JP2010175397A - テスト信号生成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホストコントローラ200は、第1メモリー230に対する第1リード要求と、第2メモリー240に対する第2リード要求と、リフレッシュ要求とを発行し、リクエストメモリー210に格納すると共に、第1メモリー230、第2メモリー240から読み出されたデータに基づいてテスト信号を生成する。メモリーコントローラー220は、第1メモリー230、第2メモリー240の状態と、リクエストメモリー210に格納されている情報に基づき、第1メモリー230、第2メモリー240からのデータの読み出しの制御と、それぞれのリフレッシュ動作の制御を行う。
【選択図】図5
Description
被試験デバイスに供給するテスト信号を生成するために必要なデータが格納される第1メモリー及び第2メモリーと、
前記第1メモリーに対するリード要求である第1リード要求と前記第2メモリーに対するリード要求である第2リード要求とを発行するとともに、所定の周期で、前記第1メモリーと前記第2メモリーに対するリフレッシュ要求を発行する、ホストコントローラであって、前記第1リード要求と前記第2リード要求の応答として前記第1メモリーと前記第2メモリーから読み出したデータに基づいて前記テスト信号を生成する、ホストコントローラーと、
前記ホストコントローラーで発行された前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求とが格納される、リクエストメモリーと、
前記リクエストメモリーに前記第1リード要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合に、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行い、前記リクエストメモリーに前記第2リード要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合に、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うとともに、前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合に、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第1メモリーのリフレッシュ動作を行い、前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合に、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第2メモリーのリフレッシュ動作を行う、メモリーコントローラーと、
を備えることを特徴とする。
前記ホストコントローラーは、前記リクエストメモリーから、前記第1リード要求又は前記第2リード要求に対する応答として読み出されたデータを取得するようにしてもよい。
前記ホストコントローラーは、前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求を、前記複数のリクエストメモリーアドレスのうちの空いているリクエストメモリーアドレスに格納し、
前記メモリーコントローラーは、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーから読み出したデータを、その第1リード要求が格納されていたリクエストメモリーアドレスに格納し、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーから読み出したデータを、その第2リード要求が格納されていたリクエストメモリーアドレスに格納し、
前記ホストコントローラーは、前記第1リード要求又は前記第2リード要求に対する応答として読み出されたデータを、前記第1リード要求又は前記第2リード要求を格納したリクエストメモリーアドレスから取得するようにしてもよい。
前記ホストコントローラーは、前記第1メモリーに対する前記第1リード要求又は前記リフレッシュ要求を、前記リクエストメモリーに格納した場合には、その格納したリクエストメモリーアドレスを前記第1受付順管理部に追加し、前記第2メモリーに対する前記第2リード要求又は前記リフレッシュ要求を、前記リクエストメモリーに格納した場合には、その格納したリクエストメモリーアドレスを前記第2受付順管理部に追加し、
前記メモリーコントローラーは、
前記第1メモリーがアイドル状態である場合には、前記第1受付順管理部から、前記第1メモリーに対する次の要求が格納されている前記リクエストメモリーアドレスを取得して、そのリクエストメモリーアドレスから、前記第1メモリーに対する次の要求を取得し、
前記第2メモリーがアイドル状態である場合には、前記第2受付順管理部から、前記第2メモリーに対する次の要求が格納されている前記リクエストメモリーアドレスを取得して、そのリクエストメモリーアドレスから、前記第2メモリーに対する次の要求を取得するようにしてもよい。
前記第1メモリー又は前記第2メモリーから読み出したデータを、前記リクエストメモリーの前記リクエストメモリーアドレスに格納する際には、そのリクエストメモリーアドレスのステータスを応答終了に変更し、
前記メモリーコントローラーは、前記ステータスが応答終了を示しているリクエストメモリーアドレスから、前記第1メモリー又は前記第2メモリーから読み出されたデータを取得し、そのリクエストメモリーアドレスのステータスを空き状態に変更するようにしてもよい。
ホストコントローラーにおいて、前記第1メモリーに対するリード要求である第1リード要求と前記第2メモリーに対するリード要求である第2リード要求とを発行するとともに、所定の周期で、前記第1メモリーと前記第2メモリーに対するリフレッシュ要求を発行するステップと、
前記ホストコントローラーで発行された前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求とを、リクエストメモリーに格納するステップと、
前記リクエストメモリーに前記第1リード要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合には、メモリーコントローラーが、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記第2リード要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第1メモリーのリフレッシュ動作を行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第2メモリーのリフレッシュ動作を行うステップと、
前記第1リード要求と前記第2リード要求の応答として前記第1メモリーと前記第2メモリーから読み出したデータに基づいて、前記ホストコントローラーが、前記テスト信号を生成するステップと、
を備えることを特徴とする。
210 リクエストメモリー
220 メモリーコントローラー
230 第1メモリー
240 第2メモリー
300 アクセス要求生成部
310 リフレッシュ要求生成部
320 要求書込部
330 応答読出部
340 テスト信号生成機能部
400 受付要求管理部
410 要求取得部
420 要求実行部
430 応答書込部
Claims (7)
- 被試験デバイスに供給するテスト信号を生成するために必要なデータが格納される第1メモリー及び第2メモリーと、
前記第1メモリーに対するリード要求である第1リード要求と前記第2メモリーに対するリード要求である第2リード要求とを発行するとともに、所定の周期で、前記第1メモリーと前記第2メモリーに対するリフレッシュ要求を発行する、ホストコントローラであって、前記第1リード要求と前記第2リード要求の応答として前記第1メモリーと前記第2メモリーから読み出したデータに基づいて前記テスト信号を生成する、ホストコントローラーと、
前記ホストコントローラーで発行された前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求とが格納される、リクエストメモリーと、
前記リクエストメモリーに前記第1リード要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合に、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行い、前記リクエストメモリーに前記第2リード要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合に、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うとともに、前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合に、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第1メモリーのリフレッシュ動作を行い、前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合に、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第2メモリーのリフレッシュ動作を行う、メモリーコントローラーと、
を備えることを特徴とする、テスト信号生成装置。 - 前記メモリーコントローラーは、前記第1メモリーと前記第2メモリーから読み出したデータを、前記リクエストメモリーに格納し、
前記ホストコントローラーは、前記リクエストメモリーから、前記第1リード要求又は前記第2リード要求に対する応答として読み出されたデータを取得する、
ことを特徴とする請求項1に記載のテスト信号生成装置。 - 前記リクエストメモリーには、複数のリクエストメモリーアドレスが割り付けられており、
前記ホストコントローラーは、前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求を、前記複数のリクエストメモリーアドレスのうちの空いているリクエストメモリーアドレスに格納し、
前記メモリーコントローラーは、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーから読み出したデータを、その第1リード要求が格納されていたリクエストメモリーアドレスに格納し、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーから読み出したデータを、その第2リード要求が格納されていたリクエストメモリーアドレスに格納し、
前記ホストコントローラーは、前記第1リード要求又は前記第2リード要求に対する応答として読み出されたデータを、前記第1リード要求又は前記第2リード要求を格納したリクエストメモリーアドレスから取得する、
ことを特徴とする請求項1に記載のテスト信号生成装置。 - 前記メモリーコントローラーは、前記ホストコントローラーが発行した前記第1メモリーに対する要求である前記第1リード要求と前記リフレッシュ要求の受け付けた順番を管理する第1受付順管理部と、前記ホストコントローラーが発行した前記第2メモリーに対する要求である前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求の受け付けた順番を管理する第2受付順管理部とを、備えており、
前記ホストコントローラーは、前記第1メモリーに対する前記第1リード要求又は前記リフレッシュ要求を、前記リクエストメモリーに格納した場合には、その格納したリクエストメモリーアドレスを前記第1受付順管理部に追加し、前記第2メモリーに対する前記第2リード要求又は前記リフレッシュ要求を、前記リクエストメモリーに格納した場合には、その格納したリクエストメモリーアドレスを前記第2受付順管理部に追加し、
前記メモリーコントローラーは、
前記第1メモリーがアイドル状態である場合には、前記第1受付順管理部から、前記第1メモリーに対する次の要求が格納されている前記リクエストメモリーアドレスを取得して、そのリクエストメモリーアドレスから、前記第1メモリーに対する次の要求を取得し、
前記第2メモリーがアイドル状態である場合には、前記第2受付順管理部から、前記第2メモリーに対する次の要求が格納されている前記リクエストメモリーアドレスを取得して、そのリクエストメモリーアドレスから、前記第2メモリーに対する次の要求を取得する、
ことを特徴とする請求項3に記載のテスト信号生成装置。 - 前記第1受付順管理部と前記第2受付順管理部は、それぞれ、前記リクエストメモリーアドレスを先入れ先出し方式で管理する記憶部により構成されている、ことを特徴とする請求項4に記載のテスト信号生成装置。
- 前記メモリーコントローラーは、
前記第1メモリー又は前記第2メモリーから読み出したデータを、前記リクエストメモリーの前記リクエストメモリーアドレスに格納する際には、そのリクエストメモリーアドレスのステータスを応答終了に変更し、
前記メモリーコントローラーは、前記ステータスが応答終了を示しているリクエストメモリーアドレスから、前記第1メモリー又は前記第2メモリーから読み出されたデータを取得し、そのリクエストメモリーアドレスのステータスを空き状態に変更する、
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のテスト信号生成装置。 - 被試験デバイスに供給するテスト信号を生成するために必要なデータが格納される第1メモリー及び第2メモリーを備えるテスト信号生成装置の制御方法であって、
ホストコントローラーにおいて、前記第1メモリーに対するリード要求である第1リード要求と前記第2メモリーに対するリード要求である第2リード要求とを発行するとともに、所定の周期で、前記第1メモリーと前記第2メモリーに対するリフレッシュ要求を発行するステップと、
前記ホストコントローラーで発行された前記第1リード要求と前記第2リード要求と前記リフレッシュ要求とを、リクエストメモリーに格納するステップと、
前記リクエストメモリーに前記第1リード要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合には、メモリーコントローラーが、前記第1リード要求に基づいて前記第1メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記第2リード要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがアクセス可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記第2リード要求に基づいて前記第2メモリーにアクセスしてデータの読み出しを行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第1メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第1メモリーのリフレッシュ動作を行うステップと、
前記リクエストメモリーに前記リフレッシュ要求が格納されており、且つ、前記第2メモリーがリフレッシュ動作可能なアイドル状態である場合には、前記メモリーコントローラーが、前記リフレッシュ要求に基づいて前記第2メモリーのリフレッシュ動作を行うステップと、
前記第1リード要求と前記第2リード要求の応答として前記第1メモリーと前記第2メモリーから読み出したデータに基づいて、前記ホストコントローラーが、前記テスト信号を生成するステップと、
を備えることを特徴とする、テスト信号生成装置の制御方法。
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JP2009018491A JP5220639B2 (ja) | 2009-01-29 | 2009-01-29 | テスト信号生成装置 |
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---|---|---|---|---|
JPH01125013A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-05-17 | Ando Electric Co Ltd | パタ−ン発生装置 |
JPH0394182A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-04-18 | Advantest Corp | 試験パターン発生器 |
JP2003288268A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Fujitsu Ltd | メモリ装置 |
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