JP2010141128A

JP2010141128A - 電子部品

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Publication number: JP2010141128A
Application number: JP2008315942A
Authority: JP
Inventors: Masaki Kitajima; 正樹北島
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-12-11
Filing date: 2008-12-11
Publication date: 2010-06-24
Anticipated expiration: 2028-12-11
Also published as: JP5428315B2

Abstract

【課題】コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制する。
【解決手段】コンデンサＣは、積層体１４に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより構成されている。コイルＬ１，Ｌ２は、積層体１６に内蔵され、かつ、コンデンサＣと共にノイズフィルタを構成している。積層体１６において、コンデンサＣと積層体１６とに挟まれている絶縁層３３ａ〜３３ｃは、コンデンサ電極５０ａ〜５０ｆに挟まれている絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率を有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関し、積層体内にコイルとコンデンサとを内蔵している電子部品に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層型ＬＣ複合部品が知られている。該積層型ＬＣ複合部品は、第１のコイル、第２のコイル及びコンデンサを内蔵する積層体により構成されている。コンデンサは、積層方向において第１のコイルと第２のコイルとに挟まれるように配置されている。そして、積層型ＬＣ複合部品では、第１のコイル、第２のコイル及びコンデンサは、Ｔ型ノイズフィルタを構成している。したがって、第１のコイルに入力する入力信号の内、必要な信号は、第２のコイルから出力する。一方、入力信号の内、不要な信号（ノイズ）は、コンデンサからグランドへと流れていく。

しかしながら、積層型ＬＣ複合部品では、第１のコイルとコンデンサとが隣り合っていると共に、第２のコイルとコンデンサとが隣り合っている。そのため、第１のコイルとコンデンサとの間に浮遊容量が発生し、第１のコイルとコンデンサとが容量結合する。同様に、第２のコイルとコンデンサとの間に浮遊容量が発生し、第２のコイルとコンデンサとが容量結合する。その結果、ノイズが、コンデンサのグランド側の電極から第１のコイル及び第２のコイルへと戻ってしまうという問題があった。
特開２００３−１５２４９０号公報

そこで、本発明の目的は、コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁層が積層されてなる第１の積層体と、前記第１の積層体に重ねられている第２の積層体と、前記第１の積層体に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体により構成されているコンデンサと、前記第２の積層体に内蔵され、かつ、前記コンデンサと共にノイズフィルタを構成しているコイルと、を備え、前記第１の積層体において、前記コンデンサと前記第２の積層体とに挟まれている前記絶縁層の少なくとも一部は、前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有していること、を特徴とする。

本発明によれば、コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制できる。

以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。

（電子部品の構成について）
図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る積層体１２の分解斜視図である。図３は、電子部品１０の等価回路図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

図１に示す電子部品１０は、積層体１２、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を備えている。また、積層体１２は、直方体形状を有し、積層体１４と積層体１６とが積層されて構成されている。

積層体１４は、ＬＴＣＣ（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏ−ｆｉｒｅｄＣｅｒａｍｉｃｓ）基板である。積層体１４について、図２を参照しながら詳細に説明する。

積層体１４は、コンデンサＣを内蔵しており、絶縁層３２ａ〜３２ｅ，３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄにより構成されている。また、コンデンサＣは、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより構成されている。

絶縁層３２ａ〜３２ｅは、ＳｉＯ₂を主成分としている誘電体材料（本実施形態では、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂａ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂−ＣｅＯ₂−ガラス）からなる矩形状の層であり、１０以上の比誘電率を有している。なお、絶縁層３２ａ〜３２ｅは、５枚記載されているが、５枚以上であってもよい。そのため、図２では、絶縁層３２ｃと絶縁層３２ｄとの間を点線で繋いで、絶縁層３２ｃと絶縁層３２ｄとの間に更なる絶縁層３２が設けられていてもよいことを示している。絶縁層３２ａ〜３２ｅは、積層された状態において、２５０μｍの厚みを有していることが望ましい。

絶縁層３３ａ〜３３ｃは、積層体１４において、コンデンサＣと積層体１６との間に挟まれるように設けられている。すなわち、絶縁層３３ａ〜３３ｃは、絶縁層３２ａのｚ軸方向の正方向側に設けられている。該絶縁層３３ａ〜３３ｃは、ＳｉＯ₂を主成分としている誘電体材料（本実施形態では、Ａｌ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂−ガラス）からなる矩形状の層であり、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率（本実施形態では、１０以下）を有している。絶縁層３３ａ〜３３ｃは、積層された状態において、２５μｍの厚みを有していることが望ましい。

絶縁層３４ａ〜３４ｄは、積層体１４において、コンデンサＣよりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。すなわち、絶縁層３３ａ〜３３ｃは、絶縁層３２ｅよりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。該絶縁層３４ａ〜３４ｄは、ＳｉＯ₂を主成分としている誘電体材料（本実施形態では、Ａｌ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂−ガラス）からなる矩形状の層であり、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率（本実施形態では、１０以下）を有している。絶縁層３４ａ〜３４ｄは、積層された状態において、２０μｍの厚みを有していることが望ましい。

コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、絶縁層３２ａ〜３２ｅ，３４ａの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆはそれぞれ、矩形状を有しており、引き出し部５２ａ〜５２ｆを有している。引き出し部５２ａ〜５２ｆは、ｙ軸方向の正方向側の辺とｙ軸方向の負方向側の辺とに交互に引き出されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆは、絶縁層３２ａ〜３２ｅ，３４ａがｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、ｚ軸方向に対向するもの同士でコンデンサＣを構成している。これにより、絶縁層３２ａ〜３２ｅは、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆにより挟まれている。更に、コンデンサＣは、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率を有する絶縁層３３ａ〜３３ｃと絶縁層３４ａ〜３４ｄによりｚ軸方向の両側から挟まれている。

積層体１６は、積層体１４上に重ねられ、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１４よりも小さくなるように形成されている。以下に、積層体１６について、図２を参照しながら詳細に説明する。

積層体１６は、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵しており、絶縁層３０ａ〜３０ｇにより構成されている。また、コイルＬ１，Ｌ２はそれぞれ、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３，ｂ４〜ｂ６により構成され、コンデンサＣと共にＴ型ＬＣノイズフィルタを構成している。

絶縁層３０ａ〜３０ｇは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁層３０ａ〜３０ｇは、ｚ軸方向から平面視した場合に、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、積層体１４は、絶縁層３０ａ〜３０ｇの四辺からはみ出した状態となっている。

コイル導体４０ａ〜４０ｄはそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｇの主面上に、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。同様に、コイル導体４４ａ〜４４ｄはそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｇの主面上に、コイル導体４０ａ〜４０ｄとｘ軸方向に並ぶように、例えば、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料により形成される。コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄは、それぞれ線状電極が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。

コイル４０ａ，４４ａはそれぞれ、その一端において引き出し部４２ａ，４６ａを有している。引き出し部４２ａは、ｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されており、引き出し部４６ａは、ｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。コイル導体４０ｄとコイル４４ｄとの間には、引き出し部４８が設けられている。引き出し部４８の一端は、ｙ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ３はそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｆをｚ軸方向に貫通するように形成されている。同様に、ビアホール導体ｂ４〜ｂ６もそれぞれ、絶縁層３０ｄ〜３０ｆをｚ軸方向に貫通するように形成されている。

コイル導体４０ａ〜４０ｄは、絶縁層３０ａ〜３０ｇがｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、隣り合うもの同士でビアホール導体ｂ１〜ｂ３により接続されて、コイルＬ１を構成している。同様に、コイル導体４４ａ〜４４ｄは、絶縁層３０ａ〜３０ｇがｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、隣り合うもの同士でビアホール導体ｂ４〜ｂ６により接続されて、コイルＬ２を構成している。そして、コイルＬ１とコイルＬ２とは、引き出し部４８を介して図３に示すように直列接続されている。

外部電極１８ａ，１８ｂはそれぞれ、図１に示すように、積層体１２のｘ軸方向の両端の側面に形成され、図２に示す引き出し部４２ａ，４４ａと電気的に接続されている。外部電極２０は、図１に示すように、積層体１２のｙ軸方向の負方向側の側面に形成され、図２に示す引き出し部５２ａ，５２ｃ，５２ｅと電気的に接続されている。接続電極２２は、図１に示すように、積層体１２のｙ軸方向の正方向側の側面に形成され、図２に示す引き出し部４８，５２ｂ，５２ｄ，５２ｆと電気的に接続されている。これにより、コンデンサＣは、接続電極２２により、コイルＬ１とコイルＬ２との間に接続されるようになる。その結果、電子部品１０は、図３に示すようなＴ型ＬＣノイズフィルタを構成するようになる。

電子部品１０がＴ型ＬＣノイズフィルタとして動作する場合には、外部電極１８ａ，１８ｂが信号電極として機能し、外部電極２０がグランド電極として機能する。すなわち、外部電極１８ａ，１８ｂには、相対的に高い電位が印加され、外部電極２０には、相対的に低い電位（接地電位）が印加される。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、以下に説明するように、コンデンサＣからコイルＬ１，Ｌ２にノイズが戻ることを抑制できる。より詳細には、図２に示すように、コイル導体４０ｄ，４４ｄとコンデンサ導体５０ａとの間に設けられている絶縁層３３ａ〜３３ｃは、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆの間に設けられている絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも低い比誘電率を有している。そのため、電子部品１０では、絶縁層３３ａ〜３３ｃの比誘電率と絶縁層３２ａ〜３２ｅの比誘電率とが等しい場合に比べて、コンデンサＣとコイルＬ１，Ｌ２との間に発生する浮遊容量が小さくなる。その結果、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅからコイルＬ１，Ｌ２へとノイズが戻ることが抑制される。

また、電子部品１０では、絶縁層３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄは、めっき時にめっき液に溶出し易いＢａを含んでいないので、絶縁層３２ａ〜３２ｅに比べて耐めっき性に優れている。よって、絶縁層３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄがめっき時に溶け出して、コンデンサ導体５０が露出することが防止される。

本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、以下に説明する仕様のモデルにおいて、絶縁層３２ａ〜３２ｅ，３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄの比誘電率を変化させて、周波数と挿入損失との関係を調べた。

モデルの仕様
コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの層数：４
コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの線幅：１６μｍ
コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの線間の幅：１５μｍ
積層体１６のサイドギャップ：６５μｍ
コイルＬ１，Ｌ２の間隔：５０μｍ
コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆの枚数：２０
積層体１４のサイドギャップ：１２５μｍ

以上のような仕様のモデルにおいて、以下の表１に示すように比誘電率を組み合わせて第１のモデル〜第８のモデルとした。

図４は、第１のモデル及び第２のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図５は、第３のモデル及び第４のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図６は、第５のモデル及び第６のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図７は、第７のモデル及び第８のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図４ないし図７において、縦軸は挿入損失を示し、横軸は周波数を示す。

図６及び図７のグラフによれば、絶縁層３３，３４の比誘電率を絶縁層３２の比誘電率よりも小さくすることにより、挿入損失が大きくなっていることが分かる。すなわち、絶縁層３３，３４の比誘電率を絶縁層３２の比誘電率よりも小さくすることにより、ノイズが効率よく除去されていることが分かる。これは、コンデンサ導体５０ａ，５０ｃ，５０ｅからコイルＬ１，Ｌ２へとノイズが戻ることが抑制されていることを意味している。

また、図４ないし図７を比較すると、絶縁層３３，３４の比誘電率を８とした場合には、絶縁層３２の比誘電率を６０以上にすれば、より効果的にノイズが除去されていることが分かる。したがって、絶縁層３３，３４の比誘電率を８とした場合には、絶縁層３２の比誘電率は、６０以上であることが望ましい。

（製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、１個分の電子部品１０の製造工程について説明するが、実際には、複数の電子部品１０がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。図８は、電子部品のマザー積層体をｚ軸方向から平面視した図である。

まず、図２に示す積層体１４を作製する。より詳細には、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｅＯ₃とＣａ−Ａｌ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層３２ａ〜３２ｅとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｅＯ₃とＣａ−Ａｌ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、絶縁層３２ａ〜３２ｅ，３４ａとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｆを形成する。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、ｚ軸方向の正方向側から順に絶縁層３３ａ〜３３ｃ，３２ａ〜３２ｅ，３４ａ〜３４ｄを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、焼成を施して、積層体１４のマザー積層体が得られる。

次に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｇを、積層体１４上にフォトリソグラフィにより形成する。次に、絶縁層３０ｇ上にコイル導体４０ｄ，４４ｄを形成する。具体的には、絶縁層３０ｇ上に、Ａｇ又はＰｄを主成分とした導電性材料からなる導電層をスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。次に、導電層上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、導電層の不要な部分が露出した形状を有するレジストパターンを形成する。最後に、露出した部分の導電層をエッチングにて除去した後、レジストパターンを除去することにより、図２に示すように、コイル導体４０ｄ，４４ｄを形成する。

次に、図２に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ｆを、絶縁層３０ｇ及びコイル導体４０ｄ，４４ｄ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層３０ｆのビアホール導体ｂ３，ｂ６が形成されるべき位置に、ビアホールを形成する。

次に、絶縁層３０ｆ上にコイル導体４０ｃ，４４ｃを形成する。具体的には、絶縁層３０ｆ上に、導電層をドライめっき法により形成する。この際、ビアホールに導電性材料が充填され、ビアホール導体ｂ３，ｂ６が形成される。この後、この導電層には、レジストパターンの形成、エッチング、レジストパターンの除去及びフォトリソグラフィが行われる。これらの処理については、既に説明したものと同じであるので説明を省略する。これにより、コイル導体４０ｃ，４４ｃ及び絶縁層３０ｅが、絶縁層３０ｆ上に形成される。更に、同様の処理が繰り返されて、コイル導体４０ａ，４０ｂ，４４ａ，４４ｂ及び絶縁層３０ｄが形成される。この後、コイル導体４０ａ，４４ａ及び絶縁層３０ｄ上にポリイミド樹脂からなる絶縁層３０ａ〜３０ｃが形成される。

この後、積層体１２のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体１２に切り離される。この際、図８の点線部分に示すように、ダイサーが絶縁層３０ａ〜３０ｇが形成されていない部分を通過するように、マザー積層体をカットする。更に、カットした積層体１２に対してバレルを施す。これにより、積層体１２の角の面取りが行われる。

最後に、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成する。具体的には、Ａｇ及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて銀電極を形成する。次に、銀電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきを施して、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が形成される。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。

以上のように、電子部品１０のコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄは、フォトリソグラフィにより作製される。フォトリソグラフィを用いることにより、線幅の狭いコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを形成できるようになる。その結果、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの巻数を多くすることができ、電子部品１０の積層数を抑えることが可能となる。

また、積層体１２に対してバレルを施して、積層体１２の角の面取りを行っているので、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が積層体１２の角において剥離することが抑制される。

また、絶縁層３０ａ〜３０ｇは、ｚ軸方向から見たときに、積層体１４よりも小さく形成されている。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が、積層体１２から剥がれることを効果的に抑制できる。以下に、図８及び図９を用いて説明する。図９は、電子部品１０の積層体１２の角近傍の拡大図である。

絶縁層３０ａ〜３０ｇを積層体１２の全面に形成して、ダイサーによりカットした場合には、絶縁層３０ａ〜３０ｇのカット面においてポリイミドのひげが発生する。このようなポリイミドのひげが発生すると、精度よく外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成することが困難である。

これに対して、電子部品１０では、ダイサーが通過する部分には、図８及び図９に示すように、絶縁層３０ａ〜３０ｇが形成されていない。そのため、電子部品１０を切り分ける際に、前記のようなポリイミドのひげが発生しない。これにより、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を精度よく形成することが可能となる。その結果、電子部品１０において、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が剥離することが抑制される。

また、電子部品１０では、樹脂を含んだ導電性ペーストを用いて外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２を形成している。外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２は、樹脂（ポリイミド）からなる絶縁層３０ａ〜３０ｇ上にも形成されるので、絶縁層３０ａ〜３０ｇとの密着性がよい。そのため、電子部品１０において、外部電極１８ａ，１８ｂ，２０及び接続電極２２が剥離することが抑制される。

また、積層体１４の表面の凹凸を１５μｍ以下とすることにより、フォトリソグラフィにより絶縁層３０やコイル導体４０，４４を精度良く形成できる。

（その他の実施形態）
ところで、電子部品１０がＴ型ＬＣノイズフィルタとして動作する場合には、外部電極１８ａ，１８ｂが信号電極として機能し、外部電極２０がグランド電極として機能する。すなわち、外部電極１８ａ，１８ｂには、相対的に高い電位が印加され、外部電極２０には、相対的に低い電位（接地電位）が印加される。そして、コイルＬ１，Ｌ２を構成するコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とは、絶縁層３０ｄ〜３０ｇにより絶縁されているので、電気的に接続されていない状態となっている。そのため、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの電位は、外部電極２０の電位よりも高くなっている。

前記のようにコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄの電位が外部電極２０の電位よりも高くなっていると、エレクトロマイグレーションにより、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とが短絡するという問題がある。より詳細には、水分や電流等により、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを構成する金属が陽イオンに変化する。このような陽イオンは、電子部品１０の外部電極１８ａ，１８ｂ，２０に電圧が印加されると、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に発生する電界によって、絶縁層３０ｃ〜３０ｇの境界面を伝って、電位の低い外部電極２０側へと移動する。このような状態が長期間持続すると、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に電流経路が形成され、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０とが短絡してしまうおそれがある。

そこで、電子部品１０において、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生しないように、積層体１６内に絶縁体が設けられていてもよい。以下に、図１０を参照しながら、絶縁体を備えたその他の実施形態に係る電子部品１０について説明する。図１０（ａ）は、その他の実施形態に係る電子部品１０をｚ軸方向から平面視した透視図であり、図１０（ｂ）は、その他の実施形態に係る電子部品１０をｘ軸方向から平面視した透視図である。図１０（ａ）では、コイル導体４０ａ，４４ａのみを記載した。また、図１０（ｂ）では、積層体１４については一部のみを記載した。

その他の実施形態に係る電子部品１０において、エレクトロマイグレーションによる短絡が最も発生し易い箇所は、図１０（ａ）に示す領域Ａである。領域Ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、外部電極２０とコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄとが最も近づく位置である。該領域Ａでは、外部電極２０とコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄとの距離が最も短くなるので、電子部品１０内において電界が最も強くなる。そのため、領域Ａでは、金属の陽イオンが、電界によりコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄから外部電極２０へと移動しやすい。すなわち、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生し易い。

そこで、電子部品１０では、図１０に示すように、金属の陽イオンの移動を妨げるように、領域Ａにおいて、互いに隣接する絶縁層３０ｃ〜３０ｇの境界をｚ軸方向に横切るように延在する絶縁体６０が設けられている。本実施形態に係る電子部品１０では、絶縁体６０は、図１０（ｂ）に示すように、ｚ軸方向の最も正方向側に位置するコイル導体４０ａよりもｚ軸方向の正方向側から、ｚ軸方向の最も負方向側に位置するコイル導体４０ｄよりもｚ軸方向の負方向側まで、連続して延在している。また、絶縁体６０は、図１０（ａ）に示すように、ｘ軸方向の正方向側の側面近傍からｘ軸方向の負方向側の側面近傍まで、ｘ軸方向に連続して延在している。これにより、絶縁体６０は、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間において、壁のように立っている。

その他の実施形態に係る電子部品１０では、絶縁体６０が設けられることにより、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄを構成する金属原子が陽イオンに変化し、該陽イオンが電界により外部電極２０側へと移動したとしても、絶縁体６０によりその移動が遮られてしまう。その結果、コイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との間に電流経路が形成されることがなくなり、エレクトロマイグレーションによるコイル導体４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄと外部電極２０との短絡の発生が防止される。

（変形例）
図２に示した電子部品１０では、絶縁層３３ａ〜３３ｃ及び絶縁層３４ａ〜３４ｄの両方が、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも小さい比誘電率を有しているものとした。しかしながら、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも小さい比誘電率を有している必要があるのは、少なくとも、絶縁層３３ａ〜３３ｃである。よって、絶縁層３４ａ〜３４ｄは、絶縁層３２ａ〜３２ｅと同じ比誘電率を有していてもよいし、絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも大きい比誘電率を有していてもよい。更に、絶縁層３３ａ〜３３ｃ全てが絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも小さい比誘電率を有していなくてもよい。すなわち、絶縁層３３ａ〜３３ｃの少なくとも一部のものが絶縁層３２ａ〜３２ｅよりも小さい比誘電率を有していればよい。

図１では、外部電極２０は、積層体１４，１６の両方の表面に跨って形成されているが、例えば、積層体１４の表面にのみ形成されていてもよい。

また、絶縁層３３ａ，３３ｂは、いずれか一方のみが設けられていてもよい。

また、電子部品１０内には、コイルＬ及びコンデンサＣからなる回路素子がアレイ状に形成されていてもよい。

一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。一実施形態に係る積層体の分解斜視図である。一実施形態に係る電子部品の等価回路図である。第１のモデル及び第２のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。第３のモデル及び第４のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。第５のモデル及び第６のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。第７のモデル及び第８のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。電子部品のマザー積層体をｚ軸方向から平面視した図である。電子部品の積層体の角近傍の拡大図である。図１０（ａ）は、その他の実施形態に係る電子部品をｚ軸方向から平面視した透視図であり、図１０（ｂ）は、その他の実施形態に係る電子部品をｘ軸方向から平面視した透視図である。

符号の説明

Ｃコンデンサ
Ｌ１，Ｌ２コイル
ｂ１〜ｂ６ビアホール導体
１０電子部品
１２，１４，１６積層体
１８ａ，１８ｂ，２０外部電極
３０ａ〜３０ｇ，３２ａ〜３２ｅ，３３ａ〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｄ絶縁層
４０ａ〜４０ｄ，４４ａ〜４４ｄコイル導体
５０ａ〜５０ｆコンデンサ導体

Claims

複数の絶縁層が積層されてなる第１の積層体と、
前記第１の積層体に重ねられている第２の積層体と、
前記第１の積層体に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体により構成されているコンデンサと、
前記第２の積層体に内蔵され、かつ、前記コンデンサと共にノイズフィルタを構成しているコイルと、
を備え、
前記第１の積層体において、前記コンデンサと前記第２の積層体とに挟まれている前記絶縁層の少なくとも一部は、前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有していること、
を特徴とする電子部品。
前記第１の積層体において、前記コンデンサは、前記コンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有する前記絶縁層により積層方向の両側から挟まれていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。