JP2010182777A - ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のウエハ加工用フィルムは、基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。
【選択図】図1
Description
基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、
前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする。
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする。
基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されていることを特徴とする。
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されていることを特徴とする。
第1実施形態に係るウエハ加工用フィルム10Aは、図1(A)に示すように、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層12上に設けられた接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15である。また、接着剤層13は、ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層12は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着剤層12及び接着剤層13は、基材フィルム11上に、基材フィルム11と同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルム10Aは、厚さが異なる部分を有していない。また、接着剤層13には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。
接着剤層は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着フィルムから剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層は、チップをピックアップする際に、個片化された半導体に付着したままの状態で、粘着フィルムから剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
本実施形態に係る粘着フィルム14は、基材フィルム11に粘着剤層12を設けたものである。そして、粘着フィルム14は、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。
第1実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム10Bは、図1(B)に示すように、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルム10A(図1(A))の接着剤層13側全面に、剥離可能な保護フィルム16が設けられているものである。具体的には、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層14上に設けられた接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15’に対して、更に、接着剤層13上に保護フィルム16が設けられたものである。また、保護フィルム16は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム16は、リングフレームに対応した切り込み16aが形成されている。切り込みは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分にそれぞれ形成するとよいが、内周が位置する部分にのみ形成してもよい。
ウエハ加工用フィルムに用いられる保護フィルムとしては、放射線遮蔽性を有するものであれば、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。
第2実施形態に係るウエハ加工用フィルム20Aは、図2(A)に示すように、粘着剤層を有さず、基材フィルム21と、基材フィルム21上に設けられた接着剤層23とを有するダイシング機能付きダイボンディングフィルム25である。また、接着剤層23は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないが、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルム10Aと同様、接着剤層23には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。
第2実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム20Bは、図2(B)に示すように、第2実施形態に係るウエハ加工用フィルム20A(図2(A))の接着剤層23側全面に、剥離可能な保護フィルム26が設けられているものである。具体的には、基材フィルム21と、基材フィルム21上に設けられた接着剤層23とを有するダイシング機能付きボンディングフィルム25’に対して、更に、接着剤層23上に保護フィルム26が設けられたものである。また、保護フィルム26は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム26は、リングフレームに対応した切り込み26aが形成されている。
第3実施形態に係るウエハ加工用フィルム30は、図3に示すように、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルム10A(図1(A))の接着剤層33のリングフレームに対応する位置の接着剤層部分33aが予め硬化されたダイシング・ダイボンディングフィルム35である。従って、硬化した接着剤層部分33aは接着性を弱められている。ここで、接着剤層33及び粘着剤層32は、放射線重合性化合物及び異なる波長に反応する光開始剤をそれぞれに含むものである。予め硬化された接着剤層部分33aは、接着剤層33のリングフレームに対応する部分のみを露光し、感光させて硬化させたものである。なお、接着剤層33及び粘着フィルム34はリングフレームに対応した形状にプリカットされていないものである。
第4実施形態に係るウエハ加工用フィルム40は、図4に示すように、第2実施形態に係るウエハ加工用フィルム20A(図2(A))の接着剤層のうち、リングフレームに対応する位置の接着剤層部分43aが予め硬化されたダイシング機能付きダイボンディングフィルム45である。硬化した接着剤層部分43aは接着性を弱められている。また、予め硬化された接着剤層43は、放射線重合性化合物及び光開始剤を含む接着剤層43のリングフレームに対応する部分のみを露光し、感光させて、硬化させたものである。なお、接着剤層43はリングフレームに対応した形状にプリカットされていないものである。
第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を、図5
及び図6を用いて説明する。図5及び図6は第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図5(A)は保護フィルム17が接着剤層13上に貼り付けられている状態を、図5(B)は保護フィルム17を剥離した後、放射線遮蔽性を有し、かつ、リングフレームに対応した形状のマスクMを用いてマスキングした状態を、図5(C)は放射線を照射し、マスクMのパターンを接着剤層13に投影して感光させ、リングフレームに対応する接着剤層13a部分を硬化させた状態を、図5(D)はウエハWがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を、図5(E)はウエハWをダイシングした状態を、図5(F)はウエハに対応する位置を含む粘着剤層12を硬化させた状態を示す断面図である。さらに、図6(A)はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態を、図6(B)はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。
図5(A)に示すように、まず、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層12上に設けられた接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15に対して、接着剤層13側から保護フィルム17が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層等がプリカットされていないことから、保護フィルムが貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層13と粘着フィルム14との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層13に転写痕が発生することを防止することができる。
次に、保護フィルム17を剥離した後、放射線遮蔽性を有するマスクMを用いて、接着剤層13の一部をマスキングする。後工程である感光工程において、接着剤層13のリングフレームに対応する部分のみを露光するため、リングフレーム以外の接着剤層部分の表面に対してマスクMを用いてマスキングする(図5(B))。なお、接着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分が硬化していればよいため、ウエハを貼着する部分以外(リングフレームに対応する部分を含む)を露光してもよい。
次に、図5(C)に示すように、放射線を照射し、マスクMのパターンを接着剤層13に投影して感光させ、リングフレームに対応する接着剤層13a部分を硬化させる。硬化した部分13aの接着力が弱められた結果、後工程のリング固定工程で固定されたリングフレームをウエハ加工用フィルムから剥がしても、リングフレーム上に接着剤が残存することはなく、良好にリングフレームとウエハ加工用フィルムを剥がすことができる。
次に、図5(D)に示すように、ウエハ加工フィルムの外周部、すなわち、硬化した接着剤層部分13aの所定位置にリングフレーム50を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンディングフィルム15の接着剤層13側から、接着剤層13に対して半導体ウエハWの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム50及び半導体ウエハWを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム15に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム50及び半導体ウエハWを1組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム50を貼り合わせる前あるいは貼り合わせた後に、リングフレーム50の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム15を切断するとよい。
リングフレーム50を介してウエハ加工用フィルムを図示しないダイシング装置に固定し、ブレードを用いて、半導体ウエハWを機械的に切断し、複数の半導体チップCに分割するとともに、接着剤層13も分割する(図5(E))。
そして、図5(F)に示すように、放射線を粘着剤層12に照射して硬化させる。硬化させた粘着剤層は粘着力が低下するため、粘着剤層12上の接着剤層13を剥離させることが可能となる。なお、接着剤層13を粘着剤層12から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。
照射工程の後、図6(A)に示すように、分割された複数の半導体チップCを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ51上に載置する。図中、符号52は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
そして、図6(B)に示すように、ダイシングされたチップC及び接着剤層13を保持した基材フィルム11及び粘着剤層12からなる粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数のチップC及び接着剤層13を保持した状態の粘着フィルムに対して、中空円柱形状の突き上げ部材52を、粘着フィルムの下面側から上昇させ、上記粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、CCDカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チップCをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチップを吸着することで、個片化されたチップCを接着剤層13とともにピックアップする。
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップCとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
11,21,31,41:基材フィルム
12,22,32:粘着剤層
13,23,33,43:接着剤層
14,34:粘着フィルム
15,15’,35:ダイシング・ダイボンディングフィルム
25,25’,45:ダイシング機能付きダイボンディングフィルム
16,17,26:保護フィルム
16a,26a:保護フィルムの切り込み
Claims (9)
- 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、
前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層に含まれる光開始剤と前記粘着剤層に含まれる光開始剤とは、異なる波長に反応することを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用フィルム。 - 前記接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、
前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込みが形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のウエハ加工用フィルム。 - 基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされていない
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 前記接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、
前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込みが形成されていることを特徴とする請求項4記載のウエハ加工用フィルム。 - 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されている
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層に含まれる光開始剤と前記粘着剤層に含まれる光開始剤とは、異なる波長に反応することを特徴とする請求項6に記載のウエハ加工用フィルム。 - 基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されている
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 請求項1〜請求項8のいずれかに記載のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくとも前記リングフレームに対応する部分を感光させて硬化させる感光工程と、
前記接着剤層に前記半導体ウエハを貼合する工程と、
前記感光工程により、接着剤層の硬化した部分に前記リングフレームを固定するリング固定工程とを含む、
ことを特徴とする方法。
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