JP2010157677A - フルカバー発光ダイオードライトバーおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】大きい湾曲変形に耐えることが可能なフルカバー発光ダイオードライトバーを提供する。
【解決手段】第一リード10および第二リード20は離間されて並置され、溝31を有する絶縁層30はホットプレス加工を通して第一リード10および第二リード20に形成される。第一リード10のクリスタル受容部分11は溝31の中に形成され、第二リード20の接続部分21は溝31の中に形成される。発光ダイオードクリスタル40は第一電極41と第二電極42を有する。発光ダイオードクリスタル40の第一電極41がクリスタル受容部分11に電気的に固定され、溝31の中に配置される。発光ダイオードクリスタル40の第二電極42は、金属リード50を通して接続部分21に電気接続される。さらに、光伝達体60で溝31を密封する。
【選択図】図1
【解決手段】第一リード10および第二リード20は離間されて並置され、溝31を有する絶縁層30はホットプレス加工を通して第一リード10および第二リード20に形成される。第一リード10のクリスタル受容部分11は溝31の中に形成され、第二リード20の接続部分21は溝31の中に形成される。発光ダイオードクリスタル40は第一電極41と第二電極42を有する。発光ダイオードクリスタル40の第一電極41がクリスタル受容部分11に電気的に固定され、溝31の中に配置される。発光ダイオードクリスタル40の第二電極42は、金属リード50を通して接続部分21に電気接続される。さらに、光伝達体60で溝31を密封する。
【選択図】図1
Description
本発明は発光装置に関する。およびより詳細には、平行の発光ダイオードライトバーに関する。
発光ダイオード(LED)は低電力消費、長寿命、少容量、高速応答など多くの利点を有するので、従来の電球に変わって様々な発光装置に使用される。例として、LEDは装飾用照明バーに使用される。
LEDが発光要素として使用される特許文書に関しては、台湾特許公報558622(特許文献1)が接着性ライトバーおよびその製造方法を開示する。この特許文書の開示によると、下部接着層および上部接着層がその間の導電ユニットを結合するために使用される。そして、接続工程が実行されると、それにより接続リードが光源ユニットおよび導電ユニットに電気接続される。最後に、包装工程が実行され、それにより光源ユニットおよび接続リードはライトバーを形成するため被覆されることが可能である。
しかし、上記の特許文献では、導電ユニットは上部および下部の接着層の間で結合される。ライトバーが事実上湾曲されるとき、上部および下部の接着層は湾曲変形のため互いに剥離される。このとき、これら接着層の間の導電ユニットは弛緩および移動され、さらに接続リードの極小の破損が生じる。結果として、光源ユニットは損傷をうけ、発光が劣化するとライトバーの美的感覚が損なわれる。
従って、上記の問題を克服するため、本発明者はその精巧な研究および熟練した経験に基づき、相応なおよび新規の構造を提案する。
本発明は、大きい湾曲変形に耐えることの可能なフルカバーの発光ダイオードライトバーを提供する。
本発明は、離間され並置される第一リードおよび第二リードを有するフルカバーの発光ダイオードライトバーを提供する。溝を有する絶縁層がホットプレス加工を通して第一リードおよび第二リードに形成される。第一リードのクリスタル受容部分は溝の中に表示され、および第二リードの接続部分は溝の中に表示される。さらに、第一電極および第二電極を有する発光ダイオードクリスタルは、第一電極がクリスタル受容部分に電気的に固定されて、溝に設置される。第二電極は金属リードを通して接続部分に電気的に接続される。最後に、発光体が溝を密封するのに使用される。このようにフルカバー発光ダイオードライトバーは形成されることが可能である。
先行技術と比べて本発明は以下の有利な特徴を有する。絶縁層は、第一リードおよび第二リードを被覆できるようホットプレス加工を用いて形成されるため、発光ダイオードライトバーが大きい湾曲変形を受けたとしても、絶縁層は変位をせずに第一リードおよび第二リードを固く被覆したままである。従って、絶縁層の変位によって生じる発光ダイオードクリスタルと第二リードを接続する金属リードの破損、ならびに発光ダイオードクリスタルの損傷を防止することができる。このように、発光のときのライトバーの美的感覚が持続されることが可能であり、つまり本発明の実用性が上昇する。
本発明の特徴および技術内容は添付の図面の参照とともに説明される。しかしながら、図面は例証のためのみであり、本発明を限定するために使用されるものではない。
本発明のフルカバー発光ダイオードライトバーの外観を示す斜視図である、図1を参照する。本発明は、第一リード10および第二リード20を含むフルカバー発光ダイオードライトバー1を提供する。第二リード20は第一リードから離間される。さらに、ホットプレス加工を通して絶縁層30が形成される。絶縁層30は第一リード10と第二リードを被覆し、および溝31が形成される。絶縁層はプラスチック材料で作られる。第一リード10のクリスタル受容部分11は溝31に表示され、第二リード20の接続部分21は溝31に表示される。
発光ダイオードクリスタル40は溝31に設置される。発光ダイオードクリスタル40は第一電極41および第二電極42を有する。第一電極41はクリスタル受容部分11に電気的に固定される。第二電極42と接続部分21は金属リード50を通して互いに接続される。金属リード50は金のワイヤー、または配線のための他の代替金属ワイヤーであることが可能である。本実施例では、第二電極42は金属パッド43が備わる。金属リード50は金属パッド43および接続部分21に電気接続される。
発光ダイオードクリスタル40の接続完了後、光伝達体60が溝31を密封するのに使用される。光伝達体60は、発光ダイオードクリスタル40、金属リード50、クリスタル受容部分11、および接続部分21を被覆するのに使用されることが可能である、透明エポキシ樹脂または他のゴムで作られる。
本発明のフルカバー発光ダイオードライトバーの製造を示す図2から7を参照する。また、本発明のフルカバー発光ダイオードライトバーを製造するための方法のステップを示すフローチャートである、図8も参照する。まず図2に示されるように、離間されて並置される第一リード10および第二リード20が提供される(ステップ81)。次に図3に示されるように、ホットプレス加工を通して、溝31を有する絶縁層30が第一リード10および第二リード20上に形成される(ステップ82)。第一リード10のクリスタル受容部分11および第二リード20の接続部分21は溝31に表示される。
さらに、発光ダイオードクリスタル40が提供される(ステップ83)。発光ダイオードクリスタル40は第一電極41および第二電極42を有する。第二電極42は金属パッド42が備わる。図4に示されるように、発光ダイオードクリスタル40は、第一電極41がクリスタル受容部分11に電気接続されて、溝31に配置される(ステップ84)。図5に示されるように、金属リード50は第二電極42と接続部分21に電気接続される(ステップ85)。最後に図6に示されるように、光伝達体60が溝31を密封するため使用され、それによって発光ダイオードクリスタル40、金属リード50、クリスタル受容部分11、および溝31の接続部分21を被覆する(ステップ86)。
本発明の組み立てられた断面図の図7を参照する。図に示されるように、光伝達体60は発光ダイオードクリスタル40と金属リード50を完全に被覆する。配線工程が実行されると、金属リード50は、発光ダイオードクリスタル40の表面の位置より高い位置に設置される。ゆえに、絶縁体30の溝31の深さおよび光伝達体60の高さは、注意深く考慮に入れなければならない。
本発明は前述の好適な実施例の参照とともに記述されたが、本発明は前記詳細に限定されないものであることを理解されたい。種々の同等の変更および修正は、本発明の教示を考慮して同業者によって生じることが可能である。従って、そのような全ての変更および同等の修正はまた、後述する特許請求の範囲で定められた本発明の範囲内に包括される。
1フルカバー発光ダイオードライトバー
10第一リード
11クリスタル受容部分
20第二リード
21接続部分
30絶縁層
31溝
40発光ダイオードクリスタル
41第一電極
42第二電極
43金属パッド
50金属リード
60光伝達体
81ステップ
82ステップ
83ステップ
84ステップ
85ステップ
86ステップ
10第一リード
11クリスタル受容部分
20第二リード
21接続部分
30絶縁層
31溝
40発光ダイオードクリスタル
41第一電極
42第二電極
43金属パッド
50金属リード
60光伝達体
81ステップ
82ステップ
83ステップ
84ステップ
85ステップ
86ステップ
Claims (8)
- (a)離間して並置される第一リードおよび第二リードを提供する。
(b)溝を有する絶縁層、溝に表示される第一リードのクリスタル受容部分、および溝に表示される第二リードの接続部分をその上に形成するため、第一リードおよび第二リードを熱加圧する。
(c)第一電極と第二電極を有する発光ダイオードクリスタルを提供する。
(d)発光ダイオードクリスタルを、第一電極がクリスタル受容部分に電気的に固定されるよう、溝に配置する。
(e)発光ダイオードクリスタルの第二電極を金属リードを通して接続部分に電気接続する。および、
(f)発光ダイオードクリスタル、金属リード、クリスタル受容部分、および接続部分を被覆できるよう溝を密封するため、光伝達体を使用する。
のステップから構成されるフルカバー発光ダイオードライトバーを製造する方法。 - ステップ(d)に、発光ダイオードクリスタルの第二電極に金属パッドを形成する追加的ステップ(d´)が続く、請求項1に記載の方法。
- 金属リードは金属パッドおよび接続部分に電気接続される、請求項2に記載の方法。
- 第一リード、
第一リードから離間される第二リード、
ホットプレス加工を通して第一リードと第二リードを被覆する絶縁層(絶縁層には溝が形成され、第一リードのクリスタル受容部分は溝に表示され、および第二リードの接続部分は溝に表示される)、
第一電極と第二電極を有する発光ダイオードクリスタル(発光ダイオードクリスタルは溝に、第一電極がクリスタル受容部分に電気的に固定されて配置される)、
第二電極および接続部分に電気接続される金属リード、および、
溝を密封し、および発光ダイオードクリスタル、金属リード、クリスタル受容部分、および接続部分を被覆する光伝達体、
から構成される、フルカバー発光ダイオードライトバー。 - 絶縁層はプラスチック材料で作られる、請求項4に記載のフルカバー発光ダイオードライトバー。
- 金属リードは金のワイヤーである、請求項4に記載のフルカバー発光ダイオードライトバー。
- 第二電極はさらに金属パッドを含み、金属リードは金属パッドおよび接続部分に電気接続される、請求項4に記載のフルカバー発光ダイオードライトバー。
- 光伝達体はエポキシ樹脂で作られる、請求項4に記載のフルカバー発光ダイオードライトバー。
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TW097151547A TW201024602A (en) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | Fully-covered type LED lamp strip and method for manufacturing the same |
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201025675A (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Jess Link Products Co Ltd | Light emitting diode light strip and method of making the same |
US20110232087A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Cheng-Chung Chiu | Method for manufacturing led light strings |
CN103047575B (zh) * | 2011-10-14 | 2015-06-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯条及其制造方法 |
WO2015003322A1 (zh) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | 东莞市奇易电子有限公司 | Led发光灯带及其制造方法 |
WO2015058565A1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. | Flexible circuit board and method for manufacturing the same, and led flexible strip light |
CN204806046U (zh) * | 2015-06-04 | 2015-11-25 | 东莞嘉盛照明科技有限公司 | 一种灯带 |
US10281094B2 (en) * | 2017-01-20 | 2019-05-07 | Dong Guan Shi Photoelectric Technology Co., Ltd | Flexible wire LED string lights for festivals, production method thereof, and apparatus made therefrom |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62224986A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプおよびその製造方法 |
JPH03183139A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Nippon Steel Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH07121123A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2002246652A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
JP2002344020A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光装置 |
JP2005108519A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明装置 |
JP2007109404A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード光源ユニット及び発光ダイオード光源 |
JP2007214472A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
JP3138755U (ja) * | 2007-08-20 | 2008-01-17 | 宏齊科技股▲ふん▼有限公司 | 高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。 |
JP2008098218A (ja) * | 2006-05-10 | 2008-04-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2008192928A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Masaaki Kano | リードプレート型ledランプ及びled照明装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1204790C (zh) * | 2000-12-27 | 2005-06-01 | 松下电器产业株式会社 | 引线框及其制造方法和导热性基板的制造方法 |
DE10148042B4 (de) * | 2001-09-28 | 2006-11-09 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines höhenstrukturierten metallischen Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2006093672A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US7385227B2 (en) * | 2005-04-12 | 2008-06-10 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Compact light emitting device package with enhanced heat dissipation and method for making the package |
TWI347019B (en) * | 2007-08-20 | 2011-08-11 | Harvatek Corp | Front and rear covering type led package structure and method of packaging the same |
-
2008
- 2008-12-31 TW TW097151547A patent/TW201024602A/zh unknown
-
2009
- 2009-04-28 US US12/431,115 patent/US20100163916A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-15 JP JP2009119330A patent/JP2010157677A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62224986A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプおよびその製造方法 |
JPH03183139A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Nippon Steel Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH07121123A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2002246652A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
JP2002344020A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光装置 |
JP2005108519A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明装置 |
JP2007109404A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード光源ユニット及び発光ダイオード光源 |
JP2007214472A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
JP2008098218A (ja) * | 2006-05-10 | 2008-04-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2008192928A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Masaaki Kano | リードプレート型ledランプ及びled照明装置 |
JP3138755U (ja) * | 2007-08-20 | 2008-01-17 | 宏齊科技股▲ふん▼有限公司 | 高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。 |
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