JP5155341B2 - 高調波発生装置 - Google Patents
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Description
ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム単結晶のような非線形光学結晶は二次の非線形光学定数が高く、これら結晶に周期的な分極反転構造を形成することで、疑似位相整合(Quasi−Phase−Matched:QPM)方式の第二高調波発生(Second−Harmonic−Generation:SHG)デバイスを実現できる。また、この周期分極反転構造内に導波路を形成することで、高効率なSHGデバイスが実現でき、光通信用、医学用、光化学用、各種光計測用等の幅広い応用が可能である。
IQEC/CLEO−PR 2005,Tokyo,Japan,July 11−15,2005,post−deadline paper PDG−2では、DFBレーザーダイオードからの基本波を集光レンズ系で集光し、PPLN光導波路素子へと向かって照射して高調波(緑色光)を得、この高調波を集光し、発振させている。PPLN光導波路素子は、MgOをドープしたニオブ酸リチウム単結晶基板に光導波路を形成し、この光導波路内に周期分極反転構造を形成したものである。ニオブ酸リチウム単結晶の光導波路素子の入射側端面および出射側端面は、図1(a)に示すように、光導波路に対する垂直面から大きく傾斜するように研磨する。これによって、レーザ発振源への戻り光の入射を防止している。
本発明の課題は、導波路型波長変換素子を使用したレーザ光源を小型化すると共に、素子からレーザ発振源への戻り光を防止して発振を安定化し、同時に出射ビームの品質を向上させることである。
本発明は、固体レーザ発振体、
この固体レーザ発振体から発振されるレーザ光の波長を変換して高調波を発生する変調用光導波路、レーザ光の入射側端面、高調波の出射側端面面、一方の側面および他方の側面を有する導波路型高調波発生素子、
固体レーザ発振体から発振されるレーザ光を導波路型高調波発生素子の入射側端面へと集光する第一のレンズ系、および
導波路型高調波発生素子の出射側端面から出射した高調波を集光する第二のレンズ系を備えている高調波発生装置であって、
出射側端面が、一方の側面側に形成されている研磨面と、他方の側面側に形成されている光散乱面とを備えており、一方の側面と研磨面とのなす角θが鈍角であり、他方の側面と光散乱面のなす角αが鈍角又は直角であることを特徴とする。
本発明によれば、導波路型高調波発生素子の出射側端面が、変換用光導波路から見て一方の側に形成されている研磨面と、光導波路から見て他方の側に形成されている光散乱面とを備えており、一方の側面と研磨面とのなす角θが鈍角であり、他方の側面と光散乱面のなす角αが鈍角又は直角である。この結果、レンズ系を素子の光散乱面に近づけて配置することが可能である。これによって、焦点距離の短い、径の小さいレンズを使用できるので、光学系の全体を小さくすることができ、高調波発生装置の全体を小型化することが可能である。
更に、研磨面を側面に対して鈍角に形成することによって、戻り光が発振源に対して入射しにくく、発振状態を安定させることが可能である。
更に、レンズ系を出射側の光散乱面の近くに設置することで、研磨面から出射した不要なスラブモードのビームはレンズに結合しにくくなり、光散乱面からの出射ビームは拡散してしまうため、レンズに集光されない。従って、光導波路から出射した所望の高調波のみを効率的に集めることができ、細くてノイズの少ない高調波ビームを得ることができる。
図2は、従来例の装置において、高調波およびスラブモード光の結合状態を示す模式図である。
図3は、本発明例の装置において、高調波およびスラブモード光の結合状態を示す模式図である。
図4は、本発明例の導波路型高調波発生素子の出射側端面を示す図である。
図5は、本発明例の発振装置を示す模式図である。
図6は、従来例の発振装置を示す模式図である。
図7は、本発明で使用できる導波路型高調波発生素子1を示す要部断面図である。
図8は、本発明例の素子の端面形成方法を説明するための模式図である。
図1(a)は、従来の高調波発振装置の要部を示す模式図である。導波路型高調波発生素子19には光導波路2が形成されており、光導波路2には波長変換機能が付与されている。導波路型高調波発生素子2の入射側端面13および出射側端面14は、いずれも光学研磨面であり、それぞれ平面をなしている。従って、出射面14と一方の側面19aがなす角θは鈍角であり、出射面14と他方の側面19bとがなす角αは鋭角である。入射側端面と対向するように集光レンズ系17が設置されており、出射側端面14と対向するようにレンズ系18が設置されている。
基本波は、矢印Aのようにレンズ系17で集光され、光導波路の端面2aから入射し、光導波路内で波長変換を受ける。高調波は、矢印Bのように端面2bから出射し、矢印Bのようにレンズ系18で集光される。
しかし、この例では、鋭角に形成された部分Pが平面的に見てレンズ系へと向かって突出しているので、レンズ系17、18を端面13、14へと向かって近づけることができない。このため、レンズ系17、18の口径を大きくする必要がある。図6に模式的に示すように、発振装置26のパッケージ21内の空間22に、固体レーザ発振体23、集光レンズ系27、17、導波路型高調波発生素子19、レンズ系18を設置した場合、レンズ系17、18の口径が大きくなることから、パッケージ21を小型化することは難しい。
更に、図2に示すように、出射側端面14からは、所望の高調波9が出射してレンズ系18によって集光されて11のように発振される。しかし、レンズ18の口径が大きいので、同時に、不要なスラブモードの出射光10も出射側端面14から出射し、レンズ18によって集光され、12のように発振される。このように不要なスラブモード光10が重畳される結果、細い高調波ビームを得ることができず、高調波ビームのノイズが増大する。
これに対して、本発明例によれば、図1(b)に示すように、素子1の出射側端面が、変換用光導波路2から見て一方の側面1a側に形成されている研磨面6と、他方の側面1b側に形成されている光散乱面5とを備えている。そして、一方の側面1aと研磨面6とがなす角θは、図1(a)と同様に鈍角である。しかし、他方の側面1bと光散乱面5とがなす角αは、鋭角ではなく、鈍角または直角とする。
また、図1(b)の例では、素子1の入射側端面が、光導波路2から見て他方の側面1b側に形成されている研磨面3と、一方の側面1a側に形成されている光散乱面4とを備えている。そして、他方の側面1bと研磨面3とがなす角θは、図1(a)と同様に鈍角である。しかし、一方の側面1aと光散乱面4とがなす角αは、鋭角ではなく、鈍角または直角とする。
本例では、鋭角に形成された部分Pがなく、図3、図5に示すように、光散乱面4、5は側面に対して鈍角または直角をなしている。この結果、レンズ系7、8を光散乱面に近づけることができ、従ってレンズ系の口径を小さくすることができる。この結果、図5に模式的に示すように、発振装置20のパッケージ21内の空間22に、固体レーザ発振体23、集光レンズ系25、7、導波路型高調波発生素子1、レンズ系8を設置した場合、レンズ系7、8の口径を小さくできることから、パッケージ21を小型化することができる。
更に、図3に模式的に示すように、光導波路の端面からは、所望の高調波9が出射してレンズ系8によって集光されて16のように発振される。研磨面6からも不要なスラブモードの光10が出射するが、レンズ8の口径が小さいので、レンズ8内には集光されにくく、ノイズになりにくい。これと同時に、レンズに近い光散乱面5からも光が出射するが、この光15は散乱光となるので、やはりレンズ8には結合しにくく、ノイズとならない。この結果、ノイズの少ない細い高調波ビーム16が得られる。
本発明においては(図4参照)、出射側端面においては、一方の側面1aと研磨面6とのなす角θが鈍角である。また、入射側端面においては、他方の側面1bと研磨面とのなす角θが鈍角である。
鈍角とは、90°より大きい角度を指す用語として当業者にとって明確である。ただし、レーザ発振体への戻り光を防止するという観点からは、θは93°以上が好ましく、98°以上が更に好ましい。また、製造上の観点からは、θは120°以下が好ましい。
本発明においては(図4参照)、出射側端面においては、他方の側面1bと光散乱面5とのなす角αが鈍角または直角である。また、入射側端面においては、一方の側面1aと光散乱面とのなす角αが鈍角または直角である。
鈍角とは、90°より大きい角度を指す用語として当業者にとって明確である。入射面、出射面へとレンズ系を接近させるという観点からは、αは直角であってもよいが、鈍角の場合には93°以上が好ましい。また、製造上の観点からは、αは、120°以下であることが好ましい。
本発明においては、導波路型高調波発生素子の幅Wは特に限定されない。しかし、素子のハンドリング強度という観点からは、Wは、0.5mm以上であることが好ましい。
本発明においては、研磨面と光散乱面との一方が一方の側面側に設けられており、他方が他方の側面側に設けられている。ここで、研磨面と光散乱面との境界は、光導波路の端面にあってもよい。しかし、好適な実施形態においては、図4に示すように、研磨面6(3)が、光導波路の端面2b(2a)を超えて、光散乱面5(4)の方へと向かって寸法dだけ延びている。この寸法dは限定されないが、光導波路2の端面からの戻り光を防止するという観点からは、0.05mm以上であることが好ましい。
本発明において、研磨面のRaは限定されないが、光導波路から発振する高調波の効率を上げ、散乱を防止するために、5nm以下であることが好ましく、2nm以下であることが更に好ましい。また、研磨方法は限定されないが、メカノケミカル法による研磨加工が好ましい。
本発明において、光散乱面のRaは、効率的に光を散乱させるという観点からは、10nm以上であることが好ましい。光散乱面は、例えば素子を切断したまま研磨していない切断面であってよい。また、この切断面を研磨あるいは研削加工することも可能であるが、この際に光学研磨の水準までRaが小さくならないようにする。
好適な実施形態においては、導波路型高調波発生素子が、導波路が接合層あるいは基板から突出するリッジ型の波長変換素子である。このような素子をレーザ光源と組み合わせることによって、駆動電圧、発熱量を特に低減できる。
好適な実施形態においては、三次元光導波路がリッジ型の光導波路であり、非線形光学結晶を加工、例えば機械加工やレーザ加工することによって物理的に加工し、成形することによって得られる。そして、三次元光導波路が、非晶質材料からなる接合層を介して基板に接合されている。
図7は、本発明の一実施形態で使用できる導波路型高調波発生素子1を概略的に示す断面図である。
強誘電体層35は、波長変換機能を有するリッジ型光導波路2、波長変換部2の両側に設けられている溝形成部36A、36Bおよび各溝形成部の外側に設けられている延在部37A、37Bを備えている。強誘電体層35の表面には表面側バッファ層38が形成されており、背面側には背面側バッファ層39が形成されている。強誘電体層35は、バッファ層39、接着層40を介して支持基板41に対して接合されている。なお、強誘電体層の背面とは、支持基板に対して接合される側の主面であり、表面とは、背面の反対側の主面である。
光導波路内における波長変換手段は特に限定されない。好適な実施形態においては、光導波路内に周期分極反転構造を形成し、これによって基本光の波長を変換して高調波を出力する。このような周期分極反転構造の周期は波長に応じて変更する。また周期分極反転構造の形成方法も特に限定されないが、電圧印加法が好ましい。
あるいは、ニオブ酸リチウムカリウム、タンタル酸リチウムカリウム、ニオブ酸リチウムカリウム−タンタル酸リチウムカリウム固溶体のような非線形光学結晶を使用し、入射する基本光の波長を高調波に変換することも可能である。
強誘電体層を構成する材質は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶などを例示することができる。
強誘電体単結晶中には、光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、スカンジウム(Sc)及びインジウム(In)からなる群より選ばれる1種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。強誘電体単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。
表面側バッファ層、背面側バッファ層の材質は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナ、五酸化タンタルを例示できる。
接合層の材質は、無機接着剤であってよく、有機接着剤であってよく、無機接着剤と有機接着剤との組み合わせであってよい。
支持基体41の具体的材質は特に限定されず,ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、石英ガラスなどのガラスや水晶、Siなどを例示することができる。この場合、熱膨張差の観点では、強誘電体層と支持基板とを同じ材質とすることが好ましく、ニオブ酸リチウム単結晶が特に好ましい。
図1(b)、図3、図5および図7を参照しつつ説明した発振装置を作製した。
具体的には、厚さ0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板上に、周期4.20μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。基板裏面に全面にわたって電極膜を形成したのち、パルス電圧を印加して周期分極反転構造を形成した。
基板に周期分極反転構造を形成した後、厚さ0.4μmのSiO2アンダークラッド39をスパッタ法によって成膜した。厚さ0.5mmのノンドープニオブ酸リチウム基板41に接着剤を41塗布した後、前記のMgOドープニオブ酸リチウム基板と貼り合せ、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ3.6μmとなるまで研削、研磨した。そして、レーザーアブレーション加工法により、リッジ型導波路2を形成した。
光導波路2の形成後、ダイサーで長さ9mm、幅1.0mmで素子を切断し、図8に示す素子32を得た。この素子を図8のように定盤30および治具31にセットし、両端面32a、32bを研磨し、研磨面を形成した。素子の両端面にそれぞれ反射防止膜を形成した。
半導体レーザ23と光導波路素子1とを図5のようにパッケージ21内に実装した後、各レンズ25、7、8を光軸調整後、樹脂によって固定した。レンズの有効開口径は0.6mm、NAは0.55のレンズを使用した。このとき、aは7mm、bは18mmにできた。半導体レーザ23からの発振出力を350mWに調整し、260mWが光導波路2に結合できた。
半導体レーザ23の波長を温度によって可変させて位相整合する波長に調節した時に、最高142mWの第二高調波出力が得られた。その際の基本光の波長は919.7nmであった。出射第二高調波のビーム径は0.5mm(1/e2)が得られた。また、出射した第二高調波のM2値をビームプロファイラで測定したところ、1.08であり、良好なビーム品質が得られた。M2値は、理想的なガウシアンビームの場合は1.0になる。ビームのプロファイルが崩れる程、大きな値になる。
(比較例)
図1(a)、図2、図6、図7に示す形態の高調波発振装置を作製した。
具体的には、実施例と同様にして、図7に示す形態の導波路型高調波発生素子を作製した。次いで、ダイサーで長さ9mm、幅1.0mmの寸法になるように素子32を切断した後、図8の様に定盤30および治具31にセットし、両端面32a、32bを端面研磨した。端面研磨後、両端に反射防止膜を施した。
半導体レーザ23と導波路素子19を図6の様にパッケージ21内に実装した後、各レンズ27、17、18を光軸調整後、樹脂によって固定した。レンズの有効開口径は2.0mm、NAは0.55のレンズを使用した。このとき、aは10mm、bは26mmにできた。
半導体レーザ23からの発振出力を350mWに調整し、260mWが導波路に結合できた。半導体レーザーの波長を温度によって可変させて位相整合する波長に調節した時に、最高142mWの第二高調波出力が得られた。その際の基本光の波長は919.7nmであった。出射した第二高調波のビーム径は1.9mm(1/e2)であり、M2値は1.21が得られた。
本発明の特定の実施形態を説明してきたけれども、本発明はこれら特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の範囲から離れることなく、種々の変更や改変を行いながら実施できる。
Claims (3)
- 固体レーザ発振体、
この固体レーザ発振体から発振されるレーザ光の波長を変換して高調波を発生する変調用光導波路、前記レーザ光の入射側端面、前記高調波の出射側端面、一方の側面および他方の側面を有する導波路型高調波発生素子、
前記固体レーザ発振体から発振される前記レーザ光を前記導波路型高調波発生素子の前記入射側端面へと集光する第一のレンズ系、および
前記導波路型高調波発生素子の前記出射側端面から出射した前記高調波を集光する第二のレンズ系を備えている高調波発生装置であって、
前記出射側端面が、前記一方の側面側に形成されている研磨面と、前記他方の側面側に形成されている光散乱面とを備えており、前記一方の側面と前記研磨面とのなす角θが鈍角であり、前記他方の側面と前記光散乱面のなす角αが鈍角または直角であることを特徴とする、高調波発生装置。 - 前記入射側端面が、前記他方の側面側に形成されている研磨面と、前記一方の側面側に形成されている光散乱面とを備えており、前記他方の側面と前記研磨面とのなす角θが鈍角であり、前記一方の側面と前記光散乱面のなす角αが鈍角または直角であることを特徴とする、請求項1記載の高調波発生装置。
- 前記変調用光導波路が、リッジ型光導波路であることを特徴とする、請求項1または2記載の高調波発生装置。
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