工程>>
前記第1の層形成工程は、モールドの表面に、光反射シートを重ねて熱圧着し、前記光反射シートに凹凸パターンを形成して第1の層を形成する工程である。モールドの表面に光反射シートを圧着することにより、モールドにおける凹凸パターンが光反射シートに転写される。その後、モールドは、光反射シートから剥離される。
前記モールドは、前述した通りである。
前記光反射シートとしては、少なくとも表面が反射材料で形成されたシートである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面に、銀、アルミニウム等の反射材料が蒸着、スパッタ等で成膜されたシート、金属光沢シート(例えば、金属光沢調、易成形フィルム「PICASUS」(東レ製))、などが挙げられる。
前記熱圧着における温度としては、特に制限はなく、目的、材料の特性に応じて適宜選択することができるが、100℃〜300℃が好ましい。
前記熱圧着における温度が、100℃未満であると、凹凸形成が困難になることがあり、300℃を超えると、材料の変形が大きくなることがある。
前記熱圧着における圧力としては、特に制限はなく、目的、材料の特性に応じて適宜選択することができるが、1MPa〜50MPaが好ましい。
前記熱圧着における圧力が、1MPa未満であると、凹凸形成が困難になることがあり、50MPaを超えると、材料の変形が大きくなることがある。
<<第2の層形成工程>>
前記第2の層形成工程としては、前記第1の層の表面に、樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する工程である。
前記樹脂含有塗布液は、少なくとも、樹脂を含み、溶媒、その他必要に応じて、その他の成分を含む。
前記樹脂としては、光を透過可能であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル系光硬化性樹脂、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂、などを挙げることができる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、多価アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、キシレン、ベンゼン、などが挙げられる。
前記樹脂含有塗布液の塗布厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3μm〜30μmが好ましい。
前記塗布厚みが3μm未満であると、安定塗布や平面性の維持が困難となることがあり、30μmを超えると、生産性の低下や材料のコスト高になることがある。
前記塗布としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エクストルージョン塗布、などが挙げられる。
前記第2の層の形成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、UV照射、乾燥、などが挙げられる。
前記樹脂含有塗布液が光硬化性樹脂である場合、該光硬化性樹脂がUV照射により硬化して第2の層が形成されるが、酸素が存在すると硬化しないため、酸素除去のために、窒素パージ、透明材料のラミネートを行うことが好ましい。また、ロールに、塗布面を接触させて巻き付けながらUV照射することにより、酸素を遮断して、連続的に硬化することができると共に、表面が平滑な第2の層を形成することができる。
前記樹脂含有塗布液が溶媒を含む場合、乾燥により溶媒が蒸発して第2の層が形成されるが、表面に凹凸が残存しないように、乾燥前に塗布された樹脂含有塗布液を平滑面に圧着させることが好ましい。
<<貼付工程>>
前記貼付工程は、第2の層上に支持フィルムを貼り付ける工程である。
前記支持フィルムは、前述した通りである。
本発明の光学シートの製造方法の第2の実施形態では、例えば、図6A〜図6Dに示すように、表面70aが反射材料からなる光反射シート70を、モールド71に熱圧着させて(図6A)、光反射シート70の表面70aにモールド71の表面の凹凸構造が転写され、モールド71が光反射シート70から剥離され(図6B)、凹凸構造が転写された光反射シート70上に、光透過可能であって、発光素子における発光層の屈折率に近い屈折率の樹脂材料72が塗布されて、平滑な表面が形成され(図6C)、樹脂材料72に支持フィルム73がラミネートされる(図6D)。
<<Roll to Rollによる製造>>
本発明の光学シートの製造方法の第2の実施形態において、前記Roll to Ro
llによる製造を行う場合、前記支持フィルムを帯状フィルムとし、前記モールドを外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型とし、前記凹凸パターン形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成して第1の層を形成し、前記第2の層形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、前記帯状フィルムを巻き付けること、などにより前記第1の層の表面に樹脂含有塗布液を連続して塗布する。
<第3の実施形態>
本発明の光学シートの製造方法の第3の実施形態は、凹凸形成工程と、第1の層形成工程と、第2の層形成工程と、を少なくとも含み、貼付工程、さらに必要に応じて、その他の工程を含む。
<<凹凸形成工程>>
前記凹凸形成工程は、凹凸パターンを有するモールドを支持フィルム表面に圧着しながら凹凸を形成する工程である。モールドを支持フィルム表面に圧着することにより、モールドにおける凹凸パターンが支持フィルムに転写される。その後、モールドは、支持フィルムから剥離される。もしくは、支持フィルム表面に光硬化性樹脂を塗布した後、モールドを圧着しながら、光を照射して、支持フィルム表面に凹凸パターンを形成することができる。
前記モールドは、前述した通りである。
<<第1の層形成工程>>
第1の層形成工程は、凹凸の上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する工程である。前記反射材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、などが挙げられる。
<<第2の層形成工程>>
前記第2の層形成工程としては、前記第1の層の表面に、樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する工程である。
前記樹脂含有塗布液は、少なくとも、樹脂を含み、溶媒、その他必要に応じて、その他の成分を含む。
前記樹脂としては、光を透過可能であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル系光硬化性樹脂、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂、などを挙げることができる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、多価アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、キシレン、ベンゼン、などが挙げられる。
<<貼付工程>>
前記貼付工程は、第2の層上に支持フィルムを貼り付ける工程である。
前記支持フィルムは、前述した通りである。
<<Roll to Rollによる製造>>
本発明の光学シートの製造方法の第3の実施形態において、前記Roll to Ro
llによる製造を行う場合、支持フィルムを帯状フィルムとし、前記モールドを外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型とし、前記凹凸形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成し、第1の層形成工程において、前記凹凸パターン上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する。
<光学シートの配置>
図7に示すように、光学シート10は、発光装置100における発光素子11の光出射側とは反対側に配置される。発光装置100がトップエミッション構造である場合、光学シート10は、発光素子11と、基板12との間に配置され、光学シート10における第2の層10aが光出射側(発光素子11側)となり、光学シート10における第1の層10bが光出射側とは反対側(基板12側)となるように配置される。
<<発光素子>>
前記発光素子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機EL素子、無機EL素子、LED、フォトダイオードなどが挙げられる。
以下、有機EL素子について詳述する。
<<<有機EL素子>>>
前記有機EL素子は、陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
前記有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び/又は有機発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、有機発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
有機発光層は前記発光層に対応し、陽極、陰極、有機化合物の積層構造のうち透明な(光透過性を有する)ものは前記光透過性層に対応する。
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
<<<<陽極>>>>
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
前記有機EL素子において、陽極の形成位置としては、特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。
陽極の抵抗値としては、10Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
<<<<陰極>>>>
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を併用するのが好ましい。
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
前記有機EL素子において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、さらにITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
<<<<有機化合物層>>>>
前記有機EL素子は、有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、等の各層が挙げられる。
前記有機EL素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
<<<<<有機発光層>>>>>
前記有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記有機発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性ドーパントの混合層とした構成でもよい。発光性ドーパントは蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、2種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、有機発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
また、有機発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
前記発光性ドーパントとしては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれもドーパント(燐光発光性ドーパント、蛍光発光性ドーパント)として用いることができる。
前記有機発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために2種類以上の発光性ドーパントを含有することもできる。前記発光性ドーパントは、さらに前記ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差(ΔIp)と電子親和力の差(ΔEa)が、1.2eV>△Ip>0.2eV、及び/又は1.2eV>△Ea>0.2eVの関係を満たすドーパントであることが駆動耐久性の観点で好ましい。
前記燐光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
前記遷移金属原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が好ましく、レニウム、イリジウム、及び白金がより好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
ランタノイド原子としては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
配位子としては、ハロゲン配位子(塩素配位子が好ましい)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、ナフチルアニオンなどが挙げられ、炭素数5〜30が好ましく、炭素数6〜30がより好ましく、炭素数6〜20がさらにより好ましくは、炭素数6〜12が特に好ましい)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられ、炭素数5〜30が好ましく、炭素数6〜30がより好ましく、炭素数6〜20がさらに好ましく、炭素数6〜12が特に好ましい)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子などが挙げられ、炭素数2〜30が好ましく、炭素数2〜20がより好ましく、炭素数2〜16が特に好ましい)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子などが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数6〜20がさらに好ましい)、シリルオキシ配位子(例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−tert−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子などが挙げられ、炭素数3〜40が好ましく、炭素数3〜30がより好ましく、炭素数3〜20が特に好ましい)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子(例えば、トリフェニルフォスフィン配位子などが挙げられ、炭素数3〜40が好ましく、炭素数3〜30がより好ましく、炭素数3〜20がさらに好ましく、炭素数6〜20が特に好ましい)、チオラト配位子(例えば、フェニルチオラト配位子などが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数6〜20がさらに好ましい)、フォスフィンオキシド配位子(例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子などが挙げられ、炭素数3〜30が好ましく、炭素数8〜30がより好ましく、炭素数18〜30が特に好ましくい)が好ましく、含窒素ヘテロ環配位子がより好ましい。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
これらの中でも、発光性ドーパントとしては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、WO05/19373A2、特開2001−247859、特開2002−302671、特開2002−117978、特開2003−133074、特開2002−235076、特開2003−123982、特開2002−170684、EP1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−256999、特開2007−19462、特開2007−84635、特開2007−96259等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。中でも、Ir錯体、Pt錯体、Cu錯体、Re錯体、W錯体、Rh錯体、Ru錯体、Pd錯体、Os錯体、Eu錯体、Tb錯体、Gd錯体、Dy錯体、Ce錯体が好ましく、Ir錯体、Pt錯体、Re錯体がより好ましい。中でも、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むIr錯体、Pt錯体、Re錯体が、さらにより好ましい。さらに、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、3座以上の多座配位子を含むIr錯体、Pt錯体、Re錯体が特に好ましい。例えば、Tris(2−phenylpyridine)Iridium(Ir(ppy))を用いることができる。
前記蛍光発光性ドーパントとしては、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などが挙げられる。
発光性ドーパントとしては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
有機発光層中の発光性ドーパントは、有機発光層中に一般的に有機発光層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量%〜50質量%含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から1質量%〜50質量%含有されることが好ましく、2質量%〜40質量%含有されることがより好ましい。
有機発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、2nm〜500nmであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、3nm〜200nmであるのがより好ましく、5nm〜100nmであるのが特に好ましい。
前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料(正孔輸送性ホストと記載する場合がある)及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物(電子輸送性ホストと記載する場合がある)を用いることができる。
有機発光層内の正孔輸送性ホストとしては、例えば、以下の材料が挙げられる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及び、それらの誘導体等が挙げられる。例えば、1,3−bis(carbazol−9−yl)benzene(mCP)を用いることができる。
インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体であることが好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、t−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
有機発光層内の電子輸送性ホストとしては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが2.5eV以上3.5eV以下であることが好ましく、2.6eV以上3.4eV以下であることがより好ましく、2.8eV以上3.3eV以下であることが特に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.7eV以上7.5eV以下であることが好ましく、5.8eV以上7.0eV以下であることがより好ましく、5.9eV以上6.5eV以下であることが特に好ましい。
このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料が挙げられる。
ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、およびそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。
電子輸送性ホストとしては、金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等)、アジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等)が好ましく、中でも、耐久性の点から、金属錯体化合物がより好ましい。金属錯体化合物(A)は、金属に配位する窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかを有する配位子を有する金属錯体がより好ましい。
金属錯体中の金属イオンは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンであることが好ましく、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンがより好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンが特に好ましい。
前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、Springer−Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。
前記配位子としては、含窒素ヘテロ環配位子(炭素数1〜30が好ましく、炭素数2〜20がより好ましく、炭素数3〜15が特に好ましい)が好ましい。また、前記配位子としては、単座配位子であっても2座以上の配位子であってもよいが、2座以上6座以下の配位子であることが好ましい。また、2座以上6座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
前記配位子としては、例えば、アジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。)、アルコキシ配位子(例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数1〜10が特に好ましい。)、アリールオキシ配位子(例えば、フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられ、炭素数6〜30が好ましく、炭素数6〜20がより好ましく、炭素数6〜12が特に好ましい)などが挙げられる。
ヘテロアリールオキシ配位子(例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数1〜12が特に好ましい。)、アルキルチオ配位子(例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数1〜12が特に好ましい。)、アリールチオ配位子(例えば、フェニルチオなどが挙げられ、炭素数6〜30が好ましく、炭素数6〜20がより好ましく、炭素数6〜12が特に好ましい。)、ヘテロアリールチオ配位子(例えば、ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数1〜20がより好ましく、炭素数1〜12が特に好ましい。)、シロキシ配位子(例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられ、炭素数1〜30が好ましい、炭素数3〜25がより好ましい、炭素数6〜20が特に好ましい。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(例えば、フェニルアニオン、ナフチルアニオン、およびアントラニルアニオンなどが挙げられ、炭素数6〜30が好ましく、炭素数6〜25がより好ましく、炭素数6〜20が特に好ましい。)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(例えば、ピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、およびベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられ、炭素数1〜30が好ましく、炭素数2〜25がより好ましく、炭素数2〜20が特に好ましい。)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子などが好ましく、含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、芳香族ヘテロ環アニオン配位子などがさらに好ましい。
金属錯体電子輸送性ホストの例としては、例えば、特開2002−235076、特開2004−214179、特開2004−221062、特開2004−221065、特開2004−221068、特開2004−327313等に記載の化合物が挙げられる。
有機発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起準位(T1)が、前記燐光発光材料のT1より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
また、ホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して15質量%以上95質量%以下であることが好ましい。
<<<<<正孔注入層、正孔輸送層>>>>>
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
有機EL素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平6−212153、特開平11−111463、特開平11−251067、特開2000−196140、特開2000−286054、特開2000−315580、特開2001−102175、特開2001−160493、特開2002−252085、特開2002−56985、特開2003−157981、特開2003−217862、特開2003−229278、特開2004−342614、特開2005−72012、特開2005−166637、特開2005−209643等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、p−ベンゾキノン、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、1,4−ジシアノテトラフルオロベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、p−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、o−ジニトロベンゼン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,3−ジニトロナフタレン、1,5−ジニトロナフタレン、9,10−アントラキノン、1,3,6,8−テトラニトロカルバゾール、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,3,5,6−テトラシアノピリジン、またはフラーレンC60が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、p−フルオラニル、p−クロラニル、p−ブロマニル、2,6−ジクロロベンゾキノン、2,5−ジクロロベンゾキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、1,2,4,5−テトラシアノベンゼン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、4,4’,4''−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)、N,N'−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(α−NPD)、または2,3,5,6−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることがさらに好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのがさらに好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜100nmであるのがより好ましく、1nm〜100nmであるのがさらに好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<<<<<電子注入層、電子輸送層>>>>>
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
本発明の有機EL素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、およびYbなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平6−212153、特開2000−196140、特開2003−68468、特開2003−229278、特開2004−342614等に記載の材料を用いることが出来る。
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、1.0質量%〜80質量%であることがさらに好ましく、2.0質量%〜70質量%であることが特に好ましい。
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが特に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが特に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<<<<<正孔ブロック層>>>>>
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、bis−(2−methyl−8−quinolinolate)−4−(phenylphenolate)aluminium(BAlq)等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが特に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<<<<<電子ブロック層>>>>>
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが特に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<<<<駆動>>>>
有機EL素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
有機EL素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
有機EL素子は、さらに発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷(正孔及び電子)を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば何でもよく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平11−329748や、特開2003−272860や、特開2004−39617に記載の材料が挙げられる。
さらに、具体的には、ITO、IZO(インジウム亜鉛酸化物)などの透明導電材料、C60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ca、Ag、Al、Mg:Ag合金、Al:Li合金、Mg:Li合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものが挙げられる。
前記正孔伝導性材料は、例えば、2−TNATA、NPDなどの正孔輸送有機材料にF4−TCNQ、TCNQ、FeClなどの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、P型導電性高分子、P型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に4.0eV未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、N型導電性高分子、N型半導体が挙げられる。N型半導体としては、N型Si、N型CdS、N型ZnSなどが挙げられ、P型半導体としては、P型Si、P型CdTe、P型CuOなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Vなどの電気絶縁性材料を用いることもできる。
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、または、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が50%以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.5〜200nmが好ましく、1〜100nmがより好ましく、3〜50nmがさらに好ましく、5〜30nmが特に好ましい。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側および陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいてもよい。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、BaO、SrO、LiO、LiCl、LiF、MgF、MgO、CaFなどの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
以上で挙げられた内容以外にも、特開2003−45676号公報、米国特許第6337492号、同第6107734号、同第6872472号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
前記有機EL素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせる。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は、特開平9−180883号明細書に記載されている。第2の態様の場合の計算式は、特開2004−127795号明細書に記載されている。
<<基板>>
前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
(実施例1)
以下のように実施例1に係る発光装置を作製した。
<光学シートの作製>
まず、アクリル系光硬化性樹脂に、酸化チタン(体積平均粒径:20nm)を体積比で30%分散させた分散体が、厚さ20μmとなるように、厚さ80μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上にエクストルージョン塗布した。
次に、表面にピッチP(図8)が800nmであって、凸部のアスペクト比X/Yが0.8の凹凸パターンを有するNi製のモールドを、酸化チタンが分散した光硬化性樹脂に圧着しながら、ポリエチレンテレフタレートフィルム側から紫外線を1分間照射して、屈折率が約1.8の第2の層を形成した。
次に、第2の層上に、DCスパッタリングにより、Ag薄膜を50nmの厚みで形成した。
さらに、Ag薄膜上に、光硬化性樹脂を、塗布厚みが20μmとなるように、エクストルージョン塗布し、表面に凹凸が残存しないように、平滑な基板に圧着させながら、紫外線を1分間照射して、第2の層との界面にピッチPが800nmの凹凸パターンを有する第1の層を形成した。
<光学シートの基板への転着>
前記作製した光学シートを、厚さ0.7mmのガラス基板に、第1の層がガラス基板側となるように、転着し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。
その後、ガラス基板と、光学シート(第1の層)との密着性を向上すべく、基板表面には、プラズマ処理を施した。
<有機EL素子の作製>
抵抗加熱真空蒸着装置を用い、以下のように有機EL素子を作製した。
陽極として、ITO(酸化インジウム錫)層を、前記ガラス基板に転着された光学フィルムの第2の層に対して70nmの厚みで形成した。
該ITO層に対して、4,4',4''−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATAと略記する。下記構造式参照)と2−TNATAに対してテトラフルオロテトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する。下記構造式参照。)を1.0質量%となるように共蒸着を行い、厚さ160nmの正孔注入層を形成した。
正孔注入層に対して、N,N'−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(α−NPDと略記する。下記構造式参照)を用い、厚さ10nmの正孔輸送層を形成した。
該正孔輸送層に対して、1,3−bis(carbazol−9−yl)benzene(mCPと略記する。下記構造式参照)とmCPに対して緑色発光材料Tris(2-phenylpyridine)Iridium(Ir(ppy)3と略記する。下記構造式参照。)を5質量%となるように共蒸着を行い、厚さ30nmの有機発光層を形成した。該有機発光層の屈折率は1.9であった。
続いて、該有機発光層に対して、bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate) aluminium(BAlqと略記する。下記構造式参照)を用い、厚さ40nmの電子輸送層を形成した。
さらに、シャドウマスクによりパターニングし、厚さ1nmのLiF層を形成し、厚さ2nmのAl層を形成し、更に、厚さ100nmのITO層を形成した。
<封止層>
前記有機EL素子上に、SiNとSiOの混合物からなる封止層を形成した。該封止層の屈折率は、約1.9であった。
(実施例2)
実施例1において、第1の層に形成された凹凸パターンのピッチPを、800μmに変えて400μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係る発光装置を作製した。
(実施例3)
実施例1において、第1の層に形成された凹凸パターンのピッチPを、800μmに変えて2,000μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係る発光装置を作製した。
(実施例4)
実施例1において、屈折率が1.8の第2の層を形成する代わりに、屈折率が1.7の第2の層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係る発光装置を作製した。
なお、実施例1で、酸化チタンの体積比を30%にすることに代えて、20%にすることにより、第2の層の屈折率を1.7とした。
(実施例5)
実施例1において、屈折率が1.8の第2の層を形成する代わりに、屈折率が1.6の第2の層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係る発光装置を作製した。
なお、実施例1で、酸化チタンの体積比を30%にすることに代えて、10%にすることにより、第2の層の屈折率を1.6とした。
(実施例6)
実施例1において、屈折率が1.8の第2の層を形成する代わりに、屈折率が1.5の第2の層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例6に係る発光装置を作製した。
なお、実施例1で、酸化チタンの体積比を30%にすることに代えて、0%にすることにより、第2の層の屈折率を1.5とした。
(比較例1)
実施例1において、ガラス基板上に光学シートを形成する代わりに、ガラス基板上に光学シートを形成せず、ガラス基板上に有機EL素子を直接形成したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係る発光装置を作製した。
<測定方法>
<<屈折率>>
各層の屈折率は、エリプソメトリ法により、アッベ屈折率計(アタゴ(株)製)を用いて測定した。
<<凹凸パターンのピッチ>>
凹凸パターンのピッチは、AFM(製品名OLS3500、オリンパス(株)社製)により測定した。ここで、凹凸パターンのピッチとは、図8におけるPの長さを示す。
<<凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比>>
凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比は、AFM(製品名OLS3500、オリンパス(株)社製)により測定した。ここで、凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比とは、図8に示すように、凸部の高さXと半値幅Yとの比X/Yを示し、10個の凸部についての平均値を示す。
<<光取出し効率>>
作製した発光素子について、下記方法により光取出し効率を評価した。
比較例1の光量(Q)を1として、前記実施例1〜6の発光素子において測定された発光素子の光量(Q)との比、Q/Qで評価した。結果を表1に示す。
<<光量>>
作製した発光素子から発光される光は、マルチチャンネル分光器(オーシャンフォトニクス(株)社製)により測定した。
なお、作製した発光素子から発光される光の主要発光波長は、マルチチャンネル分光機(オーシャンフォトニクス(株)社製)で測定した。
上記実施例では、凹凸パターンのピッチPが800nmのときに、光取出し効率が最も高くなったが、発光効率の向上に関して、最適なピッチPは、デバイス構成や発光材料によって異なるので、そのデバイス構成や材料に適したピッチPを適宜選択する必要がある。ただし、ピッチPが大きすぎると、発光効率は低下する。
第2の層の屈折率に関しては、発光層の屈折率との差が小さいほど、光取出し効率は高くなる。
本発明の光学シートは、表示素子、ディスプレイ(発光型フラットパネルディスプレイ(有機EL、無機EL、プラズマ))、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信、LED、蛍光管、などの発光装置に好適に利用できる。
1 支持フィルム
2 第2の層
3 凹凸パターン
4 第1の層
10 光学シート
10a 第2の層
10b 第1の層
11 発光素子
11F 第1の支持フィルム
11R ロール
12 基板
13A 第2の光硬化性樹脂
14 第2の支持フィルム
31 ロール金型
32 光源
40 支持フィルム
41 硬化性樹脂
42 モールド
43 薄膜
44 樹脂材料
50 基板
51 ロール金型
52 光源
70 光反射シート
70a 表面
71 モールド
72 樹脂材料
73 支持フィルム
100 発光装置


Claims (17)

  1. 発光素子の光出射側とは反対側に配置される光学シートであって、光を反射させる凹凸パターンを有する第1の層と、前記凹凸パターン上に積層され、光透過性材料で形成された第2の層とを有することを特徴とする光学シート。
  2. 第2の層の屈折率と発光素子における発光層の屈折率との差が、0.3以内である請求項1に記載の光学シート。
  3. 凹凸パターンのピッチが100nm〜5,000nmである請求項1から2のいずれかに記載の光学シート。
  4. 第2の層には、金属酸化物が分散されている請求項1から3のいずれかに記載の光学シート。
  5. 凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比が0.1〜4.0である請求項1から4のいずれかに記載の光学シート。
  6. 第2の層の外側面に配置された支持フィルムを有する請求項1から5のいずれかに記載の光学シート。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、
    支持フィルムに光透過性材料としての硬化性樹脂を塗布する塗布工程と、
    表面に凹凸パターンを有するモールドを前記硬化性樹脂に圧着しながら、前記硬化性樹脂を硬化させて第2の層を形成する第2の層形成工程と、
    前記第2の層の上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する第1の層形成工程と、
    を含むことを特徴とする光学シートの製造方法。
  8. 支持フィルムが帯状フィルムであり、
    モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、
    塗布工程において、硬化性樹脂を前記帯状フィルムに対して連続して塗布し、
    第2の層形成工程において、前記硬化性樹脂が塗布された帯状フィルムを前記第1のロール型に巻き付ける請求項7に記載の光学シートの製造方法。
  9. 薄膜の表面に樹脂含有塗布液を塗布して、第1の層を含む積層体を形成する積層体形成工程をさらに含み、該積層体形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、反射材料からなる薄膜が成膜された帯状フィルムを巻き付ける請求項8に記載の光学シートの製造方法。
  10. 請求項1から6のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、
    凹凸パターンを有するモールドの表面に、光反射シートを重ねて熱圧着し、前記光反射シートに凹凸パターンを形成して第1の層を形成する第1の層形成工程と、
    前記第1の層の表面に、光透過性材料としての樹脂を含む樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する第2の層形成工程と、
    を含むことを特徴とする光学シートの製造方法。
  11. 反射シートが帯状シートであり、
    モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、
    第1の層形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成して第1の層を形成し、
    第2の層形成工程において、前記第1の層の表面に樹脂含有塗布液を連続して塗布する
    請求項10に記載の光学シートの製造方法。
  12. 第2の層形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、前記帯状フィルムを巻き付ける請求項11に記載の光学シートの製造方法。
  13. 第2の層上に支持フィルムを貼付する工程をさらに含む請求項10から12のいずれかに記載の光学シートの製造方法。
  14. 請求項1から6のいずれかに記載の光学シートを製造する光学シートの製造方法であって、
    凹凸パターンを有するモールドを支持フィルム表面に圧着しながら凹凸を形成する凹凸形成工程と、
    前記凹凸の上に反射材料からなる薄膜を成膜して、第1の層を形成する第1の層形成工程と、
    前記第1の層の表面に、光透過性材料としての樹脂を含む樹脂含有塗布液を塗布して、第2の層を形成する第2の層形成工程と、
    を含むことを特徴とする光学シートの製造方法。
  15. 支持フィルムが帯状フィルムであり、
    モールドが外周面に凹凸パターンが形成された第1のロール型であり、
    凹凸形成工程において、前記帯状シートを前記第1のロール型に巻きつけて、前記帯状シートに連続して凹凸パターンを形成して、
    第1の層形成工程において、前記凹凸パターン上に反射材料からなる薄膜を成膜して、
    第1の層を形成する請求項14に記載の光学シートの製造方法。
  16. 第2の層形成工程において、平滑な外周面に樹脂含有塗布液が塗布された第2のロール型に、帯状フィルムを巻き付ける請求項15に記載の光学シートの製造方法。
  17. 第2の層上に支持フィルムを貼付する工程をさらに含む請求項14から16のいずれかに記載の光学シートの製造方法。

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