JP2010176010A - 光通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気放電（ＥＳＤ）によるＶＣＳＥＬの破壊や劣化を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図った光通信装置を提供する。
【解決手段】光通信装置は、電気信号を光信号に変換する光モジュール３と光コネクタ４とを備える。光モジュール３は、モジュール基板３４と、ＶＣＳＥＬアレイ３２およびドライバＩＣ３３と、モジュールカバー３５とを有する。光コネクタ４は、複数本の光ファイバを保持したコネクタ部４２と光学部品６０とを有する。光学部品６０は、ＶＣＳＥＬアレイ３２から垂直な方向に出射される光を９０度曲げた後、光ファイバの各端面に光結合させる。コネクタ部４２に帯電した静電気がＶＣＳＥＬ３２へ直接流れないように、放電パスを設けている。放電パスは、コネクタ部４２とモジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０とを限りなく近づけることにより形成される第１の放電経路８１を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、ボード間光伝送システムや装置間（筐体間）光伝送システムに用いられる光通信装置に関し、特に面発光型半導体レーザ素子（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser、以後、ＶＣＳＥＬと呼ぶ）の静電気放電（ＥＳＤ：Electrostatic Discharge、以後、ＥＳＤと呼ぶ）対策を施した光通信装置に関する。

光通信装置には、複数の光素子およびＩＣを有する光モジュールと、光モジュールに装着され、複数の光素子との間で光信号を並列に伝送する光コネクタとを有するモジュール構造が用いられる。このようなモジュール構造では、例えば、複数の光素子として、基板面に垂直な方向に光（光信号）を出射する面発光型半導体レーザ素子であるＶＣＳＥＬアレイが用いられ、ＩＣとしてＶＣＳＥＬアレイを駆動するドライバＩＣが用いられる。
ＶＣＳＥＬはＥＳＤに非常に弱いことが知られている（例えば、非特許文献１および非特許文献２参照）。また、液晶モジュールにおいて、静電気による駆動ＩＣの破壊を低減する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−１０９３９５号公報

「ＶＣＳＥＬを利用した超高速光リンク技術の研究会春」富士ゼロックス株式会社 光システム事業開発部 First published in Proceedings of the SPIE, vol. 5737

ところで、ＶＣＳＥＬなどの光素子を用いる光通信装置では、ＶＣＳＥＬがＥＳＤに非常に弱いため、ＥＳＤによるＶＣＳＥＬの破壊や劣化を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることが重要な課題となっている。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る光通信装置は、モジュール基板と、該基板上に実装された光素子を有し、電気信号を光信号に或いは光信号を電気信号に変換する光モジュールと、前記光モジュールに装着され、前記光素子との間で前記光信号を伝送する光コネクタと、を備え、前記光コネクタに伝わった静電気が、該光コネクタから前記光素子へ伝わらないように放電パスを設けたことを特徴とする。

この構成によれば、静電気が光コネクタやファイバ（リボンファイバ）から光素子へ伝わらないように放電パスを設けているので、光コネクタやファイバ（リボンファイバ）に人の手が触れて光コネクタが帯電した時に、静電気放電（ＥＳＤ）が原因となったサージ（ＥＳＤサージ）が光コネクタから光素子へ流入するのが抑制される。これにより、ＥＳＤによる光素子の破壊を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることができる。つまり、光コネクタから光素子へのＥＳＤサージ流入による光素子の破壊を低減することができる。ここで、「光素子」は、ＶＣＳＥＬなどの発光素子と、フォトダイオードなどの受光素子とを含む意味で用いる。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記放電パスは、前記光コネクタと前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンとを限りなく近づけることにより形成される第１の放電経路を有することを特徴とする。この構成によれば、光コネクタからのＥＳＤサージが、光コネクタとモジュール基板上のグランドパターンとを限りなく近づけることにより形成される第１の放電経路に流入するので、ＥＳＤサージが光コネクタから光素子へ流入するのが抑制される。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光コネクタが前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンと接することにより、前記第１の放電経路が形成されていることを特徴とする。この構成によれば、第１の放電経路は、光コネクタがモジュール基板上のグランドパターンと接することにより形成されているので、光コネクタからのＥＳＤサージが第１の放電経路により一層流入しやすくなり、ＥＳＤサージが光コネクタから光素子へ流入するのが更に抑制される。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光コネクタの表面の少なくとも一部で、前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンに近接或いは接している部分が導電性であることを特徴とする。この構成によれば、光コネクタからのＥＳＤサージが第１の放電経路により一層流入しやすくなり、ＥＳＤサージが光コネクタから光素子へ流入するのが更に抑制される。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、光コネクタの表面の少なくとも一部には金属膜が形成されていることを特徴とする。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光素子および該光素子と電気的に接続されるＩＣの少なくとも一部を覆って前記モジュール基板に固定されるモジュールカバーを備え、前記モジュールカバーの少なくとも一部は電気導電性を有し、前記放電パスは、前記モジュールカバーを前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンに接地させることにより形成される第２の放電経路を有することを特徴とするとする。

この構成によれば、光コネクタからのＥＳＤサージが、電気導電性を有するモジュールカバーをモジュール基板上のグランドパターンに接地させることにより形成される第２の放電経路に流入するので、ＥＳＤサージが光コネクタから光素子へ流入するのが抑制される。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記ＩＣと対向する前記モジュールカバーの内面には、電気導電性を有する放熱用の金属板が固定されており、前記放電パスは、前記光コネクタの一部を放熱用の金属板と接触させることにより形成される第３の放電経路を有することを特徴とする。

この構成によれば、光コネクタからのＥＳＤサージが、光コネクタの一部をモジュールカバーの内面に固定された電気導電性を有する放熱用の金属板と接触させることにより形成される第３の放電経路に流入するので、ＥＳＤサージが光コネクタから光素子へ流入するのが抑制される。放熱用の金属板としては、銅板が好ましい。
本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光コネクタは、光ファイバと、該光ファイバを保持したコネクタ部と、前記光素子から基板に垂直な方向に出射される光を第１のマイクロレンズを介して反射面に入射し、前記反射面で９０度曲げた後、第２のマイクロレンズを介して前記コネクタ部に保持された光ファイバの端面に光結合させる光学部品とを有することを特徴とする。

この構成によれば、光素子と光コネクタの光学部品の端面との間に、マイクロレンズアレイの各マイクロレンズの焦点距離に応じた空気間隔を持たせることができるので、ＥＳＤサージが光コネクタから光学部品（光結合系）を介して光素子へ流入するのがさらに抑制される。

本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光コネクタは、光ファイバと、該光ファイバを保持したコネクタ部と、前記光素子から基板に垂直な方向に出射される光を一端に入射し、９０度曲げた方向に、他端から前記光を出射し、前記コネクタ部に保持された光ファイバの端面に光結合させる曲げ光ファイバとを有することを特徴とする。
本発明の他の態様に係る光通信装置は、前記光素子は複数のＶＣＳＥＬからなるＶＣＳＥＬアレイであり、前記光ファイバは複数の光ファイバからなるテープファイバ又はリボンファイバであることを特徴とする。

この構成によれば、光コネクタやファイバ（リボンファイバ）に人の手が触れて光コネクタが帯電した時に、静電気放電（ＥＳＤ）が原因となったサージ（ＥＳＤサージ）が光コネクタからＶＣＳＥＬアレイへ流入するのが抑制される。これにより、ＥＳＤによるＶＣＳＥＬアレイの破壊を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることができる。
ここで、「ＶＣＳＥＬ」は、面発光型半導体レーザ素子（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）をいう。

本発明によれば、光素子としてＶＣＳＥＬを使用する場合において、ＥＳＤによるＶＣＳＥＬの破壊や劣化を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることができる。

本発明の一実施形態に係る光通信装置の概略構成を示す分解斜視図。 一実施形態に係る光通信装置を示す斜視図。 一実施形態に係る光通信装置の組み立て状態を示す斜視図。 図２の一部を拡大して示した断面図。 図２に示すモジュール構造の縦断面図であり、同モジュール構造に形成した第１の放電経路と第２の放電経路を説明するための説明図。 （Ａ）はモジュール基板上にドライバＩＣとコンデンサとが実装された状態を示す斜視図、（Ｂ）はモジュール基板の凹部内にＶＣＳＥＬが実装された状態を示す斜視図。 （Ａ）は光コネクタのコネクタ部と光学部品が、光モジュールのモジュールカバーの開口部内に装着されていない状態を示す斜視図、（Ｂ）は図７（Ａ）の縦断面を示す断面図。 図２に示すモジュール構造の縦断面図であり、第３の放電経路を説明するための説明図。

次に、本発明を具体化した実施の形態を図面に基づいて説明する。
（一実施形態）
図１は一実施形態に係る光通信装置１０の概略構成を示しており、図２は光通信装置１０のモジュール構造を示している。また、図３は光通信装置１０の組み立て状態を示している。図４は図２の一部を拡大して示した断面図である。
光通信装置１０は、図１に示すように、電気基板５と、電気プラガブルソケット１と、光モジュール３と、押さえ板２と、ヒートシンク２０と、光コネクタ４と、光学部品６０とを備えている。

電気基板５はＰＣＢ（Printed Circuit Board）であり、その表面および裏面には、複数の電気端子５１と、各電気端子５１と接続された配線パターン（図示省略）とが形成されている。複数の電気端子５１は、例えば微細な平たい電極を格子状に並べたＬＧＡ（Land Grid Array）端子である。また、電気基板５には、図１に示すように、電気プラガブルソケット１を電気基板５に締結するためのネジ６１が挿通する４つの貫通孔５２と、電気プラガブルソケット１を電気基板５に位置決めするための一対の位置決めピン孔５３とが形成されている。

電気プラガブルソケット１は、図１に示すように、所定の押圧力を受けると電気的に接続状態になる複数の接続端子部１３が配置された底壁部１１と、光モジュール３を収容するためのモジュール収容凹部１４を形成する周壁部１２とを有し、電気基板５上にネジ６１で固定される。複数の接続端子部１３は、格子状に配置されており、底壁部１１の表面から突出した上部コンタクトピン１３ａ（図１参照）と、その裏面から突出した下部コンタクトピン（図示省略）とをそれぞれ有している。各接続端子部１３は、所定の押圧力を受けるとコイル状のバネ部（図示省略）が収縮して上部コンタクトピン１３ａと下部コンタクトピンとが電気的に接続されるように構成されたバネ状の端子である。また、電気プラガブルソケット１の周壁部１２には、図１に示すように、ネジ６１が螺合する４つのネジ孔１５と、押さえ板２を電気プラガブルソケット１に締結するためのネジ６２が螺合する４つのネジ孔１７とが形成されている。さらに、周壁部１２の一部には、図１に示すように、光コネクタ４のコネクタ部４２（図２参照）の一部を収容する切り欠き部１２ａが形成されている。

光モジュール３は、電気信号を光信号に変換する機能を有し、電気プラガブルソケット１のモジュール収容凹部１４内に着脱自在に装着される。光モジュール３は、モジュール収容凹部１４内に装着されると、電気プラガブルソケット１の複数の接続端子部１３を介して電気基板５と電気的に接続される。光モジュール３は、図１、図２および図４に示すように、モジュール基板（ＥＳＡ基板）３４と、モジュール基板３４の凹部３４ａ内に配置され、配線パターン（図示省略）上に実装されたＶＣＳＥＬアレイ（面発光型半導体レーザ素子アレイ、本例では１２個の素子からなる）３２と、モジュール基板３４の配線パターン上に実装されたドライバＩＣ３３と、モジュールカバー３５とを有する。ドライバＩＣ３３は、モジュール基板３４の一面（表面）上にフリップチップ実装（ＦＣＢ:Flip Chip Bonding）されており、ＶＣＳＥＬアレイ３２とワイヤディングにより電気的に接続されている。

モジュール基板３４は、一例としてセラミックス基板である。モジュール基板３４の一面（表面）上には、２つの差動信号用端子を１組とし、チャネル数（本例では１２ｃｈ）と同数の複数組の差動信号用端子と、ドライバＩＣ３３へ電源供給するための複数の電源供給用端子と、ドライバＩＣ３３へ制御信号を供給するための複数の制御信号供給用端子と、グランドパターンとが形成されている。その他面には、一面上にある複数組の差動信号用端子、複数の電源供給用端子および複数の制御信号供給用端子とそれぞれ電気的に接続された複数の端子（差動信号用端子、電源供給用端子および制御信号供給用端子）と、一面上にあるグランドパターンと電気的に接続されたグランドパターンとが形成されている。

押さえ板２は、図１および図３に示すように、所定の押圧力を電気プラガブルソケット１の各接続端子部１３に付与するように光モジュール３を上から押さえて、電気プラガブルソケット１の周壁部１２に着脱自在に固定される。押さえ板２には、ネジ６２が挿通する４つの貫通孔２３が形成されている。押さえ板２は、ネジ６２を４つの貫通孔２３にそれぞれ挿通させ、電気プラガブルソケット１の４つのネジ孔１７に螺合させることにより、電気プラガブルソケット１に固定される。押さえ板２の上面には、ヒートシンク２０が一体に形成されている。

光コネクタ４は、光モジュール３のＶＣＳＥＬアレイ３２から出射された光信号を並列に伝送する。このコネクタ４は、図１および図２に示すように、複数本（本例では１２本）の光ファイバが一列に配置されたテープファイバ４１と、複数本の光ファイバを保持したコネクタ部（フェルール）４２と、ＶＣＳＥＬアレイ３２の各素子からそれぞれ基板３４に垂直な方向に出射される光（光信号）を９０度曲げた後コネクタ部４２に保持された複数本の光ファイバの各端面に光結合させる光学部品６０とを有する。図１および図２では光軸は反射面によって曲げられているが、光ファイバを折り曲げることによって光軸を曲げることもできる。

コネクタ部４２は、多心用のフェルール型コネクタ（ＭＴコネクタ）である。このコネクタ部４２の一部は、押さえ部材２を電気プラガブルソケット１に固定した状態で、押さえ部材２の窓２１内に配置される。テープファイバ４１は、別の光コネクタ４３に接続され、光モジュール３との間で光信号を並列に伝送する。

光学部品６０は、図４に示すように、複数（本例では１２個）のマイクロレンズがそれぞれ一列に配置された２組のマイクロレンズアレイ６４，６５と、反射面６６とを有する。光学部品６０は、図４の一点鎖線で示す光路のように、ＶＣＳＥＬアレイ３２の各素子から基板３４に垂直な方向に出射される光をそれぞれマイクロレンズアレイ６５を介して、反射面６６に入射させ、そして反射面６６で反射させ、その反射光をマイクロレンズ６４で集光してコネクタ部４２の各光ファイバ端面に光結合させるようになっている。

光コネクタ４のコネクタ部４２と光学部品６０は、例えば光学部品６０から突出した２本のガイドピン（図示省略）をコネクタ部４２の２つのガイドピン穴（図示省略）に嵌合させた後、接着剤などで固定されている。コネクタ部４２と光学部品６０は、図２および図４に示すように、電気プラガブルソケット１のモジュール収容凹部１４内に装着された光モジュール３のモジュールカバー３５の開口部３ａ内に装着され、接着剤でモジュールカバー３５に固定されるようになっている。

また、光通信装置１０には、図１に示すように、光モジュール３のドライバＩＣ３３での発熱を効率良く押さえ板２およびヒートシンク２０へ伝えるためのシート状の熱伝導部材３０がモジュールカバー３５と押さえ板２との間に配置されている。熱伝導部材３０は、熱伝導率の高い材料、例えばシリコングリース、グラファイトシートなどからなる。

次に、以上のような構成を有する光通信装置１０に適用した各種のＥＳＤ対策を、図５乃至図８に基づいて説明する。
図２および図５に示すモジュール構造は、上述したように、電気信号を光信号に変換する光モジュール３と、光モジュール３に装着され、ＶＣＳＥＬアレイ３２との間で光信号を並列に伝送する光コネクタ４と、を備えている。光モジュール３は、モジュール基板３４と、該基板３４上に実装されたＶＣＳＥＬアレイ３２およびＶＣＳＥＬアレイ３２を駆動するドライバＩＣ３３と、ＶＣＳＥＬアレイ３２およびドライバＩＣ３３を覆ってモジュール基板３４に固定されるモジュールカバー３５とを有する。

一方、光コネクタ４は、図２および図４に示すように、複数本の光ファイバが一列に配置されたテープファイバ４１と、複数本の光ファイバを保持したコネクタ部４２と、光学部品６０とを有する。光学部品６０は、図４に示すように、ＶＣＳＥＬアレイ３２の各素子からそれぞれ基板３４に垂直な方向に出射される光が、マイクロレンズアレイ６４を介して反射面６６に入射され、反射面６６とにより９０度曲げられた後、マイクロレンズアレイ６５を介して、コネクタ部４２に保持された複数本の光ファイバの各端面に光結合させるように構成されている。

このような構成を有する光通信装置１０には、ＶＣＳＥＬ３２の静電気放電（ＥＳＤ）対策のために、光コネクタ４のコネクタ部４２に帯電した静電気がコネクタ部４２からＶＣＳＥＬアレイ３２へ直接流れないように、放電パスを設けている。この放電パスの具体例を以下に説明する。

（実施例１）
実施例１の光通信装置では、放電パスは、図５に示すように、光コネクタ４のコネクタ部４２とモジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０（図６（Ａ）参照）とを限りなく近づけることにより形成される第１の放電経路８１（パスＢ）を有する。つまり、この第１の放電経路８１は、コネクタ部４２に人の手が触れてコネクタ部４２が帯電した時に、静電気放電（ＥＳＤ）が原因となったサージ（ＥＳＤサージ）がコネクタ部４２からグランドパターン７０へ流入する経路である。グランドパターン７０に流入したＥＳＤサージは、図５に示すように、多層の積層基板であるモジュール基板３４のビアホール（ｖｉａ）７１の導体を介して別の層のグランドパターン７２に流入し、さらに別のビアホール７３の導体を介して外部グランド７４に流入するようになっている。

このような第１の放電経路８１を設けるために、図６（Ａ）、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、モジュール基板３４の表層（表面）には、コネクタ部４２が取り付けられる部分にグランドパターン７０が形成されている。図６（Ａ）は、モジュール基板３４上にドライバＩＣ３３とノイズ除去用のコンデンサ３６とが実装された状態を示している。ドライバＩＣ３３は、モジュール基板３４上にフリップチップ実装（ＦＣＢ）されている。コンデンサ３６は、複数（本例では１２個）のＶＣＳＥＬ３２を含むＶＣＳＥＬアレイと同じ凹部３４ａ内の両隅に実装されている。また、図６（Ｂ）は、凹部３４ａ内にＶＣＳＥＬアレイ３２が実装された状態を示している。この後、ＶＣＳＥＬアレイ３２はドライバＩＣ３３とワイヤボンディングされる。

実施例１によれば、以下の作用効果を奏する。
・静電気が光コネクタ４の光学部品６０から複数のＶＣＳＥＬ（ＶＣＳＥＬアレイ）３２へ直接流れないように放電パスとしての第１の放電経路８１を設けている。このため、コネクタ部４２やファイバ（リボンファイバ）４１の先端のMPOコネクタ（別に他のコネクタでもよい）に人の手が触れてコネクタ部４２が帯電した時に、静電気放電（ＥＳＤ）が原因となったサージ（ＥＳＤサージ）が光学部品６０からＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのが抑制される。これにより、ＥＳＤによるＶＣＳＥＬ３２の破壊を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることができる。つまり、光コネクタ４からＶＣＳＥＬ３２へのＥＳＤサージ流入によるＶＣＳＥＬ３２の破壊を低減することができる。

・光コネクタ４のコネクタ部４２とモジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０（図６（Ａ）参照）とを限りなく近づけることにより、第１の放電経路８１が形成されている。このため、コネクタ部４２が帯電した時に、ＥＳＤサージが第１の放電経路８１に流入してグランドパターン７０へ流れるので、ＥＳＤサージが光コネクタ４の光学部品６０を介して（経路８０を通って）ＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのが抑制される。これにより、ＥＳＤによるＶＣＳＥＬ３２の破壊を抑制して、長寿命化と信頼性の向上を図ることができる。

・ＶＣＳＥＬアレイ３２と光コネクタ４の光学部品６０の端面との間に、マイクロレンズアレイ６５（図４参照）の各マイクロレンズの焦点距離に応じた空気間隔を持たせることができるので、ＥＳＤサージが光コネクタ４のコネクタ部４２から光学部品６０を介してＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのがさらに抑制される。

（実施例２）
実施例２の光通信装置では、放電パスは、図５に示すように、コネクタ部４２がモジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０と接することにより、第１の放電経路８１が形成されている。
実施例２によれば、コネクタ部４２がモジュール基板３４上のグランドパターン７０と接することにより、第１の放電経路８１が形成されている。このため、コネクタ部４２からのＥＳＤサージが第１の放電経路８１により一層流入しやすくなり、ＥＳＤサージが光コネクタ４の光学部品６０を介して（経路８０を通って）ＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのが更に抑制される。

（実施例３）
実施例３の光通信装置は、上記実施例２のモジュール構造において、コネクタ部４２の一部で、モジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０に近接或いは接している部分に、金属がメッキ等により成膜形成されている。
実施例３によれば、コネクタ部４２の一部で、モジュール基板３４上のグランドパターン７０に近接或いは接している部分に、金属が成膜されているので、コネクタ部４２からのＥＳＤサージが第１の放電経路８１により一層流入しやすくなり、ＥＳＤサージが光コネクタ４の光学部品６０を介して（経路８０を通って）ＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのが更に抑制される。また、スペースの都合で近接部分を接触させられない場合は、コネクタ部４２の周囲をメッキし、そこから導電性の配線によってグランドパターン７０に接続しても良い。

（実施例４）
実施例４の光通信装置では、モジュールカバー３５は電気導電性を有し、放電パスは、図５に示すように、モジュールカバー３５をモジュール基板３４上に形成されたグランドパターン７０に接地させることにより形成される第２の放電経路８２を有する（図５参照）。
実施例４によれば、光コネクタからのＥＳＤサージが、電気導電性を有するモジュールカバーをモジュール基板上のグランドパターンに接地させることにより形成される第２の放電経路８２に流入するので、ＥＳＤサージが光コネクタ４の光学部品６０を介して（経路８０を通って）ＶＣＳＥＬアレイ３２へ流入するのが抑制される。

（実施例５）
実施例５の光通信装置では、図８に示すように、ドライバＩＣ３３と対向するモジュールカバー３５の内面には、電気導電性を有する放熱用の金属板３７（銅板）が固定されている。この金属板３７は、例えば銅板が好ましい。そして、放電パスは、光学部品６０の一部（光コネクタ４の一部）を放熱用の金属板３７と接触させることにより形成される第３の放電経路８２を有する。
実施例５によれば、コネクタ部４２からのＥＳＤサージが、光学部品６０の一部をモジュールカバー３５の内面に固定される放熱用の金属板３７と接触させることにより形成される第３の放電経路８２に流入するので、ＥＳＤサージが光コネクタ４の光学部品６０を介して（経路８０を通って）複数のＶＣＳＥＬへ流入するのが抑制される。
なお、図５に示す第１の放電経路８１と第２の放電経路８２の２つの放電経路を形成した光通信装置１０にも本発明は適用可能である。

また、図８に示す第１の放電経路８１と第２の放電経路８２と第３の放電経路の３つの放電経路を形成した光通信装置１０にも本発明は適用可能である。
本発明は静電気により破壊されやすいＶＣＳＥＬのような素子に適用することが特に適しているが、フォトダイオードなどの静電気によって破壊されうる素子に適用することによっても効果が得られる。

１：電気プラガブルソケット
２：押さえ板
３：光モジュール
４：光コネクタ
５：電気基板
１０： 光通信装置
１４：モジュール収容凹部
３２：ＶＣＳＥＬアレイ
３３：ドライバＩＣ
３４：モジュール基板
３５：モジュールカバー
４１：テープファイバ（リボンファイバ）
４２：コネクタ部
６０：光学部品
７０：グランドパターン
８１：第１の放電経路
８２：第２の放電経路
８３：第３の放電経路

Claims (10)

1. モジュール基板と、該基板上に実装された光素子を有し、電気信号を光信号に或いは光信号を電気信号に変換する光モジュールと、
   前記光モジュールに装着され、前記光素子との間で前記光信号を伝送する光コネクタと、を備え、
   前記光コネクタに伝わった静電気が、該光コネクタから前記光素子へ伝わらないように放電パスを設けたことを特徴とする光通信装置。
2. 前記放電パスは、前記光コネクタと前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンとを限りなく近づけることにより形成される第１の放電経路を有することを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
3. 前記光コネクタが前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンと接することにより、前記第１の放電経路が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光通信装置。
4. 前記光コネクタの表面の少なくとも一部で、前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンに近接或いは接している部分が導電性であることを特徴とする請求項３に記載の光通信装置。
5. 前記光コネクタの表面の少なくとも一部には金属膜が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光通信装置。
6. 前記光素子および該光素子と電気的に接続されるＩＣの少なくとも一部を覆って前記モジュール基板に固定されるモジュールカバーを備え、
   前記モジュールカバーの少なくとも一部は電気導電性を有し、
   前記放電パスは、前記モジュールカバーを前記モジュール基板上に形成されたグランドパターンに接地させることにより形成される第２の放電経路を有することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一つに記載の光通信装置。
7. 前記ＩＣと対向する前記モジュールカバーの内面には、電気導電性を有する放熱用の金属板が固定されており、
   前記放電パスは、前記光コネクタの一部を放熱用の金属板と接触させることにより形成される第３の放電経路を有することを特徴とする請求項６に記載の光通信装置。
8. 前記光コネクタは、光ファイバと、該光ファイバを保持したコネクタ部と、前記光素子から基板に垂直な方向に出射される光を第１のマイクロレンズを介して反射面に入射し、前記反射面で９０度曲げた後、第２のマイクロレンズを介して前記コネクタ部に保持された光ファイバの端面に光結合させる光学部品とを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の光通信装置。
9. 前記光コネクタは、光ファイバと、該光ファイバを保持したコネクタ部と、前記光素子から基板に垂直な方向に出射される光を一端に入射し、９０度曲げた方向に、他端から前記光を出射し、前記コネクタ部に保持された光ファイバの端面に光結合させる曲げ光ファイバとを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の光通信装置。
10. 前記光素子は複数のＶＣＳＥＬからなるＶＣＳＥＬアレイであり、前記光ファイバは複数の光ファイバからなるテープファイバ又はリボンファイバであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の光通信装置。

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