JP2010199187A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップを配線基板に搭載する際のアンダーフィル剤の塗布工程を省略する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板に設置される突起電極２と、半導体基板及び突起電極を覆うように形成される接着膜３と、を備え、接着膜は、突起電極の上部を露出する開口を有し、突起電極の上部は、接着膜の開口から突出している。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置の高集積化が要求されており、配線基板の配線の微細化や配線基板に実装される半導体チップの高集積化が行われている。配線基板の配線の微細化や半導体チップの高集積化に対応するため、半導体チップを配線基板に直接実装するフリップチップ実装が行われている。フリップチップ実装は、半導体チップ上の半導体素子が形成された面と配線基板の配線面とを対向させ、半導体チップに設けられた突起電極と配線基板に設けられた端子電極とを接合する方式である。フリップチップ実装においては、半導体チップと配線基板との間にアンダーフィル剤を塗布し、半導体チップと配線基板とを接着する方法が行われている。

特開２００６−１９３６６６号公報 特開２００６−２２９１１１号公報 特許４１３０６６８号公報 特開２００８−４７６９４号公報

従来方法では、配線基板に対して、半導体チップの搭載箇所毎にアンダーフィル剤を塗布する。そのため、アンダーフィル剤の塗布工程は、配線基板に搭載する半導体チップの数の分だけ行われる。従来方法では、配線基板に半導体チップを搭載する数が増加するにつれて、アンダーフィル剤の塗布工程の工数が増加するという課題がある。本件は、半導体チップを配線基板に搭載する際のアンダーフィル剤の塗布工程を省略する技術を提供する。

本件の一観点による半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設置される突起電極と、半導体基板及び突起電極を覆うように形成される接着膜と、を備え、接着膜は、突起電極の上部を露出する開口を有し、突起電極の上部は、接着膜の開口から突出している。

本件によれば、半導体チップを配線基板に搭載する際のアンダーフィル剤の塗布工程を省略することができる。

実施形態に係る半導体基板１の上面図及び部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の上面図及び部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の部分断面図である。 実施形態に係る半導体基板１の部分断面図である。 実施形態に係る半導体チップ８の断面図及び斜視図である。 実施形態に係る配線基板１０の断面図及び斜視図である。 実施形態に係る配線基板１０の断面図及び斜視図である。 実施形態に係る半導体チップ８及び配線基板１０の断面図及び斜視図である。 実施形態に係る半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。 実施形態に係る半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。 実施形態に係る半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。 変形例１に係る半導体基板１の部分断面図である。 変形例１に係る半導体基板１の部分断面図である。 変形例２に係る配線基板１０の断面図及び斜視図である。 変形例２に係る半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本件の半導体装置及びその製造方法は実施形態の構成に限定されない。

実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、図１に示すように、半導体基板１にバンプ２を形成する。図１の（Ａ）は、半導体基板１の上面図である。図１の（Ｂ）は、半導体基板１の部分断面図である。

半導体基板１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板である。半導体基板１に形成されているトランジスタ等の能動素子、抵抗素子・容量素子等の受動素子、並びにこれらの素子間を絶縁分離する絶縁領域、層間絶縁層、素子間相互配線層、外部との接続を行うための電極パッド等については、図示を省略している。能動素子、受動素子、絶縁領域、層間絶縁層、素子間相互配線層及び電極パッド等が形成された半導体基板１を半導体素子ともいう。

バンプ２は、半導体基板１に形成されている電極パッド上に形成される。バンプ２は、突起状に形成された電極であり、バンプ２の少なくとも上部は半球の形状になっている。例えば、バンプ２の上部が半球の形状であり、バンプ２の下部が円柱状の形状であってもよい。また、例えば、バンプ２の全体が球の形状であってもよい。実施形態では、バンプ２の少なくとも上部が半球の形状である例を示すが、これに限らず、バンプ２の上部を平面形状としてもよい。

実施形態では、バンプ２の材料としてＳｎ−５８Ｂｉ（融点約１３９℃）を使用する一例を示す。ただし、これに限らず、バンプ２の材料として、他の材料を使用してもよい。例えば、電解めっき法により半導体基板１に形成されている電極パッド上にめっきを形成する。そして、リフロー処理により半導体基板１に形成されている電極パッド上のめっきを突起形状とすることで、バンプ２を形成してもよい。また、例えば、はんだボールを半導体基板１に形成されている電極パッド上に形成することで、バンプ２を形成してもよい。これに限らず、種々の方法により、半導体基板１に形成されている電極パッド上にバンプ２を形成してもよい。実施形態では、バンプ２の高さを１３μｍ以上１８μｍ以下としている。ただし、バンプ２の高さの値は例示であり、バンプ２の高さを他の値にしてもよい。

次に、図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体基板１及びバンプ２を覆うように接着膜３を形成する。図２の（Ａ）は、接着膜３を形成した場合の半導体基板１の上面図である。図２の（Ｂ）は、接着膜３を形成した場合の半導体基板１の部分断面図である。この場合、バンプ２の上部を露出させた状態で接着膜３を半導体基板１上の全面に形成す
る。接着膜３を加熱して半導体基板１に圧着することにより、バンプ２の上部を露出させた状態で半導体基板１上の全面に接着膜３が形成される。

図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体基板１及びバンプ２を覆うように形成された接着膜３は、バンプ２の上部を露出する開口を有している。そして、図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、接着膜３に設けられている開口からは、バンプ２の上部が突出している。実施形態では、接着膜３の膜厚を約１５μｍとしている。ただし、接着膜３の膜厚は例示であり、接着膜３の膜厚を他の値にしてもよい。

接着膜３は、部材と部材とを接着させる接着性を有している。また、接着膜３は、加熱することで軟化し、外力に応じて変形が容易となり、冷却することで可逆的に硬化し、冷却時の形状を維持する性質を有している。接着膜３の温度が所定温度以上となる場合、接着膜３に対して外部から力を加えると接着膜３の形状が変形しやすくなる。すなわち、接着膜３の温度が所定温度以上となる場合、接着膜３は軟化するが、接着膜３の自重では変形せず、接着膜３の自重より大きな外力が接着膜３に加わると、接着膜３の形状が変形する程度に軟化する。接着膜３の温度が所定温度未満となる場合、接着膜３は可逆的に硬化し、接着膜３は外部から力を加えてもその形状を維持する。接着膜３として、例えば、ダイアタッチフィルムと称されるシート状の接着フィルムを用いてもよい。

接着膜３を加熱して半導体基板１に圧着する方法について説明する。図３及び図４に示すように、ローラー４で接着膜３に圧力を加えることにより、接着膜３を半導体基板１に接着させる。図３及び図４は、半導体基板１に接着膜３を圧着させる場合の半導体基板１の部分断面図である。

ローラー４は、回転することで水平方向に移動する回転体である。また、ローラー４の表面部は弾力性を有しており、ローラー４と接触する対象物の形状により、ローラー４の表面部の形状は変形する。この場合、ローラー４の表面部に弾力性を有する材料を使用してもよいし、弾力性を有する材料をローラー４として使用してもよい。図３及び図４では、ローラー４は、反時計回りに回転することで左方向に移動する。ただし、ローラー４を時計回りに回転させることで、ローラー４を右方向に移動させてもよい。

半導体基板１と接する接着膜３の反対面にはセパレータ５が貼付されている。セパレータ５は、接着膜３とローラー４とが接着しないようにするために、半導体基板１と接する接着膜３の反対面に貼付されている。セパレータ５は弾力性を有しており、セパレータ５と接触する対象物の形状により、セパレータ５の形状は変形する。

本実施形態では、ローラー４の表面部が弾力性を有する例を示すが、セパレータ５の表面部が弾力性を有しないようにしてもよい。この場合、ローラー４からのセパレータ５に対する加圧によりバンプ２が押しつぶされないように、セパレータ５の厚さを大きくしてもよい。

接着膜３を半導体基板１に圧着させる場合、半導体基板１を載置する台及びローラー４を加熱しておく。ただし、図１から図４では、半導体基板１を載置する台の図示は省略している。例えば、接着膜３の温度が１２０℃以上で、外部からの圧力に対して接着膜３の形状が容易に変形する場合、接着膜３の温度が１２０℃以上になるように半導体基板１を載置する台及びローラー４を加熱しておく。バンプ２の材料としてＳｎ−５８Ｂｉを使用する場合、接着膜３の温度が１２０℃以上１３８℃以下となるように、半導体基板１を載置する台及びローラー４の加熱温度を制御することにより、バンプ２が溶融しないようにする。

半導体基板１を載置する台及びローラー４の一方を加熱しておいてもよい。例えば、接着膜３の温度が１２０℃以上で、外部からの圧力に対して接着膜３の形状が容易に変形する場合、接着膜３の温度が１２０℃以上になるように半導体基板１を載置する台及びローラー４の一方を加熱しておいてもよい。上記と同様に、バンプ２の材料としてＳｎ−５８Ｂｉを使用する場合、接着膜３の温度が１２０℃以上１３８℃以下となるように、半導体基板１を載置する台及びローラー４の一方の加熱温度を制御することにより、バンプ２が溶融しないようにする。

また、図示しない加熱炉に半導体基板１を搬送してもよい。例えば、接着膜３の温度が１２０℃以上で、外部からの圧力に対して接着膜３の形状が容易に変形する場合、接着膜３の温度が１２０℃以上となるように加熱炉内の温度を調整しながら、ローラー４で接着膜３に圧力を加えるようにしてもよい。上記と同様に、バンプ２の材料としてＳｎ−５８Ｂｉを使用する場合、接着膜３の温度を１２０℃以上１３８℃以下となるように、加熱炉内の温度を制御することにより、バンプ２が溶融しないようにする。

図３に示すように、半導体基板１におけるバンプ２が形成されていない箇所の上方にローラー４が位置する場合、接着膜３及びセパレータ５にローラー４から圧力が加わり、接着膜３が半導体基板１に接着する。

図４に示すように、半導体基板１におけるバンプ２が形成されている箇所の上方にローラー４が位置する場合、接着膜３及びセパレータ５にローラー４から圧力が加わる。セパレータ５の形状がバンプ２の上部の形状に沿って変形するとともに、ローラー４の表面の一部の形状が変形する。セパレータ５の形状がバンプ２の上部の形状に沿って変形した状態でセパレータ５にローラー４の圧力が加わることにより、バンプ２とセパレータ５との間に存在する接着膜３はバンプ２の形状に沿って押し広げられ、バンプ２の上部が接着膜３から露出する。バンプ２の少なくとも上部が半球の形状である場合、バンプ２とセパレータ５との間に存在する接着膜３はバンプ２の形状に沿って広がり易い。また、バンプ２は溶融していないため、バンプ２の形状は変形しない。したがって、バンプ２とセパレータ５との間に存在する接着膜３がバンプ２の形状に沿って押し広げられることにより、バンプ２の上部は接着膜３の開口から突出した状態となる。

バンプ２の上部が接着膜３から露出し、バンプ２の上部が接着膜３の開口から突出するように、ローラー４の速度を決定し、接着膜３及びセパレータ５に対するローラー４の圧力を決定する。例えば、半導体基板１にバンプ２が密集して形成されている場合には、半導体基板１にバンプ２が密集して形成されていない場合と比較して、ローラー４の速度を遅くしてもよい。また、例えば、半導体基板１にバンプ２が散開して形成されている場合には、半導体基板１にバンプ２が散開して形成されていない場合と比較して、ローラー４の速度を速くしてもよい。

例えば、半導体基板１にバンプ２が密集して形成されている場合には、半導体基板１にバンプ２が密集して形成されていない場合と比較して、接着膜３及びセパレータ５に対するローラー４の圧力を大きくしてもよい。また、例えば、半導体基板１にバンプ２が散開して形成されている場合には、半導体基板１にバンプ２が散開して形成されていない場合と比較して、接着膜３及びセパレータ５に対するローラー４の圧力を小さくしてもよい。

図５に示すように、接着膜３を半導体基板１の全面に接着することにより、半導体基板１の全面にセパレータ５が貼付されている接着膜３が形成される。図５は、半導体基板１の全面にセパレータ５が貼付されている接着膜３を形成した場合の半導体基板１の部分断面図である。

半導体基板１の全面にセパレータ５が貼付されている接着膜３が形成された後、接着膜３の温度が室温程度となるまで、半導体基板１を冷却又は放冷する。半導体基板１を冷却又は放冷し、接着膜３の温度が所定温度未満になると、接着膜３は軟化状態から硬化状態に遷移する。例えば、接着膜３の温度が１２０℃以上で、外部からの圧力に対して接着膜３の形状が容易に変形する場合、接着膜３の温度が１２０℃未満になると、接着膜３は軟化状態から硬化状態に遷移する。

そして、接着膜３に貼付されているセパレータ５を引き剥がす。セパレータ５は、接着膜３から引き剥がし容易な材料で作られている。半導体基板１と接着膜３とを接着させた場合、半導体基板１と接着膜３との接着力は接着膜３とセパレータ５との接着力より強いため、接着膜３からセパレータ５を引き剥がすことは容易である。接着膜３に貼付されているセパレータ５を引き剥がす工程は、接着膜３の温度を室温程度にした状態で行う。接着膜３の温度が室温程度の場合、接着膜３は硬化状態にあり、接着膜３に貼付されているセパレータ５を引き剥がしても、接着膜３は変形しない。

バンプ２の上部を露出させた状態で接着膜３を半導体基板１上の全面に形成した後、図６に示すように、半導体基板１の背面にダイシングテープ６を貼り付ける。図６は、半導体基板１の背面にダイシングテープ６を貼り付けた場合の半導体基板１の部分断面図である。ダイシングテープ６は、ダイシング工程において、半導体基板１を固定するためのテープである。

次に、ダイシングブレード７を用いて、半導体基板１に対してダイシングを行う。ダイシングブレード７は、円盤状の薄型砥石である。図７に示すように、ダイシングブレード７を回転させることにより半導体基板１及び接着膜３に所定のサイズの切り込みを入れ、半導体基板１を個々の半導体チップ（半導体素子）８に分離する。図７は、半導体基板１を個々の半導体チップ８に分離した場合の半導体基板１の部分断面図である。

半導体基板１を個々の半導体チップ８に分離する工程は、接着膜３の温度を室温程度にした状態で行う。接着膜３の温度が室温程度の場合、接着膜３は硬化状態にあり、接着膜３に切り込みを入れても、接着膜３は変形しない。

そして、図８に示すように、ダイシングテープ６から半導体チップ８を個別に取り外す。図８の（Ａ）は、半導体チップ８の断面図である。図８の（Ｂ）は、半導体チップ８の斜視図である。半導体チップ８は、チップトレイ等に収納してもよい。

次に、半導体チップ８を配線基板１０に実装する方法について説明する。まず、図９に示すように、配線基板１０を用意する。図９の（Ａ）は、配線基板１０の断面図である。図９の（Ｂ）は、配線基板１０の斜視図である。

配線基板１０にはバンプ１１が形成されている。バンプ１１は、配線基板１０に形成されている電極パッド上に形成される。バンプ１１は、配線基板１０と半導体チップ８とを電気的に接続するための突起状に形成された電極である。第１実施形態では、バンプ１１の材料としてＳｎ−５８Ｂｉを使用する一例を示す。ただし、これに限らず、バンプ１１の材料として、他の材料を使用してもよい。配線基板１０に形成されているバンプ１１の材料は、半導体チップ８に形成されているバンプ２の材料と同じにすることが好ましい。ただし、バンプ１１の材料の融点が、バンプ２の材料の融点と同じ程度であれば、バンプ２とバンプ１１とで異なる材料を使用してもよい。

例えば、電解めっき法により配線基板１０に形成されている電極パッド上にめっきを形成する。そして、リフロー処理により配線基板１０に形成されている電極パッド上のめっ
きを突起形状とすることで、バンプ１１を形成してもよい。また、例えば、はんだボールを配線基板１０に形成されている電極パッド上に形成することで、バンプ１１を形成してもよい。これに限らず、種々の方法により、配線基板１０に形成されている電極パッド上にバンプ１１を形成してもよい。

次に、図１０に示すように、配線基板１０のチップ搭載箇所にフラックス１２を塗布する。図１０の（Ａ）は、配線基板１０の断面図である。図１０の（Ｂ）は、配線基板１０の斜視図である。フラックス１２は、はんだ付けをし易くするために用いられる有機系溶剤である。例えば、ディスペンサー１３からフラックス１２を射出することにより、配線基板１０のチップ搭載箇所にフラックス１２を塗布してもよい。

そして、図１１に示すように、半導体チップ８と配線基板１０とを対向させて、半導体チップ８を配線基板１０に搭載する。すなわち、バンプ２が形成されている半導体チップ８の面とバンプ１１が形成されている配線基板１０の面とが互いに向かい合うようにして、半導体チップ８を配線基板１０に搭載する。図１１の（Ａ）は、半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。図１１の（Ｂ）は、半導体チップ８及び配線基板１０の斜視図である。この場合、接合対象となるバンプ２とバンプ１１とを位置合わせして、半導体チップ８を配線基板１０に搭載する。

次に、図示しない加熱炉に半導体チップ８及び配線基板１０を搬送する。そして、加熱炉内の温度を約１７０℃にすることにより、半導体チップ８に形成されているバンプ２及び配線基板１０に形成されているバンプ１１を加熱する。これにより、半導体チップ８に形成されているバンプ２及び配線基板１０に形成されているバンプ１１が溶融し、半導体チップ８に形成されているバンプ２と配線基板１０に形成されているバンプ１１とが接合する。この場合、接着膜３には外部からの圧力が加わっていないため、接着膜３は変形していない。

バンプ２及びバンプ１１の材料としてＳｎ−５８Ｂｉを使用する場合には、加熱炉内の温度を約１７０℃とするのが好ましい。しかし、バンプ２及びバンプ１１の材料として他のはんだを使用する場合には、バンプ２及びバンプ１１の材料に応じて、加熱炉内の温度を変更してもよい。

半導体チップ８に形成されているバンプ２と配線基板１０に形成されているバンプ１１とを接合することにより、半導体チップ８と配線基板１０とを電気的に接続するバンプ１４が形成される。したがって、半導体チップ８に形成されているバンプ２は、半導体チップ８と配線基板１０とを電気的に接続するための電極として機能する。また、配線基板１０に形成されているバンプ１１は、半導体チップ８と配線基板１０とを電気的に接続するための電極として機能する。図１２は、半導体チップ８に形成されているバンプ２と配線基板１０に形成されているバンプ１１とを接合した場合における半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。

次に、加熱炉から半導体チップ８及び配線基板１０を取り出し、フラックス洗浄剤により、配線基板１０上に塗布されているフラックス１２を洗浄する。図１３は、配線基板１０上に塗布されているフラックス１２を洗浄した場合における半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。

そして、図示しない加熱炉に半導体チップ８及び配線基板１０を搬送する。次に、加熱炉内の温度を約１８０℃にすることにより、接着膜３及びバンプ１４を加熱する。そして、接着膜３及びバンプ１４を加熱した状態で、半導体チップ８の背面方向から半導体チップ８に対して圧力を加えることにより、接着膜３を配線基板１０に接着させる。図１４は
、接着膜３を配線基板１０に圧着させた場合の半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。半導体チップ８に対する加圧は、図示しないスプリングにより行ってもよい。

接着膜３を加熱することで、接着膜３の形状は外部からの圧力に対して容易に変形する。半導体チップ８に対して圧力を加えることにより、接着膜３の形状が変形した状態で接着膜３は配線基板１０に接着する。バンプ１４を加熱することでバンプ１４は溶融するとともに、半導体チップ８に対して圧力を加えることでバンプ１４は変形し、バンプ１４は半導体チップ８及び配線基板１０に対する密着面積が大きくなる。なお、実施形態において、半導体装置は半導体チップ８及び半導体チップ８を搭載した配線基板１０を含む。

半導体チップ８と配線基板１０との間に存在する接着膜３は、バンプ１４を補強する役割を果たす。すなわち、バンプ１４に対する応力によるダメージを抑制する。また、半導体チップ８と配線基板１０との間に存在する接着膜３は、半導体チップ８及び配線基板１０を大気中の水分から保護する役割を果たす。半導体チップ８を配線基板１０に搭載する前に半導体基板１に接着膜３を形成することにより、半導体チップ８を配線基板１０に搭載した後のアンダーフィル材の塗布工程を省略することができる。

半導体チップ８を配線基板１０に搭載した後にアンダーフィル材を塗布する場合、アンダーフィル材を塗布する回数は、配線基板１０に半導体チップ８を搭載する数に応じて増加する。すなわち、複数の半導体チップ８を配線基板１０に搭載する場合、アンダーフィル材の塗布は複数回となり、複数の半導体チップ８を配線基板１０に搭載する場合に発生する全体的な工数が増加する。本実施形態によれば、配線基板１０に複数の半導体チップ８を搭載する場合であっても、１つの半導体基板１に対して接着膜３を形成する回数は１回でよい。したがって、本実施形態によれば、複数の半導体チップ８を配線基板１０に搭載する場合に発生する全体的な工数の増加を抑えることができる。

〈変形例１〉
上記実施形態では、セパレータ５が貼付されている接着膜３を半導体基板１の全面に形成する例を説明した。本変形例１では、セパレータ５が貼付されていない接着膜３を半導体基板１の全面に形成する例を説明する。

本変形例１では、セパレータ５が貼付されていない接着膜３を半導体基板１の全面に形成する。本変形例１では、ローラー４の材料として、接着膜３との接着力が弱い材料を使用する。また、本変形例１では、接着膜３との接着力が弱い材料をローラー４の表面にコーティングしてもよい。他の構成については、上記実施形態と同様であり、その説明を省略する。

本変形例１では、図１５及び図１６に示すように、ローラー４でセパレータ５が貼付されていない接着膜３に圧力を加えることにより、接着膜３を半導体基板１に接着させる。図１５及び図１６は、半導体基板１に接着膜３を圧着させる場合の半導体基板１の部分断面図である。

図１５に示すように、半導体基板１におけるバンプ２が形成されていない箇所の上方にローラー４が位置する場合、接着膜３にローラー４から圧力が加わり、接着膜３が半導体基板１に接着する。

図１６に示すように、半導体基板１におけるバンプ２が形成されている箇所にローラー４が位置する場合、接着膜３にローラー４から圧力が加わる。この場合、バンプ２の上部の形状に沿ってローラー４の表面の一部の形状が変形する。ローラー４の表面の一部が変形した状態で接着膜３にローラーの圧力が加わると、バンプ２の上部とローラー４との間
に位置する接着膜３は左右方向に押し広げられ、バンプ２の上部が接着膜３から露出する。この場合、バンプ２は溶融していないため、バンプ２の形状は変形しない。したがって、バンプ２の上部は接着膜３の開口から突出した状態となる。

本変形例１によれば、セパレータ５が貼付されていない接着膜３を半導体基板１の全面に形成することにより、接着膜３からセパレータ５を引き剥がす工程を省略することができる。

〈変形例２〉
上記実施形態では、配線基板１０に形成されている電極パッド上にバンプ１１を形成する例を説明した。本変形例２では、配線基板１０に形成されている電極パッド上にバンプ１１を形成しない例を説明する。

本変形例２では、配線基板１０に形成されている電極パッド上にバンプ１１を形成せずに、配線基板１０に形成されている電極パッド上にニッケルめっき及び金めっきを順番に形成する。すなわち、配線基板１０に形成されている電極パッド上にニッケルめっき及び金めっきを順番に形成することにより、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、配線基板１０上に電極パッド１５を形成する。電極パッド１５の上面は平面形状となっている。

図１７の（Ａ）は、配線基板１０上に電極パッド１５を形成した場合の配線基板１０の断面図である。図１７の（Ｂ）は、配線基板１０上に電極パッド１５を形成した場合の配線基板１０の斜視図である。図１７の（Ａ）及び（Ｂ）では、電極パッド１５の上面の形状が四角形である例を示すが、これに限らず、電極パッド１５の上面の形状は六角形や八角形等の多角形又は円であってもよい。

本変形例２では、上記実施形態と同様に、半導体チップ８と配線基板１０とを対向させて、半導体チップ８を配線基板１０に搭載し、図１８に示すように、半導体チップ８のバンプ２を配線基板１０の電極パッド１５に接合させる。本変形例２では、上記実施形態と同様に、接着膜３及びバンプ２を加熱した状態で、半導体チップ８の背面方向から半導体チップ８に対して圧力を加えることにより、接着膜３を配線基板１０に接着させることが可能である。図１８は、接着膜３を配線基板１０に圧着させた場合の半導体チップ８及び配線基板１０の断面図である。

接着膜３が有する開口からバンプ２の上部が突出しているため、本変形例２のように電極パッド１５の上面が平面形状となっている場合でも、半導体チップ８のバンプ２を配線基板１０の電極パッド１５に容易に接合することができる。

１ 半導体基板
２、１１、１４ バンプ
３ 接着膜
４ ローラー
５ セパレータ
６ ダイシングテープ
７ ダイシングブレード
８ 半導体チップ
１０ 配線基板
１２ フラックス
１３ ディスペンサー
１５ 電極パッド

Claims (5)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板に設置される突起電極と、
   前記半導体基板及び前記突起電極を覆うように形成される接着膜と、
   を備え、
   前記接着膜は、前記突起電極の上部を露出する開口を有し、
   前記突起電極の上部は、前記接着膜の開口から突出している
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記接着膜は、加熱することで軟化し外力により変形容易であり、冷却することで硬化し冷却時の形状を維持することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 半導体基板上に突起電極を形成する工程と、
   前記半導体基板上に接着膜を形成する工程と、
   を備え、
   前記半導体基板上に前記接着膜を形成する工程では、前記接着膜を加熱した状態で前記接着膜に対して圧力を加えることにより前記接着膜を半導体基板に接着するとともに、前記突起電極の上部を前記接着膜から露出させる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体基板上に形成された前記接着膜を配線基板に接着する工程を更に備え、
   前記接着膜を前記配線基板に接着する工程では、前記接着膜を加熱した状態で前記接着膜に対して圧力を加えることにより前記接着膜を前記配線基板に接着する
   ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記接着膜は、加熱することで軟化し外力により変形容易であり、冷却することで硬化し冷却時の形状を維持する
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。

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