JP2010211839A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010211839A JP2010211839A JP2009053720A JP2009053720A JP2010211839A JP 2010211839 A JP2010211839 A JP 2010211839A JP 2009053720 A JP2009053720 A JP 2009053720A JP 2009053720 A JP2009053720 A JP 2009053720A JP 2010211839 A JP2010211839 A JP 2010211839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse element
- data
- circuit
- wiring
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Abstract
【解決手段】各チップで同様なデータの設定が必要な場合、単位記憶回路内のヒューズ素子21を電気的にプログラムするのではなく、量産段階において、記憶させるデータに基づいて、配線形成用のマスク層の変更により、ヒューズ素子21を短絡する配線27もしくはヒューズ素子21からデータを読み出す際の信号読み出し経路を遮断する配線28を選択的に形成している。
【選択図】 図5
Description
図5(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置を示し、図1に示すROM領域12に設けられる単位記憶回路の一構成例を示す回路図である。この単位記憶回路は、図3(a)に示す単位記憶回路と同様に、電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子として、電流を流すことにより溶断されるポリシリコンヒューズ素子を用いた例である。この単位記憶回路は、図3(a)に示すものと同様に、ヒューズ素子21、NMOSトランジスタ22、センス回路(SA)23、PMOSトランジスタ24、NMOSトランジスタ25、及びNMOSトランジスタ26を有する。
図6(a)、(b)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置を示し、図1に示すROM領域12に設けられる単位記憶回路の一構成例を示す回路図である。この単位記憶回路は、図4(a)に示す単位記憶回路と同様に、電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子として、ゲート酸化膜が破壊されるゲート酸化膜破壊型ヒューズ素子を用いた例である。この単位記憶回路は、図4(a)に示すものと同様に、ヒューズ素子31、NMOSトランジスタ32、34、及びセンス回路(SA)33を有する。
図7(a)、(b)は、本発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置を示し、図1に示すROM領域12に設けられる単位記憶回路の一構成例を示す回路図である。この単位記憶回路は、図3(a)に示す単位記憶回路に対して、センス回路23の出力をラッチするラッチ回路41を付加したものである。ラッチ回路41は、2個の信号反転回路の入出力ノードを逆並列接続して構成されており、センス回路23の出力の出力反転機能を備えている。なお、図1に示すROM領域12に図7(a)、(b)に示される単位記憶回路を設ける場合、図1に示すフィールドプログラム可能領域11でもセンス回路23の出力をラッチするラッチ回路41が付加された単位記憶回路が用いられる。図7(a)、(b)に示される単位記憶回路は、図3に示すものと同様に、電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子として、電流を流すことにより溶断されるポリシリコンヒューズ素子を用いた例である。
図8(a)、(b)は、本発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置を示し、図1に示すROM領域12に設けられる単位記憶回路の一構成例を示す回路図である。この単位記憶回路は、図4(a)に示す単位記憶回路に対して、センス回路33の出力をラッチするラッチ回路51を付加したものである。ラッチ回路51は、2個の信号反転回路の入出力ノードを逆並列接続して構成されており、センス回路33の出力の出力反転機能を備えている。なお、図1に示すROM領域12に図8(a)、(b)に示される単位記憶回路を設ける場合、図1に示すフィールドプログラム可能領域11でもセンス回路33の出力をラッチするラッチ回路51が付加された単位記憶回路が用いられる。図8(a)、(b)に示される単位記憶回路は、図4に示すものと同様に、電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子として、ゲート酸化膜が破壊されるゲート酸化膜破壊型ヒューズ素子を用いた例である。
Claims (5)
- 電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路と、
配線形成用のマスク層の変更により選択的に形成され、前記ヒューズ素子を短絡する第1の配線もしくは前記ヒューズ素子からデータを読み出す際の信号読み出し経路を遮断する第2の配線と
を具備したことを特徴とする半導体記憶装置。 - 電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路と、
前記センス回路の出力をラッチする出力反転機能を備えたラッチ回路と、
配線形成用のマスク層の変更により選択的に形成され、前記センス回路の出力を読み出しデータとして出力する第1の配線もしくは前記ラッチ回路の出力を読み出しデータとして出力する第2の配線と
を具備したことを特徴する半導体記憶装置。 - 電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路とを有する複数の第1の単位記憶回路が設けられた第1の記憶領域と、
電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路と、配線形成用のマスク層の変更により選択的に形成され、前記ヒューズ素子を短絡する第1の配線もしくは前記ヒューズ素子からデータを読み出す際の信号読み出し経路を遮断する第2の配線とを有する複数の第2の単位記憶回路が設けられた第2の記憶領域と
を具備したことを特徴とする半導体記憶装置。 - 電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路と、前記センス回路の出力をラッチする出力反転機能を備えたラッチ回路とを有する複数の第1の単位記憶回路が設けられた第1の記憶領域と、
電気的にデータがプログラムされるヒューズ素子と、前記ヒューズ素子のデータをセンスするセンス回路と、前記センス回路の出力をラッチする出力反転機能を備えたラッチ回路と、配線形成用のマスク層の変更により選択的に形成され、前記センス回路の出力を読み出しデータとして出力する第1の配線もしくは前記ラッチ回路の出力を読み出しデータとして出力する第2の配線とを有する複数の第2の単位記憶回路が設けられた第2の記憶領域と
を具備したことを特徴する半導体記憶装置。 - 前記ヒューズ素子が、電流を流すことにより溶断されるポリシリコンヒューズ素子、及び電流を流すことによりゲート酸化膜が破壊されるゲート酸化膜破壊型ヒューズ素子のいずれか一方であることを特徴する請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009053720A JP2010211839A (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 半導体記憶装置 |
US12/633,238 US20100226193A1 (en) | 2009-03-06 | 2009-12-08 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009053720A JP2010211839A (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010211839A true JP2010211839A (ja) | 2010-09-24 |
Family
ID=42678153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009053720A Pending JP2010211839A (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100226193A1 (ja) |
JP (1) | JP2010211839A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502133B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627958A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPH05308133A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法と制御方法 |
JP2003151294A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プログラム値判定回路、それを有する半導体集積回路装置、およびプログラム値判定方法 |
JP2008277809A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006172660A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4761980B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US7211356B2 (en) * | 2005-12-16 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of patterning a substrate by feeding mask defect data forward for subsequent correction |
JP4855851B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2008090895A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US20080211513A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-09-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Initiation of fuse sensing circuitry and storage of sensed fuse status information |
-
2009
- 2009-03-06 JP JP2009053720A patent/JP2010211839A/ja active Pending
- 2009-12-08 US US12/633,238 patent/US20100226193A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627958A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPH05308133A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法と制御方法 |
JP2003151294A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プログラム値判定回路、それを有する半導体集積回路装置、およびプログラム値判定方法 |
JP2008277809A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502133B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100226193A1 (en) | 2010-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI655578B (zh) | 具反熔絲型差動記憶胞之隨機碼產生器及相關感測方法 | |
JP4282529B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 | |
US7609577B2 (en) | Design structure for improving sensing margin of electrically programmable fuses | |
US10153288B2 (en) | Double metal layout for memory cells of a non-volatile memory | |
US20080316852A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
JP6008387B2 (ja) | 半導体デバイスの電気的にプログラミング可能なヒューズモジュール | |
US7978549B2 (en) | Fuse circuit and semiconductor memory device including the same | |
JP2006236511A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR101497456B1 (ko) | 전기퓨즈 회로를 갖는 보안 회로 및 보안 키 프로그램 방법 | |
US9959934B2 (en) | High-speed differential current sensing of preprogrammed NVM cells | |
JP2006294085A (ja) | 半導体装置 | |
TW200836323A (en) | Apparatus and method for trimming integrated circuit | |
JP2006012211A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2005116048A (ja) | アンチフューズプログラミング回路 | |
US7689950B2 (en) | Implementing Efuse sense amplifier testing without blowing the Efuse | |
JP2010211839A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9805815B1 (en) | Electrical fuse bit cell and mask set | |
US11101011B2 (en) | Circuit for generating bias current for reading OTP cell and control method thereof | |
JP2007273772A (ja) | 半導体装置 | |
US20090010085A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and redundancy method thereof | |
KR100464944B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 리던던시 회로의 퓨즈셋 | |
KR100528480B1 (ko) | 반도체장치의 전기적 퓨즈 회로 | |
KR102133356B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 동작방법 | |
KR101210285B1 (ko) | 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1t-sram의 리던던시 제어 회로 | |
JP2004259320A (ja) | オプションフューズ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110711 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120214 |