JP2005173862A - 非接触式icカード - Google Patents

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Abstract

【課題】ICチップの発熱抑制を可能とし、かつ、様々な使用環境に応じた適正な設定をすることができる非接触式ICカードを提供する。
【解決手段】非接触式ICカードにおいて、受信信号のレベルを検知し、この検知した受信信号のレベルに応じて共振回路のQ値を可変制御する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、たとえば、入退場管理装置における個人認証媒体、住民基本台帳カード、クレジットカードなどとして用いられ、非接触式カードリーダ・ライタから送信される電磁波を受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作し、非接触式カードリーダ・ライタとの間で無線による送受信を行なうことにより、書換え可能な不揮発性メモリに対するデータの書込みあるいは読出しなどの情報処理を行なうバッテリレス式の非接触式ICカード(いわゆる無線カード)に関する。
一般に、この種の非接触式ICカードでは、外部装置である非接触式カードリーダ・ライタから過大磁界(過大電力)が印加された場合、それに伴い発熱するICチップ内の温度を温度検知手段により検知し、ICチップ内の温度が所定のレベル以上と判断されたとき、ICチップの動作を停止させている。温度検知手段はハードウェア(サーミスタ等)にて構成され、温度異常を検知した場合、ICチップ内のCPUに割込み信号を出力する。CPUは、この割込み信号を受信し、ファームウェアにてICチップの動作を停止するようにしている(たとえば、特許文献1、特許文献2参照)。
特開2001−143035号公報 特開平10−240890号公報
ところが、上述した従来の技術では、温度上昇による抵抗値の上昇により発熱が抑制できるが、温度により過電力の供給を制限する抵抗値が決まるため、実際に温度が上がってしまってから、発熱を抑制するという問題点がある。
また、様々な非接触式カードリーダ・ライタに曝される可能性があるため、必要以上に抑制して通信が不安定になったり、抑制が充分ではなく発熱してしまうなどの問題が発生することも考えられる。
そこで、本発明は、ICチップの発熱抑制を可能とし、かつ、様々な使用環境に応じた適正な設定をすることができる非接触式ICカードを提供することを目的とする。
また、本発明は、通信エラー発生の頻度を減少させ、常に安定した通信を可能とする非接触式ICカードを提供することを目的とする。
本発明の非接触式ICカードは、外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、前記共振回路のクオリティファクタ(Q)値を変更するための複数の抵抗素子と、これら複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、これら複数のスイッチ手段を前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御する制御手段とを具備している。
また、本発明の非接触式ICカードは、外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、この受信レベル検知手段の検知結果に応じて前記ICチップにおける送信信号のレベルを制御する送信レベル制御手段とを具備している。
さらに、本発明の非接触式ICカードは、外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、前記共振回路のクオリティファクタ(Q)値を変更するための複数の抵抗素子と、これら複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、これら複数のスイッチ手段を前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御する制御手段と、前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて前記ICチップにおける送信信号のレベルを制御する送信レベル制御手段とを具備している。
本発明によれば、受信信号のレベルに応じてアンテナのQ値を可変制御することにより、ICチップの発熱抑制を可能とし、かつ、様々な使用環境に応じた適正な設定をすることができる非接触式ICカードを提供できる。
また、本発明によれば、受信信号のレベルに応じて送信信号のレベルを可変制御することにより、通信エラー発生の頻度を減少させ、常に安定した通信を可能とする非接触式ICカードを提供できる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態に係る非接触式ICカ−ドの要部構成を概略的に示すものである。図1において、この非接触式ICカ−ドは、図示しない非接触式ICカードリーダ・ライタとの間で無線による送受信を行なうための共振回路11、および、この共振回路12と接続されたICチップ12により構成されており、これらはカード本体内に埋設されている。
共振回路11は、後述するようにアンテナコイルおよびこれとLC共振回路を形成する同調用コンデンサから構成されている。
ICチップ12は、Q値制御部13、全波整流回路14、平滑回路15、電圧検出手段としての電圧検出回路16、電源生成手段としてのシャントレギュレータ(電圧安定化回路)17、電流検出手段としての電流検出回路18、制御手段としての制御部19、送信レベル制御手段としての送信レベル制御部20、変調回路21、復調回路22、全体的な制御を司る制御手段としてのCPU(セントラル・プロセッシング・ユニット)23、および、このCPU23に接続され、各種情報を記憶する記憶手段としての不揮発性メモリ24によって構成されている。
すなわち、共振回路11から出力される受信信号は、共振回路11のQ値を可変制御するQ値制御部13を介して全波整流回路14に送られ、ここで整流される。全波整流回路14の出力端には、全波整流回路14の出力電圧を平滑化する平滑回路15、全波整流回路14の出力電圧を検知する電圧検出回路16、全波整流回路14の出力電圧により安定化された直流電圧を生成して各部に動作電圧として供給するシャントレギュレータ17、送信信号のレベルを可変制御する送信レベル制御部20、受信データを復調してCPU23へ送る復調回路22がそれぞれ接続されている。
送信レベル制御部20には変調回路21から送信信号が送られ、変調回路21にはCPU23から送信データが送られる。復調回路22の出力(受信データ)はCPU23に送られ、ここで所定のデータ処理(たとえば、演算処理やメモリ24に対する書込み、読出しなど)に用いられる。
シャントレギュレータ17には、シャントレギュレータ17から流れ出る電流を検出する電流検出回路18が接続されている。電流検出回路18の検出結果は、電圧検出回路16の検出結果とともに制御部19に送られる。
制御部19は、受信信号のレベルとして電圧検出回路16により検出された電圧値、あるいは、電流検出回路18により検出された電流値、あるいは、その両方の値を用い、この値に応じてQ値制御部13および送信レベル制御部20をそれぞれ制御するようになっている。
図2は、共振回路11、Q値制御部13、送信レベル制御部20の具体的な回路例を示すものである。
すなわち、共振回路11は、ループ状のアンテナコイル31、および、このアンテナコイル31とLC共振回路を形成する同調用コンデンサ32から構成されている。
Q値制御部13は、Q値を可変するための複数(たとえば、3個)の抵抗素子33a,33b,33c、これら抵抗素子33a,33b,33cを選択的に共振回路11の一端と全波整流回路14の一方の入力端との間に挿入接続する複数(たとえば、4個)のスイッチ手段としてのスイッチ素子(たとえば、トランジスタ)34a,34b,34c,34d、および、これらスイッチ素子34a,34b,34c,34dを選択的にオン,オフ制御するオン,オフ制御部35によって構成されている。
なお、抵抗素子33a,33b,33cの各抵抗値は、それぞれ等しい値であっても異なる値であってもよい。
このような構成により、たとえば、スイッチ素子34aがオンされると、共振回路11の一端と全波整流回路14の一方の入力端との間が直接接続状態(抵抗素子は接続されない)、スイッチ素子34bがオンされると抵抗素子33aが接続された状態、スイッチ素子34cがオンされると抵抗素子33bが接続された状態、スイッチ素子34dがオンされると抵抗素子33cが接続された状態となり、共振回路11のQ値が可変される。
送信レベル制御部20は、全波整流回路14の出力端間に、制御部19からの制御信号により抵抗値が可変制御される可変抵抗器36と、変調回路21からの送信信号によりオン,オフ制御される変調用トランジスタ37とを直列接続して構成される。
なお、同調用コンデンサ32の接続位置は図2に破線で示す位置であってもよい。
次に、このような構成において、共振回路11のQ値や送信信号レベルを受信信号のレベルに応じて可変制御する方法について詳細に説明する。
第1番目の方法は、電圧検出回路16により検出された電圧値に応じて、制御部19を介して適正なQ値や送信信号レベルに可変制御する方法であり、この方法は特に受信信号レベルが小さい場合などに有効である。
第2番目の方法は、シャントレギュレータ17から流れ出る電流を電流検出回路18で検出し、その検出した電流値に応じて、制御部19を介して適正なQ値や送信信号レベルに可変制御する方法であり、この方法は特に受信信号レベルが大きい場合などに有効である。
また、これら第1番目の方法と第2番目の方法の方法とを併用する方法も考えられる。
前述した従来技術では、温度により過電力の供給を制限する抵抗値が増大することで、Q値制御を行なっていたが、この場合、温度が上昇してから制御が始まるため、温度上昇中は抑制が効かない。そのため、ある設定温度に達するまでの時間が非常に短くなる(図3の破線曲線a参照)。
これに対し、本実施の形態の場合、温度が上昇し始める前に過電力の供給を制限する抵抗値を増大させ、Q値制御ができるため、温度上昇を抑制することができ、従来技術に比べて遅くある設定温度に達することになる(図3の実線曲線b参照)。また、Q値を可変できるため、受信信号のレベルに応じて調整することが可能である。
さらに、従来技術では、あるリーダ・ライタにおいて、発熱が抑制され、かつ、安定な通信ができるように調整ができたとしても、多種類のリーダ・ライタとの通信においては、抑制しすぎて安定な通信ができないとか、逆に抑制が不十部で発熱が抑制されないといった場合も考えられる。
これに対し、本実施の形態によれば、どのようなリーダ・ライタであっても、受信信号レベルに応じて判断でき、Q値も自由に調整できるため、安定な通信と発熱の抑制を同時に行なうことができる。
次に、同様な方法で受信信号レベルを検知し、リーダ・ライタへの送信信号レベルを可変制御する場合について説明する。
当該ICカードとリーダ・ライタとが離れている場合、ICカードの受信信号レベルは小さくなる。この場合、リーダ・ライタにとっては、ICカードからの送信信号レベルが強い方が望ましいため、図1の送信レベル制御部20により送信信号レベルを強くするように調整する(可変抵抗器36の抵抗値を小さくする)。
また、当該ICカードとリーダ・ライタが近い場合、ICカードへの入力レベルは強くなる。この場合、ICカードはリーダ・ライタが近いと判断し、送信信号レベルを小さくする(可変抵抗器36の抵抗値を大きくする)。
また、リーダ・ライタの受信感度がよく、ICカードの送信信号レベルが小さくてもよい場合は、送信信号レベルを小さくし、ICカードの返信時に電力消費両を抑え、通信距離を伸ばす効果も期待できる。
このように、リーダ・ライタとICカードとの位置関係などに応じて調整できるため、常に安定した通信が可能となる。
また、前述したQ値制御により、ICカードからの送信信号のレベルが変動する場合にも、Q値を下げた場合はICカードからの送信信号レベルが小さくなるため、強くしてあげるなどの制御が可能となる。
なお、図1では、送信レベル制御部20を全波整流回路14の出力端間に接続したが、共振回路11の両端間に接続してもよい。
本発明の実施の形態に係る非接触式ICカ−ドの要部構成を概略的に示すブロック図。 共振回路、Q値制御部、送信レベル制御部の具体的な回路例を示す構成図。 ICチップの温度上昇特性を示す特性図。
符号の説明
11…共振回路、12…ICチップ、13…Q値制御部、14…全波整流回路、16…電圧検出回路(電圧検出手段)、17…レギュレータ(電源生成手段)、18…電流検出回路(電流検出手段)、19…制御部(制御手段)、20…送信レベル制御部(送信レベル制御手段)、21…変調回路、22…復調回路、23…CPU、24…不揮発性メモリ(記憶手段)、31…アンテナコイル、32…同調コンデンサ、33a,33b,33c…抵抗素子、34a,34b,34c,34d…スイッチ素子(スイッチ手段)、35…オン,オフ制御部。

Claims (5)

  1. 外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、
    この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、
    このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、
    前記共振回路のクオリティファクタ(Q)値を変更するための複数の抵抗素子と、
    これら複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、
    これら複数のスイッチ手段を前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御する制御手段と、
    を具備したことを特徴とする非接触式ICカード。
  2. 外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、
    この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、
    このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、
    この受信レベル検知手段の検知結果に応じて前記ICチップにおける送信信号のレベルを制御する送信レベル制御手段と、
    を具備したことを特徴とする非接触式ICカード。
  3. 外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルとコンデンサとからなる共振回路と、
    この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信信号により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による送受信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するICチップと、
    このICチップにおける前記受信信号のレベルを検知する受信レベル検知手段と、
    前記共振回路のクオリティファクタ(Q)値を変更するための複数の抵抗素子と、
    これら複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、
    これら複数のスイッチ手段を前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御する制御手段と、
    前記受信レベル検知手段の検知結果に応じて前記ICチップにおける送信信号のレベルを制御する送信レベル制御手段と、
    を具備したことを特徴とする非接触式ICカード。
  4. 前記ICチップは、前記共振回路と電気的に接続され、前記共振回路の出力を整流する整流回路と、この整流回路の出力から動作電圧を生成する電源生成手段とを有し、
    前記受信レベル検知手段は、前記整流回路の出力電圧値を受信信号のレベルとして検知することを特徴とする請求項1、2、3のいずれか1つに記載の非接触式ICカード。
  5. 前記ICチップは、前記共振回路と電気的に接続され、前記共振回路の出力を整流する整流回路と、この整流回路の出力から動作電圧を生成する電源生成手段とを有し、
    前記受信レベル検知手段は、前記電源生成手段から流れ出る電流値を受信信号のレベルとして検知することを特徴とする請求項1、2、3のいずれか1つに記載の非接触式ICカード。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007063589A1 (ja) * 2005-11-30 2009-05-07 富士通株式会社 信号抽出回路
JP2010050515A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Sony Corp 無線通信装置と受電装置
JP2010097598A (ja) * 2008-09-17 2010-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012053540A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体装置及び非接触通信媒体
JP2012514896A (ja) * 2009-01-06 2012-06-28 アクセス ビジネス グループ インターナショナル リミテッド ライアビリティ カンパニー 動的負荷を有する誘導性リンクによる通信
US8471685B2 (en) 2009-12-15 2013-06-25 Fujitsu Limited Non-contact IC card system
JP2014112853A (ja) * 2008-09-26 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9596003B2 (en) 2013-03-07 2017-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Near field communication devices, systems, and methods using Q factor adjustments
US9755702B2 (en) 2014-08-04 2017-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating near field communication (NFC) device and NFC device
KR101824414B1 (ko) 2010-06-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 송전 장치, 수전 장치, 및 이들을 사용한 전력 공급 방법
JP6798052B1 (ja) * 2020-02-04 2020-12-09 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム
JP6820448B1 (ja) * 2020-02-04 2021-01-27 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4574683B2 (ja) * 2005-11-30 2010-11-04 富士通株式会社 信号抽出回路
JPWO2007063589A1 (ja) * 2005-11-30 2009-05-07 富士通株式会社 信号抽出回路
JP2010050515A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Sony Corp 無線通信装置と受電装置
JP4645698B2 (ja) * 2008-08-19 2011-03-09 ソニー株式会社 無線通信装置と受電装置
US8457550B2 (en) 2008-08-19 2013-06-04 Sony Corporation Wireless communication device and power receiving device
JP2010097598A (ja) * 2008-09-17 2010-04-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014112853A (ja) * 2008-09-26 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012514896A (ja) * 2009-01-06 2012-06-28 アクセス ビジネス グループ インターナショナル リミテッド ライアビリティ カンパニー 動的負荷を有する誘導性リンクによる通信
US8471685B2 (en) 2009-12-15 2013-06-25 Fujitsu Limited Non-contact IC card system
KR101824414B1 (ko) 2010-06-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 송전 장치, 수전 장치, 및 이들을 사용한 전력 공급 방법
JP2012053540A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体装置及び非接触通信媒体
US9596003B2 (en) 2013-03-07 2017-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Near field communication devices, systems, and methods using Q factor adjustments
US10148319B2 (en) 2013-03-07 2018-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Near field communication devices, systems, and methods using Q factor adjustments
US10541728B2 (en) 2013-03-07 2020-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Near field communication devices, systems, and methods using Q factor adjustments
US9755702B2 (en) 2014-08-04 2017-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating near field communication (NFC) device and NFC device
JP6798052B1 (ja) * 2020-02-04 2020-12-09 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム
JP6820448B1 (ja) * 2020-02-04 2021-01-27 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム
JP2021125226A (ja) * 2020-02-04 2021-08-30 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム
JP2021124917A (ja) * 2020-02-04 2021-08-30 富士フイルム株式会社 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム
US11334781B2 (en) 2020-02-04 2022-05-17 Fujifilm Corporation Noncontact communication medium, magnetic tape cartridge, operation method of noncontact communication medium, and program

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