JP2010150659A5 - ベースプレート、及び電気メッキ装置 - Google Patents
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[項目3]
前記疎水性コーティングは、ポリアミドイミド(PAI)を含む項目1に記載のベースプレート。
[項目5]
前記疎水性コーティングは、スプレーコーティング法を用いて塗布される項目1に記載のベースプレート。
[項目6]
前記疎水性コーティングは、少なくとも前記ナイフ状突起に、キシランP−92を少なくとも一層スプレーすることによって、塗布される項目5に記載のベースプレート。
[項目7]
前記疎水性コーティングは、キシランP−92の前記層の上にキシラン1010を少なくとも一層スプレーすることによって、塗布される項目6に記載のベースプレート。
[項目14]
NovellusのSabre(登録商標)電気メッキシステムにおいて利用される項目1に記載のベースプレート。
[項目16]
カップで利用されるコンタクトリングであって、前記カップは、電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に前記コンタクトリングにメッキ溶液を接触させないように構成されており、前記コンタクトリングは電気メッキ中に前記半導体ウェハに電流を供給し、前記コンタクトリングは、
前記カップのほかの構成要素と係合するようにサイズおよび形状が決定されている単一のリング状本体と、
前記単一のリング状本体に取り付けられ、前記単一のリング状本体から内向きに延伸している複数の指状コンタクトと
を備え、
前記複数の指状コンタクトは、お互いから離間させて斜めに設けられており、各指状コンタクトは、前記半導体ウェハの外側エッジから約1mm未満の箇所で、前記半導体ウェハに接触するように配置されているコンタクトリング。
[項目17]
前記リング状本体および前記複数の指状コンタクトは、Paliney 7を含む項目16に記載のコンタクトリング。
[項目18]
前記複数の指状コンタクトは、略V字形の形状を持ち、前記単一のリング状本体によって画定される平面から下向きに延伸した後、前記半導体ウェハと接触する遠位ポイントまで上向きに延伸する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目19]
前記複数の指状コンタクトは、少なくとも約300個の指状コンタクトを有する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目20]
前記複数の指状コンタクトは、電気メッキ中に前記半導体ウェハによって加えられる力で屈曲する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目21]
前記複数の指状コンタクトのそれぞれの少なくとも一部分は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレン−テトラフルオロエチレン(ETFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)およびこれらの共重合体から成る群から選択される1以上の疎水性ポリマーによってコーティングされている項目16に記載のコンタクトリング。
[項目22]
カップで利用される端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリであって、前記カップは、電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に前記半導体ウェハの周縁領域からメッキ溶液を排除するように構成されており、前記端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリは、電気メッキ中に、前記半導体ウェハに電流を供給し、前記端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリは、
前記半導体ウェハと係合して、前記メッキ溶液を前記半導体ウェハの前記周縁領域から排除するリング状エラストマー端縁シールと、
単一のリング状本体および複数の指状コンタクトを有するコンタクトリングと
を備え、
前記リング状エラストマー端縁シールの内径は、前記メッキ溶液を排除するための外周を画定し、
前記複数の指状コンタクトは、前記リング状本体に取り付けられ、前記リング状本体から内向きに延伸し、お互いから離間して斜めに設けられ、各指状コンタクトは、前記端縁シールの内径から少なくとも約1mmの箇所において、前記半導体ウェハと係合するように配置されている
端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目23]
前記複数の指状コンタクトはそれぞれ、略V字形の形状を持ち、前記単一のリング状本体によって画定される平面から下向きに延伸した後、前記リング状エラストマー端縁シールが前記半導体ウェハと係合する平面より高い位置の遠位ポイントまで上向きに延伸する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目24]
前記リング状エラストマー端縁シールは、疎水性コーティングを有する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目25]
前記リング状エラストマー端縁シールは、分配バスを収容する溝を有する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目26]
前記リング状エラストマー端縁シールのうち前記半導体ウェハと係合する部分は、前記係合が維持されている間、圧縮される項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目29]
カップおよびコーンを備える装置で半導体ウェハに電気メッキを行う方法であって、
前記半導体ウェハを前記カップ上に位置決めする段階と、
前記コーンを前記半導体ウェハまで降下させて、前記半導体ウェハの裏面に力を加えて、前記カップの端縁シールと前記半導体ウェハの前面との間にシールを構築する段階と、
前記半導体ウェハの前記前面の少なくとも一部分を電気メッキ溶液内に浸漬させて、前記半導体ウェハの前記前面に対して電気メッキを実行する段階と、
前記コーンを上昇させて、前記半導体ウェハの前記裏面に前記力を加えるのを停止する段階と
を備え、
前記上昇は、少なくとも2秒間にわたって実行される方法。
[項目30]
前記コーンの上昇に先立って、少なくとも約3秒間にわたって、前記半導体ウェハを回転させる段階をさらに備える、項目29に記載の方法。
[項目3]
前記疎水性コーティングは、ポリアミドイミド(PAI)を含む項目1に記載のベースプレート。
[項目5]
前記疎水性コーティングは、スプレーコーティング法を用いて塗布される項目1に記載のベースプレート。
[項目6]
前記疎水性コーティングは、少なくとも前記ナイフ状突起に、キシランP−92を少なくとも一層スプレーすることによって、塗布される項目5に記載のベースプレート。
[項目7]
前記疎水性コーティングは、キシランP−92の前記層の上にキシラン1010を少なくとも一層スプレーすることによって、塗布される項目6に記載のベースプレート。
[項目14]
NovellusのSabre(登録商標)電気メッキシステムにおいて利用される項目1に記載のベースプレート。
[項目16]
カップで利用されるコンタクトリングであって、前記カップは、電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に前記コンタクトリングにメッキ溶液を接触させないように構成されており、前記コンタクトリングは電気メッキ中に前記半導体ウェハに電流を供給し、前記コンタクトリングは、
前記カップのほかの構成要素と係合するようにサイズおよび形状が決定されている単一のリング状本体と、
前記単一のリング状本体に取り付けられ、前記単一のリング状本体から内向きに延伸している複数の指状コンタクトと
を備え、
前記複数の指状コンタクトは、お互いから離間させて斜めに設けられており、各指状コンタクトは、前記半導体ウェハの外側エッジから約1mm未満の箇所で、前記半導体ウェハに接触するように配置されているコンタクトリング。
[項目17]
前記リング状本体および前記複数の指状コンタクトは、Paliney 7を含む項目16に記載のコンタクトリング。
[項目18]
前記複数の指状コンタクトは、略V字形の形状を持ち、前記単一のリング状本体によって画定される平面から下向きに延伸した後、前記半導体ウェハと接触する遠位ポイントまで上向きに延伸する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目19]
前記複数の指状コンタクトは、少なくとも約300個の指状コンタクトを有する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目20]
前記複数の指状コンタクトは、電気メッキ中に前記半導体ウェハによって加えられる力で屈曲する項目16に記載のコンタクトリング。
[項目21]
前記複数の指状コンタクトのそれぞれの少なくとも一部分は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレン−テトラフルオロエチレン(ETFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)およびこれらの共重合体から成る群から選択される1以上の疎水性ポリマーによってコーティングされている項目16に記載のコンタクトリング。
[項目22]
カップで利用される端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリであって、前記カップは、電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に前記半導体ウェハの周縁領域からメッキ溶液を排除するように構成されており、前記端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリは、電気メッキ中に、前記半導体ウェハに電流を供給し、前記端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリは、
前記半導体ウェハと係合して、前記メッキ溶液を前記半導体ウェハの前記周縁領域から排除するリング状エラストマー端縁シールと、
単一のリング状本体および複数の指状コンタクトを有するコンタクトリングと
を備え、
前記リング状エラストマー端縁シールの内径は、前記メッキ溶液を排除するための外周を画定し、
前記複数の指状コンタクトは、前記リング状本体に取り付けられ、前記リング状本体から内向きに延伸し、お互いから離間して斜めに設けられ、各指状コンタクトは、前記端縁シールの内径から少なくとも約1mmの箇所において、前記半導体ウェハと係合するように配置されている
端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目23]
前記複数の指状コンタクトはそれぞれ、略V字形の形状を持ち、前記単一のリング状本体によって画定される平面から下向きに延伸した後、前記リング状エラストマー端縁シールが前記半導体ウェハと係合する平面より高い位置の遠位ポイントまで上向きに延伸する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目24]
前記リング状エラストマー端縁シールは、疎水性コーティングを有する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目25]
前記リング状エラストマー端縁シールは、分配バスを収容する溝を有する項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目26]
前記リング状エラストマー端縁シールのうち前記半導体ウェハと係合する部分は、前記係合が維持されている間、圧縮される項目22に記載の端縁シールおよびコンタクトリングアセンブリ。
[項目29]
カップおよびコーンを備える装置で半導体ウェハに電気メッキを行う方法であって、
前記半導体ウェハを前記カップ上に位置決めする段階と、
前記コーンを前記半導体ウェハまで降下させて、前記半導体ウェハの裏面に力を加えて、前記カップの端縁シールと前記半導体ウェハの前面との間にシールを構築する段階と、
前記半導体ウェハの前記前面の少なくとも一部分を電気メッキ溶液内に浸漬させて、前記半導体ウェハの前記前面に対して電気メッキを実行する段階と、
前記コーンを上昇させて、前記半導体ウェハの前記裏面に前記力を加えるのを停止する段階と
を備え、
前記上昇は、少なくとも2秒間にわたって実行される方法。
[項目30]
前記コーンの上昇に先立って、少なくとも約3秒間にわたって、前記半導体ウェハを回転させる段階をさらに備える、項目29に記載の方法。
Claims (16)
- 電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に電気メッキ溶液を電気コンタクトに到達させないように構成されているカップにおいて利用されるベースプレートであって、
リング状本体と、
前記リング状本体から内向きに延伸し、エラストマー端縁シールを支持しているナイフ状突起と、
ポリアミドイミド(PAI)を含み、少なくとも前記ナイフ状突起を被覆している疎水性コーティングと
を備え、
前記エラストマー端縁シールは、前記半導体ウェハと係合し、前記電気メッキ溶液が前記電気コンタクトに到達しないようにする
ベースプレート。 - 前記疎水性コーティングは、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、および、これらの共重合体から成る群から選択される1以上の材料を含む請求項1に記載のベースプレート。
- 前記疎水性コーティングの厚みは、約20μmから35μmの間である請求項1または2に記載のベースプレート。
- 前記疎水性コーティングは、90Vのスパークテストに合格する請求項1から3の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記疎水性コーティングによる前記電解質溶液の浸出または吸収は、検出可能な量ではない請求項1から4の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記リング状本体および前記ナイフ状突起は、ステンレススチール、チタン、およびタンタルから成る群から選択される1以上の材料を含む請求項1から5の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記リング状本体は、電気メッキ装置のシールド構造に対して取り外し可能に取り付けられる請求項1から6の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記ナイフ状突起は、少なくとも約200ポンドの力を支持する請求項1から7の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記リング状本体は、端縁シールのリッジと係合する溝を有する請求項1から8の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記疎水性コーティングは2つの層を有する請求項1から9の何れか1項に記載のベースプレート。
- 前記2つの層のうち第1の層は約100%のポリアミドイミドを含み、前記2つの層のうち第2の層は約70%のポリアミドイミドと約30%のポリテトラフルオロエチレンとを含む請求項10に記載のベースプレート。
- 前記第2の層は前記ナイフ状突起に対して前記第1の層を被覆する請求項11に記載のベースプレート。
- 前記疎水性コーティングは、前記2つの層を被覆する1以上のさらなる層を有する請求項11または12に記載のベースプレート。
- 前記リング状本体及び前記ナイフ状突起は、前記電気コンタクトから分離されている請求項1から13の何れか1項に記載のベースプレート。
- 電気メッキ中に半導体ウェハを保持する電気メッキ装置であって、前記電気メッキ装置の所与の部分は、メッキ溶液が接触しないようになっており、前記電気メッキ装置は、
前記半導体ウェハを支持し、ベースプレートを有するカップと、
前記半導体ウェハに力を加えて、エラストマーシールに対して前記半導体ウェハを押圧するコーンと、
前記カップに対して相対的に前記コーンを移動させ、前記コーンを介して前記半導体ウェハに力を加え、前記カップの前記エラストマーシールで前記半導体ウェハをシールして、前記カップおよび前記コーンを回転させるシャフトと
を備え、
前記ベースプレートは、
リング状本体と、
前記リング状本体から内向きに延伸し、前記エラストマー端縁シールを支持するナイフ状突起と、
ポリアミドイミド(PAI)を含み、少なくとも前記ナイフ状突起を被覆している疎水性コーティングと
を有し、
前記エラストマー端縁シールは、前記半導体ウェハと係合し、前記電気メッキ溶液が前記電気コンタクトに到達しないようにする電気メッキ装置。 - 命令を有するコントローラ
をさらに備え、
前記命令は、
前記半導体ウェハを前記カップ上に位置決めして、
前記コーンを前記半導体ウェハまで降下させて、前記半導体ウェハの裏面に力を加えて、前記カップの端縁シールと前記半導体ウェハの前面との間にシールを構築して、
前記半導体ウェハの前記前面の少なくとも一部分を電気メッキ溶液内に浸漬させて、前記半導体ウェハの前記前面に対して電気メッキを実行して、
前記コーンを上昇させて、前記半導体ウェハの前記裏面に前記力を加えるのを停止させるための命令であり、
前記上昇は、少なくとも2秒間にわたって実行される請求項15に記載の電気メッキ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12146008P | 2008-12-10 | 2008-12-10 | |
US61/121,460 | 2008-12-10 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013073905A Division JP2013167022A (ja) | 2008-12-10 | 2013-03-29 | コンタクトリング、端縁シールおよびコンタクトリングのアセンブリ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010150659A JP2010150659A (ja) | 2010-07-08 |
JP2010150659A5 true JP2010150659A5 (ja) | 2012-05-17 |
JP5237924B2 JP5237924B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=42264466
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009278998A Active JP5237924B2 (ja) | 2008-12-10 | 2009-12-08 | ベースプレート、及び電気メッキ装置 |
JP2013073905A Abandoned JP2013167022A (ja) | 2008-12-10 | 2013-03-29 | コンタクトリング、端縁シールおよびコンタクトリングのアセンブリ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013073905A Abandoned JP2013167022A (ja) | 2008-12-10 | 2013-03-29 | コンタクトリング、端縁シールおよびコンタクトリングのアセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8172992B2 (ja) |
JP (2) | JP5237924B2 (ja) |
KR (1) | KR101203223B1 (ja) |
CN (1) | CN101798698B (ja) |
SG (1) | SG162686A1 (ja) |
TW (1) | TWI369418B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7980000B2 (en) * | 2006-12-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Vapor dryer having hydrophilic end effector |
US7985325B2 (en) * | 2007-10-30 | 2011-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Closed contact electroplating cup assembly |
US7935231B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-05-03 | Novellus Systems, Inc. | Rapidly cleanable electroplating cup assembly |
US9512538B2 (en) * | 2008-12-10 | 2016-12-06 | Novellus Systems, Inc. | Plating cup with contoured cup bottom |
JP5237924B2 (ja) | 2008-12-10 | 2013-07-17 | ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド | ベースプレート、及び電気メッキ装置 |
US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
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US8900425B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Contact ring for an electrochemical processor |
CN104272438B (zh) | 2012-03-28 | 2018-01-12 | 诺发系统公司 | 用于清洁电镀衬底保持器的方法和装置 |
US9476139B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating |
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- 2009-12-08 US US12/633,219 patent/US8172992B2/en active Active
- 2009-12-09 TW TW098142112A patent/TWI369418B/zh active
- 2009-12-09 SG SG200908245-4A patent/SG162686A1/en unknown
- 2009-12-10 KR KR1020090122738A patent/KR101203223B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-10 CN CN200910211989.XA patent/CN101798698B/zh active Active
-
2012
- 2012-03-28 US US13/432,767 patent/US20120181170A1/en not_active Abandoned
-
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