JP2010135700A - 固体撮像装置、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010135700A JP2010135700A JP2008312552A JP2008312552A JP2010135700A JP 2010135700 A JP2010135700 A JP 2010135700A JP 2008312552 A JP2008312552 A JP 2008312552A JP 2008312552 A JP2008312552 A JP 2008312552A JP 2010135700 A JP2010135700 A JP 2010135700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- semiconductor chip
- light
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光を受光して信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部4b、4g、4rを基板12b、12g、12r内に有する半導体チップ10b、10g、10rが積層された構成の画素部3を有するものである。画素部3を構成するこれらの複数の半導体チップ10は、それぞれ異なる波長の光Lb、Lg,Lrに応じて信号電荷を生成、蓄積するものである。
【選択図】図2
Description
CCD型の固体撮像装置(CCDイメージセンサ)や、CMOS型の固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)における色分光は、主にカラーフィルタを用いることで実現される。カラーフィルタを用いたイメージセンサにおいては、1画素に1種類のカラーフィルタを搭載し、主に赤、緑、青のカラーフィルタを有する3つの画素回路を隣り合わせて配置する。そして、このようなカラーフィルタを用いたイメージセンサでは、異なる色のカラーフィルタを搭載する隣り合う画素に入射した光の情報を用いることで、色の生成が行われている。そのため、カラーフィルタを用いたイメージセンサにおいては、任意の画素に生成される色と、実際にその画素に入射した光の色が異なるという偽色が生じる。
1.固体撮像装置(CCD型)の全体構成例
2.第1の実施形態:基本構成例
3.第2の実施形態:カラーフィルタを用いる例
4.第3の実施形態:カラーフィルタ及び支持層を用いる例
5.第4の実施形態:カラーフィルタを兼ねた支持層を用いる例
6.第5の実施形態:半導体チップにおいて、受光部と電荷転送部とで基板の厚みが異なる例
7.第6の実施形態:隣接する半導体チップを直接貼り合わせる例
8.第7の実施形態:CMOS型の固体撮像装置に適用する例
9.第8の実施形態:電子機器(カメラ)
まず、図1に、以下の第1〜第6の実施形態で共通の構成とされる、CCD型の固体撮像装置の全体構成を示す。
垂直転送レジスタ5は、垂直方向に配列される受光センサ部4に共通して、列ごとに複数本形成されるものであり、受光センサ部4に蓄積された信号電荷を読み出して、垂直方向に転送するものである。
[断面構成]
図2Aは本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の、1画素分の概略斜視図であり、図2Bは1画素分の概略断面構成図である。
本実施形態例では、画素部3を構成する各半導体チップ10を、光が入射される側から順に、第1半導体チップ10b、第2半導体チップ10g、第3半導体チップ10rとして説明する。また、第1半導体チップ10b、第2半導体チップ10g、第3半導体チップ10rを特に区別しない場合は、半導体チップ10として説明する。
図3Aに示すように、基板12bは、第1導電型、例えばn型のシリコン基板から構成されている。また、基板12bの裏面側には、第2導電型、例えばp型の不純物領域からなるp型半導体ウェル領域13が形成されている。
本実施形態例において、受光センサ部4bとなるフォトダイオードは、主に、電荷蓄積領域14とp型半導体ウェル領域13との界面に形成されるpn接合jにより構成される。受光センサ部4bに入射してきた光は、フォトダイオードにおいて光電変換し、これにより信号電荷が生成される。そして生成された信号電荷は、n型の不純物領域からなる電荷蓄積領域14に蓄積される。
読み出し部18は、p型の不純物領域からなり、受光センサ部4の一方の側(図3Aでは、紙面左側)の、基板12表面側に、受光センサ部4を構成する電荷蓄積領域14に接するように形成されている。
垂直転送チャネル17は、n型の不純物領域からなり、読み出し部18に隣接する基板12表面側に形成されている。
転送電極16は、読み出し部18及び垂直転送チャネル17が形成された基板12上部に、絶縁膜11を介して形成される。
本実施形態例において、受光センサ部4gとなるフォトダイオードは、主に、電荷蓄積領域14とp型半導体ウェル領域13との界面に形成されるpn接合jにより構成される。受光センサ部4gに入射してきた光は、フォトダイオードにおいて光電変換し、これにより信号電荷が生成される。そして生成された信号電荷は、n型の不純物領域からなる電荷蓄積領域14に蓄積される。
本実施形態例において、受光センサ部4rとなるフォトダイオードは、主に、電荷蓄積領域14とp型半導体ウェル領域13との界面に形成されるpn接合jにより構成される。受光センサ部4rに入射してきた光は、フォトダイオードにおいて光電変換し、これにより信号電荷が生成される。そして生成された信号電荷は、n型の不純物領域からなる電荷蓄積領域14に蓄積される。
また、第2半導体チップ10gの受光センサ部4gにおいて、緑色(G)の光Lgを70%程度吸収するため、基板12gの厚みを、1.7μm程度としている。基板12gの厚みが、1.7μmよりも明かに薄い場合には、緑色の光の吸収がなされず、また、1.7μmよりも明かに厚い場合には、赤色の光までも吸収してしまうこととなる。また、受光センサ部4gに入射した光は、フォトダイオードを構成するpn接合付近にて光電変換されるので、pn接合深さも、基板12gの厚みに応じた深さに形成されることが好ましい。
また、第3半導体チップ10rの受光センサ部4rにおいて、赤色(R)の光Lrを70%程度吸収するため、基板12r表面からpn接合jまでの厚みを、3.7μm程度としている。基板12r表面からpn接合jまでの厚みが、3.7μmよりも明かに薄い場合には、赤色の光の吸収がなされない。第1半導体チップ10b、第2半導体チップ10gでは、その受光センサ部4b,4rで光電変換させない波長の光は透過させる必要があるので、基板12b、12g自体の厚みを調整する必要がある。しかしながら、第3半導体チップ10rでは、受光センサ部4rにおいて、一番波長の長い光が光電変換され、また、光を透過させる必要が無いので、基板12rの厚みは、受光センサ部が形成された従来の半導体チップと同様の厚みに構成することができる。すなわち、基板12rの厚みは、3.7μmよりも厚く形成することができ、電荷蓄積領域14より溢れた信号電荷を、p型半導体ウェル領域13を超えて、基板12r側にオーバーフローさせる構造をとることができる。
以上の構成を有する固体撮像装置の動作について、図1〜図3を参照しながら説明する。
このとき、各垂直転送レジスタ5では、図3に示す転送電極16に所定の電圧を印加することにより、受光センサ部4に蓄積された信号電荷が読み出し部18を介して垂直転送チャネル17に読み出される。そして、受光センサ部4の行方向に複数本形成された転送電極16に、例えば4相の駆動パルスを印加することにより、垂直方向に信号電荷が転送される。
次の第2〜第5の実施形態では、積層される半導体チップ10と半導体チップ10との間に、所望の機能を有する層を構成する例を説明する。
図6に本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成を示す。図6は、図1の固体撮像装置の1画素分の概略断面構成である。図6において、図2Bに対応する部分には、同一符号を付し重複説明を省略する。
図7に本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成を示す。図7は、図1の固体固体撮像装置の1画素分の概略断面構成である。図7において、図2B,図6に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
図8に本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成を示す。図8は、図1の固体撮像装置の1画素分の概略断面構成である。図8において、図2Bに対応する部分には、同一符号を付し重複説明を省略する。
このイエローフィルタを兼ねる支持層23は、例えば、ITO等の透明導電性材料を黄色の顔料により染色することにより形成することができる。また、レッドフィルタを兼ねる支持層24も、同じように、ITO等の透明導電性材料を赤色の顔料により染色することにより形成することができる。
図9に本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成を示す。図9は、図1の固体撮像装置の1画素分の概略断面構成である。図9において、図2Bに対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
第2半導体チップ10gを構成する基板25gでは、受光センサ部4gが形成される部分の厚みは、1.7μm程度とされ、それ以外の部分では、1.7μmよりも厚く形成されている。
第3半導体チップ10rを構成する基板25rでは、受光センサ部4rのpn接合は、基板25r表面から3.7μmの深さに形成され、ている。また、基板25rでは、受光センサ部4rが形成される部分より、それ以外の部分の厚みが厚く形成されている。
なお、これらの受光センサ部4b,4g,4rが形成される部分の基板25b,25g,25rの厚みは、第1の実施形態と同様の理由で決定されるものである。
図10に本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成を示す。図10は、図1の固体撮像装置の1画素分の概略断面構成である。図10において、図8に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
図11に、CMOS型の固体撮像装置の画素部の1画素分を構成する半導体チップの概略断面構成を示す。
また、アンプトランジスタTr3を構成するゲート電極40と、フローティングディフュージョン領域となるソース・ドレイン領域35は、配線41により接続されている。
[電子機器の構成例]
以下に、上述した本発明の第1〜第7の実施形態に係る固体撮像装置を電子機器に用いた場合の実施形態を示す。以下の説明では、一例として、カメラに、図1に示した固体撮像装置1を用いる例を説明する。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間及び遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作及びシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行う。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。
25b,25g,25r・・基板、27b,27g,27r・・パッシベーション膜、30・・半導体チップ、31・・基板、32・・受光センサ部、33・・電荷蓄積領域、34・・正孔蓄積領域、35,36,37・・ソース・ドレイン領域、38,39,40・・ゲート電極、41・・配線、100・・Si基板、102・・n型半導体層、104・・p型半導体層、106・・n型半導体層、210・・光学レンズ、211・・シャッタ装置、212・・駆動回路、213・・信号処理回路、Hs・・列信号線、Lb,Lg,Lr・・光、Tr1・・電荷読み出しトランジスタ、Tr2・・リセットトランジスタ、Tr3・・アンプトランジスタ、Vdd・・電源配線、j・・pn接合
Claims (12)
- 光を受光して信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部を基板内に有する半導体チップであって、異なる波長の光に応じて信号電荷を生成、蓄積する複数の半導体チップが、複数段に積層されて構成された画素部を
有して構成された固体撮像装置。 - 前記半導体チップを構成する基板の厚みは、前記画素部を構成する複数段の半導体チップのうち、光が入射される側に配置される半導体チップにおいて最も薄く、光が入射される側とは反対側に配置される半導体チップにおいて最も厚く形成される請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記半導体チップは、受光センサ部において蓄積された信号電荷を読み出し、出力する出力部を有する請求項2記載の固体撮像装置。
- 前記画素部を構成する各半導体チップは、隣接する半導体チップと所定の間隔を有して積層されている請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記画素部を構成する各半導体チップは、隣接する半導体チップと直接張り合わされて積層されている請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記画素部を構成する各半導体チップは、光が入射される側から順に、青色の波長の光に応じて信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部を有する第1半導体チップ、緑色の波長の光に応じて信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部を有する第2半導体チップ、赤色の波長の光に応じて信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部を有する第3半導体チップとされる請求項4記載の固体撮像装置。
- 前記画素部は、隣接する半導体チップ間に、所定の波長の光のみを透過するカラーフィルタ層を有する請求項6記載の固体撮像装置。
- 前記画素部は、隣接する半導体チップ間に、前記半導体チップを補強する支持層を有する請求項7記載の固体撮像装置。
- 前記画素部は、隣接する半導体チップ間に、前記半導体チップを補強する支持層を有する請求項5記載の固体撮像装置。
- 前記画素部を構成する複数段の半導体チップは、導電部材からなる接続パッドにより互いに接続されている請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記半導体チップを構成する基板は、前記受光部が形成される部分と、前記出力部が形成される部分とで、その厚みが異なる請求項6記載の固体撮像装置。
- 光学レンズと、
光を受光して信号電荷を生成、蓄積する受光センサ部を基板内に有する半導体チップであって、異なる波長の光に応じた信号電荷を生成、蓄積する複数の半導体チップが、複数段に積層されて構成された画素部を有して構成された固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、
を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312552A JP5332572B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312552A JP5332572B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135700A true JP2010135700A (ja) | 2010-06-17 |
JP5332572B2 JP5332572B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=42346664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008312552A Expired - Fee Related JP5332572B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5332572B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011238773A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Panasonic Corp | 複合型撮像素子およびそれを備えた撮像装置 |
JP2012129276A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光電変換素子 |
WO2014017314A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
WO2015064274A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | オリンパス株式会社 | 撮像素子 |
US9277146B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor, method of operating the same, and system including the image sensor |
US9294691B2 (en) | 2011-09-06 | 2016-03-22 | Sony Corporation | Imaging device, imaging apparatus, manufacturing apparatus and manufacturing method |
WO2017072852A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡装置 |
JP2017120829A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018148220A (ja) * | 2018-04-20 | 2018-09-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
CN111886855A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像装置和电子设备 |
JP2021536122A (ja) * | 2018-07-24 | 2021-12-23 | エコール ポリテクニーク フェデラル デ ローザンヌ (イーピーエフエル) | マルチスペクトル画像センサおよび画像センサの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555622A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
JP2005277063A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
JP2006032669A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-08 JP JP2008312552A patent/JP5332572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555622A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
JP2005277063A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
JP2006032669A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011238773A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Panasonic Corp | 複合型撮像素子およびそれを備えた撮像装置 |
JP2012129276A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光電変換素子 |
US9294691B2 (en) | 2011-09-06 | 2016-03-22 | Sony Corporation | Imaging device, imaging apparatus, manufacturing apparatus and manufacturing method |
WO2014017314A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
KR20150037810A (ko) * | 2012-07-24 | 2015-04-08 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 전자기기 및 정보 처리 장치 |
CN104541372A (zh) * | 2012-07-24 | 2015-04-22 | 索尼公司 | 成像元件、电子装置和信息处理装置 |
US9577012B2 (en) | 2012-07-24 | 2017-02-21 | Sony Corporation | Imaging element, electronic device, and information processing device |
KR102156949B1 (ko) * | 2012-07-24 | 2020-09-16 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 전자기기 및 정보 처리 장치 |
US10128285B2 (en) | 2012-07-24 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Imaging element, electronic device, and information processing device |
US9277146B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor, method of operating the same, and system including the image sensor |
US10056418B2 (en) | 2013-10-31 | 2018-08-21 | Olympus Corporation | Imaging element for generating a pixel signal corresponding to light receiving elements |
WO2015064274A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | オリンパス株式会社 | 撮像素子 |
US10516866B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-12-24 | Olympus Corporation | Imaging device and endoscope device |
JPWO2017072852A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-16 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡装置 |
WO2017072852A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡装置 |
JP2017120829A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111886855A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像装置和电子设备 |
US11670625B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-06-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging unit having a stacked structure and electronic apparatus including the imaging unit |
CN111886855B (zh) * | 2018-03-19 | 2023-11-14 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像装置和电子设备 |
JP2018148220A (ja) * | 2018-04-20 | 2018-09-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
JP2021536122A (ja) * | 2018-07-24 | 2021-12-23 | エコール ポリテクニーク フェデラル デ ローザンヌ (イーピーエフエル) | マルチスペクトル画像センサおよび画像センサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5332572B2 (ja) | 2013-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5332572B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP4835710B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP4941490B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5537172B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
US7812874B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and camera | |
JP4799594B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP5262180B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP5552768B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US7859027B2 (en) | Back irradiating type solid state imaging device | |
US20160071893A1 (en) | Imaging device and imaging system | |
JP2008277511A (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2006073682A (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
JP5320989B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5326507B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP4572130B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
KR20150002593A (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
JP2011066241A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2021101491A (ja) | 光検出装置及び電子機器 | |
JP2009026984A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5348176B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP6276297B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5278491B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP2017175164A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5874777B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP7032902B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130715 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |