JP2010147350A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010147350A5
JP2010147350A5 JP2008324795A JP2008324795A JP2010147350A5 JP 2010147350 A5 JP2010147350 A5 JP 2010147350A5 JP 2008324795 A JP2008324795 A JP 2008324795A JP 2008324795 A JP2008324795 A JP 2008324795A JP 2010147350 A5 JP2010147350 A5 JP 2010147350A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
crystal substrate
silicon single
heater
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008324795A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010147350A (ja
JP5191373B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008324795A priority Critical patent/JP5191373B2/ja
Priority claimed from JP2008324795A external-priority patent/JP5191373B2/ja
Publication of JP2010147350A publication Critical patent/JP2010147350A/ja
Publication of JP2010147350A5 publication Critical patent/JP2010147350A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5191373B2 publication Critical patent/JP5191373B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2008324795A 2008-12-19 2008-12-19 エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 Active JP5191373B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324795A JP5191373B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324795A JP5191373B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010147350A JP2010147350A (ja) 2010-07-01
JP2010147350A5 true JP2010147350A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2012-08-30
JP5191373B2 JP5191373B2 (ja) 2013-05-08

Family

ID=42567436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008324795A Active JP5191373B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5191373B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5807522B2 (ja) * 2011-11-17 2015-11-10 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置
US9200965B2 (en) * 2012-06-26 2015-12-01 Veeco Instruments Inc. Temperature control for GaN based materials
JP2014060219A (ja) * 2012-09-14 2014-04-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャル成長装置
JP5920188B2 (ja) * 2012-11-26 2016-05-18 信越半導体株式会社 加熱装置
JP5602903B2 (ja) 2013-03-14 2014-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
KR102116508B1 (ko) * 2013-08-29 2020-05-28 에스케이실트론 주식회사 에피텍셜 웨이퍼 제조 장치
JP6198584B2 (ja) * 2013-11-21 2017-09-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
JP6309252B2 (ja) * 2013-11-21 2018-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
JP6241277B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-06 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置
EP3488464B1 (en) * 2016-07-22 2021-09-08 Applied Materials, Inc. Heating modulators to improve epi uniformity tuning
US10446420B2 (en) 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
WO2021050489A1 (en) 2019-09-09 2021-03-18 Applied Materials, Inc. Processing system and method of delivering a reactant gas
CN111599722B (zh) * 2020-05-25 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03150365A (ja) * 1989-07-26 1991-06-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6064799A (en) * 1998-04-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature
JP2000138170A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials Inc 半導体製造装置
JP2002217110A (ja) * 2000-12-27 2002-08-02 Applied Materials Inc 加熱装置及びこれを用いた半導体製造装置
US7108748B2 (en) * 2001-05-30 2006-09-19 Asm America, Inc. Low temperature load and bake

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010147350A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP5191373B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置
TW201233988A (en) Low temperature measurement and control using low temperature pyrometry
US20120118228A1 (en) Sapphire ingot grower
US10100429B2 (en) Method for producing a silicon single crystal doped with red phosphorous with reduced number of stacking faults and method for producing a silicon wafer using the same
TWI677602B (zh) β-GaO系單晶基板
KR20160090288A (ko) 실리콘 단결정의 제조방법
JP4868503B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
US7358162B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
TWI295824B (en) Method for fabricating semiconductor device
JP2007227461A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP6869077B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
JP2013060328A (ja) 炭化珪素結晶の製造方法
JP2016033102A (ja) サファイア単結晶およびその製造方法
JPWO2014156596A1 (ja) リン化インジウムウエハ、光電変換素子、およびリン化インジウム単結晶の製造方法
JPH097953A (ja) 単結晶薄膜の製造方法
CN112160030A (zh) 分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法
JP2012031004A (ja) 半絶縁性GaAs単結晶ウエハ
CN103069545B (zh) 晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置
CN113913928A (zh) 一种石墨盘
KR102270391B1 (ko) 웨이퍼의 에피택셜층의 성장 온도 설정 방법 및 에피택셜층의 성장 방법
US10844513B2 (en) Method for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon, device for producing a semiconductor wafer of monocrystalline silicon and semiconductor wafer of monocrystalline
KR101339580B1 (ko) 소이 웨이퍼의 에피층 제조방법
JP2010141060A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN103849930A (zh) 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法