JP2010140068A - 半導体集積回路装置およびそれを用いた非接触/接触電子装置ならびに携帯情報端末 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体集積回路装置U2は、アンテナ端子LA、LB、整流回路B1、電源電圧端子VDD、シャントレギュレータ回路B2、シリーズレギュレータ回路B3を具備する。内部電源ラインVDDAの電圧が第1設定電圧V1以上に上昇した際には、シャントレギュレータ回路B2はプルダウントランジスタM1にプルダウン電流I1を流す。内部電源ラインVDDAの電圧が第2設定電圧V2以下に低下した際には、シリーズレギュレータ回路B3はプルアップトランジスタM2にプルアップ電流I2を流す。第1設定電圧V1のレベルは、第2設定電圧V2のレベルよりも高いレベルに設定される。2つのレギュレータ回路B2、B3の動作の競合が、防止される。
【選択図】図3
Description
アンテナ(L1)に接続可能なアンテナ端子(LA、LB)と、
前記アンテナ端子(LA、LB)に供給される高周波信号を整流することにより直流電圧を内部電源ライン(VDDA)に出力する整流回路(B1)と、
外部からの電源電圧が供給可能な電源電圧端子(VDD)と、
前記内部電源ライン(VDDA)と接地電位(VSS)との間に接続されたプルダウントランジスタ(M1)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第1設定電圧(V1)以上に上昇した際には前記プルダウントランジスタにプルダウン電流(I1)を流すシャントレギュレータ回路(B2)と、
前記電源電圧端子(VDD)と前記内部電源ライン(VDDA)との間に接続されたプルアップトランジスタ(M2)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第2設定電圧(V2)以下に低下した際には前記プルアップトランジスタにプルアップ電流(I2)を流すシリーズレギュレータ回路(B3)とを含み、
前記第1設定電圧(V1)の電圧レベルは前記第2設定電圧(V2)の電圧レベルよりも高いレベルに設定されたものであるか、または、設定可能とされたものであることを特徴とするものである(図3、図5、図11、図13参照)。
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
アンテナ(L1)に接続可能なアンテナ端子(LA、LB)と、
前記アンテナ端子(LA、LB)に供給される高周波信号を整流することにより直流電圧を内部電源ライン(VDDA)に出力する整流回路(B1)と、
外部からの電源電圧が供給可能な電源電圧端子(VDD)と、
前記内部電源ライン(VDDA)と接地電位(VSS)との間に接続されたプルダウントランジスタ(M1)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第1設定電圧(V1)以上に上昇した際には前記プルダウントランジスタにプルダウン電流(I1)を流すシャントレギュレータ回路(B2)と、
前記電源電圧端子(VDD)と前記内部電源ライン(VDDA)との間に接続されたプルアップトランジスタ(M2)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第2設定電圧(V2)以下に低下した際には前記プルアップトランジスタにプルアップ電流(I2)を流すシリーズレギュレータ回路(B3)とを含み、
前記第1設定電圧(V1)の電圧レベルは前記第2設定電圧(V2)の電圧レベルよりも高いレベルに設定されたものであることを特徴とするものである(図3参照)。
アンテナ(L1)に接続可能なアンテナ端子(LA、LB)と、
前記アンテナ端子(LA、LB)に供給される高周波信号を整流することにより直流電圧を内部電源ライン(VDDA)に出力する整流回路(B1)と、
外部からの電源電圧が供給可能な電源電圧端子(VDD)と、
前記内部電源ライン(VDDA)と接地電位(VSS)との間に接続されたプルダウントランジスタ(M1)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第1設定電圧(V1)以上に上昇した際には前記プルダウントランジスタにプルダウン電流(I1)を流すシャントレギュレータ回路(B2)と、
前記電源電圧端子(VDD)と前記内部電源ライン(VDDA)との間に接続されたプルアップトランジスタ(M2)を含み、前記内部電源ライン(VDDA)の電圧が第2設定電圧(V2)以下に低下した際には前記プルアップトランジスタにプルアップ電流(I2)を流すシリーズレギュレータ回路(B3)と、
前記シャントレギュレータ回路(B2)と前記シリーズレギュレータ回路(B3)に接続された制御回路(B4、B7)とを含み、
前記シャントレギュレータ回路(B2)と前記シリーズレギュレータ回路(B3)とが同時に動作する場合に、前記制御回路(B4、B7)は前記第1設定電圧(V1)の電圧レベルを前記第2設定電圧(V2)の電圧レベルよりも高いレベルに制御可能とされたものであることを特徴とするものである(図5、図11、図13参照)。
アンテナ(L1)と、
外部からの電源電圧が供給可能な接触端子(U10)と
半導体集積回路装置(U2)とを内蔵する。
データを処理するデータ処理回路と、
前記データ処理回路によって処理される前記データを入力するデータ入力装置と、
前記データ処理回路によって処理される前記データを表示する表示装置とを具備するものである。
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
《非接触電子装置および半導体集積回路装置の構成》
図1は、本発明の第1の実施の形態による半導体集積回路装置U2を内蔵する非接触電子装置U1の構成を示す図である。
図1に示す半導体集積回路装置U2に含まれる電源回路U3は、整流回路B1、非接触用シャントレギュレータ回路B2、接触用シリーズレギュレータ回路B3、検出回路B4によって構成されている。好ましい実施の形態では、電源回路U3の整流回路B1の出力端子に平滑容量が接続されて、高周波信号による出力電圧変動を制限するものである。
図3は、図1に示す半導体集積回路装置U2に含まれる電源回路U3の詳細な構成を示す図である。
≪電源回路の他の詳細な構成≫
図5は、図1に示す半導体集積回路装置U2に含まれる本発明の第2の実施の形態による電源回路U3の他の詳細な構成を示す図である。
図7は、図5に示した電源回路U3の接触用シリーズレギュレータ回路B3に含まれた分圧回路B6の具体的な構成を示す図である。
図8は、図5に示す本発明の第2の実施の形態による電源回路U3を含む図1に示す半導体集積回路装置U2の動作波形を示す図である。
図9は、図5に示す本発明の第2の実施の形態による電源回路U3を含む図1に示す半導体集積回路装置U2の他の動作波形を示す図である。
図10は、図5に示す本発明の第2の実施の形態による電源回路U3を含む図1に示す半導体集積回路装置U2の更に他の動作波形を示す図である。
≪電源回路の更に他の詳細な構成≫
図11は、図1に示す半導体集積回路装置U2に含まれる本発明の第3の実施の形態による電源回路U3の更に他の詳細な構成を示す図である。
≪電源回路の異なる詳細な構成≫
図13は、図1に示す半導体集積回路装置U2に含まれる本発明の第4の実施の形態による電源回路U3の異なる詳細な構成を示す図である。
B1 整流回路
B2 非接触用シャントレギュレータ回路
B3 接触用シリーズレギュレータ回路
B4 検出回路
B5、B6 分圧回路
B7 制御回路
C1 共振容量
COM0、COM1 命令
I1、I2、I1a、I1b、I2a、I2b 電流
L1 アンテナ
LA、LB アンテナ接続端子
M1〜M3 MOSトランジスタ
PIO 信号入出力端子
R1〜R6 抵抗
S1 検出信号
S2、S3 制御信号
T1、T2 時間
U1 非接触電子装置
U2 半導体集積回路装置
U3 電源回路
U4 内部回路
U5 受信回路
U6 送信回路
U7 信号処理回路
U8 メモリ
U9 I/O回路
U10 外部接触端子
U11 リーダ・ライタ
U12 携帯電話
U13 携帯電話U11の筐体
U14 入力装置
U15 非接触電子装置
VR1、VR2 基準電圧源
VC 接触用シリーズレギュレータB3の上限制限レベル
VCL 非接触用シャントレギュレータB2の上限制限レベル
VDD 電源電圧端子
VDDA 内部電源ライン
VSS 接地端子
Claims (11)
- アンテナに接続可能なアンテナ端子と、
前記アンテナ端子に供給される高周波信号を整流することにより直流電圧を内部電源ラインに出力する整流回路と、
外部からの電源電圧が供給可能な電源電圧端子と、
前記内部電源ラインと接地電位との間に接続されたプルダウントランジスタを含み、前記内部電源ラインの電圧が第1設定電圧以上に上昇した際には前記プルダウントランジスタにプルダウン電流を流すシャントレギュレータ回路と、
前記電源電圧端子と前記内部電源ラインとの間に接続されたプルアップトランジスタを含み、前記内部電源ラインの電圧が第2設定電圧以下に低下した際には前記プルアップトランジスタにプルアップ電流を流すシリーズレギュレータ回路とを含み、
前記第1設定電圧の電圧レベルは前記第2設定電圧の電圧レベルよりも高いレベルに設定されたものであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記シャントレギュレータ回路は、前記内部電源ラインと前記接地電位との間に接続された第1分圧回路と、当該第1分圧回路の分圧出力と第1基準電圧とに応答して前記プルダウントランジスタの入力端子を制御する第1演算増幅器とを更に含むものであり、
前記シリーズレギュレータ回路は、前記内部電源ラインと前記接地電位との間に接続された第2分圧回路と、当該第2分圧回路の分圧出力と第2基準電圧とに応答して前記プルアップトランジスタの入力端子を制御する第2演算増幅器とを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記プルダウントランジスタはNチャンネルMOSトランジスタであり、前記プルアップトランジスタはPチャンネルMOSトランジスタであることを特徴とするものである請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- アンテナに接続可能なアンテナ端子と、
前記アンテナ端子に供給される高周波信号を整流することにより直流電圧を内部電源ラインに出力する整流回路と、
外部からの電源電圧が供給可能な電源電圧端子と、
前記内部電源ラインと接地電位との間に接続されたプルダウントランジスタを含み、前記内部電源ラインの電圧が第1設定電圧以上に上昇した際には前記プルダウントランジスタにプルダウン電流を流すシャントレギュレータ回路と、
前記電源電圧端子と前記内部電源ラインとの間に接続されたプルアップトランジスタを含み、前記内部電源ラインの電圧が第2設定電圧以下に低下した際には前記プルアップトランジスタにプルアップ電流を流すシリーズレギュレータ回路と、
前記シャントレギュレータ回路と前記シリーズレギュレータ回路に接続された制御回路とを含み、
前記シャントレギュレータ回路と前記シリーズレギュレータ回路とが同時に動作する場合に、前記制御回路は前記第1設定電圧の電圧レベルを前記第2設定電圧の電圧レベルよりも高いレベルに制御可能とされたものであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記シャントレギュレータ回路は、前記内部電源ラインと前記接地電位との間に接続された第1分圧回路と、当該第1分圧回路の分圧出力と第1基準電圧とに応答して前記プルダウントランジスタの入力端子を制御する第1演算増幅器とを更に含むものであり、
前記シリーズレギュレータ回路は、前記内部電源ラインと前記接地電位との間に接続された第2分圧回路と、当該第2分圧回路の分圧出力と第2基準電圧とに応答して前記プルアップトランジスタの入力端子を制御する第2演算増幅器とを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路装置。 - 前記制御回路は前記アンテナ端子への前記高周波信号の供給を検出するものであり、
前記制御回路は、前記高周波信号の前記供給の検出結果に応答して、前記シリーズレギュレータ回路の前記第2分圧回路を制御することによって前記第2設定電圧の前記電圧レベルを前記第1設定電圧の前記電圧レベルよりも低いレベルに制御可能とされたものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路装置。 - 前記制御回路は前記電源電圧端子への前記電源電圧の供給を検出するものであり、
前記制御回路は、前記電源電圧の前記供給の検出結果応答して、前記シャントレギュレータ回路の前記第1分圧回路を制御することによって前記第1設定電圧の前記電圧レベルを前記第2設定電圧の前記電圧レベルよりも高いレベルに制御可能とされたものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路装置。 - 前記制御回路は前記アンテナ端子への前記高周波信号の供給を検出するものであり、前記制御回路は前記電源電圧端子への前記電源電圧の供給を検出するものである。
前記制御回路は、前記高周波信号の前記供給の検出結果に応答して、前記シリーズレギュレータ回路の前記第2分圧回路を制御することによって前記第2設定電圧の前記電圧レベルを前記第1設定電圧の前記電圧レベルよりも低いレベルに制御可能とされたものであり、
前記制御回路は、前記電源電圧の前記供給の検出結果応答して、前記シャントレギュレータ回路の前記第1分圧回路を制御することによって前記第1設定電圧の前記電圧レベルを前記第2設定電圧の前記電圧レベルよりも高いレベルに制御可能とされたものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路装置。 - 前記プルダウントランジスタはNチャンネルMOSトランジスタであり、前記プルアップトランジスタはPチャンネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路装置。
- アンテナと、
外部からの電源電圧が供給可能な接触端子と
半導体集積回路装置とを内蔵する非接触/接触電子装置であって、
前記半導体集積回路装置は、請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の半導体集積回路装置であることを特徴とする非接触/接触電子装置。 - データを処理するデータ処理回路と、
前記データ処理回路によって処理される前記データを入力するデータ入力装置と、
前記データ処理回路によって処理される前記データを表示する表示装置とを具備する携帯情報端末であるって、
前記携帯情報端末は、請求項10に記載の非接触/接触電子装置を内蔵可能に構成されたことを特徴とする携帯情報端末。
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