JP2010224235A - 波長変換素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換素子において、素子の加熱、冷却時の異常放電発生によるZ板内のクラックを防止し、これによる変換効率の低下を防止することである。
【解決手段】波長変換用基板1は、強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造2が形成されており、基本光15の入射面1c、波長変換光の出射面1d、+Z面1aおよび−Z面1bを備えている。波長変換素子20Aは、波長変換用基板1、波長変換用基板1の+Z面1aに接触するように形成された第一の導電層6A、および波長変換用基板1の−Z面1bに接触するように形成された第二の導電層6Bを備えている。
【選択図】 図2
【解決手段】波長変換用基板1は、強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造2が形成されており、基本光15の入射面1c、波長変換光の出射面1d、+Z面1aおよび−Z面1bを備えている。波長変換素子20Aは、波長変換用基板1、波長変換用基板1の+Z面1aに接触するように形成された第一の導電層6A、および波長変換用基板1の−Z面1bに接触するように形成された第二の導電層6Bを備えている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、周期分極反転構造を用いた波長変換素子に関するものである。
ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム単結晶のような非線形光学結晶は二次の非線形光学定数が高く、これら結晶に周期的な分極反転構造を形成することで、疑似位相整合(Quasi-Phase-Matched :QPM)方式の第二高調波発生(Second-Harmonic-Generation:SHG)デバイスを実現できる。また、この周期分極反転構造内に導波路を形成することで、高効率なSHGデバイスが実現でき、光通信用、医学用、光化学用、各種光計測用等の幅広い応用が可能である。
本出願人は、特許文献1において、ファブリーペロー型ブロードエリア半導体レーザ発振素子からの出力光を、非線形光学結晶からなるスラブ光導波路に対して基本波として入射させ、スラブ光導波路から青色レーザ光を出力させることを開示した。ここで、スラブ光導波路は、ニオブ酸リチウムカリウムなどの非線型光学単結晶のZ板を薄く研磨して作製する。
非特許文献1では、MgOドープニオブ酸リチウム単結晶のZ板の中に周期分極反転構造を形成し、波長1064nmの基本波を入射させ、第二高調波を出力させている。
非特許文献2では、MgOドープニオブ酸リチウム単結晶基板に周期分極反転構造をコロナ帯電法によって形成し、青色の第二高調波を出力している。
「三菱電線工業時報」第100号、35-40頁「高効率導波路型グリーンSHG素子の開発」
「FUJIFILMRESEARCH & DEVELOPMENT」No.48- 2003, 22-27頁 「反転ドメイン波長変換技術の開発とその応用」
図1(a)〜(c)に示すように、バルク型周期分極反転素子10は、Z板1の+Z面1aと−Z面1bとの間にパルス電圧を印加して、周期分極反転部分4を一定周期で形成する。3はドメイン非反転部分である。入射面1cから基本波15を入射させると、基本波は周期分極反転構造2で波長変換を受け、出射面1dから矢印5のように出射する。理想的には、分極反転部4が基板+Zと−Z面との間で貫通していることが好ましい。
しかし、このようなバルク型周期分極反転素子の場合、作製プロセス中の熱処理時や、作製後の熱サイクル試験時に、焦電効果による放電が生じ、その衝撃でクラックが発生し、波長変換効率が低下することがあった。
例えば、素子の端面を光学研磨し、端面上に反射防止膜を形成する必要がある。この際には、複数個の素子を積み重ね、保持した状態で、複数の素子の端面を同時にまとめて研磨する。このとき素子を治具上にワックスなどで加熱し、接着するが、焦電によってクラックが発生することがあった。
この理由について検討したところ、電圧印加法によって、図1のように周期分極反転構造2を形成した後に、基板の+Z面1aや-Z面1bの各表面に、例えば図3のように分極反転が形成されない部分12A、12Bが発生する。例えば図5は+Z面を示す写真であるが、一部分において、表面に反転されていない反転不良(周期不良)部が残っていることが、白っぽい欠陥として観察できる。
本発明者は、この反転不良部について更に検討した。図6には、まず反転不良がない領域の状態を示す。図6に示す基板の上側は+Z面であり、下側は−Z面である。分極反転部分が基板の+Z面(上面)から−Z面(下面)まで貫通しており、表面まで到達していることがわかる。この場合には表面領域に反転不良部がない。
図7には、図5の反転不良部の断面を示す。基板の上側は+Z面であり、下側は−Z面である。分極反転部分は、基板の内部に形成されているが、ところどころに反転不良部分が見られる。しかし、基板内部における波長変換は十分に行える程度の不良であった。ところが、基板の+Z面(上面)の近く、−Z面(下面)の近くは反転不良となっており、反転部分が表面まで到達していない。この結果、図5に示すように、表面領域では反転不良が現れる。
このような反転不良部分が基板の表面領域に残っていても、波長変換にはさほど影響はないはずであった。しかし、実際には、前述したような製造時の加熱、冷却や、製造後の熱サイクル時に、基板表面の反転不良部に電荷が蓄積され、異常放電が生じ、この結果、図8に示すように表面に放電痕が生じ、基板にクラックが発生することを突き止めた。
本発明の課題は、強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換素子において、素子の加熱、冷却時の異常放電発生によるZ板内のクラックを防止し、これによる変換効率の低下を防止することである。
本発明に係る波長変換素子は、強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造が形成されており、基本光の入射面、波長変換光の出射面、+Z面および−Z面を備えている波長変換用基板、
この波長変換用基板の+Z面に接触するように形成された第一の導電層、および
波長変換用基板の−Z面に接触するように形成された第二の導電層
を備えていることを特徴とする。
この波長変換用基板の+Z面に接触するように形成された第一の導電層、および
波長変換用基板の−Z面に接触するように形成された第二の導電層
を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、周期分極反転構造が形成されているZ板の+Z面上と−Z面上とにそれぞれ導電層を形成することで、+Z面、−Z面の表面領域において反転不良部が発生しても、次の加熱、冷却時に反転不良部からの異常放電によるクラックを防止でき、これによる変換効率の低下を防止できる。また、表面領域において反転不良部が存在していても、それ自体による変換効率の低下は見られないことがわかった。
図1(a)〜(c)に示すように、バルク型周期分極反転素子10は、光軸調整を簡単にするために、通常は厚さT=0.3mm以上の厚さのZ板1を使用し、その+Z面1aと−Z面1bとの間にパルス電圧を印加して、周期分極反転部分4を一定周期で形成する。Z板とは、分極反転方向が、基板の上面から下面へと向かって延びる基板のことである。3はドメイン非反転部分である。1e、1fは側面である。
入射面1cから基本波15を入射させると、基本波は周期分極反転構造2で波長変換を受け、出射面1dから矢印5のように出射する。理想的には、分極反転部4が基板の+Z面と−Z面との間で貫通していることが好ましい。また、基板の厚み方向の全域で、図1(c)に示すように、分極反転部4の幅Aと非反転部3の幅Bとの比率(デューティ比)が1:1になることが、変換効率の点で好ましい。
しかし、現実の波長変換用基板においては、例えば図2に示すように、各分極反転部分4Aが、基板内部には形成されているが、+Z面1a、−Z面1bに達しない。このため、+Z面1aの近傍、−Z面1bの近傍に、それぞれ反転不良部12A、12Bが生成する。素子を加熱・冷却した時に、こうした表面近傍の反転不良部12A、12Bから異常放電が発生し、基板にクラックを生じさせる。
このため、本発明に従い、波長変換用基板1の+Z面1a上に導電膜6Aを形成し、−Z面1b上に導電膜6Bを形成する。ここで、導電膜6A、6Bは、それぞれ、+Z面、−Z面に接触させる。導電膜と+Z面、−Z面との間に絶縁膜が介在すると、前記したクラック防止効果が得られないことがわかった。
また、+Z面上の導電膜と−Z面上の導電膜とは、互いに短絡しなくとも、前記クラック防止効果が得られることを確認した。従って、本発明では、各導電膜を短絡しないことが、より好ましい。
図3(a)、(b)の素子20Bでは、強誘電性単結晶からなるZ板1の中に、+Z面1aから−Z面1bへと向かって延びる分極反転部4が、一定周期で形成されている。隣接する分極反転部4の間には、それぞれ、非分極反転部3が残されている。分極反転部4と非分極反転部3とを交互に一定周期で多数形成することによって、周期分極反転構造2が形成されている。
図3の例では、一部の分極反転部4Aについて、+Z面1aの近傍、−Z面1bの近傍に、それぞれ反転不良部12A、12Bが生成している。このため、本発明に従い、波長変換用基板1のZ面1a上に導電膜6Aを形成し、−Z面1b上に導電膜6Bを形成している。
なお、強誘電性単結晶からなる波長変換用基板1が、Z板ではなく、X板、オフセットX板の場合には、加熱・冷却時に、表面近傍の反転部からの異常放電が発生せず、前記した光導波路での伝搬損失が生じない。つまり、本発明は、上記した特定の構造に特有の問題点を発見したことに基づく発明であり、この点で進歩性を有する。
本発明では、波長変換用基板1の厚さT(図1、図3参照)を50μm以上とすることが好ましい。これを100μm以上とすることによって、基本波を導波路に入射する事が容易になり、基本波の結合効率が上がる。この観点からは、波長変換用基板2の厚さは、300μm以上とすることが更に好ましい。
また、波長変換用基板の厚さTを1000μm以下とすることによって、導波光のエネルギー密度を高め、変換効率を向上させることができる。この観点からは、波長変換用基板の厚さを500μm以下とすることが更に好ましい。
波長変換用基板を構成する強誘電性単結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶、K3Li2Nb5O15、La3Ga5SiO14などを例示することができる。
強誘電体単結晶中には、光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、スカンジウム(Sc)及びインジウム(In)からなる群より選ばれる1種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。強誘電体単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。
導電膜の材質は、金属、導電性ペーストを例示できる。具体的には、Al、Ti、Ta、Cu、Ag系ペースト、In系ペーストが好ましい。
導電膜の厚さは特に限定されないが、本発明の観点からは、0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上が更に好ましい。まだ、導電膜による光吸収を抑制するという観点からは、導電膜の厚さは、5μm以下が好ましい。
導電膜は、+Z面、−Z面の90%以上を被覆していることが好ましく、全面を被覆していてよい。
また、好適な実施形態においては、図4に示すように、前記した素子を支持基板9に対して接着層8を介して接着できる。
支持基板の材質は、波長変換用基板の材質との熱膨張率差が、波長変換用基板の熱膨張率の10%以下であることが好ましい。具体的には、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶、K3Li2Nb5O15、La3Ga5SiO14などを例示することができる。
波長変換用基板を支持基板と接着するための接着剤は、無機接着剤であってよく、有機接着剤であってよく、無機接着剤と有機接着剤との組み合わせであってよい。
有機接着剤の具体例は特に限定されないが、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、ニオブ酸リチウムなどの電気光学効果を有する材料と比較的近い熱膨張係数を有するアロンセラミックスC(商品名、東亜合成社製)(熱膨張係数13×10−6/K)を例示できる。
また無機接着剤としては、低誘電率で接着温度(作業温度)が600℃以下のものが好ましい。また、加工の際に十分な接着強度が得られるものが好ましい。具体的には、酸化珪素、酸化鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素等の組成を単体もしくは複数組み合わせたガラスが好ましい。また、他の無機接着剤としては、例えば五酸化タンタル、酸化チタン、五酸化ニオブ、酸化亜鉛がある。
無機接着層の形成方法は特に限定されず、スパッタ法、蒸着法、スピンコート法、ゾルゲル法などがある。また、波長変換用基板と支持基板との間に接着剤のシートを介在させ、接合することができる。好ましくは、熱硬化性、光硬化性あるいは光増粘性の樹脂接着剤からなるシートを、波長変換用基板と支持基板との間に介在させ、シートを硬化させる。このようなシートとしては、10μm以下のフィルム樹脂が適当である。
製造時には、例えば波長変換用基板1に各導電膜を形成した後、複数の素子を積層し、一体に保持した状態で、定盤に対してワックスなどで固定し、各端面を光学研磨する。
(比較例1)
図1に示すような第二高調波発生素子10を作製した。
具体的には、厚さT=0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウムZ基板1上に、電圧印加法によって、周期6.9μmの周期分極反転構造2を形成した。得られた波長変換用基板1ををダイサーで長さL=20mm、幅W=3.0mmのバー形状に切断した。
図1に示すような第二高調波発生素子10を作製した。
具体的には、厚さT=0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウムZ基板1上に、電圧印加法によって、周期6.9μmの周期分極反転構造2を形成した。得られた波長変換用基板1ををダイサーで長さL=20mm、幅W=3.0mmのバー形状に切断した。
次いで、切断後の素子10を5枚重ねて、熱軟化性ワックスで治具に固定した。その際の加熱温度は90℃であった。その後、各素子の端面を同時に研磨し、再度90℃まで加熱して固定用ワックスを軟化させ、素子10を治具から取り外した。
この後、基板の+Z面1a、−Z面1bを観察した結果、両面に、図8に示すような直径約100ミクロンの放電痕が数カ所見られた。また、放電痕の近傍では、図5、図7に示すような反転不良が見られた。
素子切断後に、同様に1Wの1064nmの波長のレーザー光を入射し位相整合させた結果、3mWの532nmの出力が得られた。本素子を端面から観察した結果、放電箇所に於いて、深さ約200umのクラックが発生している事が判明した。本素子を温度サイクル試験にかけたところ、200サイクル後で特性を再測定した結果、532nmの出力は1mWに低下した。
本素子を厚み250umになるように表面から研磨し、エッチングにより反転状態を観察したところ、約30%の面積で反転周期が乱れていた。
(実施例1)
図3に示す第二高調波発生素子20Bを作製した。
具体的には、厚さT=0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウムZ板1に、周期6.9μmの周期分極反転構造2を形成した。この基板の+Z面および−Z面に、それぞれ、厚さ300nmのアルミニウム膜6A、6Bをスパッタ法により成膜した。本基板をダイサーで長さL=20mm、幅3.0mmのバー形状に切断し、素子20Bを得た。
図3に示す第二高調波発生素子20Bを作製した。
具体的には、厚さT=0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウムZ板1に、周期6.9μmの周期分極反転構造2を形成した。この基板の+Z面および−Z面に、それぞれ、厚さ300nmのアルミニウム膜6A、6Bをスパッタ法により成膜した。本基板をダイサーで長さL=20mm、幅3.0mmのバー形状に切断し、素子20Bを得た。
切断した素子を5枚重ねて、熱軟化性ワックスで治具に固定した。その際の加熱温度は90℃であった。その後、各素子の端面を同時に研磨し、再度90℃まで加熱して固定用ワックスを軟化させ、素子を取り外した。このバー材を洗浄後、入射側に1064nmと532nmの波長の反射防止膜を施した。
このバー材を幅W=2mmの素子に切断後、NdドープYAGレーザー(波長1064nm)の光を入射した。素子の温度を調整して位相整合状態にして、1Wの入射光量で10mWの532nmのレーザー出力が得られた。本素子を-40℃/80℃の温度サイクル試験にかけたところ、500サイクル後でも異常は見られなかった。
この素子の表面には、図5、図7に示すような反転不良部は観察されたが、図8に示すような放電痕は観察されなかった。
1 波長変換用基板 1a +Z面 1b −Z面 1c 入射面 1d 出射面 2 周期分極反転構造 3 非反転部 4 分極反転部 5 波長変換光 6A、6B 導電膜 10、20A、20B 波長変換素子 12A、12B 反転不良部 15 基本波
Claims (3)
- 強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造が形成されており、基本光の入射面、波長変換光の出射面、+Z面および−Z面を備えている波長変換用基板、
この波長変換用基板の前記+Z面に接触するように形成された第一の導電層、および
前記波長変換用基板の前記−Z面に接触するように形成された第二の導電層
を備えていることを特徴とする、波長変換素子。 - 前記第一の導電層と前記第二の導電層とが短絡されていないことを特徴とする、請求項1記載の波長変換素子。
- 支持基板、およびこの支持基板を前記第一の導電層または前記第二の導電層に対して接着する接着層を備えていることを特徴とする、請求項1または2記載の波長変換素子。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071647A JP2010224235A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 波長変換素子 |
DE102010009880A DE102010009880A1 (de) | 2009-03-24 | 2010-03-02 | Wellenlängenumwandlungsvorrichtungen |
US12/661,299 US20100245985A1 (en) | 2009-03-24 | 2010-03-15 | Wavelength converting devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071647A JP2010224235A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 波長変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010224235A true JP2010224235A (ja) | 2010-10-07 |
Family
ID=42783896
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009071647A Pending JP2010224235A (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 波長変換素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100245985A1 (ja) |
JP (1) | JP2010224235A (ja) |
DE (1) | DE102010009880A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110405 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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