JP2010157603A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010157603A JP2010157603A JP2008334794A JP2008334794A JP2010157603A JP 2010157603 A JP2010157603 A JP 2010157603A JP 2008334794 A JP2008334794 A JP 2008334794A JP 2008334794 A JP2008334794 A JP 2008334794A JP 2010157603 A JP2010157603 A JP 2010157603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gan
- substrate
- gan layer
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板1上に、外部に連通する開口部が設けられたn−GaN層4を形成し、その後、n−GaN層4上に、GaN層5、AlGaN層6、i−GaN層7、i−AlGaN層8、n−AlGaN層9及びn−GaN層10を形成する。次いで、KOH水溶液中において、n−GaN層4に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりn−GaN層4を溶解させる。
【選択図】図2
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1A乃至図1Rは、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
2GaN+6h+→2Ga++N2
2H++2e-→H2
次に、第2の実施形態について説明する。図6A乃至図6Bは、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図7A乃至図7Dは、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
次に、第4の実施形態について説明する。図9は、第4の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)を製造する方法を工程順に示す断面図である。
2:AlN層
3:マスク層
3a:開口部
4:n−GaN層
5:GaN層
6:AlGaN層
7:i−GaN層
8:i−AlGaN層
9:n−AlGaN層
10:n−GaN層
21d:ドレイン電極
21g:ゲート電極
21s:ソース電極
33:表面保護層
34:支持基板
35:放熱基板
41:裏面電極
42:Pt電極
43:直流電源
44:KOH水溶液
45:槽
61:DLC膜
71:n−GaN層
72:タングステン膜
72a、72b:開口部
Claims (5)
- 基板上に、外部に連通する開口部が設けられた第1の化合物半導体結晶層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体結晶層上に第2の化合物半導体結晶層を形成する工程と、
所定のエッチング溶液中において、前記第1の化合物半導体結晶層に紫外線を照射して、光電気化学エッチングにより前記第1の化合物半導体結晶層を溶解させる工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記第1の化合物半導体結晶層及び第2の化合物半導体結晶層として、窒化物半導体結晶層を用いることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記窒化物半導体結晶層として、GaN、AlN及びInNからなる群から選択された一種又は二種以上の混晶からなるものを用いることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記基板として、SiC基板を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第1の化合物半導体結晶層を溶解させる工程の後、前記第2の化合物半導体結晶層の裏面に放熱部材を設ける工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008334794A JP5161759B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008334794A JP5161759B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010157603A true JP2010157603A (ja) | 2010-07-15 |
JP5161759B2 JP5161759B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=42575297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008334794A Active JP5161759B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5161759B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012077513A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | エルシード株式会社 | Iii族窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2014076928A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Waseda Univ | テンプレート基板 |
JP2015032835A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 窒化物系電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2017038030A (ja) * | 2015-08-14 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び電子デバイス |
WO2017135401A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板 |
JP2018041785A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11229199A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-08-24 | Ind Technol Res Inst | 窒化物材料のエッチング方法 |
WO2006050469A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | The Regents Of The University Of California | Control of photoelectrochemical (pec) etching by modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte |
WO2007107757A2 (en) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Nanogan Limited | Growth method using nanostructure compliant layers and hvpe for producing high quality compound semiconductor materials |
JP2008109162A (ja) * | 2008-01-11 | 2008-05-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光電気化学エッチング装置 |
WO2008096168A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nanogan Limited | Production of semiconductor devices |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008334794A patent/JP5161759B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11229199A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-08-24 | Ind Technol Res Inst | 窒化物材料のエッチング方法 |
WO2006050469A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | The Regents Of The University Of California | Control of photoelectrochemical (pec) etching by modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte |
WO2007107757A2 (en) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Nanogan Limited | Growth method using nanostructure compliant layers and hvpe for producing high quality compound semiconductor materials |
WO2008096168A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nanogan Limited | Production of semiconductor devices |
JP2008109162A (ja) * | 2008-01-11 | 2008-05-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光電気化学エッチング装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012077513A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | エルシード株式会社 | Iii族窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
US9142619B2 (en) | 2010-12-08 | 2015-09-22 | El-Seed Corporation | Group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2571065A4 (en) * | 2010-12-08 | 2016-03-23 | El Seed Corp | GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
JP2014076928A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Waseda Univ | テンプレート基板 |
JP2015032835A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 窒化物系電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2017038030A (ja) * | 2015-08-14 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び電子デバイス |
CN106469650A (zh) * | 2015-08-14 | 2017-03-01 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法和电子器件 |
CN106469650B (zh) * | 2015-08-14 | 2022-06-03 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法和电子器件 |
WO2017135401A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板 |
JPWO2017135401A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板 |
JP2018041785A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5161759B2 (ja) | 2013-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5406452B2 (ja) | 窒化物ベースのトランジスタ及びトランジスタ構造体のキャップ層及び/又は不活性層並びにそれらの製造方法 | |
CN103325822B (zh) | 化合物半导体器件及其制造方法 | |
JP5114947B2 (ja) | 窒化物半導体装置とその製造方法 | |
US8698162B2 (en) | Gallium nitride based semiconductor devices and methods of manufacturing the same | |
US10629720B2 (en) | Layered vertical field effect transistor and methods of fabrication | |
CN102709319A (zh) | 半导体器件及其制造方法以及电源装置 | |
US20130083569A1 (en) | Manufacturing method of compound semiconductor device | |
JP5161759B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JP2005183733A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
JP2009170546A (ja) | GaN系電界効果トランジスタ | |
US9034722B2 (en) | Method of removing a compound semiconductor layer from a compound semiconductor device | |
JP5262201B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US11430875B2 (en) | Method for manufacturing transistor | |
JP2016139655A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR101943356B1 (ko) | 선택 성장을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2006286698A (ja) | 電子デバイス及び電力変換装置 | |
JP2004311869A (ja) | 窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法 | |
US9997612B2 (en) | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5509544B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010098255A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
CN109285777A (zh) | 具有n-极性氮化镓的外延衬底的形成方法 | |
JP5355927B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010114219A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN113628962B (zh) | Ⅲ族氮化物增强型hemt器件及其制造方法 | |
JP6166508B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120606 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5161759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |