JP2010192737A - 光モジュール及び光モジュールの接続方法 - Google Patents

光モジュール及び光モジュールの接続方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010192737A
JP2010192737A JP2009036328A JP2009036328A JP2010192737A JP 2010192737 A JP2010192737 A JP 2010192737A JP 2009036328 A JP2009036328 A JP 2009036328A JP 2009036328 A JP2009036328 A JP 2009036328A JP 2010192737 A JP2010192737 A JP 2010192737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
optical module
mold resin
solder connection
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009036328A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5515315B2 (ja
Inventor
Tomoya Saeki
智哉 佐伯
Toshio Mizue
俊雄 水江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2009036328A priority Critical patent/JP5515315B2/ja
Priority to CN2010800083926A priority patent/CN102449865A/zh
Priority to US13/148,236 priority patent/US20120025210A1/en
Priority to PCT/JP2010/052908 priority patent/WO2010095760A2/en
Publication of JP2010192737A publication Critical patent/JP2010192737A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5515315B2 publication Critical patent/JP5515315B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】リードフレームと外部回路基板との半田接続時に発生する熱がモールド樹脂の内蔵部品へ与える影響を低減することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは、LD21を実装したリードフレーム1がモールド樹脂2により一体成型されている。リードフレーム1は、外部回路基板と半田接続するための半田接続部15と、モールド樹脂2に内蔵される回路実装部16とを備え、半田接続部15と回路実装部16との間に、半田接続部15からの熱流入を抑制するための熱流入抑制部14が形成されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、光通信に用いられるモールドパッケージ型の光モジュールの放熱構造に関する。
従来、光通信用機器において、光コネクタに含まれる光ファイバと、例えば、LED(Light Emitting Diode),LD(Laser Diode),PD(Photo Diode)などの光学素子とを光学的に結合させるための光結合素子モジュールの構造に関し、例えば、図7(特許文献1),図8(特許文献2)に示すものが知られている。
図7は、特許文献1に記載された光モジュール構造の断面を示す図である。この特許文献1に記載の光モジュール構造において、レンズ部材101は、透明接着樹脂102を介してリードフレーム103に接着されており、封止体104によってトランスファーモールドされていない。
こうすることにより、透明接着樹脂102をリードフレーム103とレンズ部材101との線膨張係数差による熱応力の緩衝部材として利用でき、シリコン系の樹脂等のヤング率が低い樹脂を使用することによって、レンズ部材101に働く熱応力を大幅に低減してレンズ部材101の損傷や変形を防止するようにしている。さらに、封止体104にフィラーを添加することによって線膨張係数を低減でき、例えば−40℃から115℃のように、広い温度範囲の環境下で使用することが可能となる。
図8は、特許文献2に記載された光モジュール構造の断面を示す図である。この特許文献2に記載の光モジュール構造において、リードフレームの搭載部111の開口112に光出射部が面するようにLED113を搭載する。LED113とリードフレームのリード部114とを接続するワイヤ115を、LED113を搭載した側に配置する。リードフレームのLED113を搭載した側と反対側に、LED113からの出射光を透過する光透過性樹脂116を配置する。リードフレームのLED113を搭載した側に、LED113とワイヤ115を封止する低応力樹脂117を配置する。
そして、リード部114に設けられLED113を搭載した側に屈曲する屈曲部118と、この屈曲部118のLED113を搭載した側と反対側に位置する低応力樹脂の部分119と、この低応力樹脂の部分119に接する光透過性樹脂の端部120とで、クラック防止構造を構成する。樹脂モールドパッケージにて応力低減構造部(LED,ワイヤ)に低応力樹脂を使用し、レンズ部に透明樹脂を使用し、これらを使い分けている。
特開2006−201226号公報 特開2005−159296号公報
ここで、モールドされた光学素子(発光素子,受光素子など)と、光データリンクが内蔵する回路基板との接続は、この回路基板に設けられた電極パッドと、光学素子のリード端子とを直接半田により接続するか、あるいは、フレキシブルプリント基板(以下、FPC:Flexible Printed Circuits)を介して接続されることが一般的である。以下、上記回路基板とFPCとを総称して外部回路基板という。
光学素子を透明樹脂によりモールドパッケージとした場合、光学素子が実装されたリードフレームと、外部回路基板とは半田で接合されるが、接合時の半田溶融のための加熱によってリードフレームを伝わってモールドパッケージ内部に温度変化を生じさせる。特にモールド樹脂の線膨張係数とリードフレームの線膨張係数との差によって生じる歪みは、リードフレームに実装された光学素子や接続ワイヤに機械的ストレスを与えるため不具合の原因となることがある。
また、光データリンクの動作時においても、その回路基板上の駆動回路の発熱が、リードフレームを介してモールドパッケージ内に流入して、同様に機械的ストレスの原因となったり、リードフレーム上に実装された光学素子の温度特性によっては光信号品質の劣化を招く恐れがある。具体的には、発光素子が高温になると発光効率が低下したり、発光波長が変化してしまう。
これに対して、上述の図7,図8に示した従来技術では、環境(試験)の熱負荷(〜100℃程度)への対策が検討されているが、リードフレームを外部回路基板へ半田接合する際に生じる高い温度(〜230℃)への対策について、具体的な開示がなく、上記の問題を解決することはできない。
本発明は、上述のような問題点に鑑みてなされたもので、リードフレームと外部回路基板との半田接続時に発生する熱がモールド樹脂の内蔵部品へ与える影響を低減することができる光モジュール及び該光モジュールの接続方法を提供すること、を目的とする。
本発明による光モジュールは、光学素子を実装したリードフレームがモールド樹脂により一体成型された光モジュールであって、リードフレームは、外部回路基板と半田接続するための半田接続部と、モールド樹脂に内蔵される回路実装部とを備え、半田接続部と回路実装部との間に、半田接続部からの熱流入を抑制するための熱流入抑制部が形成されている。
本発明による光モジュールの接続方法は、リードフレームの一部を露出させる露出部がモールド樹脂に形成された光モジュールを、外部回路基板に半田接続するための光モジュールの接続方法であって、露出部に放熱部材を接触させ、リードフレームと外部回路基板とを半田接続した後に、露出部から放熱部材を除去し、放熱部材を除去した露出部の少なくとも信号ラインに相当する部分にモールド樹脂と同等の誘電率を持つ樹脂を充填する。
本発明によれば、リードフレームと外部回路基板との半田接続時に発生する熱がモールド樹脂の内蔵部品へ与える影響を低減することができるため、モールド樹脂内の内蔵部品にかかる熱応力による不良を抑制することが出来る。
本発明による光モジュール構造の一例を示す図である。 本発明による光モジュールの一実施例を示す図である。 本発明による光モジュールの一実施例を示す図である。 本発明による光モジュールの一実施例を示す図である。 図2〜図4に示す光モジュールを構成するリードフレームを上から見た図である。 本発明による光モジュールがFPCに接続された状態の一例を示す図である。 従来技術の光モジュールの一例を示す図である。 従来技術の光モジュールの他の例を示す図である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の光モジュール及び該光モジュールの接続方法に係る好適な実施の形態について説明する。
図1は、本発明による光モジュール構造の一例を示す図である。図中、1はリードフレーム、2はモールド樹脂、3はモールドパッケージ、4はレンズ、5はレセプタクルスリーブ、6は接着剤を示す。なお、モールドパッケージ3は、リードフレーム1,モールド樹脂2から構成される。モールド樹脂2は、例えば、透明エポキシ樹脂などであり、レンズ4が一体成型されている。
図1(A)に示すように、光モジュールの組立時において、モールドパッケージ3はレセプタクルスリーブ5に挿入され、図1(B)に示すように、モールドパッケージ3とレセプタクルスリーブ5とが調芯された後に接着剤6で固定される。この接着剤6としては、例えば、UV接着剤や熱硬化接着剤が用いられ、モールドパッケージ3とレセプタクルスリーブ5とはUV接着剤により仮固定され、エポキシ樹脂等の熱硬化接着剤により補強される。
また、図1(C)に示すように、リードフレーム1には、端面発光型の発光素子(LD)11,LDサブマウント12が実装され,ワイヤ13による接続が行われる。このリードフレーム1上にLD11を実装し、これをモールド樹脂2でモールドした、モールドパッケージ型のTOSA(Transmitting Optical Sub-Assembly)において、リードフレーム1は、LD11を駆動するための高周波信号ライン、グランドライン等として機能する。
これら実装部品は、リードフレーム1の実装面上に実装されるだけでなく、リードフレーム1の実装面からの高さの調整や、リードフレーム1との不要な導通を避けるためにLDサブマウント12のようなサブマウントを介してリードフレーム1上に実装される場合がある。また、これらLDサブマウント12、LD11などの実装部品はリードフレーム1とともに必要な回路を構成するためにワイヤ13などによって必要な電気的接続が行われている。
本発明による光モジュールは、LD11を実装したリードフレーム1をモールド樹脂2により一体成型することによりレンズ一体型のモールドパッケージ3を形成し、リードフレーム1と外部回路基板とを半田接続する際に発生する熱が、モールドパッケージ3内部へ与える影響を低減するための熱流入抑制部(後述)が形成される。なお、本例では、光学素子として、LD11を備えた構造を例示して説明するが、例えば、受光素子(PD)を備えた構造、あるいは、発光素子(LD)及び受光素子(PD)の両方を備えた構造としてもよい。
ここで、リードフレーム1を外部回路基板に接続する手段として、SuPbやSuAgCu(鉛フリー)などの半田による接合が一般的である。このときの半田溶融のために加熱する温度は、約180〜230℃と非常に高い。一方で、モールドパッケージ3の通電を担うリードフレーム1は一般に銅合金(364W・m/K)などの熱伝導率の高い材料が用いられる。したがって、半田接合時に発生する熱がリードフレーム1を介してモールドパッケージ3の内部へ伝わる。
また、光通信用に用いられているエポキシ系に代表される透明なモールド樹脂2は一般に、光の透過性を確保するために線膨張係数を抑えるためのフィラーを混入しない。フィラーが入っていない透明樹脂の線膨張係数は、モールドされた金属製のリードフレーム1やワイヤ13に比べて4倍程度もあり、上記半田接合時の熱による温度変化によりモールド樹脂2が膨張・収縮をして、歪が発生する。その歪が内蔵部品に加える力となって破損などの不具合の原因となる。例えば、LD11の端子に接続されたワイヤ13へ力が加わり破断の原因となる。
そこで、本発明による光モジュールでは、リードフレーム1に半田付け時の熱流入を抑えるための熱流入抑制部を設けるようにしている。この熱流入抑制部は、リードフレーム1に、半田接続部からの熱流入の方向と交わる断面の面積を部分的に小さくして形成されるか、あるいは、半田付け時の放熱を可能とするために、リードフレーム1の一部をモールド樹脂2から露出させて形成される。
上記において、高周波伝送においては、伝送線路設計がなされており、モールド樹脂2の誘電率を含めて設計されているので、製品として使用する際には、モールド樹脂2に形成した露出部を、モールド樹脂2の誘電率と同等の誘電率をもつ接着剤で埋めることが可能な構造とすることが好ましい。
図2〜図4は、本発明による光モジュールの一実施例を示す図である。図2は光モジュールの斜視図、図3は光モジュールの上面図、図4は光モジュールの下面図を示す。図中、14は貫通孔、15は半田接続部、16は回路実装部、17は高周波信号ライン、21は露出部を示す。
また、図5は、図2〜図4に示す光モジュールを構成するリードフレーム1を上から見た図を示す。
なお、上記の貫通孔14,露出部21は、本発明の熱流入抑制部に相当し、本例では両方を備える構成を例示して説明するが、熱流入抑制部として、貫通孔14,露出部21をそれぞれ単独で形成してもよい。
図5に示すように、高周波信号ライン17をはじめ、電源、グランドなどのラインを有するリードフレーム1上にサブマウント12を介してLD11が半田によって実装されている。リードフレーム1とサブマウント12、LD11とはワイヤ13で電気的に接続されている。そして、図2〜図4に示すように、回路実装後のリードフレーム1が、透明エポキシなどのモールド樹脂2でインサート成型されレンズ4と一体的にモールドパッケージ化される。このモールドパッケージ3は、光コネクタ整列用レセプタクルスリーブ5(図1を参照)に調芯された後に接着固定され、光モジュールとされる。そして、この光モジュールは、光データリンク(図示せず)が内蔵する回路基板と電気的に接続されて光データリンクのハウジングに収容される。
図2〜図4に示すように、リードフレーム1は、図示しない外部回路基板と半田接続するための半田接続部15と、モールド樹脂2に内蔵される回路実装部16とを備え、半田接続部15と回路実装部16との間に、半田接続部15からの熱流入を抑制するための貫通孔14及び露出部21が形成されている。具体的には、図5に示すように、貫通孔14は、リードフレーム1に、半田接続部15からの熱流入の方向(図示のY方向)と交わる断面(図示のXX′断面)の面積を部分的に小さくして形成されている。この貫通孔14は、例えば、溝や切り欠きなどであってもよい。
ここで、部品が実装されるリードフレーム1には、一般的に、LD11等で発生した熱を放熱するため銅合金(364W・m/K)などの熱伝導が高い材料が用いられる。そして、上記のように、リードフレーム1に熱流入抑制用の貫通孔14を設けて部分的に熱抵抗を高くすることで外部からの熱流入の影響を抑えることができる。
図3において、リードフレーム1に形成した貫通孔14の幅w1(LD11の光軸と平行な方向)の寸法はリードフレーム1の厚み等にもよるが、本例では0.15mm程度としている。また、リードフレーム1の貫通孔14以外の残った部分の長さv+u(LD11の光軸と垂直な方向)は小さいほどよいが、製造工程でのハンドリングに支障が生じない程度のリードフレーム1の強度を保つために、少なくとも0.20mm程度は必要である。
さらに、リードフレーム1の半田接続部15と回路実装部16との間において、モールド樹脂2に、リードフレーム1の一部が露出する露出部21を設けるようにしてもよい。図3の例では熱流入抑制部14より回路実装部16側に露出部21を形成している。この露出部21は大きければ大きいほど放熱性が向上するが、あまり大きくしてしまうとパッケージサイズの拡大につながり好ましくない。このため本例では露出部21の幅w2(LD11の光軸と平行な方向)を0.50mm程度としている。
そして、外部回路基板とリードフレーム1との半田接続時に、このリードフレーム1の露出部21に熱伝導の高い、例えば銅などを材料とする放熱部材7を接触させ、放熱部材7から半田接続時に発生する熱を放熱させる。この放熱部材7は所謂ヒートシンクとして機能する。これによりさらにモールドパッケージ3への熱流入を抑制することが出来る。
ここで、10Gbpsなどの高速伝送においては、モールド樹脂2の誘電率(3.7)を考慮し、伝送線路のインピーダンス設計を行っており、上記のような放熱に利用するリードフレームの露出部21がそのまま残った場合、この露出部21においてインピーダンス不整合が生じて、伝送品質が劣化する恐れがある。そこで、本例ではこの露出部21を、信号の伝達を担うリードフレーム1の高周波信号ライン17に対応する部分21aと、その他のライン(GNDなど)に対応する部分21bとに分割している。そして半田接続後に、露出部21の少なくとも高周波信号ライン17の露出部分21aに、モールド樹脂2と同等の誘電率(3.7)を有する樹脂(接着剤)を充填するようにしてもよい。
すなわち、図3において、光モジュールを外部回路基板に半田接続する際に、露出部21に放熱部材7を接触させ、リードフレーム1と外部回路基板とを半田接続した後に、露出部21から放熱部材7を除去し、放熱部材7を除去した露出部21の少なくとも高周波信号ライン17に相当する部分にモールド樹脂2と同等の樹脂を充填する。これにより信号品質が劣化することなく伝送することが可能となる。
図6は、本発明による光モジュールがFPCに接続された状態の一例を示す図である。図6(A)は斜視図、図6(B)は上面図を示す。図中、8はFPCを示す。リードフレーム1の半田接続部15と回路実装部16との間において、モールド樹脂2に露出部21を設ける理由について補足しておく。前述したように、半田付けの後にインピーダンス不整合解消のために高周波信号ラインに対応する露出部分を、モールド樹脂2と同程度の誘電率の樹脂を充填して埋める場合、半田接続部15と回路実装部16との間は、比較的樹脂層が薄く、且つ、形状が平坦であるため、樹脂の充填が行い易いというメリットがある。
このように、本発明によれば、リードフレームと外部回路基板との半田接続時に発生する熱がモールド樹脂の内蔵部品へ与える影響を低減することができるため、モールド樹脂内の内蔵部品にかかる熱応力による不良を抑制することが出来る。
また、上記のような放熱構造とすることにより、光データリンクの動作時においても、効果的に放熱させることができるため、モールド樹脂内の内蔵部品の発熱による品質の劣化を抑制することが可能となる。
また、伝送線路設計に際し必要に応じて、リードフレームの露出部分をモールド樹脂と同等の誘電率を持つ樹脂で充填することが可能であるため、信号品質を劣化させることがない。
1…リードフレーム、2…モールド樹脂、3…モールドパッケージ、4…レンズ、5…レセプタクルスリーブ、6…接着剤、7…放熱部材、8…FPC、11…LD、12…LDサブマウント、13…ワイヤ、14…貫通孔、15…半田接続部、16…回路実装部、17…高周波信号ライン、21…露出部。

Claims (4)

  1. 光学素子を実装したリードフレームがモールド樹脂により一体成型された光モジュールであって、
    前記リードフレームは、外部回路基板と半田接続するための半田接続部と、前記モールド樹脂に内蔵される回路実装部とを備え、前記半田接続部と前記回路実装部との間に、該半田接続部からの熱流入を抑制するための熱流入抑制部が形成されていることを特徴とする光モジュール。
  2. 前記熱流入抑制部は、前記リードフレームに、前記半田接続部からの熱流入の方向と交わる断面の面積を部分的に小さくして形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記熱流入抑制部は、前記リードフレームの一部を前記モールド樹脂から露出させて形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光モジュール。
  4. リードフレームの一部を露出させる露出部がモールド樹脂に形成された光モジュールを、外部回路基板に半田接続するための光モジュールの接続方法であって、
    前記露出部に放熱部材を接触させ、前記リードフレームと前記外部回路基板とを半田接続した後に、前記露出部から前記放熱部材を除去し、該放熱部材を除去した前記露出部の少なくとも信号ラインに相当する部分に前記モールド樹脂と同等の誘電率を持つ樹脂を充填することを特徴とする光モジュールの接続方法。
JP2009036328A 2009-02-19 2009-02-19 光モジュールの接続方法 Active JP5515315B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009036328A JP5515315B2 (ja) 2009-02-19 2009-02-19 光モジュールの接続方法
CN2010800083926A CN102449865A (zh) 2009-02-19 2010-02-18 以透明模装树脂封装引线框和半导体光学装置的光学模块
US13/148,236 US20120025210A1 (en) 2009-02-19 2010-02-18 Optical module enclosing lead frame and semiconductor optical device mounted on the lead frame with transparaent mold resin
PCT/JP2010/052908 WO2010095760A2 (en) 2009-02-19 2010-02-18 Optical module enclosing lead frame and semiconductor optical device mounted on the lead frame with transparaent mold resin

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009036328A JP5515315B2 (ja) 2009-02-19 2009-02-19 光モジュールの接続方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010192737A true JP2010192737A (ja) 2010-09-02
JP5515315B2 JP5515315B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=42818436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009036328A Active JP5515315B2 (ja) 2009-02-19 2009-02-19 光モジュールの接続方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5515315B2 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5070444U (ja) * 1973-11-01 1975-06-21
JPS53136178U (ja) * 1977-04-02 1978-10-27
JPS6454263U (ja) * 1987-09-25 1989-04-04
JPH0163571U (ja) * 1987-10-19 1989-04-24
JP2003264265A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2004119492A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Sharp Corp 半導体装置
JP2004253415A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Hitachi Ltd 電子回路装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5070444U (ja) * 1973-11-01 1975-06-21
JPS53136178U (ja) * 1977-04-02 1978-10-27
JPS6454263U (ja) * 1987-09-25 1989-04-04
JPH0163571U (ja) * 1987-10-19 1989-04-24
JP2003264265A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2004119492A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Sharp Corp 半導体装置
JP2004253415A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Hitachi Ltd 電子回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5515315B2 (ja) 2014-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9791647B2 (en) Optoelectronic module with improved heat management
JP3861864B2 (ja) 光モジュール
JP4015440B2 (ja) 光通信モジュール
KR102282534B1 (ko) 광 전송 모듈
JP2006338018A (ja) 光学アセンブリ
JP2012060125A (ja) 小型高速光モジュール
JP2005236298A (ja) 光送信アセンブリ
JP2021139998A (ja) 光モジュール
JP2008304903A (ja) 光学アセンブリおよびその形成方法
JP2009260227A (ja) 光電気変換装置
JP2008226988A (ja) 光電変換モジュール
US20130299683A1 (en) Optical connecting member and optical module
JP2011002477A (ja) 光通信モジュール
US11327258B2 (en) Optical module
US8581173B2 (en) Fiber optic transceiver module having a molded cover in which an optical beam transformer made of an elastomer is integrally formed
JP2016015405A (ja) 光モジュール、及び光アクティブケーブル
JP5515315B2 (ja) 光モジュールの接続方法
JP4816397B2 (ja) 光電変換モジュール
JP4105647B2 (ja) 半導体レーザモジュール及び光伝送器
JP2008103774A (ja) 高周波光伝送モジュールおよび光伝送器
JP2011091295A (ja) 光データリンク
JP2008224941A (ja) 光モジュール
JP7243449B2 (ja) 光モジュール
JP2019009171A (ja) 半導体装置
JP7115548B2 (ja) 光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131015

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5515315

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250