JP2010155776A - メソポーラスシリカ膜およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上の、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜上に形成されたメソポーラスシリカ膜であって、前記メソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列方向が基板全体にわたって、前記カーボン膜の構造異方性によって規定されている方向に対して、一定の方向に制御されているメソポーラスシリカ膜。
【選択図】図1
Description
特許文献2および3に記載された技術は、基板材質に大きな限定はないが、高分子膜に分子鎖の配向性を付与するために、基板上に形成した高分子膜の表面への機械的接触が必須である場合が多く、使用可能な基板の形状は平面状のものに限定される。また、配向制御性は優れているが、基板面内で配向制御性にムラができることがある。
本発明に係るメソポーラスシリカ膜は、基板上の、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜上に形成されメソポーラスシリカ膜であって、前記メソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列方向が基板全体にわたって、前記カーボン膜の構造異方性によって規定されている方向に対して、一定の方向に制御されていることを特徴とする。
図2は、本発明のメソポーラスシリカ膜中での細孔の膜面内での配向を説明する模式図である。
基板11は、メソポーラスシリカ膜の作製プロセスに耐えられるものであれば、特に限定はなく、シリコンや石英ガラスなどが好適に使用される。本発明において適用可能な基板は、平坦なものであっても、ある曲率を有する曲面状のものであっても良い。
次に、上記の構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜の上に、メソポーラスシリカ膜の前駆体である、シリカメソ構造体膜を形成する。基板上へのメソ構造体膜の作製方法は2つの方法に大別される。第一は水熱合成法に基づく方法で、第二はゾル−ゲル法に基づく方法である。前者に関しては、例えばChemistry of Materials誌、第14巻、766から772頁に記載がなされており、後者に関しては、例えばNature誌、第389巻、364から368頁に記載されている。
本発明の、配向性メソポーラスシリカ膜は、工業的に応用が可能である。例えば、2次元ヘキサゴナル構造の配向性チューブ状メソ細孔内に半導体高分子を導入して、共役高分子鎖が細孔内で配向制御された有機−無機ハイブリッド薄膜を作製し、これを、偏光発光を示す発光素子や、主鎖伝導を利用した有機半導体素子に応用することが可能である。このような、有機半導体と組み合わせた本発明のメソポーラスシリカ膜の応用を考えた場合、曲面にも配向性メソポーラスシリカ膜を作製できる、本発明は、非平面状基板へのこれらデバイスの作製を可能にする方法として、特に有用である。さらに、本発明によれば、パターンを形成したマスクを介してカーボン膜を成膜することによって、局所的にメソポーラスシリカの面内配列方向が異なる複数の領域を簡単に作製でき、これにより、場所によって発光の偏光方向が異なる素子などを作製することができる。
本実施例は、厚さ1.1mmの石英、及び厚さ0.5mmのシリコン基板上に、フィルタードアークデポジションによる斜方成膜で、構造異方性を有する非単結晶性カーボンを形成し、その上に一軸配向性の2次元ヘキサゴナル構造のメソポーラスシリカ膜を、水熱合成法で形成した例である。
測定は、SII Nano Technology社製、NanoNavi 走査プローブ顕微鏡を用い、SII社製SI−DF−20カンチレバーを使用して、周波数変調モードで行った。スキャン領域は、300nm×300nmとした。その結果、蒸着方向に垂直な方向に伸びる表面の凹凸が観察された。表面粗さは、RMS(root−mean−square)で、表1のように求められた。
本実施例で用いた界面活性剤は、非イオン性界面活性剤のポリオキシエチレン−10−セチルエーテル(C16EO10と略記、商品名Brij56、Aldrich社)である。この界面活性剤を純水に溶解した後、塩酸とテトラエトキシシラン(TEOS)を添加し、最終的な溶液中の各成分のモル比が、TEOS:H2O:HCl:C16EO10=0.10:100:3.0:0.11となるようにした。
以上のように作製した膜を空気中350℃で4時間、及び600℃で10時間の、2つの条件で焼成し、細孔中の界面活性剤を除去した。焼成によってメソポーラスシリカ膜の外観には大きな変化は無かった。焼成後のX線回折分析によって、この2つの条件で焼成を行った試料は共に、膜厚方向の構造周期は10%から13%程度減少するものの、メソポーラスシリカの規則的細孔構造は保持されていることが確認された。また、面内X線回折分析によって、メソ細孔の面内配向分布は完全に保持されていることが確かめられた。面内方向については、構造周期は、焼成によって変化していなかった。断面透過電子顕微鏡の観察の結果、350℃で4時間焼成した場合には、基板上のカーボン膜は保持されている。一方、600℃で10時間焼成した場合には、カーボン膜は基板上から失われ、基板上に直接メソポーラスシリカ膜が積層されている構造が得られた。
本実施例で用いた界面活性剤は、実施例1で使用したのと同じ、非イオン性界面活性剤のポリオキシエチレン−10−セチルエーテル(C16EO10)である。この界面活性剤を純水に溶解した後、塩酸とテトラエトキシシラン(TEOS)を添加し、最終的な溶液中の各成分のモル比が、TEOS:H2O:HCl:C16EO10=0.10:100:3.0:0.002となるようにした。界面活性剤の濃度は実施例1で2次元ヘキサゴナル構造の膜を作製した場合の1/50である。
本実施例で用いた界面活性剤は、実施例1で使用したのと同じ、非イオン性界面活性剤のポリオキシエチレン−10−セチルエーテル(C16EO10)である。この界面活性剤をエタノールに溶解した後、塩酸とテトラエトキシシラン(TEOS)を添加し、最終的な溶液中の各成分のモル比が、TEOS:エタノール:H2O:HCl:C16EO10=1.0:22:5.0:0.004:0.08となるようにした。ゾル−ゲル法の場合は、アルコールを種とした溶媒を用い、酸の濃度が水熱合成法よりも著しく低い。
本比較例は、実施例1と同じ方法で、厚さ1.1mmの石英、及び厚さ0.5mmのシリコン基板上に、電子ビーム斜方蒸着で、構造異方性を有するSiO2膜を形成し、その上にメソポーラスシリカ膜を、水熱合成法で形成する実験を行った例である。
例えば、2次元ヘキサゴナル構造の配向性チューブ状メソ細孔内に半導体高分子を導入して、共役高分子鎖が細孔内で配向制御された有機−無機ハイブリッド薄膜を作製し、これを偏光発光を示す発光素子や、主鎖伝導を利用した有機半導体素子に応用することが可能である。このような、有機半導体と組み合わせた本発明のメソポーラスシリカ膜の応用を考えた場合、曲面にも配向性メソポーラスシリカ膜を作製できるので、本発明は非平面状基板へのこれらデバイスの作製を可能にする方法として、特に有用である。
12 構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜
13 メソ細孔
14 細孔壁
15 メソポーラスシリカ膜
16 堆積種
17 基板法線方向
18 膜面
41 カーボンカラム
Claims (10)
- 基板上の、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜上に形成されメソポーラスシリカ膜であって、前記メソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列方向が基板全体にわたって、前記カーボン膜の構造異方性によって規定されている方向に対して、一定の方向に制御されていることを特徴とするメソポーラスシリカ膜。
- 前記細孔内に界面活性剤の集合体を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のメソポーラスシリカ膜。
- 前記構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜がカラムナー構造を有していることを特徴とする請求項1または2に記載のメソポーラスシリカ膜。
- 前記構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜が、膜面に対してかすめ入射角(grazing angle)でX線を入射させて、X線散乱強度のプロファイルを反射モードで記録した場合、散乱光強度が選択的に強くなる一つの方向が存在することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかの項に記載のメソポーラスシリカ膜。
- 前記構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜が、sp3C−C結合のカーボンを含むダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかの項に記載のメソポーラスシリカ膜。
- 基板上に、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜を形成する工程と、前記カーボン膜上に、細孔の膜面内での配列方向が一定の方向に制御されているシリカメソ構造体膜を形成する工程とを有することを特徴とするメソポーラスシリカ膜の製造方法。
- 前記構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜を斜方フィルタードアークデポジション(Filtered Arc Deposition)により形成することを特徴とする請求項6に記載のメソポーラスシリカ膜の製造方法。
- 前記シリカメソ構造体膜を形成する工程が水熱合成法であることを特徴とする請求項6または7に記載のメソポーラスシリカ膜の製造方法。
- 前記シリカメソ構造体膜を形成する工程がゾル−ゲル法であることを特徴とする請求項6または7に記載の、メソポーラスシリカ膜の製造方法。
- さらに前記シリカメソ構造体膜の細孔内に含まれている界面活性剤の集合体を除去する工程を有することを特徴とする請求項6乃至9のいずれかの項に記載のメソポーラスシリカ膜の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014112401A1 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-01-19 | ソニー株式会社 | 電極用複合材料及びその製造方法並びに二次電池 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN103570253A (zh) * | 2012-07-28 | 2014-02-12 | 比亚迪股份有限公司 | 一种表面镀膜玻璃及其制备方法和一种太阳能电池组件 |
US20150170926A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | David J. Michalak | Dielectric layers having ordered elongate pores |
CN108677142B (zh) * | 2018-04-20 | 2019-10-01 | 北京师范大学 | 一种疏水dlc涂层的制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002338228A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-27 | Canon Inc | メソ構造体薄膜およびその製造方法 |
JP2002338229A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-27 | Canon Inc | シリカメソ構造体薄膜、メソポーラスシリカ薄膜、シリカメソ構造体薄膜の製造方法及びメソポーラスシリカ薄膜の製造方法 |
JP2004091318A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Canon Inc | 金属酸化物を含有する膜及びその製造方法 |
JP3587373B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2004-11-10 | キヤノン株式会社 | メソ構造体薄膜及びその製造方法 |
JP2005246369A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-09-15 | Canon Inc | メソ構造体膜、メソポーラス物質膜及びその製造方法 |
JP2005272532A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Nagoya Industrial Science Research Inst | メソ組織体、メソポーラス体、及びメソ組織体の製造方法 |
JP2007277044A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sony Corp | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
JP4077970B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2008-04-23 | キヤノン株式会社 | シリカメソ構造体薄膜及びメソポーラスシリカ薄膜及びシリカメソ構造体薄膜の作成方法及びメソポーラスシリカ薄膜の作成方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5480527A (en) * | 1994-04-25 | 1996-01-02 | Vapor Technologies, Inc. | Rectangular vacuum-arc plasma source |
US6236543B1 (en) * | 1999-01-29 | 2001-05-22 | Read-Rite Corporation | Durable landing pads for an air-bearing slider |
US7105459B2 (en) * | 2002-03-04 | 2006-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Method for forming thin film |
WO2005014480A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesostructured film, mesporous material film, and production methods for the same |
US7175926B2 (en) * | 2004-02-12 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Dual-layer carbon-based protective overcoats for recording media by filtered cathodic ARC deposition |
JP2006327854A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | メソポーラス材料薄膜、レーザー発光部、レーザー及びメソポーラス材料薄膜の製造方法 |
EP1879214B1 (en) * | 2006-07-11 | 2011-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for mass spectrometry, and method for manufacturing substrate for mass spectrometry |
JP5156256B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-03-06 | 花王株式会社 | メソポーラスシリカ膜 |
JP5100468B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4077970B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2008-04-23 | キヤノン株式会社 | シリカメソ構造体薄膜及びメソポーラスシリカ薄膜及びシリカメソ構造体薄膜の作成方法及びメソポーラスシリカ薄膜の作成方法 |
JP3587373B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2004-11-10 | キヤノン株式会社 | メソ構造体薄膜及びその製造方法 |
JP2002338228A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-27 | Canon Inc | メソ構造体薄膜およびその製造方法 |
JP2002338229A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-27 | Canon Inc | シリカメソ構造体薄膜、メソポーラスシリカ薄膜、シリカメソ構造体薄膜の製造方法及びメソポーラスシリカ薄膜の製造方法 |
JP2004091318A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Canon Inc | 金属酸化物を含有する膜及びその製造方法 |
JP2005246369A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-09-15 | Canon Inc | メソ構造体膜、メソポーラス物質膜及びその製造方法 |
JP2005272532A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Nagoya Industrial Science Research Inst | メソ組織体、メソポーラス体、及びメソ組織体の製造方法 |
JP2007277044A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sony Corp | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014112401A1 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-01-19 | ソニー株式会社 | 電極用複合材料及びその製造方法並びに二次電池 |
JP2018088420A (ja) * | 2013-01-18 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 電極用複合材料及び二次電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010064715A1 (en) | 2010-06-10 |
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WO2010064715A4 (en) | 2010-08-26 |
US20110198214A1 (en) | 2011-08-18 |
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