JP2010182860A - 原子層成長装置 - Google Patents
原子層成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010182860A JP2010182860A JP2009024732A JP2009024732A JP2010182860A JP 2010182860 A JP2010182860 A JP 2010182860A JP 2009024732 A JP2009024732 A JP 2009024732A JP 2009024732 A JP2009024732 A JP 2009024732A JP 2010182860 A JP2010182860 A JP 2010182860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- film forming
- gas
- atomic layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】装置から取り外せない部分におけるパーティクルの発生を抑制するためにかかる時間とコストを低減する。
【解決手段】連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110などの、成膜部103に連通する空間に接する面に、金属溶射被覆部131を備える。例えば、金属溶射被覆部131は、シール部114の領域にも形成されている。金属溶射被膜部131は、例えば、アルミニウムを溶射することで形成したものであり、例えば、中心線平均粗さRaが10〜20μm程度に形成されている。また、金属溶射被膜部131は、膜厚50μm程度の形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110などの、成膜部103に連通する空間に接する面に、金属溶射被覆部131を備える。例えば、金属溶射被覆部131は、シール部114の領域にも形成されている。金属溶射被膜部131は、例えば、アルミニウムを溶射することで形成したものであり、例えば、中心線平均粗さRaが10〜20μm程度に形成されている。また、金属溶射被膜部131は、膜厚50μm程度の形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、気相において加熱された基板の上に原料ガスを供給することで薄膜を形成する原子層成長装置に関する。
近年、300℃程度の低温で良質な薄膜がより均質な状態で形成可能であるなどの種々の特徴を備える技術として、原子層成長(Atomic Layer Deposition:ALD)法が、注目されている。原子層成長法は、形成対象の膜を構成する各元素の原料を基板に交互に供給することにより、原子層単位で薄膜を形成する技術である。原子層成長方法では、各元素の原料を供給している間に1層あるいはn層(nは2以上の整数)だけを表面に吸着させ、余分な原料は成長に寄与させないようにしている。原子層成長方法によれば、一般的なCVDと同様に高い形状適応性と膜厚制御性を併せ持っており、より低温でより広い面積に対して均一な薄膜を再現性よく形成できる技術として、大画面のフラットパネルディスプレイ製造への適用が検討されている。
大型化に対応する原子層成長装置としては、1辺が数十cmを越える矩形の基板が対象となるため、基板に平行に(基板が延在する方向に)ガスを供給する横型の装置が一般に用いられている。横型の装置では、よく知られているように、基板に平行にガスを供給しており、装置の構成が単純であり、基板の大型化に適用しやすい構成となっている。また、原子層成長方法は、前述したように成長の自己停止作用を備えており、他の化学的気相成長法に比較し、形成される膜の状態が供給されるガスの分布にあまり影響をされない。このため、基板の大型化に伴い、ガスの供給口からの距離が大きく異なる状態となっていても、基板全域に対して均一な膜の形成が期待できる。
ところで、上述したような成長装置では、供給される原料(ガス)が装置内壁にも接するため、内壁に堆積物が付着していく。この堆積物が多くなると、堆積物の剥がれによるパーティクルが発生しやすくなり、これが製品に付着して異物となることにより製品の収率(歩留まり)が低下する。このため、装置内部のクリーニングが重要となり、様々な方法が提案されている(特許文献1,2,3参照)。
この中で、プラズマを用いたドライクリーニングは、実施が容易であるため、多くの方法が提案されていある。しかしながら、プラズマを用いたドライクリーニングでは、プラズマを生成する機構がない場合や、プラズマでは堆積物の除去が容易ではないアルミナ成膜などの場合適用させることが容易ではない。このような場合は、溶液を用いたクリーニングや、物理的な衝撃による除去などが行われる。これらのクリーニングでは、例えば、クリーニング対象の部分を装置本体より取り外して行う。
しかしながら、一般に、成膜部を取り外すことは容易であるが、成膜室につながるガスの供給部や、排気部は、装置本体より取り外すことが容易ではない。このため、これらの取り外すことが容易ではない部分は、装置本体に接続した状態でクリーニングを行わなければならず、クリーニングが容易ではないという問題がある。特に、前述したような基板の大型化に伴い装置が大型化すると、装置本体より取り外すことができない部分のクリーニングには、多くの時間とコストがかかってしまう。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、装置から取り外せない部分におけるパーティクルの発生を抑制するためにかかる時間とコストを低減することを目的とする。
本発明に係る原子層成長装置は、成膜対象の基板が配置され、成膜に用いるガスが一端より供給されて他端より排気される成膜部と、この成膜部の一端に接続するガス導入部と、成膜部の他端に接続する排気連通部と、成膜部の内部を加熱する加熱手段と、ガス導入部にガスを供給するガス供給手段と、排気連通部に接続する排気手段と、ガス導入部および排気連通部の成膜部に連通する空間に接する面に形成された金属溶射被膜とを少なくとも備え、成膜部は、ガス導入部および排気連通部に対して着脱可能とされている。
上記原子層成長装置において、基板を搬入するための基板搬入部とガス導入部とを連通させる連通部と、この連通部の成膜部に連通する空間に接する面に形成された金属溶射被膜を備えるようにしてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ガス導入部および排気連通部の成膜部に連通する空間に接する面に形成された金属溶射被膜とを少なくとも備えるようにしたので、装置から取り外せない部分におけるパーティクルの発生が抑制できるようになるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における原子層成長装置の構成例を示す構成図である。図1では、主要な部分については、断面を示している。本原子層成長装置は、装置本体上部101と装置本体下部102とを備える。これらによる装置本体内部には、まず、成膜対象の基板(不図示)が配置され、ガスが一端より供給されて他端より排気される成膜部103を備える。図1は、基板を横に配置する場合について例示しており、本例では、成膜に用いるガスが基板の延在する方向に流れるように、紙面右側より紙面左側にかけて流れていく。なお、基板を横に置くものに限るものではない。成膜部103は、例えば石英から構成されている。
また、成膜部103の下部には下部ヒータ104aを備え、成膜部103の上部には、上部ヒータ104bを備える。また、成膜部103の一端側の装置本体外部には、ゲート105を備える基板搬入部106が配置されている。基板搬入部106は、連通部107により装置本体に接続されている。ゲート105を開け、成膜対象の基板を成膜部103に搬入し、基板を搬入した後、ゲート105を閉じる。また、基板の上に膜を形成した後、ゲート105を開けて基板を搬出し、この後ゲート105を閉じる。
また、装置本体の内部において、成膜部103の一端には、ガス導入部109が接続している。また、ガス導入部109は、連通部108および装置本体側部の連通孔により、装置本体外側の連通部107に接続している。一方、装置本体の内部において、成膜部103の他端には、排気連通部110が接続している。ここで、本実施の形態では、排気連通部110は、上述した一連の接続方向に伸縮可能とされている。また、連通部107,連通部108,ガス導入部109,および排気連通部110は、例えば、ステンレス鋼から構成されている。
また、下部ヒータ104aおよび成膜部103は、支持機構111により支持台112の上に支持されている。また、排気連通部110は、装置本体側部の連通孔を介して排気管113に接続している。加えて、排気管113は、真空ポンプ122に接続している。
また、基板搬入部106と連通部107、連通部107と装置本体側部外側、装置本体側部内側と連通部108、連通部108とガス導入部109、ガス導入部109と成膜部103、成膜部103と排気連通部110、排気連通部110と装置本体側部内側は、オーリングが配置されて気密に構成されたシール部114を介して接続されている。また、ガス導入部109には、ガス供給管115が接続され、ガス供給部121より供給された成膜に用いるガスが導入可能とされている。
また、この原子層成長装置は、支持台112を装置本体下部102より離間させる(下降させる)ことで、下部ヒータ104aとともに成膜部103を装置本体より取り外すことができる。これにより、成膜部103は、ガス導入部109および排気連通部110より離脱する。また、支持台112を上昇させて装置本体下部102に接続することで、成膜部103を、ガス導入部109および排気連通部110に接続させることができる。このように、成膜部103は、ガス導入部109および排気連通部110に対して着脱可能とされている。
加えて、本実施の形態における原子層成長装置は、連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110などの、成膜部103に連通する空間に接する面に、金属溶射被膜131を備える。例えば、金属溶射被膜131は、オーリングなどを除き、シール部114の領域にも形成されている。また、連通部107や排気管113、および装置本体の両側部の連通孔に金属溶射被膜が形成されていてもよい。金属溶射被膜部131は、例えば、アルミニウムなどの金属材料を溶射することで形成(金属溶射被覆)したものである。金属材料を加熱して溶融または軟化し、これらを微粒子状にして被膜形成領域に衝突させることで、金属溶射被膜部131が形成できる。この、金属溶射被膜部131は、膜厚150μm程度、表面の中心線平均粗さRaが、例えば、10〜20μm程度に形成されている。
このように、連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110の内面(内壁)に、表面に凹凸を備える金属溶射被膜部131を形成したので、その表面積が増大し、生産(成膜)に伴い内面に付着する堆積物が剥がれにくくなり、パーティクルの発生が抑制できるようになる。
例えば、トリメチルアルミニウムおよびオゾンなどの酸化ガスを用いた公知の原子層成長により、Al2O3膜を形成する場合について考える。この場合、装置の内壁には、酸化アルミニウムが堆積物として形成されるようになる。上述したように金属溶射被膜を形成していない成膜部103においては、内壁に膜厚5μm程度の堆積物の膜が形成されると、堆積物膜の剥がれによるパーティクルの発生が確認されるようになる。このため、一般には、内壁に膜厚5μm程度の堆積物膜が形成される毎に、支持台112を下降させ、ガス導入部109および排気連通部110より成膜部103を離脱させて装置本体より取り出し、よく知られた洗浄(クリーニング)により成膜部103の内壁の堆積膜を除去している。この洗浄では、まず、堆積物が溶解する洗浄溶液に、成膜部103を所定時間浸漬する。ついで、堆積物が除去された後、洗浄溶液より成膜部103を取り出し、溶剤などにより成膜部103より洗浄溶液を除去して乾燥する。
しかしながら、連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110などは、装置本体より取り外すことが容易ではないため、装置本体に装着された状態で洗浄することになる。装置本体より取り外すことができない部分は、例えば、まず、手作業で研磨するなどにより堆積物を除去する。この後、アルコールなどの溶剤を用い、研磨した領域より研磨かすなどを拭き取るようにしている。このように装置本体に装着された状態で上述したような堆積物の除去・洗浄を行うことは、容易ではなく、また、コストの上昇を招いている。これに対し、本実施の形態によれば、金属溶射被膜部131を形成したので、上述したような堆積物膜が膜厚100μmを超えて堆積されるまでは、パーティクルの発生が確認されない。
この結果、本実施の形態によれば、上述したような洗浄を、内壁に膜厚100μm程度の堆積物膜が形成される毎に行えばよいことになる。言い換えると、本実施の形態によれば、連通部108、ガス導入部109,および排気連通部110などの装置本体に装着された状態で洗浄を行う部分の洗浄頻度を少なくすることができ、洗浄に要する時間やコストなどを低減させることができるようになる。
101…装置本体上部、102…装置本体下部、103…成膜部、104a…下部ヒータ、104b…上部ヒータ、105…ゲート、106…基板搬入部、107…連通部、108…連通部、109…ガス導入部、110…排気連通部、111…支持機構、112…真空ポンプ、113…排気管、114…シール部、115…ガス供給管、121…ガス供給部、122…真空ポンプ、131…金属溶射被膜。
Claims (2)
- 成膜対象の基板が配置され、成膜に用いるガスが一端より供給されて他端より排気される成膜部と、
この成膜部の前記一端に接続するガス導入部と、
前記成膜部の前記他端に接続する排気連通部と、
前記成膜部の内部を加熱する加熱手段と、
前記ガス導入部に前記ガスを供給するガス供給手段と、
前記排気連通部に接続する排気手段と、
前記ガス導入部および前記排気連通部の前記成膜部に連通する空間に接する面に形成された金属溶射被膜と
を少なくとも備え、
前記成膜部は、前記ガス導入部および前記排気連通部に対して着脱可能とされていることを特徴とする原子層成長装置。 - 請求項1記載の原子層成長装置において、
前記基板を搬入するための基板搬入部と前記ガス導入部とを連通させる連通部と、
この連通部の前記成膜部に連通する空間に接する面に形成された金属溶射被膜と
を備えることを特徴とする原子層成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024732A JP2010182860A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | 原子層成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024732A JP2010182860A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | 原子層成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010182860A true JP2010182860A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42764201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009024732A Pending JP2010182860A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | 原子層成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010182860A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002105618A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 真空処理室用表面構造 |
JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009024732A patent/JP2010182860A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002105618A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 真空処理室用表面構造 |
JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109075030B (zh) | 用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺 | |
US20140272341A1 (en) | Thermal treated sandwich structure layer to improve adhesive strength | |
JP4813115B2 (ja) | 半導体製造装置用部材及びその洗浄方法 | |
TW202003903A (zh) | 控制金屬汙染的腔室的原位cvd及ald塗佈 | |
JP4231417B2 (ja) | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 | |
JP2013519790A (ja) | 半導体処理のためのコーティング材料を備えたガス分配シャワーヘッド | |
JP6050860B1 (ja) | プラズマ原子層成長装置 | |
JP7358301B2 (ja) | ウエハガス放出のためのプラズマエンハンストアニールチャンバ | |
JP2017508891A (ja) | 拡散接合されたプラズマ耐性のある化学気相堆積(cvd)チャンバヒータ | |
TWI788654B (zh) | 用於高溫腐蝕環境之基板支撐件蓋 | |
TW201704520A (zh) | 原子層成長裝置 | |
US9017487B2 (en) | Deposition chamber cleaning method including stressed cleaning layer | |
JP4933979B2 (ja) | 成膜装置のクリーニング方法 | |
JP2008205279A (ja) | シリコン系薄膜の成膜方法及びその成膜装置 | |
CN100479111C (zh) | 等离子处理装置 | |
JP2010182860A (ja) | 原子層成長装置 | |
JP2010225751A (ja) | 原子層成長装置 | |
JP2008235393A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US9956589B2 (en) | Method for repairing semiconductor processing components | |
JP2010209419A (ja) | 原子層成長装置 | |
TW201316401A (zh) | 抗刻蝕層、半導體處理裝置及其製作方法 | |
JP2010192736A (ja) | 原子層成長装置および方法 | |
JP5173878B2 (ja) | 原子層成長装置および方法 | |
KR101416172B1 (ko) | 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법 | |
KR100700639B1 (ko) | Ald방식을 이용한 세라믹코팅층이 적용된 반도체제조장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130507 |