JP2010182975A - 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属層11上に柱状のメサ部17が設けられている。メサ部17の上面には、環状の上部電極21が設けられており、メサ部17の側面(周囲)には、少なくとも下部DBR層12にまで達する複数の溝19が設けられている。複数の溝19は、メサ部17を中心にして回転する方向に所定の間隙で形成されている。メサ部17のうち活性層14および電流狭窄層18を含む柱状部分17Aは、下部DBR層12との対向領域内および上部DBR層16との対向領域内に形成されており、柱状部分17Aが、上部DBR層16の断面積よりも小さくなっている。
【選択図】図3
Description
(A)第1基板の上に、第1多層膜反射鏡、活性層および第2多層膜反射鏡を第1基板とは反対側から順に含むと共に被酸化層を含む半導体層を有する被加工基板の前記半導体層のうち柱状の特定領域の周囲に、少なくとも第2多層膜反射鏡および被酸化層にまで達する複数の溝を、特定領域を中心にして回転する方向に所定の間隙で形成する第1工程
(B)半導体層の上面うち溝の非形成領域に第1金属層を形成したのち、第2基板の上に第2金属層を有する支持基板の前記第2金属層に、第1金属層を貼り合わせる第2工程
(C)第1基板側から、特定領域を含む領域以外の領域の全体または一部を除去することにより溝を外部と連通させたのち、被酸化層を溝の側面側から酸化することにより被酸化層のうち特定領域の外縁に対応する領域に酸化領域を形成すると共に被酸化層のうち特定領域の中心に対応する領域に未酸化領域を形成する第3工程
1.構成
2.製造方法
3.作用・効果
4.変形例
図1は、本発明の一実施の形態に係る面発光型の半導体レーザ1の上面構成を表したものである。図2は、図1の半導体レーザ1を斜視的に表したものである。図3は、図1、図2の半導体レーザ1のA−A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図4は、図1、図2の半導体レーザ1のB−B矢視方向の断面構成の一例を表したものである。なお、図1ないし図4は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。
R1=R3<R6<R2=R4=R5
D2<D1×2
本実施の形態の半導体レーザ1は、例えば次のようにして製造することができる。
本実施の形態の半導体レーザ1では、下部電極25と上部電極21との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄層18における電流注入領域18Aを通して活性層14に電流が注入され、これにより電子と正溝の再結合による発光が生じる。この光は、一対の下部DBR層12および上部DBR層16により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、レーザビームとして光射出口21Aから外部に射出される。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
Claims (10)
- 基板の上に、第1多層膜反射鏡、活性層および第2多層膜反射鏡を前記基板側から順に含むと共に、電流狭窄層を含む柱状のメサ部を備え、
前記メサ部のうち前記活性層および前記電流狭窄層を含む柱状部分は、前記前記第1多層膜反射鏡との対向領域内および前記第2多層膜反射鏡との対向領域内に形成されており、
前記柱状部分の断面積が、前記第2多層膜反射鏡の断面積よりも小さくなっている
面発光型半導体レーザ。 - 前記メサ部の上面に、光射出口を有する環状の電極を備え、
前記柱状部分の側面の一部が、前記電極の外縁よりも内側に形成されている
請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記メサ部は、積層方向に延在する軸を中心として対称に形成されている
請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記メサ部は、モノリシックに形成されたものである
請求項1または請求項3のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記基板と前記メサ部との間に、前記基板および前記メサ部に接する金属層を備えた
請求項4に記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記金属層は、互いに貼り合わされた第1金属層および第2金属層を有する
請求項5に記載の面発光型半導体レーザ。 - 第1基板の上に、第1多層膜反射鏡、活性層および第2多層膜反射鏡を前記第1基板とは反対側から順に含むと共に被酸化層を含む半導体層を有する被加工基板の前記半導体層のうち柱状の特定領域の周囲に、少なくとも前記第2多層膜反射鏡および前記被酸化層にまで達する複数の溝を、前記特定領域を中心にして回転する方向に所定の間隙で形成する第1工程と、
前記半導体層の上面うち前記溝の非形成領域に第1金属層を形成したのち、第2基板の上に第2金属層を有する支持基板の前記第2金属層に、前記第1金属層を貼り合わせる第2工程と、
前記第1基板側から、前記特定領域を含む領域以外の領域の全体または一部を除去することにより前記溝を外部と連通させたのち、前記被酸化層を前記溝の側面側から酸化することにより前記被酸化層のうち前記特定領域の外縁に対応する領域に酸化領域を形成すると共に前記被酸化層のうち前記特定領域の中心に対応する領域に未酸化領域を形成する第3工程と
を含む面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記酸化領域の、前記溝の側面からの奥行きをD1とし、前記複数の溝のうち前記特定領域を中心にして回転する方向において互いに隣接する2つの溝の距離をD2とすると、前記第1工程において、D2<D1×2を満たすように、前記複数の溝を形成する
請求項7に記載の面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記第3工程において、前記未酸化領域との対向領域に光射出口を有すると共に前記特定領域よりも外側に外縁の一部を有する環状の電極を、前記第2基板とは反対側の表面に形成する
請求項7に記載の面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記第1工程において、前記複数の溝を、積層方向に延在する軸を中心として対称に形成する
請求項7に記載の面発光型半導体レーザの製造方法。
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