JP2010226062A - 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム - Google Patents
光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010226062A JP2010226062A JP2009074767A JP2009074767A JP2010226062A JP 2010226062 A JP2010226062 A JP 2010226062A JP 2009074767 A JP2009074767 A JP 2009074767A JP 2009074767 A JP2009074767 A JP 2009074767A JP 2010226062 A JP2010226062 A JP 2010226062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- optical waveguide
- optical
- multimode interference
- embedded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 149
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00663—Production of light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12142—Modulator
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12159—Interferometer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
- G02B6/2808—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs
- G02B6/2813—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs based on multimode interference effect, i.e. self-imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板の上に凸状の第1の光導波路が形成されている。同じ基板の上に、凸状の第2の光導波路が形成されている。第1の光導波路と第2の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路が、同じ基板上に形成されている。少なくとも第1の光導波路の両側に埋込部材が配置されている。
【選択図】 図1
Description
基板の上に形成された凸状の第1の光導波路と、
前記基板の上に形成された凸状の第2の光導波路と、
前記第1の光導波路と前記第2の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路と、
前記第2の光導波路を除き、前記第1の光導波路の両側に配置された埋込部材と
を有する。
20h、23h ハイメサ導波路
21 多モード干渉導波路
22、24 ハイメサ導波路
22b、24b 埋込導波路
22A テーパ部分
22B 等幅部分
26 境界線
30 半導体基板
31 下部クラッド層
32 コア層
33 上部クラッド層
34 コンタクト層
35 メサ用マスクパターン
38 メサ
40 選択成長用マスク膜
43 レジストパターン
45 埋込部材
50 半導体基板
51 半導体レーザ素子
52 埋込導波路
53 多モード干渉導波路(分波器)
54、55 ハイメサ導波路
56 多モード干渉導波路(合波器)
57 ハイメサ導波路
58 埋込部材
59 低屈折率媒体
60 境界線
65 マッハツェンダ変調器
66 埋込導波路領域
67 ハイメサ導波路領域
70 下部クラッド層
71 回折格子層
72 スペーサ層
73 第1のコア層
74 上部クラッド層
75 マスクパターン
78 第2のコア層
79、80 上部クラッド層
81 コンタクト層
83 メサ用マスクパターン
85 メサ
86 選択成長用マスク膜
88 第1の保護膜
90、91 レジストパターン
93 第2の保護膜
95 レジストパターン
96 上部電極膜
100 上部電極
101 背面電極
110 ケース
111 フォトディテクタ
112 エタロン
113 コリメートレンズ
114 チップキャリア
115 変調器集積レーザ素子
115A 埋込レーザ部
115B ハイメサ変調器部
117 コリメートレンズ
118 ビームスプリッタ
119 フォトディテクタ
120 アイソレータ
121 集光レンズ
122 光ファイバ
125 ペルチェ素子
130 多重化装置
131 変調器部制御回路
132 レーザ部制御回路
135 光半導体モジュール
Claims (13)
- 基板の上に形成された凸状の第1の光導波路と、
前記基板の上に形成された凸状の第2の光導波路と、
前記第1の光導波路と前記第2の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路と、
前記第2の光導波路を除き、前記第1の光導波路の両側に配置された埋込部材と
を有する光導波素子。 - 前記第2の光導波路の両側は、前記埋込部材の屈折率よりも小さな屈折率を有する低屈折率媒体で満たされている請求項1に記載の光導波素子。
- 前記埋込部材が配置された領域と該埋込部材が配置されていない領域との境界が、前記第1の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点から、前記多モード干渉導波路と前記第2の光導波路との接続点までの間に位置する請求項1または2に記載の光導波素子。
- 前記第1の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点から、前記境界までのオフセット量が、11μm以下である請求項3に記載の光導波素子。
- 前記第2の光導波路が、該第2の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点から遠ざかる向きに幅が細くなる部分を含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光導波素子。
- 前記第2の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点における該第2の光導波路の幅が、前記第1の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点における該第1の光導波路の幅よりも広い請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光導波素子。
- さらに、前記基板の上に形成され、前記多モード干渉導波路に接続され、該多モード干渉導波路を介して前記第1の光導波路に光学的に結合された凸状の第3の光導波路を有し、
前記第3の光導波路の両側は、前記埋込部材の屈折率よりも小さな屈折率を有する低屈折率媒体で満たされている請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光導波素子。 - さらに、前記基板の上に形成され、前記多モード干渉導波路に接続され、該多モード干渉導波路を介して前記第2の光導波路に光学的に結合された凸状の第4の光導波路を有し、
前記第4の光導波路の両側は、前記埋込部材により埋め込まれている請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光導波素子。 - 基板上に、第1の光導波路、多モード干渉導波路、第2の光導波路がこの順番に結合された凸状構造を形成する工程と、
前記凸状構造が形成された前記基板の表面に、前記多モード干渉導波路の両側の領域を覆う部分の端部が前記第1の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点よりも前記第2の光導波路側に位置する関係の位置合わせ基準によって位置合わせされた選択成長用マスク膜を形成する工程と、
前記選択成長用マスク膜を用いて、前記第1の光導波路の両側の領域に、埋込部材を選択的に埋め込み成長させる工程と
を有する光導波素子の製造方法。 - 前記第1の光導波路と前記多モード干渉導波路との接続点から、前記選択成長用マスクのを基準として前記多モード干渉導波路側にオフセットした境界線までのオフセット量が11μm以下である請求項9に記載の光導波素子の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光導波素子の前記第1の光導波路の一部あるいは全部を用いた半導体レーザと、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光導波素子の前記第2の光導波路の一部あるいは全部を用いた光変調器と
を有する半導体素子。 - 請求項11に記載の半導体素子を有することを特徴とするレーザモジュール。
- 請求項12に記載のレーザモジュールを有することを特徴とする光伝送システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009074767A JP5268733B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム |
US12/724,860 US8401352B2 (en) | 2009-03-25 | 2010-03-16 | Optical waveguide device, its manufacture method, laser module and optical transmission system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009074767A JP5268733B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010226062A true JP2010226062A (ja) | 2010-10-07 |
JP5268733B2 JP5268733B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=42784357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009074767A Active JP5268733B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8401352B2 (ja) |
JP (1) | JP5268733B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013110271A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積素子 |
JP2013110274A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積素子 |
JP2014016452A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 光分岐器及び光半導体集積回路装置 |
JP2014039021A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
JP2016149415A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光集積素子 |
JPWO2016056498A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2017-07-20 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
JP2017142348A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 光導波路構造、光集積素子、および光導波路構造の製造方法 |
JP6245419B1 (ja) * | 2017-04-04 | 2017-12-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
WO2021220347A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP7442754B1 (ja) | 2023-05-15 | 2024-03-04 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2442165B1 (en) * | 2010-10-15 | 2015-04-15 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Coupling methods and systems using a taper |
US9097846B2 (en) * | 2011-08-30 | 2015-08-04 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated waveguide coupler |
US9977188B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-05-22 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated photonics mode expander |
WO2015183992A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Skorpios Technologies, Inc. | Waveguide mode expander using amorphous silicon |
JP2016180860A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11378749B2 (en) * | 2020-11-12 | 2022-07-05 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical power splitters with a multiple-level arrangement |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10160951A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光合分波回路 |
JPH10332964A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アレイ導波路格子素子 |
JPH1164656A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-05 | Nec Corp | 光導波路 |
JPH11223739A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-08-17 | Sharp Corp | 集積型光回路素子及びその製造方法 |
JP2002118324A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体リングレーザ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6480640B1 (en) | 1997-11-28 | 2002-11-12 | Sharp Kabushiki Haisha | Integrated optical circuit device and method for producing the same |
EP0952470A3 (en) | 1998-04-23 | 2004-01-14 | Nec Corporation | A method of manufacturing a semiconductor optical waveguide array and an array-structured semiconductor optical device |
JP3336994B2 (ja) | 1998-04-23 | 2002-10-21 | 日本電気株式会社 | 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子 |
JP3877973B2 (ja) | 2001-04-12 | 2007-02-07 | 日本電信電話株式会社 | 接続型光導波路 |
JP3985159B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2007-10-03 | 日本電気株式会社 | 利得クランプ型半導体光増幅器 |
JP4893306B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2012-03-07 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ、半導体光アンプ、及び光通信装置 |
US7390606B2 (en) | 2005-10-17 | 2008-06-24 | Xerox Corporation | Emulsion aggregation toner incorporating aluminized silica as a coagulating agent |
-
2009
- 2009-03-25 JP JP2009074767A patent/JP5268733B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-16 US US12/724,860 patent/US8401352B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10160951A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光合分波回路 |
JPH10332964A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アレイ導波路格子素子 |
JPH1164656A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-05 | Nec Corp | 光導波路 |
JPH11223739A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-08-17 | Sharp Corp | 集積型光回路素子及びその製造方法 |
JP2002118324A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体リングレーザ |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013110271A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積素子 |
JP2013110274A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積素子 |
US9235002B2 (en) | 2011-11-21 | 2016-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Integrated semiconductor device |
US9341772B2 (en) | 2011-11-21 | 2016-05-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Integrated semiconductor device |
JP2014016452A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 光分岐器及び光半導体集積回路装置 |
JP2014039021A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
US10534131B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-01-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical integrated device having buried hetero structure waveguide and deep ridge waveguide |
JPWO2016056498A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2017-07-20 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
US10241267B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-03-26 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical integrated device including a reduced thickness upper cladding layer in a ridge waveguide portion, and method of manufacturing the same |
JP2016149415A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP2017142348A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 光導波路構造、光集積素子、および光導波路構造の製造方法 |
JP6245419B1 (ja) * | 2017-04-04 | 2017-12-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
WO2018185829A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
US10862268B2 (en) | 2017-04-04 | 2020-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
WO2021220347A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
JPWO2021220347A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | ||
JP7224539B2 (ja) | 2020-04-27 | 2023-02-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP7442754B1 (ja) | 2023-05-15 | 2024-03-04 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子 |
JP7446553B1 (ja) | 2023-05-15 | 2024-03-08 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5268733B2 (ja) | 2013-08-21 |
US20100247031A1 (en) | 2010-09-30 |
US8401352B2 (en) | 2013-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5268733B2 (ja) | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム | |
US10243322B2 (en) | Surface coupled systems | |
US7738794B2 (en) | Optical transmitter | |
JP5877727B2 (ja) | 半導体光変調素子及び光モジュール | |
JP5206187B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US8380032B2 (en) | Semiconductor optical amplifier module | |
JP4983910B2 (ja) | 光半導体素子 | |
US20080080808A1 (en) | Integrated vertical wavelength (de)multiplexer | |
KR100575964B1 (ko) | 광검출기가 모놀리식 집적된 전계 흡수형 광변조 모듈 | |
US9025241B2 (en) | Gain medium providing laser and amplifier functionality to optical device | |
JP5545847B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US20110235971A1 (en) | Semiconductor optical device | |
JP5212475B2 (ja) | 波長可変光送信機 | |
JP2012252290A (ja) | 光素子、光素子を含む変調器モジュール、光素子を含むレーザ集積変調器モジュール、及び、光素子の製造方法 | |
CN104937791A (zh) | 激光装置、光调制装置以及光半导体元件 | |
US11131806B2 (en) | System comprising an integrated waveguide-coupled optically active device and method of formation | |
JP4406023B2 (ja) | 光集積素子 | |
JP6961621B2 (ja) | 光集積素子および光送信機モジュール | |
JP2013156352A (ja) | 光変調器及び光送信モジュール | |
JP6610834B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
EP3407122A1 (en) | Method for manufacturing an electro-absorption modulator | |
Lee | A review of polarization dependence applications for asymmetric waveguides vertical couplers in compound semiconductor indium phosphide | |
JP4048635B2 (ja) | 波長分割多重通信システム及び光源 | |
KR20210052160A (ko) | 단일 광자 광원 | |
Ketelsen | Advancements in electro-absorption modulated sources for DWDM |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5268733 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |