JP2010197751A - バイアス点調整機能を有する光変調器及びスイッチ - Google Patents
バイアス点調整機能を有する光変調器及びスイッチ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明は,基本的には,メインマッハツェンダー(MZ)型導波路(8)の分岐部(5)及び合波部(6)に方向性結合器を用いる光変調器に関する。メインMZ導波路の入出力部に方向性結合器を用いることで,サブMZ電極に印加する電圧を変化させると,方向性結合器の位相シフトにより,各出力ポートの光強度が最小値となるバイアス電圧がずれる。これを利用することで,主電極の電圧を制御しなくても安定なバイアス状態を得ることができる。
【選択図】図1
Description
2 第1のサブマッハツェンダー導波路
3 第2のサブマッハツェンダー導波路
4 入力部
4a,4b 導波路
5 分岐部
6 合波部
7 出力部
7a,7b 導波路
8 メインマッハツェンダー導波路
9 第1の電極
10 第2の電極
11 メインマッハツェンダー電極
12 信号源
21a,21b 光強度測定装置
22 制御装置
Claims (8)
- 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(2)と;
第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(3)と;
光信号の入力部(4)と,前記光信号が前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)とへ分岐する分岐部(5)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と,前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)から出力される光信号が合波される合波部(6)と,前記合波部で合波された光信号が出力される光信号の出力部(7)とを含むメインマッハツェンダー導波路(MZC)(8)と;
前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)に電圧を印加するための第1の電極(9)と;
前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)に電圧を印加するための第2の電極(10)と;
前記メインマッハツェンダー導波路(MZC)に電圧を印加して,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)からの出力信号と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)からの出力信号との位相差を制御する為のメインマッハツェンダー電極(11)と;
を含む光変調器であって,
前記光信号部(4)は,
前記分岐部(5)と光学的に接続された2つの導波路(4a,4b)を含み,
前記出力部(7)は,
前記合波部(6)と光学的に接続された2つの導波路(7a,7b)を含み,
前記分岐部(5)及び前記合波部(6)は,ともに方向性結合器を含む,
光変調器。
- さらに,前記第1の電極(9),前記第2の電極(10)及び前記メインマッハツェンダー電極(11)に電圧を供給する信号源(12)を有し,
前記信号源(12)は,前記2つのサブマッハツェンダー導波路(2,3)のバイアス点をヌル点に維持しつつ,前記光変調器を駆動する,
請求項1に記載の光変調器。
- さらに,2つの光強度測定装置(21a,21b),及び制御装置(22)を有し,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)は,それぞれ前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)と接続され,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ情報を伝えることができるように接続されるとともに,前記2つの光強度測定装置(21a,21b)と情報を受け取ることができるように接続され,
前記制御装置(22)は,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)から,前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)から出力された光の強度に関する情報を受け取り,
前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)からの出力強度がともに最小値となる様に前記第1の電極(9)及び前記第2の電極(10)に印加する電圧を求め,
前記第1の電極(9)及び前記第2の電極(10)のいずれか又は両方に印加する電圧を変化させる指令を前記信号源(12)へ伝える,
請求項2に記載の光変調器。
- さらに,2つの光強度測定装置(21a,21b),制御装置(22),第1の周波数分離装置(31),第2の周波数分離装置(32),前記第1の電極(9)に印加する第1の三角波va(t)を求める装置(33),及び前記第2の電極(10)に印加する第2の三角波vb(t)を求める装置(34)を含み,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)は,それぞれ前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)と接続され,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ情報を伝えることができるように接続されるとともに,前記2つの光強度測定装置(21a,21b)と情報を受け取ることができるように接続され,
前記制御装置(22)は,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)から,前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)から出力された光の強度に関する情報を受け取り,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)を,第1の光強度測定装置(21a)及び第2の光強度測定装置(21b)とすると,
前記第1の周波数分離装置(31)は,前記第1の光強度測定装置(21a)と接続され,
前記第2の周波数分離装置(32)は,前記第2の光強度測定装置(21b)と接続され,
前記va(t)をVa+va’(t)とし,前記vb(t)をVb+vb’(t)とすると,
前記va(t)を求める装置(33)は,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分を受け取り,va(t)を求め,前記制御装置(22)へ出力し,
前記vb(t)を求める装置(34)は,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分を受け取り,vb(t)を求め,前記制御装置(22)へ出力し,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ
前記第1の電極(9)に印加する前記第1の三角波va(t),及び前記第2の電極(10)に印加する前記第2の三角波vb(t)に関する情報を伝える,
請求項2に記載の光変調器。
- QPSK信号,FSK信号,QAM信号,又はSSB信号を出力する請求項3又は請求項4に記載の光変調器。
- 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(2)と;
第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(3)と;
光信号の入力部(4)と,前記光信号が前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)とへ分岐する分岐部(5)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と,前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)から出力される光信号が合波される合波部(6)と,前記合波部で合波された光信号が出力される光信号の出力部(7)とを含むメインマッハツェンダー導波路(MZC)(8)と;
前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)に電圧を印加するための第1の電極(9)と;
前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)に電圧を印加するための第2の電極(10)と;
前記メインマッハツェンダー導波路(MZC)に電圧を印加して,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)からの出力信号と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)からの出力信号との位相差を制御する為のメインマッハツェンダー電極(11)と;
前記第1の電極(9),前記第2の電極(10)及び前記メインマッハツェンダー電極(11)に電圧を供給する信号源(12)と;
を含む光変調器を用いた光変調方法であって,
前記光信号部(4)は,
前記分岐部(5)と光学的に接続された2つの導波路(4a,4b)を含み,
前記出力部(7)は,
前記合波部(6)と光学的に接続された2つの導波路(7a,7b)を含み,
前記分岐部(5)及び前記合波部(6)は,ともに方向性結合器を含み,
前記光変調器は,さらに2つの光強度測定装置(21a,21b),及び制御装置(22)を有し,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)は,それぞれ前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)と接続され,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ情報を伝えることができるように接続されるとともに,前記2つの光強度測定装置(21a,21b)と情報を受け取ることができるように接続され,
前記制御装置(22)が,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)から,前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)から出力された光の強度に関する情報を受け取る工程と,
前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)からの出力強度がともに最小値となる様に前記第1の電極(9)及び前記第2の電極(10)に印加する電圧を求める工程と,
前記第1の電極(9)及び前記第2の電極(10)のいずれか又は両方に印加する電圧を変化させる指令を前記信号源(12)へ伝える工程と,
を含み,
これにより,前記2つのサブマッハツェンダー導波路(2,3)のバイアス点をヌル点に維持しつつ,前記光変調器を駆動する,方法。
- 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(2)と;
第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(3)と;
光信号の入力部(4)と,前記光信号が前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)とへ分岐する分岐部(5)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と,前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)から出力される光信号が合波される合波部(6)と,前記合波部で合波された光信号が出力される光信号の出力部(7)とを含むメインマッハツェンダー導波路(MZC)(8)と;
前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)に電圧を印加するための第1の電極(9)と;
前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)に電圧を印加するための第2の電極(10)と;
前記メインマッハツェンダー導波路(MZC)に電圧を印加して,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)からの出力信号と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)からの出力信号との位相差を制御する為のメインマッハツェンダー電極(11)と;
前記第1の電極(9),前記第2の電極(10)及び前記メインマッハツェンダー電極(11)に電圧を供給する信号源(12)と;
を含む光変調器を用いた光変調方法であって,
前記光変調器は,さらに,2つの光強度測定装置(21a,21b),制御装置(22),第1の周波数分離装置(31),第2の周波数分離装置(32),前記第1の電極(9)に印加する第1の三角波va(t)を求める装置(33),及び前記第2の電極(10)に印加する第2の三角波vb(t)を求める装置(34)を含み,
前記光信号部(4)は,
前記分岐部(5)と光学的に接続された2つの導波路(4a,4b)を含み,
前記出力部(7)は,
前記合波部(6)と光学的に接続された2つの導波路(7a,7b)を含み,
前記分岐部(5)及び前記合波部(6)は,ともに方向性結合器を含み,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)は,それぞれ前記出力部(7)の2つの導波路(7a,7b)と接続され,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ情報を伝えることができるように接続されるとともに,前記2つの光強度測定装置(21a,21b)と情報を受け取ることができるように接続され,
前記2つの光強度測定装置(21a,21b)を,第1の光強度測定装置(21a)及び第2の光強度測定装置(21b)とすると,
前記第1の周波数分離装置(31)は,前記第1の光強度測定装置(21a)と接続され,
前記第2の周波数分離装置(32)は,前記第2の光強度測定装置(21b)と接続され,
前記va(t)をVa+va’(t)とし,前記vb(t)をVb+vb’(t)とすると,
前記va(t)を求める装置(33)が,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分を受け取る工程と,
vbを横軸とし,vb’(t)に起因した光強度変化の成分を縦軸としたグラフにおいて,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したvb’(t)に起因した光強度変化の成分がともに最小となるように,バイアス電圧を制御することで,Vaを求める工程と,
求めたVaを用いて,va(t)を求める工程と,
求めたva(t)を前記制御装置(22)へ出力する工程と,
前記vb(t)を求める装置(34)が,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分を受け取る工程と,
vaを横軸とし,va’(t)に起因した光強度変化の成分を縦軸としたグラフにおいて,前記第1の周波数分離装置(31)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分及び前記第2の周波数分離装置(32)が分離したva’(t)に起因した光強度変化の成分がともに最小となるように,バイアス電圧を制御することで,Vbを求める工程と,
求めたVbを用いて,vb(t)を求める工程と,
求めたvb(t)を前記制御装置(22)へ出力する工程と,
前記制御装置(22)は,前記信号源(12)へ
前記第1の電極(9)に印加する前記第1の三角波va(t),及び前記第2の電極(10)に印加する前記第2の三角波vb(t)に関する情報を伝える工程と,
を含む,光変調方法。
- QPSK信号,FSK信号,QAM信号,又はSSB信号を出力する請求項7又は8に記載の方法。
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