JP2016099610A - 光通信装置及び光変調器の制御方法 - Google Patents
光通信装置及び光変調器の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016099610A JP2016099610A JP2014239142A JP2014239142A JP2016099610A JP 2016099610 A JP2016099610 A JP 2016099610A JP 2014239142 A JP2014239142 A JP 2014239142A JP 2014239142 A JP2014239142 A JP 2014239142A JP 2016099610 A JP2016099610 A JP 2016099610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical waveguide
- substrate bias
- bias voltage
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2257—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure the optical waveguides being made of semiconducting material
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/505—Laser transmitters using external modulation
- H04B10/5057—Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output
- H04B10/50575—Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output to control the modulator DC bias
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/212—Mach-Zehnder type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
【課題】マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間で変調特性がばらつく場合や、変調特性に異なる経時変化が生じる場合でも最適な変調条件を実現する。【解決手段】 光通信装置は、一対のマッハツェンダ光変調器と、前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換した電圧成分をモニタする電圧モニタ回路と、前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換して二乗検波した電力成分をモニタする電力モニタ回路と、前記電力モニタ回路の出力に基づいて前記合波出力光の交流成分が最小になるように各前記マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路のうちの一方光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第1制御回路と、前記電圧モニタ回路の出力に基づいて前記合波出力光の強度が最大になるように前記2つの光導波路の他方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第2制御回路とを有する。【選択図】図1
Description
本発明は、光通信装置と光変調器の制御技術に関する。
近年、デジタルコヒーレント技術を用いた偏波多重4値位相変調(DP−QPSK:Dual Polarization Quadrature Phase-Shift Keying)方式により、100Gb/sの長距離光伝送が実現されている。さらなる大容量化を実現するために、偏波多重16QAM(Quadrature Amplitude Modulation)等の、より多値の変調方式の開発が進められている。また、光送受信器の小型化への要望も高まっている。現在は、光変調器としてニオブ酸リチウム(LiNbO3)マッハツェンダ(Mach-Zehnder)光変調器が一般的に使用されているが、小型化のためには半導体マッハツェンダ光変調器によるDP−QPSKやDP−16QAM等の実現が望まれる。
半導体光変調器には、変調器に入力される光の波長に応じて変調特性(印加電圧に対する位相回転量、すなわち電圧対位相特性)が変動してしまうという固有の問題がある。半導体光変調器は印加電圧によって半導体の吸収端波長が変化し、Kramers-Kronigの関係により吸収に伴う位相変化を利用して光波位相を変調している。したがって、変調を受ける光波長が吸収端波長に近いほど電圧変化に対する位相変化が大きくなるという波長依存性を持つ。
一方で、半導体変調器は、基板バイアス電圧を変化させることで吸収端波長が変化するため、変調特性を変えることができる。ここで、変調位置、すなわち光変調器を駆動する高速駆動電気信号の中心直流電位を決めるバイアス電圧を「基板バイアス」と称し、他のバイアスと区別する。他のバイアスとして、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間の光波位相差を制御する位相バイアスや、直交位相変調を行う際に2つのマッハツェンダ光変調器間の位相差をπ/2に制御するπ/2シフトバイアスがある。
半導体光変調器における変調特性の波長依存性の課題に対して、光入力波長に応じて基板バイアスまたは変調器駆動振幅を調整・制御する方法が知られている。第1の技術は、用いる光波長に応じて、基板バイアスをあらかじめ決められた電圧に設定する。これにより、光波長が変化しても同じ駆動振幅で変調器を駆動することができる(たとえば、特許文献1参照)。
第2の技術は、基板バイアスまたは変調器駆動振幅をフィードバック制御する方法である。駆動データ信号に低周波信号を重畳して光信号出力をモニタし、モニタ結果に応じて基板バイアスと変調器駆動振幅の少なくとも一方を制御する(たとえば、特許文献2参照)。
半導体マッハツェンダ光変調器では、2つの光導波路の間で電圧対位相特性(変調特性)や波長特性がばらついたり、電圧対位相特性に異なる経時変化が生じる場合がある。また、光変調器の各光導波路を駆動する駆動回路(駆動振幅)の間にばらつきが生じることもある。電気光学効果を利用して位相変調を行うLiNbO3マッハツェンダ光変調器でも、屈折率の変動や駆動振幅やバイアス電圧の経時変化等により2つの光導波路間で変調効率がばらつく可能性がある。
従来の第1の技術と第2の技術では、2つの光導波路を同一振幅の駆動波形で駆動し、かつ2つの光導波路に同じ基板バイアス電圧を印加している。したがって、2つの光導波路間で電圧対位相特性や駆動振幅がばらついたり、異なる経時変化が生じる場合に最適な変調条件から外れてしまう。
そこで、2つの光導波路間で変調特性がばらつく場合や、変調特性に異なる経時変化が生じる場合でも最適な変調条件を実現することのできる光通信装置と光変調器の制御技術を提供することを課題とする。
ひとつの態様では、光通信装置は、
一対のマッハツェンダ光変調器と、
前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換した電圧成分をモニタする電圧モニタ回路と、
前記マッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換して二乗検波した電力成分をモニタする電力モニタ回路と、
前記電力モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の交流成分が最小になるように各前記マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路のうちの一方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第1制御回路と、
前記電圧モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の強度が最大になるように前記2つの光導波路の他方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第2制御回路と、
を有する。
一対のマッハツェンダ光変調器と、
前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換した電圧成分をモニタする電圧モニタ回路と、
前記マッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換して二乗検波した電力成分をモニタする電力モニタ回路と、
前記電力モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の交流成分が最小になるように各前記マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路のうちの一方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第1制御回路と、
前記電圧モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の強度が最大になるように前記2つの光導波路の他方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第2制御回路と、
を有する。
マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間で変調特性にばらつきや異なる経時変化が生じる場合でも、最適な変調条件を維持することができる。
実施形態では、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間の変調効率のばらつきを最小にし、かつ位相変調率が最大(0ラジアンとπラジアンの間での位相変化率100%)となるように、2つの光導波路を個別に制御する。2つの光導波路を「光導波路A」と「光導波路B」として、次の制御を行う。
(1)光導波路Bの変調率(位相回転)が光導波路Aの変調率(位相回転)と等しくなるように、光導波路Bの基板バイアスまたは駆動振幅を電力モニタ制御する。電力モニタ制御は、I(In-phase:同相)変調器とQ(Quadrature:直交)変調器の合波出力光の電力成分を検出して(電圧の二乗検波)、I−Q合波出力光の交流成分すなわち変動成分が最小になるように光導波路Bの基板バイアスまたは駆動振幅を制御する。この制御により、光導波路Bの変調率を光導波路Aの変調率に合わせることができる。
(2)光導波路の変調率(位相回転)が100%(π)となるように、光導波路Aの基板バイアスまたは駆動振幅を電圧モニタ制御する。電圧モニタ制御は、I−Q合波出力光の電圧を検出し、出力光の電力(強度)が最大となるように光導波路Aの基板バイアスまたは駆動振幅を制御する。I−Q合波出力光の強度と検出される電流(すなわち電圧)の関係はリニアであるため、電圧モニタ制御を「線形モニタ制御」と称してもよい。この制御により変調率を100%にすることができる。
(1)光導波路Bの変調率(位相回転)が光導波路Aの変調率(位相回転)と等しくなるように、光導波路Bの基板バイアスまたは駆動振幅を電力モニタ制御する。電力モニタ制御は、I(In-phase:同相)変調器とQ(Quadrature:直交)変調器の合波出力光の電力成分を検出して(電圧の二乗検波)、I−Q合波出力光の交流成分すなわち変動成分が最小になるように光導波路Bの基板バイアスまたは駆動振幅を制御する。この制御により、光導波路Bの変調率を光導波路Aの変調率に合わせることができる。
(2)光導波路の変調率(位相回転)が100%(π)となるように、光導波路Aの基板バイアスまたは駆動振幅を電圧モニタ制御する。電圧モニタ制御は、I−Q合波出力光の電圧を検出し、出力光の電力(強度)が最大となるように光導波路Aの基板バイアスまたは駆動振幅を制御する。I−Q合波出力光の強度と検出される電流(すなわち電圧)の関係はリニアであるため、電圧モニタ制御を「線形モニタ制御」と称してもよい。この制御により変調率を100%にすることができる。
制御(1)と制御(2)により、光導波路Aと光導波路Bの双方で位相変調率が100%に制御される。変調器出力光の交流成分の電力モニタ(制御(1))と、変調器出力光の線形モニタ(制御(2))を実施するために、光変調器の基板バイアス電圧または駆動信号に低周波信号を重畳して、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分を同期検波する。低周波成分が最小になるように基板バイアスまたは駆動振幅を制御することで、I−Q合波出力光の交流成分が最小になり、かつI−Q合波出力光の強度が最大(変調率100%)になる。
駆動信号または基板バイアス電圧への低周波信号の重畳と、駆動振幅または基板バイアス電圧の制御とを任意に組み合わせることができるので、4通りの組み合わせが可能である。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の光通信装置の一例としてQPSK光送信機1Aの概略構成を示す。第1実施形態では、基板バイアス電圧に低周波信号を重畳し、制御(1)と制御(2)により基板バイアス電圧を制御する。
図1は、第1実施形態の光通信装置の一例としてQPSK光送信機1Aの概略構成を示す。第1実施形態では、基板バイアス電圧に低周波信号を重畳し、制御(1)と制御(2)により基板バイアス電圧を制御する。
光送信機1Aは、光源11と、並列配置されるマッハツェンダ光変調器12I及び12Qと、位相シフタ22I及び22Qを有する。マッハツェンダ光変調器12Iを、適宜「I変調器」または「Iアーム」と称し、マッハツェンダ光変調器12Qを、適宜「Q変調器」または「Qアーム」と称する。I変調器12IとQ変調器12Qはインジウムリン(InP)等の半導体光変調器であり、印加電圧により半導体の吸収端波長が変化し、Kramers-Kronigの関係により吸収に伴う位相変化を利用して光波位相を変調する。I変調器12I、Q変調器12Q、及び位相シフタ22I、22Qで光変調部を構成する。
光源11は、半導体レーザであり、波長多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)伝送システムに対応可能な光波長の可変機能を持つ。光源11から出力された光波は2つに分岐され、それぞれI変調器12IとQ変調器12Qへ入力される。I変調器12Iで入力光が2つに分岐され、光導波路12Ia(光導波路A)と光導波路12Ib(光導波路B)へ入力される。同様に、Q変調器12Qで入力光が2つに分岐され、光導波路12Qa(光導波路A)と光導波路12Qb(光導波路B)へ入力される。I変調器12IとQ変調器12Qを伝搬する2つの光波は、位相シフタ22I及び22Qによりπ/2ラジアン(90°)の位相差が付加された後に合波され、出力される(I−Q合波出力)。
光送信機1Aはまた、光変調部の出力であるI−Q合波出力光の電圧をモニタする線形モニタ回路125と、電力をモニタする電力モニタ回路126を有する。線形モニタ回路125と電力モニタ回路126はそれぞれ受光素子を有してもよいし、I−Q合波の分岐点の近傍に共通の受光素子が配置されてもよい。
電力モニタ回路126の出力は、I変調器12Iの一方の光導波路(光導波路B)12Ibの基板バイアス電圧を制御するI基板バイアス電圧制御回路17Ibと、Q変調器12Qの一方の光導波路(光導波路B)12Qbを制御するQ基板バイアス電圧制御回路17Qbと、IアームとQアーム間の位相差を制御するπ/2シフト制御回路21に接続される。
線形モニタ回路125の出力は、I変調器12Iの他方の光導波路(光導波路A)12Iaの基板バイアス電圧を制御するI基板バイアス電圧制御回路17Iaと、Q変調器12Qの他方の光導波路(光導波路A)12Qaの基板バイアス電圧を制御するQ基板バイアス電圧制御回路17Iaに接続される。このように、I変調器12IとQ変調器12Qにおいて、2つの光導波路(光導波路Aと光導波路B)の基板バイアス電圧はそれぞれ個別に制御される。
線形モニタ回路125の出力はまた、I変調器12Iの2つの光導波路で変調を受けた光波の位相差を調整するI位相バイアス制御回路16Iと、Q変調器12Qの2つの光導波路で変調を受けた光波の位相差を調整するQ位相バイアス制御回路16Qにも接続される。
光導波路A(12Ia,12Qa)と光導波路B(12Ib,12Qb)には、光の進行方向に沿って、信号電極と位相バイアス電極が設けられている。信号電極は進行波型電極であり、駆動回路13Ia、13Ib、13Qa、13Qb(適宜、「駆動回路13」と総称する)からの高速電気信号(たとえば32Gb/s)を受けて、光波を高速変調する。駆動回路13と信号電極は図示しないコンデンサを介して交流結合している。
I変調器12Iの光導波路A(12Ia)の信号電極に、I基板バイアス電圧制御回路17Iaから直流的に基板バイアス電圧が印加され、光導波路B(12Ib)の信号電極に、I基板バイアス電圧制御回路17Ibから直流的に基板バイアス電圧が印加される。同様に、Q変調器12Qの光導波路A(12Qa)の信号電極に、Q基板バイアス電圧制御回路17Qaから直流的に基板バイアス電圧が印加され、光導波路B(12Qb)の信号電極に、Q基板バイアス電圧制御回路17Qbから直流的に基板バイアス電圧が印加される。基板バイアス電圧により変調位置、すなわち駆動振幅の中心の直流電位が決まる。
I変調器12Iの2つの光導波路12Iaと12Ibの信号電極に逆の極性のデータ信号が入力され、光波の位相は逆極性で変調される。逆極性で位相変調された光が合波されて、I変調器12Iの出力は位相が0とπの2値変調がかかった光波となる。同様に、Q変調器12Qの2つの光導波路12Qaと12Qbの信号電極に逆の極性のデータ信号が入力されて光波の位相が逆極性で変調され、Q変調器12Qの出力は0とπの2値変調がかかった光波となる。
I変調器12Iの出力とQ変調器12Qの出力にπ/2 の位相差を付加して合波した光波は、直交位相変調された光波となる。第1実施形態ではQPSK変調方式を例にとっているが、駆動回路13に供給される信号の振幅が多値の場合は、出力光の振幅が多値化され(ただし位相は2値)、16QAM等のより多値の変調信号等が得られる。
I変調側において、低周波重畳回路18Iは、駆動信号と比較して十分に低い周波数(たとえば数kHz)の信号を生成し、I基板バイアス電圧制御回路17Iaと17Ibに供給する。これにより、光導波路12Iaと光導波路12Ibに個別に印加される基板バイアス電圧に低周波信号が重畳される。低周波信号は、I位相バイアス制御回路16Iにも供給され、位相バイアスに低周波信号が重畳される。Q変調側も同様に、低周波重畳回路18Qは低周波信号を生成して、Q基板バイアス電圧制御回路17Qa及び17Qbと、Q位相バイアス制御回路16Qに低周波信号を供給する。これにより、光導波路12Qaと光導波路12Qbに個別に印加される基板バイアス電圧に低周波信号が重畳される。Q変調側の位相バイアスにも低周波信号が重畳される。
線形モニタ回路125は、I−Q合波出力光の一部を受け取り、受光素子及び電子回路で電圧に変換する。線形モニタ回路125の出力は、光導波路Aの基板バイアス電圧を制御するI基板バイアス電圧制御回路17Iaと、Q基板バイアス電圧制御回路17Qaに供給される。I基板バイアス電圧制御回路17IaとQ基板バイアス電圧制御回路17Qaは、それぞれ低周波信号を用いてモニタ電圧に含まれる低周波成分を同期検波し、低周波成分がゼロになるように対応する光導波路Aの基板バイアス電圧を制御する。
電力モニタ回路126は、I−Q合波出力光の一部を受け取り、受光素子及び電子回路で電圧に変換し、モニタ信号の電力成分を検出する(電圧の二乗検波)。電力モニタ回路126は、交流成分を得るためにある程度の帯域、たとえば数百MHzの帯域をもつ。電力モニタ回路126の出力は、光導波路Bの基板バイアス電圧を制御するI基板バイアス電圧制御回路17Ibと、Q基板バイアス電圧制御回路17Qbに供給される。I基板バイアス電圧制御回路17IbとQ基板バイアス電圧制御回路17Qbは、それぞれ低周波信号を用いてモニタ電力に含まれる低周波成分を同期検波し、低周波成分がゼロになるように光導波路Bの基板バイアス電圧を制御する。
[光導波路Bの基板バイアス制御]
光導波路Bの基板バイアス電圧は、I変調器12IとQ変調器12Qの合波出力光の交流電力成分が最小となるように制御される(制御(1))。この制御により、光導波路Bの変調率が光導波路Aの変調率に合致するように制御される。
光導波路Bの基板バイアス電圧は、I変調器12IとQ変調器12Qの合波出力光の交流電力成分が最小となるように制御される(制御(1))。この制御により、光導波路Bの変調率が光導波路Aの変調率に合致するように制御される。
I−Q合波出力光の交流成分が最小の動作点では、低周波信号は折り返されて2倍周期の成分となるため、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分はゼロとなる。最適動作点からずれた場合は低周波成分が検出され、ずれた方向により低周波成分の極性が逆転するため、基板バイアス電圧を制御する方向が判明する。この制御の詳細は後述する。光導波路Bの基板バイアス制御はアナログ電子回路により実施できるが、ディジタル信号処理によっても実施できる。
[光導波路Aの基板バイアス制御]
光導波路Aの基板バイアス電圧は、変調器12の出力光の電力(たとえば平均電力)が最大となるように制御される(制御(2))。この制御により、位相変調率が100%に制御される。
光導波路Aの基板バイアス電圧は、変調器12の出力光の電力(たとえば平均電力)が最大となるように制御される(制御(2))。この制御により、位相変調率が100%に制御される。
変調器出力光の強度(電力)が最大となる動作点では、低周波信号は折り返されて2倍周期の成分となるため、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分はゼロになる。最適動作点からずれた場合は低周波成分が検出され、ずれた方向により低周波成分の極性が逆転するため、基板バイアス電圧を制御する方向が判明する。この制御の詳細は後述する。光導波路Aの基板バイアス制御はアナログ電子回路により実施できるが、ディジタル信号処理によっても実施できる。
光導波路Aと光導波路Bの基板バイアスの個別制御により、光導波路Aと光導波路Bの間で電圧対位相変化特性が異なる場合や異なる経時変化を生ずる場合にも、2つの導波路間の変調率が合致し(制御(1))、かつ光導波路Aと光導波路Bの双方で位相変調率100%(0とπの間での位相変化)となる(制御(2))。光導波路Aと光導波路Bの制御速度の関係は、例えば、B>A、またはA>Bとする。
[制御原理]
図2〜4は、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間の光波の変調率を同じにする制御(制御(1))を説明する図である。図2(A)に示すように、光導波路Aと光導波路Bで光波の変調率が異なる場合(たとえば光導波路Aの変調率が70%、光導波路Bの変調率が80%)、光導波路A側の光ベクトルと光導波路B側の光ベクトルの合成ベクトルが水平軸上からはずれ、マッハツェンダ光変調器の0-π位相変調効率が低下する。
図2〜4は、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路間の光波の変調率を同じにする制御(制御(1))を説明する図である。図2(A)に示すように、光導波路Aと光導波路Bで光波の変調率が異なる場合(たとえば光導波路Aの変調率が70%、光導波路Bの変調率が80%)、光導波路A側の光ベクトルと光導波路B側の光ベクトルの合成ベクトルが水平軸上からはずれ、マッハツェンダ光変調器の0-π位相変調効率が低下する。
これに対し、図2(B)に示すように光導波路Aと光導波路Bで光波の変調率が同じ場合(たとえば双方で変調率が60%)、2つの光導波路の合成光ベクトルが水平軸上に並び、0ラジアンとπラジアンの位相変調が実現される。
図3は、直交する2つのマッハツェンダ光変調器を用いる場合に、2つの光導波間の光波の変調率を同じにする制御の原理を説明する図である。図3(A)に示すように、光導波路Aと光導波路Bを透過する光波の変調率が異なると、I出力光で0とπの位相関係がずれ、Q出力光でπ/2と3π/2の位相関係がずれる。I出力光とQ出力光の合成出力には4位相の本来の信号点から外れ、かつ光強度(ベクトル長)がそれぞればらつく。この状態は、I−Q合波出力光に含まれる交流成分が多い場合に相当する。
これに対し、図3(B)のように、一方の光導波路Aを透過する光波の変調率と他方の光導波路Bを透過する光波の変調率が同じ場合、I出力光とQ出力光の直交性が維持され、合成出力において4位相の光強度が同じになる。この状態は、I−Q合波出力光の交流成分が最小となる場合に相当する。
図4は、交流成分を最小にする制御を説明する図である。光変調器12の基板バイアス電圧を低周波信号で変調すると、光変調器12の電圧対位相特性は低周波に合わせて緩やかに変化する。その結果、光波の位相変調は高速駆動信号によるπ変調に加えて、低周波によりπ±Δφで変調がかかる。Δφは低周波変調に伴う位相変量振幅の変化を示す。
図4(A)の左上の図に示すように、光導波路Bの基板バイアス電圧が最適なときに交流成分電力は最小となる。このとき、基板バイアスに印加された低周波成分は折り返されて、図6(A)の右図に示すように振幅はΔφのまま周波数が2倍になる。この場合、図6(B)に示すように重畳された低周波信号の2倍の周波数の成分が検出され、重畳信号と同じ周波数の低周波成分は最小(ゼロ)になる。交流成分電力が最適バイアスからプラス側にずれて増大すると、重畳された低周波信号と同相の低周波成分が検出される。交流成分電力が最適バイアスからマイナス側にずれて増大すると重畳された低周波信号と逆相の低周波成分が検出される。
I出力光とQ出力光の合成出力中の交流成分電力をモニタし、交流成分電力が最小になるように光導波路Bの基板バイアス(すなわち変調効率)を制御することで、最大の光出力を得ることができる。
図5及び図6は、位相変調率を100%にして出力電力を最大にする制御(制御(2))の原理を説明する図である。図5では、上述した電力制御により、光導波路Aと光導波路Bの変調効率が同じに制御されているものとする。図5(A)で、光導波路Aと光導波路Bのそれぞれを透過する光の0方向の光ベクトルとπ方向の光ベクトルがなす角度はπよりも小さく、変調効率が100%よりも低い(たとえば70%)。この例では、2つの光導波路を透過する光の合成ベクトルの長さは、後述する変調率が100%の場合の合成ベクトルの長さよりも小さくなる。
図5(B)では、光導波路Aと光導波路Bのそれぞれを透過する光の0方向の光ベクトルとπ方向の光ベクトルがなす角度はπよりも大きく、変調効率は100%よりも大きい(たとえば130%)。この例でも、2つの光導波路を透過する光の合成ベクトルの長さは変調率が100%の場合の合成ベクトルの長さよりも小さくなる。
これに対し、図5(C)では、光導波路Aと光導波路Bのそれぞれを透過する光は適正に0-π位相変調され、合波ベクトルは0ラジアンの方向とπラジアンの方向に揃う。このときの変調率は100%であり、合成ベクトルの大きさ(長さ)が最大となる。すなわち、光変調器の光出力の強度が最大になる。
I−Q合波出力光の交流成分(光導波路間のばらつき成分)が最小、かつ各光変調器の光出力が最大になるように、光導波路間の基板バイアスを個別に制御する。これにより、2つの光導波路間で電圧対位相特性がばらついたり異なる経時変化が生じる場合でも、安定した0/π位相変調を行い、光変調器の変調率を100%に制御することができる。
図6(A)の左上の図に示すように、光導波路Aの基板バイアス電圧が最適値のときに光出力電力は最大となる。このとき、基板バイアス電圧に重畳された低周波信号は折り返されて、図6(A)の右図に示すように低周波信号の2倍の周波数成分が検出される。したがって、低周波成分自体は検出されず、モニタ信号中の低周波成分は最小(ゼロ)になる。図6(B)に示すように、印加される基板バイアスが最適なバイアス電圧からプラス側にずれる場合、重畳される低周波信号と逆相の低周波成分が検出される。基板バイアスが最適なバイアス電圧からマイナス側にずれる場合、重畳される低周波信号と同相の低周波成分が検出される。検出される低周波成分が最小(ゼロ)になるように光導波路Aの基板バイアス電圧を個別に制御することで、光変調器の変調率を100%に制御することができる。なお、低周波信号を重畳して低周波成分を同期検波するかわりに、I−Q合波出力光の平均光強度をモニタし、平均光強度(平均出力電力値)が最大となるように光導波路Aの基板バイアス電圧を制御してもよい。
[その他のパラメータの制御]
基板バイアス電圧がフィードバック制御される場合は、I変調器12I及びQ変調器12Qを駆動する駆動信号の振幅(「駆動振幅」とも称する)は固定値に制御される。駆動振幅を固定するために、出力振幅をモニタしてフィードバック制御してもよいし、温度や電源の変動等に対してフィードフォワード制御してもよい。
基板バイアス電圧がフィードバック制御される場合は、I変調器12I及びQ変調器12Qを駆動する駆動信号の振幅(「駆動振幅」とも称する)は固定値に制御される。駆動振幅を固定するために、出力振幅をモニタしてフィードバック制御してもよいし、温度や電源の変動等に対してフィードフォワード制御してもよい。
位相バイアス電圧の制御は次のようにして行う。光位相変調方式では、駆動信号の振幅中心が、変調器の駆動電圧対光強度特性の光強度が最低となる位置になるように位相バイアス電圧が制御される。位相バイアス電圧を低周波信号で微小変調し、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分がゼロになるように制御することで、所望の位相バイアス値に設定することができる。
π/2シフトバイアス制御は、I変調器12IとQ変調器12Qの静的な位相差をπ/2にする制御である。π/2シフトバイアス電圧を低周波信号で微小変調し、光導波路Bの基板バイアス制御と同様に、変調器出力光の交流成分が最小になるように、すなわちI−Q合波出力光に含まれる低周波成分がゼロになるように制御する。
同一の低周波信号を用いて、I基板バイアスA側制御、I基板バイアスB側制御、Q基板バイアスA側制御、Q基板バイアスB側制御、I位相バイアス制御、Q位相バイアス制御、π/2シフトバイアス制御を時分割制御を行ってもよい。時分割制御は回路規模を縮小する観点で有効である。
なお、第1実施形態では低周波信号を基板バイアス電圧に重畳したが、駆動信号に重畳しても同様の結果が得られる。
このように、入力波長の変化や光変調器の電圧対位相特性の変化、温度変化による駆動振幅の変動、経時変化等によって光波の位相変調量が変化する場合でも、0とπの安定した位相変調を実現することができる。
<第2実施形態>
第1実施形態では、線形モニタ出力を光導波路Aの基板バイアス制御にフィードバックし、電力モニタ出力を光導波路Bの基板バイアス制御にフィードバックし、駆動振幅を固定に制御した。
第1実施形態では、線形モニタ出力を光導波路Aの基板バイアス制御にフィードバックし、電力モニタ出力を光導波路Bの基板バイアス制御にフィードバックし、駆動振幅を固定に制御した。
第2実施形態では、線形モニタ出力を光導波路Aの駆動振幅制御にフィードバックし、電力モニタ出力を光導波路Bの駆動振幅制御にフィードバックする。基板バイアス電圧は入力光の波長に応じて所定の値に設定する。
図7は、第2実施形態の光通信装置の一形態として光送信機1Bの概略構成を示す。第1実施形態の光送信機1Aと同じ構成要素には同じ符号を付けて、重複する説明を省略する。光送信機1Bは、第1実施形態の構成に加えて、I駆動振幅制御回路23Iaと23Ib、Q駆動振幅制御回路23Qaと23Qb、及びメモリ127を有する。
I駆動振幅制御回路23Iaは、I変調器12Iの光導波路Aに入力される駆動信号の振幅を制御し、I駆動振幅制御回路23Ibは、I変調器12Iの光導波路Bに入力される駆動信号の振幅を制御する。Q駆動振幅制御回路23Qaは、Q変調器12Qの光導波路Aに入力される駆動信号の振幅を制御し、Q駆動振幅制御回路23Qaは、Q変調器12Qの光導波路Bに入力される駆動信号の振幅を制御する。
電力モニタ回路126の出力は、光導波路Bの駆動振幅を制御するI駆動振幅制御回路23IbとQ駆動振幅制御回路23Qbに供給され、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分がゼロになるように光導波路Aの駆動振幅が制御される。これにより、経時変化等により駆動回路間にばらつきが生じた場合でも、光導波路Aと光導波路Bの間の変調効率を一致させて変動成分を最小にすることができる。
線形モニタ回路125の出力は、光導波路Aの駆動振幅を制御するI駆動振幅制御回路23IaとQ駆動振幅制御回路23Qaに供給され、I−Q合波出力光に含まれる低周波成分がゼロになるように光導波路Aの駆動振幅が制御される。これにより、駆動振幅がばらつく場合にも変調率を100%に維持して光出力を最大にすることができる。
光送信機1BはWDM通信に用いられるため、光信号の波長に応じて駆動振幅を変化させる必要があるが、駆動回路13の能力に鑑みると駆動回路13で波長に応じた制御を行うのは現実的ではない。そこで、光変調器の半波長電圧(光出力強度を最大と最小の間で変化させるのに必要な電圧)Vπの波長依存性は、波長に応じて基板バイアス電圧を設定することで補償する。2つの光導波路間のばらつきや経時変化による変調率のずれは変化幅が小さいため、上述した駆動振幅のフィードバック制御で補償することができる。
メモリ127は、あらかじめ波長ごとに基板バイアス電圧値を対応づけた情報を記憶している。I基板バイアス制御回路17Ia、17Ibと、Q基板バイアス制御回路17Qa、17Qbは、メモリ127から波長に応じた基板バイアス電圧を読み出して、対応する光導波路12Ia、12Ib、12Qa、12Qbの信号電極に印加する。
同一の低周波信号を用いて、I駆動振幅A側制御、I駆動振幅B側制御、Q駆動振幅AA側制御、Q駆動振幅B側制御、I位相バイアス制御、Q位相バイアス制御、π/2シフトバイアス制御を時分割制御を行ってもよい。時分割制御は回路規模を縮小する観点で有効である。
<第3実施形態>
図8は、第3実施形態の光通信装置の一形態として光送信機1Cの概略構成を示す。第3実施形態では、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路に対する個別制御を偏波多重変調(DP−QPSK)に適用する。以下の説明では、第1実施形態と同様に各変調器12の2つの光導波路の基板バイアス電圧を個別に制御するが、第2実施形態のように光導波路間の駆動振幅を個別に制御してもよい。
図8は、第3実施形態の光通信装置の一形態として光送信機1Cの概略構成を示す。第3実施形態では、マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路に対する個別制御を偏波多重変調(DP−QPSK)に適用する。以下の説明では、第1実施形態と同様に各変調器12の2つの光導波路の基板バイアス電圧を個別に制御するが、第2実施形態のように光導波路間の駆動振幅を個別に制御してもよい。
光源11からの光は分岐されて、X偏波系列とY偏波系列に入力される。各偏波系列で光波は2つに分岐されて、I変調器12IとQ変調器12Qに入力される。X偏波系列の光変調制御構成3Xと、Y偏波系列の光変調制御構成3Yは、図1のQPSK方式の光変調制御構成と同じであり、重複する説明を省略する。
X偏波系列とY偏波系列のそれぞれに線形モニタ回路125X、125Yが設けられ、各偏波系列で光出力の強度が最大になるように、光導波路Aの基板バイアス電圧が制御される。また、X偏波系列とY偏波系列のそれぞれに電力モニタ回路126X、126Yが設けられ、各偏波系列で光出力の交流成分が最小になるように光導波路Bの基板バイアス電圧が制御される。X偏波信号とY偏波信号は偏波多重回路49で合波され送信光信号として出力される。
この構成により、駆動振幅や光導波路にばらつきや経時変化が生じても、X偏波系列とY偏波系列の双方で変調率を最大にすることができ、質の良いDP−QPSK出力光を得ることができる。
<第4実施形態>
図9は、第4実施形態の光送信機1Dの概略構成図である。光送信機1Dは、光源としてのレーザダイオード51と、光変調モジュール50と、変調器ドライバ53を有する。光送信機1Dでは、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52と、位相バイアス制御回路56、及び基板バイアス制御回路57が一つの光変調モジュール50に内蔵されている。基板バイアス制御回路57は、光導波路Aの基板バイアス電圧と光導波路Bの基板バイアス電圧を個別に制御する基板バイアス制御回路A(57a)と基板バイアス制御回路B(57b)を含む。図示しない低周波重畳回路も基板バイアス制御回路57に含まれてもよい。
図9は、第4実施形態の光送信機1Dの概略構成図である。光送信機1Dは、光源としてのレーザダイオード51と、光変調モジュール50と、変調器ドライバ53を有する。光送信機1Dでは、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52と、位相バイアス制御回路56、及び基板バイアス制御回路57が一つの光変調モジュール50に内蔵されている。基板バイアス制御回路57は、光導波路Aの基板バイアス電圧と光導波路Bの基板バイアス電圧を個別に制御する基板バイアス制御回路A(57a)と基板バイアス制御回路B(57b)を含む。図示しない低周波重畳回路も基板バイアス制御回路57に含まれてもよい。
この例では、図1の構成に基づいて光変調モジュール50を構成しているが、図8のDP−QPSK方式の変調制御構成を光変調モジュール50に内蔵してもよい。いずれの場合も、マッハツェンダ光変調器を構成する2つの光導波路の基板バイアスを個別に制御することで、均一かつ最大効率の光変調を実現することができる。
<第5実施形態>
図10は、第5実施形態の光送信機1Eの概略構成図である。光送信機1Eは、光源一体型の光変調モジュール60と、変調器ドライバ53を有する。図9と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図10は、第5実施形態の光送信機1Eの概略構成図である。光送信機1Eは、光源一体型の光変調モジュール60と、変調器ドライバ53を有する。図9と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
光送信機1Eでは、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52と、位相バイアス制御回路56、基板バイアス制御回路57、光源(LD)61、及び光源(LD)制御回路64が一つの光変調モジュール60に内蔵されている。これにより、光源一体型の光変調モジュール60が提供される。
この例では、図1の構成に基づいて光変調モジュール60を構成しているが、図8のDP−QPSK方式の光変調制御構成を光変調モジュール60に内蔵してもよい。
<第6実施形態>
図11は、第6実施形態の光送信機1Fの概略構成図である。光送信機1Fは、光源及びドライバ一体型の光変調モジュール70として構成される。図9及び図10と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図11は、第6実施形態の光送信機1Fの概略構成図である。光送信機1Fは、光源及びドライバ一体型の光変調モジュール70として構成される。図9及び図10と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
光送信機1Fでは、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52と、位相バイアス制御回路56、基板バイアス制御回路57、光源(LD)61、光源(LD)制御回路64、及び変調器ドライバ53が一つの光変調モジュール70に内蔵されている。
この例では、図1の構成に基づいて光変調モジュール70を構成しているが、図8のDP−QPSK方式の光変調制御構成を光変調モジュール70に内蔵してもよい。図7のように駆動振幅を制御する構成を光変調モジュール70内に内蔵してもよいが、ドライバ制御回路が大型化するので、図1または図8のように基板バイアス電圧を制御する構成が望ましい。
これにより、光送信機1Eを単一のモジュールで構成し、均一かつ最大変調効率で光変調することができる小型化された光送信機が実現される。
<第7実施形態>
図12は、第7実施形態の光送受信機2の概略構成を示す。光送受信機2は、送信系列と受信系列がひとつのモジュールに搭載されている。送信系列では、図11のように、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52、変調器ドライバ53、光源ユニット、及びバイアス電圧制御系が搭載されている。光源ユニットは光源(LD)61と光源制御回路64を含む。バイアス制御系は位相バイアス制御回路56と基板バイアス制御回路57を含む。基板バイアス制御回路57は、図9〜図11と同様に、光導波路Aと光導波路Bを個別に制御する基板バイアス制御回路57aと基板バイアス制御回路57bを含む。
図12は、第7実施形態の光送受信機2の概略構成を示す。光送受信機2は、送信系列と受信系列がひとつのモジュールに搭載されている。送信系列では、図11のように、線形モニタ回路125及び電力モニタ回路126を含む半導体光変調器52、変調器ドライバ53、光源ユニット、及びバイアス電圧制御系が搭載されている。光源ユニットは光源(LD)61と光源制御回路64を含む。バイアス制御系は位相バイアス制御回路56と基板バイアス制御回路57を含む。基板バイアス制御回路57は、図9〜図11と同様に、光導波路Aと光導波路Bを個別に制御する基板バイアス制御回路57aと基板バイアス制御回路57bを含む。
受信系列は、光受信器90と光受信器制御回路92を含む。LD61から出力される光波の一部が分岐され、局発光として光受信器90に入力される。光受信器90は、受信した光信号を局発光と混合して光コヒーレント検波を行い、光電気変換および電流電圧変換を行って電気信号を出力する。これにより、送受信フロントエンドモジュールが提供される。
この例では、第1実施形態の構成に基づいて光送受信モジュール70の送信系を構成しているが、図8のDP−QPSK方式の光送信機の構成要素を光送受信モジュール70に内蔵してもよい。また、図7のように、駆動振幅を制御する構成を内蔵してもよい。
第1〜第7実施形態で、低周波信号が基板バイアス電圧に重畳される構成を例にとって説明したが、低周波信号を光変調器12の駆動信号に重畳して光導波路Aと光導波路Bの駆動振幅または基板バイアスを個別に制御してもよい。
また、すべての実施形態を通して、電力モニタにより2つの光導波路間の変調率を同じにしてから電圧モニタにより変調率を100%にしてもよいし、電圧モニタにより一方の光導波路の変調率を100%にした後で、電力モニタにより2つの光導波路間の変調率を100%に合わせてもよい。
なお、実施形態の構成はInPマッハツェンダ光変調器に限らず、電圧に対する光波の位相変化量がバイアス電圧により変化する光導波路で構成された任意のマッハツェンダ光変調器に提供され得る。また、電気光学効果を利用した位相変調においても、駆動回路の変動や経時変化、温度変化に伴う屈折率の変動など、2つの光導波路間での変調効率のばらつきや変調率の劣化が生じ得る任意のマッハツェンダ光変調器に適用される。
1A〜1F 光送信機(光通信装置)
2 光送受信機(光通信装置)
12、12I、12Q 光変調器
12Ia、12Qa 光導波路A
12Ib,12Qb 光導波路B
13、13Ia、13Ib、13Qa、13Qb 駆動回路
16、16I,16Q 位相バイアス制御回路
17Ia、17Qa、57a 基板バイアス制御回路A(第1制御回路)
17Ib、17Qb、57b 基板バイアス制御回路B(第2制御回路)
18、18I、18Q 低周波重畳回路
23Ia、23Qa 駆動振幅制御回路A(第1制御回路)
23Ib、23Qb 駆動振幅制御回路B(第2制御回路)
50、60、70 光変調モジュール
125 線形モニタ回路(電圧モニタ回路)
126 電力モニタ回路
127 メモリ
2 光送受信機(光通信装置)
12、12I、12Q 光変調器
12Ia、12Qa 光導波路A
12Ib,12Qb 光導波路B
13、13Ia、13Ib、13Qa、13Qb 駆動回路
16、16I,16Q 位相バイアス制御回路
17Ia、17Qa、57a 基板バイアス制御回路A(第1制御回路)
17Ib、17Qb、57b 基板バイアス制御回路B(第2制御回路)
18、18I、18Q 低周波重畳回路
23Ia、23Qa 駆動振幅制御回路A(第1制御回路)
23Ib、23Qb 駆動振幅制御回路B(第2制御回路)
50、60、70 光変調モジュール
125 線形モニタ回路(電圧モニタ回路)
126 電力モニタ回路
127 メモリ
Claims (8)
- 一対のマッハツェンダ光変調器と、
前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換した電圧成分をモニタする電圧モニタ回路と、
前記一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換して二乗検波した電力成分をモニタする電力モニタ回路と、
前記電力モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の交流成分が最小になるように各前記マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路のうちの一方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第1制御回路と、
前記電圧モニタ回路の出力に基づいて、前記合波出力光の強度が最大になるように前記2つの光導波路の他方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する第2制御回路と、
を有することを特徴とする光通信装置。 - 前記第1制御回路は、前記電力モニタ回路の出力に基づいて前記一方の光導波路の前記駆動振幅を制御し、前記一方の光導波路の前記基板バイアス電圧を入力光の波長に応じた所定の電圧値に設定し、
前記第2制御回路は、前記電圧モニタ回路の出力に基づいて前記他方の光導波路の前記駆動振幅を制御し、前記他方の光導波路の前記基板バイアス電圧を入力光の波長に応じた所定の電圧値に設定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。 - 前記第1制御回路は、前記電力モニタ回路の出力に基づいて前記一方の光導波路の前記基板バイアス電圧を制御し、前記一方の光導波路の前記駆動振幅を固定値に制御し、
前記第2制御回路は、前記電圧モニタ回路の出力に基づいて前記他方の光導波路の前記基板バイアス電圧を制御し、前記他方の光導波路の前記駆動振幅を前記固定値に制御することを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。 - 各前記マッハツェンダ光変調器の基板バイアス電圧または駆動信号に低周波信号を重畳する低周波発生器、
をさらに有し、
前記第1制御回路は、前記合波出力光に含まれる低周波成分が最小となるように前記一方の光導波路の前記基板バイアス電圧または前記駆動振幅を制御し、
前記第2制御回路は、前記合波出力光に含まれる前記低周波成分が最小となるように前記他方の光導波路の前記基板バイアス電圧または前記駆動振幅を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記際の光通信装置。 - 各前記マッハツェンダ光変調器の基板バイアス電圧または駆動信号に低周波信号を重畳する低周波発生器、
をさらに有し、
前記第1制御回路は、前記合波出力光に含まれる低周波成分が最小となるように前記一方の光導波路の前記駆動振幅を制御し、かつ前記一方の光導波路の前記基板バイアス電圧を前記入力光の波長に応じた前記所定の電圧値に設定し、
前記第2制御回路は、前記合波出力光に含まれる前記低周波成分が最小となるように前記他方の光導波路の前記駆動振幅を制御し、かつ前記他方の光導波路の前記基板バイアス電圧を前記入力光の波長に応じた前記所定の電圧値に設定する、
ことを特徴とする請求項2に記際の光通信装置。 - 各前記マッハツェンダ光変調器の基板バイアス電圧または駆動信号に低周波信号を重畳する低周波発生器、
をさらに有し、
前記第1制御回路は、前記合波出力光に含まれる低周波成分が最小となるように前記一方の光導波路の前記基板バイアス電圧を制御し、かつ前記一方の光導波路の前記駆動振幅を固定値に制御し、
前記第2制御回路は、前記合波出力光に含まれる前記低周波成分が最小となるように前記他方の光導波路の前記基板バイアス電圧を制御し、かつ前記他方の光導波路の前記駆動振幅を前記固定値に制御する、
ことを特徴とする請求項3に記際の光通信装置。 - 前記マッハツェンダ光変調器は、半導体マッハツェンダ光変調器であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光通信装置。
- 一対のマッハツェンダ光変調器の合波出力光を光電変換した電圧成分と、前記電圧成分を二乗した電力成分とをモニタし、
前記電力成分のモニタ結果に基づいて、前記合波出力光の交流成分が最小になるように各前記マッハツェンダ光変調器の2つの光導波路のうちの一方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御し、
前記電圧成分のモニタ結果に基づいて、前記合波出力光の強度が最大になるように前記2つの光導波路の他方の光導波路の基板バイアス電圧または駆動振幅を制御する、
ことを特徴とする光変調器の制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239142A JP2016099610A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 光通信装置及び光変調器の制御方法 |
US14/950,198 US9448458B2 (en) | 2014-11-26 | 2015-11-24 | Optical communication device and method of controlling optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239142A JP2016099610A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 光通信装置及び光変調器の制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016099610A true JP2016099610A (ja) | 2016-05-30 |
Family
ID=56010075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239142A Pending JP2016099610A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 光通信装置及び光変調器の制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9448458B2 (ja) |
JP (1) | JP2016099610A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019020601A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 富士通株式会社 | 光送信機、及び光送信機の制御方法 |
JP2019040183A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシーLumentum Operations LLC | Iq位相変調器のための閉ループ直交バイアス制御 |
JP2020017849A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信器及び光送受信器の制御方法 |
US10823987B2 (en) | 2017-08-24 | 2020-11-03 | Lumentum Operations Llc | Closed loop bias control for an IQ phase modulator |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2933935A1 (en) * | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Alcatel Lucent | A method of modulating light in a telecommunication network |
JP2016050963A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光通信装置及び光変調器の制御方法 |
JP6620409B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-12-18 | 富士通株式会社 | 光送信器、光伝送システム、及び光通信制御方法 |
US11025339B2 (en) * | 2017-04-30 | 2021-06-01 | B.G. Negev Technologies And Applications Ltd., At Ben-Gurion University | Method for compensating channel distortions by pre-distortion of Mach-Zehnder modulators, based on symmetric imbalance |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4272585B2 (ja) | 2004-05-13 | 2009-06-03 | 富士通株式会社 | 光変調装置、光送信装置及び光変調方法 |
EP1596246B1 (en) | 2004-05-13 | 2016-12-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical modulator and method of modulating light |
US8867042B2 (en) * | 2009-09-07 | 2014-10-21 | National Institute Of Information And Communications Technology | Method for evaluating characteristic of optical modulator having mach-zehnder interferometer |
JP4949496B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2012-06-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光周波数コム発生装置及びそれを用いた光パルス発生装置、並びに光周波数コム発生方法及びそれを用いた光パルス発生方法 |
JP5821250B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-11-24 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調装置および光変調制御方法 |
JP5669674B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-02-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体光変調器の駆動制御装置 |
JP6413296B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-10-31 | 日本電気株式会社 | 光変調用素子および光変調器 |
JP2016050963A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光通信装置及び光変調器の制御方法 |
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014239142A patent/JP2016099610A/ja active Pending
-
2015
- 2015-11-24 US US14/950,198 patent/US9448458B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019020601A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 富士通株式会社 | 光送信機、及び光送信機の制御方法 |
JP2019040183A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシーLumentum Operations LLC | Iq位相変調器のための閉ループ直交バイアス制御 |
US10823987B2 (en) | 2017-08-24 | 2020-11-03 | Lumentum Operations Llc | Closed loop bias control for an IQ phase modulator |
JP2020017849A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信器及び光送受信器の制御方法 |
WO2020022105A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信器及び光送受信器の制御方法 |
JP7131165B2 (ja) | 2018-07-25 | 2022-09-06 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信器及び光送受信器の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160147129A1 (en) | 2016-05-26 |
US9448458B2 (en) | 2016-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016099610A (ja) | 光通信装置及び光変調器の制御方法 | |
JP4922594B2 (ja) | 光送信装置、光受信装置、およびそれらを含む光通信システム | |
US9450677B2 (en) | Optical transmitter and control apparatus of optical modulator | |
JP5644893B2 (ja) | 光送信装置、光受信装置、およびそれらを含む光通信システム | |
JP5405716B2 (ja) | 光送信機 | |
JP4893637B2 (ja) | 光送信装置およびその制御方法 | |
US9853736B2 (en) | Optical transmitter and bias control method for optical modulator | |
EP1764935B1 (en) | Optical transmission system | |
JP5874202B2 (ja) | 光送信装置、その制御方法、及び光伝送システム | |
US8463138B2 (en) | Multi-value optical transmitter | |
JP2017026989A (ja) | 光送信機、及び光変調器の制御方法 | |
JP5353387B2 (ja) | 光変調器の駆動方法および駆動装置、並びに、それを用いた光送信器 | |
JP2017147622A (ja) | 光送信機、及び制御方法 | |
EP2197165A1 (en) | Quadrature amplitude modulation signal generating device | |
JP2016045340A (ja) | 光通信装置及び光変調器の制御方法 | |
US10234704B2 (en) | Optical module that includes optical modulator and bias control method for optical modulator | |
JP2016050963A (ja) | 光通信装置及び光変調器の制御方法 | |
JP6507524B2 (ja) | 光通信装置及び光変調器の制御方法 | |
JP5811531B2 (ja) | 光送信機、光通信システムおよび光送信方法 | |
CN108139616B (zh) | 光调制器、光发射器及光调制方法 |