JP2010154595A - Power conversion device - Google Patents

Power conversion device Download PDF

Info

Publication number
JP2010154595A
JP2010154595A JP2008327214A JP2008327214A JP2010154595A JP 2010154595 A JP2010154595 A JP 2010154595A JP 2008327214 A JP2008327214 A JP 2008327214A JP 2008327214 A JP2008327214 A JP 2008327214A JP 2010154595 A JP2010154595 A JP 2010154595A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
state
abnormal state
short
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008327214A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyuki Takagi
教行 高木
Tsuneo Maehara
恒男 前原
Yusuke Shindo
祐輔 進藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2008327214A priority Critical patent/JP2010154595A/en
Publication of JP2010154595A publication Critical patent/JP2010154595A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power conversion device wherein when a short circuit current is generated immediately after the occurrence of abnormal conditions, such as overheating, it is prevented to interrupt the short circuit current passed through a switching element before short circuit protection processing is carried out and appropriate protection is provided against excessive surge voltage. <P>SOLUTION: The power conversion device 1 includes: a drive circuit 11 that drives a switching element Q; a current detecting means 13 for detecting a current passed through the switching element Q; and a short circuit protection means 14 that, when short-circuiting is detected, limits the current passed through the switching element Q to within a predetermined range and continues driving for a predetermined time. When detecting abnormal conditions in which the switching element Q should be stopped, the drive circuit 11 stops driving of the switching element Q. If the short-circuiting is detected after detection of the abnormal conditions and before driving is stopped based on the abnormal conditions, the short circuit protection processing based on the short circuit protection means 14 is carried out in priority to stoppage of driving based on the abnormal conditions. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、過剰な電流が流れたときに保護動作を行う電力変換装置に関するものである。   The present invention relates to a power conversion device that performs a protection operation when an excessive current flows.

IGBT、MOSFET等をスイッチング素子として用いる電力変換装置では、スイッチング素子の破損を防止するべく、過熱やゲート電圧低下といった異常状態が発生したときにスイッチング素子の駆動を停止する保護機能が駆動回路に設けられている。スイッチング素子の駆動を停止すると、スイッチング素子に流れている電流Iと浮遊インダクタンスLに起因して、L×dI/dtに相当するサージ電圧が発生する。そのため、駆動回路は、サージ電圧がスイッチング素子の耐圧よりも小さくなるように、ターンオフ時間を設定する。   In power converters using IGBTs, MOSFETs, and the like as switching elements, a drive circuit is provided with a protection function that stops driving of the switching elements when an abnormal state such as overheating or gate voltage drop occurs in order to prevent damage to the switching elements. It has been. When driving of the switching element is stopped, a surge voltage corresponding to L × dI / dt is generated due to the current I and the floating inductance L flowing through the switching element. Therefore, the drive circuit sets the turn-off time so that the surge voltage is smaller than the withstand voltage of the switching element.

しかしながら、短絡状態時に通常のターンオフ時間でスイッチング素子の駆動を停止すると、スイッチング素子に過剰な電流が流れているため、スイッチング素子の耐圧以上のサージ電圧が発生し、スイッチング素子が破損してしまう。   However, when driving of the switching element is stopped during a normal turn-off time in a short circuit state, an excessive current flows through the switching element, so that a surge voltage exceeding the breakdown voltage of the switching element is generated and the switching element is damaged.

そこで、短絡電流を検出すると、最初にスイッチング素子に流れる電流を所定範囲に制限する短絡保護回路を設け、短絡保護回路によって電流を所定範囲に制限した後に、駆動回路によりスイッチング素子に流れる電流を遮断する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−218836
Therefore, when a short-circuit current is detected, a short-circuit protection circuit that first limits the current flowing through the switching element to a predetermined range is provided. The technique to do is disclosed (for example, refer patent document 1).
JP-A-5-218836

しかしながら、例えば、スイッチング素子の過熱という異常状態を検出したすぐ直後に短絡電流がスイッチング素子に流れてしまうと、駆動回路の過熱保護機能が働いて、スイッチング素子に流れる電流を制限する前に、スイッチング素子に流れる短絡電流を遮断してしまう。この結果、スイッチング素子に流れる電流を制限せずにスイッチング素子に流れる短絡電流を遮断してしまい、スイッチング素子に過大なサージ電圧が発生し、素子破壊の恐れが生じる。   However, for example, if a short-circuit current flows to the switching element immediately after detecting an abnormal state of overheating of the switching element, the overheat protection function of the drive circuit is activated and the switching current is limited before the current flowing to the switching element is limited. The short-circuit current flowing through the element is cut off. As a result, the short-circuit current flowing through the switching element is interrupted without limiting the current flowing through the switching element, an excessive surge voltage is generated in the switching element, and the element may be destroyed.

本発明は、上記課題に鑑みたものであり、短絡状態が起きたときにスイッチング素子の保護を行うことができる電力変換装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a power conversion device that can protect a switching element when a short circuit occurs.

請求項1記載の発明は、スイッチング素子と、スイッチング素子を駆動する駆動回路と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段と、電流検出手段により短絡状態を検出したとき、スイッチング素子に流れる電流を所定範囲に制限して所定時間駆動を継続する短絡保護手段と、を備え、スイッチング素子を停止すべき異常状態が検出されたときに、駆動回路がスイッチング素子の駆動を停止する電力変換装置において、異常状態が検出された後であって異常状態に基づく駆動停止が実行される前に短絡状態を検出した場合に、異常状態に基づく駆動停止よりも短絡保護手段に基づく短絡保護処理を優先して実行することを特徴とする。   The invention described in claim 1 is a switching element, a drive circuit for driving the switching element, a current detection means for detecting a current flowing through the switching element, and a current flowing through the switching element when a short circuit state is detected by the current detection means. A short circuit protection means for continuing the driving for a predetermined time by limiting the power to a predetermined range, and in a power conversion device in which the driving circuit stops driving the switching element when an abnormal state in which the switching element should be stopped is detected If a short-circuit state is detected after an abnormal state is detected and before a drive stop based on the abnormal state is executed, priority is given to the short-circuit protection process based on the short-circuit protection means over the drive stop based on the abnormal state. It is characterized by executing.

上記構成によれば、異常状態に基づく駆動停止が行われる前に短絡状態を検出した場合には、短絡保護手段に基づく短絡保護処理を優先して実行する。この結果、短絡保護処理を行う前に、スイッチング素子に流れる短絡電流を遮断してしまう事態を防止することができ、過大なサージ電圧からスイッチング素子を適切に保護することができる。   According to the above configuration, when the short circuit state is detected before the drive stop based on the abnormal state is performed, the short circuit protection process based on the short circuit protection unit is preferentially executed. As a result, it is possible to prevent a situation in which the short-circuit current flowing through the switching element is interrupted before performing the short-circuit protection process, and it is possible to appropriately protect the switching element from an excessive surge voltage.

請求項2記載の発明は、電流検出手段が検出する電流が、短絡状態を検出する電流の短絡閾値より小さく、かつ、過電流常状態を検出する過電流閾値以上に設定した基準値を超えたときに、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を行わないことを特徴とする。   In the invention according to claim 2, the current detected by the current detection means is smaller than the short-circuit threshold of the current for detecting the short-circuit state and exceeds a reference value set to be equal to or higher than the over-current threshold for detecting the over-current normal state. Sometimes, the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is not performed.

上記構成によれば、上記基準値を、短絡閾値より小さくすることにより、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を行わないとする処理を早期に開始することができる。   According to the above configuration, by making the reference value smaller than the short circuit threshold value, it is possible to start the process of not performing the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state at an early stage. .

また、基準値を過電流閾値より大きくし、かつ、駆動停止の実行処理を行わないとする異常状態から過電流異常と短絡異常を除くことで、異常状態が発生したにも関わらず、スイッチング素子の駆動停止が行われないという事態を防止することができる。   In addition, by switching the reference value larger than the overcurrent threshold and removing the overcurrent abnormality and the short circuit abnormality from the abnormal state in which the drive stop execution process is not performed, the switching element It is possible to prevent a situation where the drive stop is not performed.

この結果、短絡状態を検出してから短絡保護処理を行うまでの間に時間差がある結果、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止が発生することを防ぐことができる。   As a result, as a result of the time difference between the detection of the short circuit state and the short circuit protection processing, it is possible to prevent the drive stop based on the abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state.

また、上記駆動停止の実行処理は、請求項3ないし5に記載したように、電流検出手段が検出した電流が所定値以下となったとき、短絡保護手段によりスイッチング素子に流れる電流が所定範囲に制限された後に、又は、短絡状態を検出してから所定の時間経過後に、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を実行可能な状態にする。   Further, as described in claims 3 to 5, when the current detected by the current detecting means falls below a predetermined value, the current flowing through the switching element by the short-circuit protecting means falls within a predetermined range. After being limited, or after a predetermined time has elapsed since the detection of the short circuit state, the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is made executable.

上記構成のタイミングで実行処理を実行可能な状態にすることで、先に検出された異常状態に基づく遮断が行われるようになり、短絡保護による遮断処理と異常状態による遮断処理とが迅速な遮断処理が可能となる。   By making the execution process executable at the timing of the above configuration, the shutdown based on the previously detected abnormal state is performed, and the shutdown process due to short circuit protection and the shutdown process due to the abnormal state are quickly shut down. Processing is possible.

請求項6記載の発明は、スイッチング素子と、スイッチング素子を駆動する駆動回路と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段と、を備え、スイッチング素子を停止すべき異常状態が検出されたときに、スイッチング素子をオンからオフにするのに要するターンオフ時間を異常状態時に応じて切り替えてスイッチング素子の駆動停止を行う電力変換装置において、第1の異常状態が検出された後であって、第1の異常状態に基づく駆動停止が実行される前に、第1の異常状態よりもターンオフ時間が長い第2の異常状態を検出した場合には、第1の異常状態に基づく駆動停止よりも第2の異常状態に基づく駆動停止を優先して実行することを特徴とする。   The invention according to claim 6 includes a switching element, a drive circuit for driving the switching element, and current detection means for detecting a current flowing through the switching element, and when an abnormal state in which the switching element is to be stopped is detected In addition, in the power conversion device that switches the turn-off time required to turn off the switching element from on to off according to the abnormal state and stops driving the switching element, after the first abnormal state is detected, If a second abnormal state having a turn-off time longer than that of the first abnormal state is detected before the drive stop based on the first abnormal state is executed, the second stop state based on the first abnormal state is detected. The drive stop based on the abnormal state 2 is executed with priority.

第1の異常状態に基づく駆動停止よりも第2の異常状態に基づく駆動停止を優先して実行する結果、例えば、過熱異常が検出された直後に、過電流異常が検出されたとしても、ターンオフ時間が短い第1の異常状態に基づく駆動停止は行われず、ターンオフ時間が長い第2の異常状態に基づく駆動停止、すなわち、ソフト遮断が行われるため、サージ電圧の抑制の発生を効果的に防止することができる。   As a result of executing the drive stop based on the second abnormal state in preference to the drive stop based on the first abnormal state, for example, even if an overcurrent abnormality is detected immediately after the overheat abnormality is detected, the turn-off is performed. The drive stop based on the first abnormal state with a short time is not performed, and the drive stop based on the second abnormal state with a long turn-off time, that is, the soft shut-off is performed, thus effectively preventing the suppression of the surge voltage. can do.

(全体構造)
図1に本発明の実施形態である電力変換装置の全体構成図、図2に本発明の実施形態である電力変換装置の要部構成を示す。
(Overall structure)
FIG. 1 shows an overall configuration diagram of a power conversion apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a main configuration of the power conversion apparatus according to an embodiment of the present invention.

電力変換装置1は、スイッチング素子Q1〜Q6と、スイッチング素子Q1〜Q6を駆動する駆動回路11と、スイッチング素子Q1〜Q6に流れる電流を検出する電流検出手段13と、電流検出手段13により短絡状態を検出したとき、スイッチング素子Q1〜Q6に流れる電流を所定範囲に制限して所定時間駆動を継続する短絡保護手段14と、を備える。電力変換装置1は、バッテリ2から供給される電力を所望の電力に変換して、負荷であるモータ3に出力する。   The power conversion device 1 is short-circuited by the switching elements Q1 to Q6, the drive circuit 11 that drives the switching elements Q1 to Q6, the current detection means 13 that detects the current flowing through the switching elements Q1 to Q6, and the current detection means 13. And short-circuit protection means 14 that limits the current flowing through the switching elements Q1 to Q6 to a predetermined range and continues driving for a predetermined time. The power conversion device 1 converts the power supplied from the battery 2 into desired power and outputs it to the motor 3 that is a load.

スイッチング素子Q1〜Q6はそれぞれ駆動回路11によって駆動される。スイッチング素子Q1、Q3、Q5は、バッテリ2の正端子と接続され、スイッチング素子Q2、Q4、Q6はバッテリ2の負端子と接続される。スイッチング素子Q1〜Q6には、フリーホイールダイオード(FWD)D1〜D6が並列に接続される。バッテリ2と並列に接続されるコンデンサCは、バッテリ2からの電力が供給される電源ラインの電圧を平滑するために用いられる。スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2、スイッチング素子Q3とスイッチング素子Q4、スイッチング素子Q5とスイッチング素子Q6は、それぞれ一対の直列体として接続される。それぞれ一対の直列接続対の中点は、モータ3のU相、V相及びW相と接続される。
(駆動回路)
駆動回路11は、スイッチング素子Qの制御端子に電圧を印加することでスイッチング素子Qを駆動する回路であり、スイッチング素子Qを停止すべき異常状態を検出すると、スイッチング素子Qの駆動を停止する。
Switching elements Q1 to Q6 are each driven by drive circuit 11. Switching elements Q1, Q3, Q5 are connected to the positive terminal of battery 2, and switching elements Q2, Q4, Q6 are connected to the negative terminal of battery 2. Free wheel diodes (FWD) D1 to D6 are connected in parallel to switching elements Q1 to Q6. The capacitor C connected in parallel with the battery 2 is used for smoothing the voltage of the power supply line to which power from the battery 2 is supplied. Switching element Q1 and switching element Q2, switching element Q3 and switching element Q4, and switching element Q5 and switching element Q6 are each connected as a pair of serial bodies. The midpoint of each pair of series connection is connected to the U phase, V phase and W phase of the motor 3.
(Drive circuit)
The drive circuit 11 is a circuit that drives the switching element Q by applying a voltage to the control terminal of the switching element Q, and stops driving the switching element Q when an abnormal state in which the switching element Q should be stopped is detected.

駆動回路11は、MOSFET31及びMOSEFT32と接続されており、ゲート駆動電源35の電圧を断続することでスイッチング素子Qを駆動する。駆動回路11がスイッチング素子Qを駆動する場合には、MOSFET31をオン、MOSFET32をオフとし、ゲート駆動電源35の電圧をスイッチング素子Qのゲート端子に印加する。一方、駆動回路11がスイッチング素子Qを遮断する場合には、MOFFET31をオフ、MOSFET32をオンにし、ゲート駆動電源35の電圧を遮断する。スイッチング素子Qに電圧が印加されると、コレクタ・エミッタ間が通電し、負荷に電力を供給できるようになる。   The drive circuit 11 is connected to the MOSFET 31 and the MOSEFT 32, and drives the switching element Q by intermittently applying the voltage of the gate drive power supply 35. When the drive circuit 11 drives the switching element Q, the MOSFET 31 is turned on, the MOSFET 32 is turned off, and the voltage of the gate drive power supply 35 is applied to the gate terminal of the switching element Q. On the other hand, when the drive circuit 11 cuts off the switching element Q, the MOFFET 31 is turned off, the MOSFET 32 is turned on, and the voltage of the gate drive power supply 35 is cut off. When a voltage is applied to the switching element Q, the collector and the emitter are energized and power can be supplied to the load.

駆動回路11は、スイッチング素子Qを停止すべき異常状態を検出すると、スイッチング素子Qに印加するゲート電圧を遮断して、スイッチング素子Qを異常状態から保護する。   When detecting an abnormal state in which the switching element Q should be stopped, the drive circuit 11 cuts off the gate voltage applied to the switching element Q to protect the switching element Q from the abnormal state.

スイッチング素子Qを停止すべき異常状態としては、スイッチング素子Qの過熱、感温ダイオードの断線、スイッチング素子Qに印加するゲート電圧の低下、短絡異常、過電流異常といった異常状態があげられる。短絡異常が発生した場合には、短絡保護手段14により、スイッチング素子Qに流れる電流を所定範囲に制限した後に、駆動回路11がゲート電圧を遮断し、過大なサージ電圧の発生を防止する。短絡保護手段14については後述する。
(温度センサ)
温度センサ12は、スイッチング素子Q1〜Q6の温度を検出するものであり、本実施例では、感温素子として感温ダイオードを用いている。温度センサ12は、感温ダイオードの電圧降下により、スイッチング素子Q1〜Q6の温度を検出する。温度センサ12が検出した温度が、スイッチング素子Q1〜Q6が不具合を起こすと想定される温度を超えた場合、駆動回路11はスイッチング素子に印加するゲート電圧を遮断し、スイッチング素子Q1〜Q6の駆動を停止させてスイッチング素子Q1〜Q6を保護する。また、感温ダイオードが断線した場合にも、駆動回路11はスイッチング素子Q1〜Q6の駆動を停止する。
Examples of the abnormal state in which the switching element Q should be stopped include abnormal states such as overheating of the switching element Q, disconnection of the temperature sensitive diode, reduction in gate voltage applied to the switching element Q, short circuit abnormality, and overcurrent abnormality. When a short circuit abnormality occurs, the drive circuit 11 cuts off the gate voltage after the current flowing through the switching element Q is limited to a predetermined range by the short circuit protection means 14 to prevent the generation of an excessive surge voltage. The short circuit protection means 14 will be described later.
(Temperature sensor)
The temperature sensor 12 detects the temperature of the switching elements Q1 to Q6. In this embodiment, a temperature sensitive diode is used as the temperature sensitive element. The temperature sensor 12 detects the temperature of the switching elements Q1 to Q6 based on the voltage drop of the temperature sensitive diode. When the temperature detected by the temperature sensor 12 exceeds the temperature at which the switching elements Q1 to Q6 are expected to malfunction, the drive circuit 11 cuts off the gate voltage applied to the switching elements and drives the switching elements Q1 to Q6. Is stopped to protect the switching elements Q1 to Q6. Even when the temperature sensitive diode is disconnected, the drive circuit 11 stops driving the switching elements Q1 to Q6.

(電流検出手段)
電流検出手段13は、スイッチング素子Q1〜Q6に流れる電流を検出する手段であり、センス端子34と、分圧抵抗41、分圧抵抗42とからなる。センス端子34は、スイッチング素子Q1〜Q6が有する端子であり、コレクタ端子とセンス端子34の間には、コレクタ端子とエミッタ端子との間に流れる主電流の数百〜数千分の1のセンス電流を流すことができる。
(Current detection means)
The current detection means 13 is a means for detecting a current flowing through the switching elements Q1 to Q6, and includes a sense terminal 34, a voltage dividing resistor 41, and a voltage dividing resistor 42. The sense terminal 34 is a terminal included in the switching elements Q1 to Q6. Between the collector terminal and the sense terminal 34, a sense of hundreds to thousands of the main current flowing between the collector terminal and the emitter terminal is sensed. Current can flow.

センス端子34には、分圧抵抗41と分圧抵抗42とが直列に接続されており、分圧抵抗41と分圧抵抗42は、スイッチング素子Q1〜Q6に流れる電流に比例した微小電流を検出する。分圧抵抗41と分圧抵抗42との中点43はMOSFET33のゲート端子と駆動回路11とに接続されており、MOSFET33のゲート端子と駆動回路11のそれぞれに中点43の電圧が伝達される。   A voltage dividing resistor 41 and a voltage dividing resistor 42 are connected in series to the sense terminal 34. The voltage dividing resistor 41 and the voltage dividing resistor 42 detect a minute current proportional to the current flowing through the switching elements Q1 to Q6. To do. A midpoint 43 of the voltage dividing resistor 41 and the voltage dividing resistor 42 is connected to the gate terminal of the MOSFET 33 and the drive circuit 11, and the voltage of the midpoint 43 is transmitted to each of the gate terminal of the MOSFET 33 and the drive circuit 11. .

中点43の電圧が駆動回路11に入力されると、駆動回路11は内部に有する比較器(図示せず)を用いて基準電圧と比較することによって過電流や短絡を判断する。   When the voltage at the midpoint 43 is input to the drive circuit 11, the drive circuit 11 determines an overcurrent or a short circuit by comparing it with a reference voltage using a comparator (not shown) included therein.

(短絡保護手段)
短絡保護手段14は、MOSFET33とツェナーダイオードDIとからなり、MOSFET33のゲート端子は、分圧抵抗41と分圧抵抗42との間に接続されている。スイッチング素子Qに短絡電流が流れると、分圧抵抗42による電圧降下分がMOSFET33をオンにするために必要な電圧を上回り、MOSFET33がオンとなる。この結果、ツェナーダイオードに逆方向の電流が流れ、スイッチング素子Qに印加される駆動電圧はツェナー電圧まで低下する。これにより、ゲート電圧が低下し、スイッチング素子Qに流れる電流は減少し、スイッチング素子Qを短絡電流による破壊から保護することができる。
(Short-circuit protection means)
The short-circuit protection means 14 includes a MOSFET 33 and a Zener diode DI, and the gate terminal of the MOSFET 33 is connected between the voltage dividing resistor 41 and the voltage dividing resistor 42. When a short-circuit current flows through the switching element Q, the voltage drop due to the voltage dividing resistor 42 exceeds the voltage required to turn on the MOSFET 33, and the MOSFET 33 is turned on. As a result, a reverse current flows through the Zener diode, and the drive voltage applied to the switching element Q decreases to the Zener voltage. As a result, the gate voltage decreases, the current flowing through the switching element Q decreases, and the switching element Q can be protected from being destroyed by a short-circuit current.

(短絡電流発生時における保護処理)
図3を用いて短絡状態が発生した場合におけるスイッチング素子のゲート電圧、コレクタ電流、コレクタ−エミッタ間電圧を用いて短絡電流発生時の保護処理について説明する。図3は、上から、スイッチング素子Qのゲート・エミッタ間電圧、コレクタ電流、コレクタ・エミッタ間電圧、異常状態を検出した際のFAIL出力を示す図である。
(Protection treatment when a short-circuit current occurs)
A protection process when a short circuit current is generated will be described with reference to FIG. 3 using the gate voltage, collector current, and collector-emitter voltage of the switching element when a short circuit condition occurs. FIG. 3 is a diagram showing the FAIL output when the gate-emitter voltage, collector current, collector-emitter voltage, and abnormal state of the switching element Q are detected from above.

スイッチング素子Qに短絡電流が流れると、電流検出手段13を介して、短絡保護手段14のMOSFET33に印加される電圧が増加する。この結果、MOSFET33がオンとなり、スイッチング素子Qに印加されるゲート電圧であるVGE(ゲート・エミッタ間電圧)が低下し、コレクタ電流は所定範囲に制限される(図3の遮断Aに対応)。短絡保護手段14は、駆動回路11を介さずにスイッチング素子Qに流れる電流を制限するため、スイッチング素子Qを短絡電流から素早く保護することができる。   When a short-circuit current flows through the switching element Q, the voltage applied to the MOSFET 33 of the short-circuit protection unit 14 via the current detection unit 13 increases. As a result, the MOSFET 33 is turned on, the gate voltage VGE (gate-emitter voltage) applied to the switching element Q is lowered, and the collector current is limited to a predetermined range (corresponding to the cutoff A in FIG. 3). The short-circuit protection means 14 limits the current flowing through the switching element Q without going through the drive circuit 11, and thus can quickly protect the switching element Q from the short-circuit current.

一方、FAIL出力は、電流検出手段13が検出した電流が短絡閾値を超えてから数usecにHIGHレベルからLOWレベルになる。FAIL出力がLOWレベルになることを検出した駆動回路11は、スイッチング素子Qのゲート電圧を遮断する。このように、スイッチング素子Qに流れる電流を2段階の処理によって遮断することで、過大なサージ電圧の発生を抑制することができる。   On the other hand, the FAIL output changes from HIGH to LOW several seconds after the current detected by the current detection means 13 exceeds the short-circuit threshold. The drive circuit 11 that has detected that the FAIL output becomes the LOW level cuts off the gate voltage of the switching element Q. In this way, by interrupting the current flowing through the switching element Q by the two-stage process, it is possible to suppress the occurrence of an excessive surge voltage.

次に、図4を用いて、過熱による異常状態が検出された直後にスイッチング素子Qに短絡電流が流れた場合の駆動回路11の保護処理について説明する。図4は、本発明の実施形態に係る電力変換装置1において、過熱異常発生後に短絡電流が発生した時の電圧波形、電流波形等を示す図である。図4は、上からゲート−エミッタ間電圧の電圧波形、コレクタ電流、ゲート−エミッタ間電圧、駆動回路11におけるFAIL出力を示す。   Next, a protection process of the drive circuit 11 when a short-circuit current flows through the switching element Q immediately after an abnormal state due to overheating is detected will be described using FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating a voltage waveform, a current waveform, and the like when a short-circuit current is generated after occurrence of an overheat abnormality in the power conversion device 1 according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 shows the voltage waveform of the gate-emitter voltage, the collector current, the gate-emitter voltage, and the FAIL output in the drive circuit 11 from the top.

過熱による異常状態が検出された後であって、異常状態に基づく駆動停止が実行される前に短絡状態を検出した場合、電力変換装置1は、異常状態に基づく駆動停止よりも短絡保護手段14に基づく短絡保護処理を優先して実行する。   When the short circuit state is detected after the abnormal state due to overheating is detected and before the drive stop based on the abnormal state is executed, the power converter 1 detects the short circuit protection means 14 rather than the drive stop based on the abnormal state. Priority is given to short-circuit protection processing based on the above.

すなわち、通常、駆動回路11により過熱による異常状態が検出されると、過熱による異常状態の検出から数sec後にFAIL出力がHIGHレベルからLOWレベルとなり、スイッチング素子のゲート電圧の遮断が行われる。しかし、過熱による異常状態が検出された後であって、異常状態に基づく駆動停止が実行される前に、電流検出手段13が検出する電流が、基準値を超えたことを検出すると、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止を行わないようにするマスク処理が駆動回路11に働く。マスク処理が働いた場合、駆動回路11は過熱による異常状態に関するFAIL出力を検出しないため、スイッチング素子に短絡電流が流れた状況でいきなりスイッチング素子を遮断することはなくなり、過大なサージ電圧が発生することを防止することができる。   That is, normally, when an abnormal state due to overheating is detected by the drive circuit 11, the FAIL output changes from HIGH level to LOW level several seconds after detection of the abnormal state due to overheating, and the gate voltage of the switching element is cut off. However, if it is detected that the current detected by the current detection means 13 exceeds the reference value after the abnormal state due to overheating is detected and before the drive stop based on the abnormal state is executed, the short circuit state is detected. In addition, a mask process that prevents the drive from being stopped based on an abnormal state other than an overcurrent state acts on the drive circuit 11. When the mask process is performed, the drive circuit 11 does not detect a FAIL output related to an abnormal state due to overheating, so that the switching element is not suddenly interrupted in a situation where a short-circuit current flows through the switching element, and an excessive surge voltage is generated. This can be prevented.

その後、電流検出手段13が検出する電流が、短絡閾値を超えると、短絡保護手段14によってスイッチング素子に流れる電流は所定範囲に制限される。このように、電流検出手段13が検出する電流が基準値を超えた場合には、過熱による異常状態に基づく駆動停止を行わないため、短絡状態を検出してから電流を所定範囲に制限するまでの間において、過熱による異常状態に基づく駆動停止が行われることによって過大なサージ電圧が発生することを防止できる。   Thereafter, when the current detected by the current detection unit 13 exceeds the short-circuit threshold, the current flowing through the switching element is limited to a predetermined range by the short-circuit protection unit 14. As described above, when the current detected by the current detection means 13 exceeds the reference value, the drive is not stopped based on the abnormal state due to overheating. Therefore, the current is limited to a predetermined range after the short-circuit state is detected. In the meantime, it is possible to prevent an excessive surge voltage from being generated by stopping the driving based on an abnormal state due to overheating.

なお、図4において、基準値は過電流閾値と等しい値に設定されているが、基準値は短絡状態を検出する電流の短絡閾値より小さく、かつ、過電流常状態を検出する過電流閾値以上に設定すれば足りる。   In FIG. 4, the reference value is set equal to the overcurrent threshold, but the reference value is smaller than the short-circuit threshold of the current for detecting the short-circuit state and is equal to or greater than the over-current threshold for detecting the overcurrent normal state. Setting to is sufficient.

次に、図5及び図6を用いて電流検出手段13が検出した電流が基準値を超えたものの短絡閾値に至らなかった場合の処理について説明する。図5のCASE1に示すように、電流検出手段13が検出した電流が基準値を超えると(ステップ001)、過電流状態及び短絡状態以外の異常状態に基づく駆動停止は行わないとする保護処理が働く(ステップ002)。その後、電流検出手段13が検出した電流が基準値等に設定された所定値以下となると(ステップS003)、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を再び実行可能な状態とする(ステップ004)。駆動停止の実行処理が再び実行可能な状態になった後に、未だ過熱による異常状態が続いている場合には、過熱による異常状態に基づいて駆動停止の実行処理が行われる。   Next, processing when the current detected by the current detection unit 13 exceeds the reference value but has not reached the short-circuit threshold will be described with reference to FIGS. 5 and 6. As shown in CASE 1 in FIG. 5, when the current detected by the current detection means 13 exceeds the reference value (step 001), a protection process is performed in which the drive stop based on the abnormal state other than the overcurrent state and the short circuit state is not performed. Work (step 002). Thereafter, when the current detected by the current detection means 13 becomes equal to or less than a predetermined value set as a reference value or the like (step S003), the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short-circuit state and the overcurrent state can be executed again. A state is set (step 004). If the abnormal state due to overheating still continues after the drive stop execution process becomes executable again, the drive stop execution process is performed based on the abnormal state due to overheating.

一方、図5のCASE2に示すように、電流検出手段が検出した電流が基準値を超えたものの、そのまま基準値と短絡閾値の間に位置する電流値を維持するときには、過電流という異常状態に基づいてスイッチング素子の駆動停止を行う。したがって、過熱による異常状態に基づく駆動停止が行われなくても、過電流状態に基づく駆動停止が行われるため、適切にスイッチング素子の保護を行うことができる。   On the other hand, as shown in CASE 2 in FIG. 5, when the current detected by the current detection unit exceeds the reference value, the current value positioned between the reference value and the short-circuit threshold is maintained as it is. Based on this, the driving of the switching element is stopped. Therefore, even if the drive stop based on the abnormal state due to overheating is not performed, the drive stop based on the overcurrent state is performed, so that the switching element can be appropriately protected.

図5では、電流検出手段13が検出した電流が所定値以下となったときに、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理は実行可能な状態にするが、短絡保護手段14によりスイッチング素子に流れる電流が所定範囲に制限された後に、又は、短絡状態を検出してから所定の時間経過後に、短絡状態及び過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を実行可能な状態にしてもよい。   In FIG. 5, when the current detected by the current detection means 13 becomes a predetermined value or less, the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short-circuit state and the overcurrent state is made executable, but the short-circuit protection After the current flowing through the switching element is limited to a predetermined range by the means 14, or after a predetermined time has elapsed since the detection of the short circuit state, the drive stop execution process based on the abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is performed. It may be in an executable state.

上記構成のタイミングで実行処理を実行可能な状態にすることで、先に検出された異常状態に基づく遮断が行われるようになり、短絡保護による遮断処理と異常状態による遮断処理とが迅速な遮断処理が可能となる。
(ターンオフ時間を切り替える場合の処置)
次に、図7を用いて、過熱、ゲート電圧低下、感温ダイオード断線といった第1の異常状態と、過電流、短絡といった第2の異常状態とで、異常状態が発生したときにスイッチング素子をオンからオフにするのに要するターンオフ時間を切り替える場合について説明する。
By making the execution process executable at the timing of the above configuration, the shutdown based on the previously detected abnormal state is performed, and the shutdown process due to short circuit protection and the shutdown process due to the abnormal state are quickly shut down. Processing is possible.
(Measures when changing the turn-off time)
Next, referring to FIG. 7, when the abnormal condition occurs between the first abnormal condition such as overheating, gate voltage drop, and temperature-sensitive diode disconnection and the second abnormal condition such as overcurrent and short circuit, A case where the turn-off time required for turning from on to off is switched will be described.

ターンオフ時間が同じ場合、過熱が発生しているときと、過電流が発生しているときとでは、発生するサージ電圧の大きさが異なる。そのため、サージ電圧抑制のために第2の異常状態が発生したときのターンオフ時間を第1の異常状態が発生したときのターンオフ時間より長くするソフト遮断が行われる。   When the turn-off time is the same, the magnitude of the surge voltage generated is different when overheating occurs and when overcurrent occurs. Therefore, soft shut-off is performed so that the turn-off time when the second abnormal state occurs is longer than the turn-off time when the first abnormal state occurs in order to suppress the surge voltage.

本発明の実施形態に係る電力変換装置1においては、第1の異常状態が検出された後であって、第1の異常状態に基づく駆動停止が実行される前に、第1の異常状態よりもターンオフ時間が長い第2の異常状態を検出した場合には、第1の異常状態に基づく駆動停止よりも第2の異常状態に基づく駆動停止を優先して実行する。   In the power conversion device 1 according to the embodiment of the present invention, after the first abnormal state is detected and before the drive stop based on the first abnormal state is executed, the first abnormal state. However, when the second abnormal state with a long turn-off time is detected, the drive stop based on the second abnormal state is executed with priority over the drive stop based on the first abnormal state.

第1の異常状態に基づく駆動停止よりも第2の異常状態に基づく駆動停止を優先して実行する結果、例えば、過熱異常が検出された直後に、過電流異常が検出されたとしても、過熱異常(第1の異常状態)に基づく駆動停止は行われず、ターンオフ時間が長い過電流異常(第2の異常状態)に基づく駆動停止、すなわち、ソフト遮断が行われるため、サージ電圧の抑制の発生を効果的に防止することができる。   As a result of prioritizing the drive stop based on the second abnormal state over the drive stop based on the first abnormal state, for example, even if an overcurrent abnormality is detected immediately after the overheat abnormality is detected, The drive stop based on the abnormality (first abnormal state) is not performed, and the drive stop based on the overcurrent abnormality (second abnormal state) with a long turn-off time (ie, the second abnormal state) is performed. Can be effectively prevented.

さらに、第2の異常状態が発生せず第1の異常状態が発生した場合のターンオフ時間は第2の異常状態が発生したときのターンオフ時間よりも短いため、第1の異常状態が発生したときには迅速なスイッチング素子の保護処理を行うことができる。
(従来方式の説明)
図8に、従来の電力変換装置1において、過熱異常が発生した直後にスイッチング素子に短絡電流が流れた場合の電圧波形、電流波形を示す。
Furthermore, since the turn-off time when the second abnormal condition does not occur and the first abnormal condition occurs is shorter than the turn-off time when the second abnormal condition occurs, when the first abnormal condition occurs A rapid switching element protection process can be performed.
(Description of conventional method)
FIG. 8 shows a voltage waveform and a current waveform when a short-circuit current flows through the switching element immediately after the occurrence of overheating in the conventional power conversion device 1.

通常、スイッチング素子に短絡電流が流れた場合は、遮断Aに示すように、短絡保護手段14によりゲート電圧を制限してスイッチング素子に流れる電流を所定の範囲に制限した後に、スイッチング素子に印加するゲート電圧を完全に遮断する。このように、2段階に分けてゲート電圧を低下させるため、過大なサージ電圧が発生することを防ぐことができる。   Normally, when a short-circuit current flows through the switching element, as indicated by a cut-off A, the gate voltage is limited by the short-circuit protection means 14 to limit the current flowing through the switching element to a predetermined range and then applied to the switching element. Completely cut off the gate voltage. Thus, since the gate voltage is lowered in two stages, it is possible to prevent an excessive surge voltage from occurring.

しかしながら、スイッチング素子の過熱を検出した直後に短絡状態を検出した場合には、短絡電流が流れているにも関わらず、過熱による異常状態に基づいてスイッチング素子の駆動停止を行う。このため、遮断Bに示すように、短絡保護手段14による電流の制限を行わずに、短絡電流が流れている状態で、スイッチング素子の駆動を停止する。この結果、スイッチング素子に過大なサージ電圧を引き起こす。   However, when a short-circuit state is detected immediately after overheating of the switching element is detected, the switching element is stopped based on an abnormal state due to overheating despite the short-circuit current flowing. For this reason, as shown in interruption | blocking B, the drive of a switching element is stopped in the state in which the short circuit current is flowing, without restrict | limiting the electric current by the short circuit protection means 14. FIG. As a result, an excessive surge voltage is caused in the switching element.

本発明の実施形態に係る電力変換装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the power converter device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電力変換装置の要部構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the principal part structure of the power converter device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電力変換装置において、短絡電流が発生した時の電圧波形、電流波形等を示す図である。In the power converter device which concerns on embodiment of this invention, it is a figure which shows a voltage waveform, a current waveform, etc. when a short circuit current generate | occur | produces. 本発明の実施形態に係る電力変換装置において、過熱異常状態発生後に短絡電流が発生した時の電圧波形、電流波形等を示す図である。In a power converter concerning an embodiment of the present invention, it is a figure showing a voltage waveform, a current waveform, etc. when a short circuit current occurs after an overheating abnormal state occurs. 本発明の実施形態に係る電力変換装置において、電流値が基準値を超えた後に短絡閾値を超えなかった場合を示す図である。In the power converter device concerning the embodiment of the present invention, it is a figure showing the case where the short circuit threshold is not exceeded after the current value exceeds the reference value. 本発明の実施形態に係る電力変換装置において、駆動回路におけるマスク処理のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the mask process in a drive circuit in the power converter device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電力変換装置において、過熱異常発生後に過電流が発生したときの電圧波形、電流波形等を示す図である。In a power converter concerning an embodiment of the present invention, it is a figure showing a voltage waveform, a current waveform, etc. when overcurrent occurs after overheating abnormality occurs. 従来の電力変換装置において、過熱異常状態発生後に短絡電流が発生した時の電圧波形、電流波形等を示す図である。It is a figure which shows a voltage waveform, a current waveform, etc. when a short circuit current generate | occur | produces after generation | occurrence | production of an overheating abnormal state in the conventional power converter device.

符号の説明Explanation of symbols

1 電力変換装置
11 駆動回路
13 電流検出手段
14 短絡保護手段
Q、Q1〜Q6 スイッチング素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 11 Drive circuit 13 Current detection means 14 Short-circuit protection means Q, Q1-Q6 Switching element

Claims (6)

スイッチング素子と、
前記スイッチング素子を駆動する駆動回路と、
前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段により短絡状態を検出したとき、前記スイッチング素子に流れる電流を所定範囲に制限して所定時間駆動を継続する短絡保護手段と、
を備え、
前記スイッチング素子を停止すべき異常状態が検出されたときに、前記駆動回路が前記スイッチング素子の駆動を停止する電力変換装置において、
前記異常状態が検出された後であって前記異常状態に基づく駆動停止が実行される前に前記短絡状態を検出した場合に、
前記異常状態に基づく駆動停止よりも前記短絡保護手段に基づく短絡保護処理を優先して実行することを特徴とする電力変換装置。
A switching element;
A drive circuit for driving the switching element;
Current detecting means for detecting a current flowing through the switching element;
When a short circuit state is detected by the current detection unit, a short circuit protection unit that limits the current flowing through the switching element to a predetermined range and continues driving for a predetermined time;
With
In the power conversion device in which the drive circuit stops driving the switching element when an abnormal state to stop the switching element is detected,
When the short circuit state is detected after the abnormal state is detected and before the drive stop based on the abnormal state is executed,
The power conversion device is characterized in that a short-circuit protection process based on the short-circuit protection means is prioritized and executed over a drive stop based on the abnormal state.
前記電流検出手段が検出する電流が、前記短絡状態を検出する電流の短絡閾値より小さく、かつ、過電流常状態を検出する過電流閾値以上に設定した基準値を超えたときに、
前記短絡状態及び前記過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を行わないことを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
When the current detected by the current detection means is smaller than the short-circuit threshold of the current for detecting the short-circuit state and exceeds a reference value set to be equal to or higher than the over-current threshold for detecting the over-current normal state,
The power conversion device according to claim 1, wherein a drive stop execution process based on an abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is not performed.
前記電流検出手段が検出した電流が所定値以下となったとき、前記短絡状態及び前記過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止を実行可能な状態とすることを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。   3. The drive stop based on an abnormal state other than the short-circuit state and the overcurrent state is made possible when the current detected by the current detection unit becomes a predetermined value or less. Power conversion device. 前記短絡保護手段により前記スイッチング素子に流れる電流が所定範囲に制限された後に、前記短絡状態及び前記過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止を実行可能な状態にすることを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。   2. The drive stop based on an abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is made possible after the current flowing through the switching element is limited to a predetermined range by the short circuit protection unit. 2. The power conversion device according to 2. 前記短絡状態を検出してから所定の時間経過後に、前記短絡状態及び前記過電流状態以外の異常状態に基づく駆動停止の実行処理を実行可能な状態にすることを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。   The drive stop execution process based on an abnormal state other than the short circuit state and the overcurrent state is made executable after a predetermined time has elapsed since the short circuit state was detected. Power conversion device. スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段と、を備え、前記スイッチング素子を停止すべき異常状態が検出されたときに、前記スイッチング素子をオンからオフにするのに要するターンオフ時間を前記異常状態時に応じて切り替えて前記スイッチング素子の駆動停止を行う電力変換装置において、第1の異常状態が検出された後であって、前記第1の異常状態に基づく駆動停止が実行される前に、前記第1の異常状態よりも前記ターンオフ時間が長い第2の異常状態を検出した場合には、前記第1の異常状態に基づく駆動停止よりも前記第2の異常状態に基づく駆動停止を優先して実行することを特徴とする電力変換装置。   A switching circuit; a driving circuit that drives the switching element; and a current detection unit that detects a current flowing through the switching element. When an abnormal state in which the switching element is to be stopped is detected, the switching element In the power conversion device that switches the turn-off time required to turn off from on to off according to the abnormal state and stops driving the switching element, after the first abnormal state is detected, the first If the second abnormal state having a longer turn-off time than the first abnormal state is detected before the driving stop based on the abnormal state is executed, the driving stop based on the first abnormal state is detected. Also, the power conversion device is characterized by preferentially executing the drive stop based on the second abnormal state.
JP2008327214A 2008-12-24 2008-12-24 Power conversion device Withdrawn JP2010154595A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008327214A JP2010154595A (en) 2008-12-24 2008-12-24 Power conversion device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008327214A JP2010154595A (en) 2008-12-24 2008-12-24 Power conversion device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010154595A true JP2010154595A (en) 2010-07-08

Family

ID=42573034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008327214A Withdrawn JP2010154595A (en) 2008-12-24 2008-12-24 Power conversion device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010154595A (en)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102347681A (en) * 2010-07-29 2012-02-08 株式会社电装 Apparatus for driving switching element
CN102594102A (en) * 2012-02-22 2012-07-18 杭州飞仕得科技有限公司 IGBT (insulated gate bipolar translator) driving power supply applicable to multilevel converter and driving method thereof
JP2012217087A (en) * 2011-04-01 2012-11-08 Denso Corp Load drive device
WO2012165196A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 Inverter driving device
JP2013176176A (en) * 2012-02-23 2013-09-05 Denso Corp Switching element drive device
JP2013240247A (en) * 2012-05-17 2013-11-28 Denso Corp Switching element drive circuit
US8842405B2 (en) 2010-09-24 2014-09-23 Denso Corporation Electronic device
WO2015004911A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 株式会社デンソー Drive control device
JP2015012755A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 トヨタ自動車株式会社 Protective device of power conversion apparatus
JP2015019489A (en) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社デンソー Drive controller
JP2015035946A (en) * 2013-07-10 2015-02-19 株式会社デンソー Drive controller
WO2015146041A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 株式会社デンソー Drive device
US9590616B2 (en) 2013-07-10 2017-03-07 Denso Corporation Drive control device
KR20220021760A (en) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 트리노테크놀로지 Power semiconductor device capable of preventing false turn-on
WO2024069918A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 三菱電機株式会社 Semiconductor device and protection system

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102347681A (en) * 2010-07-29 2012-02-08 株式会社电装 Apparatus for driving switching element
JP2012034450A (en) * 2010-07-29 2012-02-16 Denso Corp Driving device of switching element
US8680896B2 (en) 2010-07-29 2014-03-25 Denso Corporation Apparatus for driving voltage controlled switching elements
US8842405B2 (en) 2010-09-24 2014-09-23 Denso Corporation Electronic device
JP2012217087A (en) * 2011-04-01 2012-11-08 Denso Corp Load drive device
WO2012165196A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 Inverter driving device
JP2012249481A (en) * 2011-05-31 2012-12-13 Hitachi Automotive Systems Ltd Inverter drive apparatus
CN103582993A (en) * 2011-05-31 2014-02-12 日立汽车系统株式会社 Inverter driving device
US9065443B2 (en) 2011-05-31 2015-06-23 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Inverter drive device
CN102594102A (en) * 2012-02-22 2012-07-18 杭州飞仕得科技有限公司 IGBT (insulated gate bipolar translator) driving power supply applicable to multilevel converter and driving method thereof
JP2013176176A (en) * 2012-02-23 2013-09-05 Denso Corp Switching element drive device
JP2013240247A (en) * 2012-05-17 2013-11-28 Denso Corp Switching element drive circuit
JP2015012755A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 トヨタ自動車株式会社 Protective device of power conversion apparatus
JP2015019489A (en) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社デンソー Drive controller
JP2015035946A (en) * 2013-07-10 2015-02-19 株式会社デンソー Drive controller
WO2015004911A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 株式会社デンソー Drive control device
US9590616B2 (en) 2013-07-10 2017-03-07 Denso Corporation Drive control device
CN107888056A (en) * 2013-07-10 2018-04-06 株式会社电装 Drive dynamic control device
CN107888056B (en) * 2013-07-10 2020-04-17 株式会社电装 Drive control device
WO2015146041A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 株式会社デンソー Drive device
US9660636B2 (en) 2014-03-27 2017-05-23 Denso Corporation Drive device
KR20220021760A (en) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 트리노테크놀로지 Power semiconductor device capable of preventing false turn-on
KR102456559B1 (en) * 2020-08-14 2022-10-19 (주) 트리노테크놀로지 Power semiconductor device capable of preventing false turn-on
WO2024069918A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 三菱電機株式会社 Semiconductor device and protection system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010154595A (en) Power conversion device
JP4349398B2 (en) Switching element driving apparatus and switching element driving method
JP5750311B2 (en) Inverter drive
JP6217862B2 (en) Semiconductor device
JP2005006381A (en) Drive circuit of switching element
JP5377756B2 (en) Short circuit protection method
JPH08316808A (en) Semiconductor device
JP2008118834A (en) Surge reduction circuit and inverter device equipped with surge reduction circuit
WO2017215335A1 (en) Igbt short-circuit protection circuit and method, igbt driver and igbt circuit
JP6948980B2 (en) Drive device for semiconductor elements
JP6582471B2 (en) Gate drive circuit for voltage-driven power semiconductor device
KR101951040B1 (en) Inverter IGBT gate driving apparatus
JP2018050157A (en) Semiconductor drive device and power conversion device
JP6394036B2 (en) Driving device for power semiconductor element
JP6065597B2 (en) Power converter
JP2011135665A (en) Protector
JP2004129378A (en) Gate drive circuit for power semiconductor device
JP5585514B2 (en) Load drive device
JP6414440B2 (en) Driving device for switching element
JP2007336665A (en) Gate driving device and power conversion device equipped with it
JP6261615B2 (en) Protection device for a semiconductor switch and method for operating a protection device for a semiconductor switch
JP6070003B2 (en) Semiconductor drive device
JP2015202035A (en) Gate drive circuit of voltage-driven power semiconductor device
KR102388544B1 (en) Over voltage protection circuit for protecting power semiconductor switching device
JP3453718B2 (en) Current interrupter

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20120306