JP2010135398A - 工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】追加機構がなく低コストで、工程処理時間を長く確保することができるとともに、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送効率及び処理効率に優れた半導体素子や電子部品等のデバイスの工程処理技術を提供する。
【解決手段】制御部は、ターンテーブルＴを、保持機構又は処理機構の数分の１６分割で間欠回転制御を行なうところ、保持機構を倍数の３２箇所に設け、３２分割で間欠回転制御、すなわち、ターンテーブルＴを保持機構の間隔と同様、１１．２５°間隔で間欠的に進行及び停止を繰り返して、ターンテーブルＴを回転させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、半導体素子などの半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送過程において、工程処理を行うための工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムに関する。

半導体素子は、前工程と呼ばれるプロセスで、Ｓｉウェハ上に多数作成された後、後工程と呼ばれるプロセスにて個片に分離され、電気特性試験、特性分類、マーキング、外観検査等の工程を経た後、テープ、コンテナチューブなどに梱包されて出荷される。

このような半導体素子は、個片に分離された後の工程において、保持機構に保持されて搬送機構により搬送され、搬送経路に沿って設けられた各工程処理部において、各種の処理を施される。搬送機構による搬送方法としては、直線搬送、ターンテーブル搬送等が用いられるが、いずれの場合でも、保持機構を所定の工程順に従って進行させるステップと、各工程処理部において半導体素子の処理開始から終了まで保持機構を停止させるステップを繰り返す、いわゆる間欠搬送が用いられることが多い。

ところで、上記のような間欠搬送による工程処理には、長い処理時間への対応、高速化が困難となるという問題がある。まず、１搬送サイクル時間＝搬送時間＋搬送停止時間であり、停止時間＞最大工程処理時間＋受け渡し時間である。ここで、最大工程処理時間を７０ｍｓ、停止時間中の受け渡し時間を２０ｍｓとすると、停止時間の下限は９０ｍｓとなる。そして、搬送時間を３０ｍｓとすると、１搬送サイクル時間の下限は１２０ｍｓとなり、これ以上の高速化は困難である。

このように、高速化が困難となる理由としては、以下のものが挙げられる。
（１）機構上の制約から、搬送、停止を搬送機構全体で同時に行う必要がある。このため、最大工程処理時間で停止時間を決めざるを得ず、搬送停止時間を律速する。
（２）搬送の高速化で生産性を向上させてきたが、限界に達しつつある。
（３）例えば、複雑なテストサイクルが要求される電気特性検査のように、長い処理が必要な工程が含まれる場合には、最大処理時間が長くなり、１搬送サイクル時間はさらに長くなる。

これに対処するため、特許文献１に開示されたような工程処理装置が提案されている。これは、複数の半導体素子を並行して搬送しながら、工程処理も並列で行う装置であり、搬送も工程処理も並列で行うために、全体としての生産性が高まるというものである。また、搬送経路上に同一工程の処理機構を複数配置し、並列して工程処理を行う方法、すなわち、搬送＝１個毎、工程処理＝並列で行う方法も考えられる。

また、特許文献２には、以下のような工程処理技術が開示されている。この工程処理技術は、工程処理部に処理機構を複数設け、半導体素子を保持機構から処理機構の一つに受け渡した後、受け渡し場所とは別の場所に移動させて、工程処理を行う。これにより、半導体素子の保持機構から処理機構への受け渡しと、処理機構から保持機構への受け渡しとを、別のサイクルで行うことができる。このような従来技術によれば、処理機構の移動時間を、搬送機構の搬送時間よりも短くできるので、同じサイクルタイムであっても、従来より工程処理時間を長くすることが可能となる。
特開平５−２２９５０９号公報 国際公開ＷＯ０２／０６５８２４号公報

しかしながら、上記のような従来技術には、以下のような問題があった。すなわち、特許文献１に開示されたように並列処理を行う技術では、処理時間が短くて済む工程であっても、工程処理の長い工程と同数の処理機構を配置しなくてはならず、無駄が生じて装置のコストを増加させることになる。また、このような並列処理のための高コスト化とともに、並列搬送のために搬送機構が複雑化し、装置稼働の信頼性の低下を招く可能性もある。そして、搬送機構の慣性質量増大による駆動力増加、ランニングコスト増大につながる。

次に、特許文献２に開示された発明では、上記のような処理機構の複雑化、装置稼働信頼性の低下、高コスト化という問題があるとともに、処理機構を工程処理部内で移動させるため、処理条件の不安定化、電気特性測定時のインピーダンス変動による高周波特性測定の精度低下を招くとともに、処理機構の移動時間の分だけ工程処理時間が短くなる。さらに、処理機構が大型化すると、搬送経路に沿って複数の処理機構を並べることができず、生産性をさらに向上させることが困難となる。

本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、追加機構がなく低コストで、工程処理時間を長く確保することができるとともに、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送効率及び処理効率に優れた工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを提供することにある。

上記の目的を達成するため、請求項１の発明は、半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する制御手段と、を備えた処理部とを有する工程処理装置において、前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、前記制御手段は、前記搬送部を、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１の発明を方法の観点から捉えたものであって、半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、を用いて、制御手段が、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する工程処理方法において、前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、前記制御手段は、前記搬送部が、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする。

請求項５の発明は、請求項１の発明をコンピュータのプログラムの観点から捉えたもので、半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、を用いて、制御手段に、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する機能を実現させる工程処理プログラムにおいて、前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、前記プログラムは、前記制御手段に、前記搬送部が、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止する制御を実現させることを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１の工程処理装置において、前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、前記制御手段は、前記搬送部が、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項２の発明を方法の観点から捉えたものであって、請求項３の工程処理方法において、前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、前記制御手段は、前記搬送部を、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項１の発明をコンピュータのプログラムの観点から捉えたもので、請求項５の工程処理プログラムにおいて、前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、前記プログラムは、前記制御手段に、前記搬送部を、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止する制御を実現させることを特徴とする。

以上のような本発明では、処理機構が、デバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、保持機構が、処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、処理機構の倍数設けられ、制御手段により、保持機構の半数が処理機構と重なるように、搬送部が処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止する制御を行なうことにより、通常、搬送部が処理機構の数分、進行と停止を繰り返した場合より、１間欠回転当たりの移動ピッチが短くなる。そのため、搬送部の搬送時間が短くでき、この短縮できる分を、工程機構における電気テストや外観検査等の工程処理時間に当てることができ、全体として１搬送サイクル時間内における工程処理時間を延長することができる。

また、例えば、処理機構として外観検査を行う機構においては、デバイスの画像の取り込み後、画像処理、すなわち、良品の判別等の判断処理が必要となる。この点、搬送部が処理機構の数分、進行と停止を繰り返した場合によって確保される工程処理時間では、この画像取込みと画像処理とを行なった時間を取れないことがあり、結果、外観検査工程での結果の反映としての不良品の排出等を、次の作業点である処理機構においてできないといった事態が生じていた。これに対して搬送部が処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止する制御を行なう本態様の場合においては、外観検査の時間を延長することができ、画像処理の時間の確保を可能とすることも可能となり、仮に工程処理時間に画像処理の時間が収まらないとしても、倍数分の処理機構の設けられていない次の停止位置においても時間を取ることができるので、外観検査での結果の反映としての不良品の排出等を、次の作業点である処理機構において実行することができるようになる。

このように本発明によれば、搬送部が、処理機構の数分の移動処理から、処理機構の倍数分の移動処理としたことにより、搬送部の１搬送サイクル当たり、移動距離が半分程度で済むので、移動に要する移動ピッチ、加速度が低くなる。そのため、１搬送サイクルにおける搬送部の搬送時間を減少させることができ、その分、同一の搬送サイクル時間において、工程処理時間を延長させることが可能となる。

本発明によれば、追加機構がなく低コストで、工程処理時間を長く確保することができるとともに、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送効率及び処理効率に優れた工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを提供することができる。

［１．本実施形態］
本発明の工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを実施するための最良の形態（以下、本実施形態という。）として、図１〜図３を参照して説明する。なお、以下では、本発明を実現するための装置の一例として、円周等配位置にデバイスを保持する保持機構を備えるとともに、デバイスに対して工程処理を施す処理機構を備えたターンテーブル式のテストハンドラを用いて説明するが、本発明における搬送部としてはこのようなターンテーブル式のものに限られず、直線搬送式のものも含むものである。

［１−１．概略的構成］
本実施形態に係るテストハンドラＨは、図１に示すとおり、搬送部たるターンテーブルＴの円周等配位置（ここでは、１１．２５度間隔）に、吸着保持機構たる吸着ノズルＮを３２点に備え、その吸着ノズルＮの半数に対応する１６点の位置に外観検査、電気特性検査、捺印工程、テーピング等の各種工程処理を実行する処理機構が設けられている。また、本実施形態のテストハンドラＨは、搬送部たるターンテーブルＴの搬送タイミングと、処理機構の処理タイミングとを制御する制御部（図示せず）を備える。

すなわち、本実施形態のテストハンドラＨは、位置１における部品供給装置から供給されるデバイスＤを吸着ノズルＮによりピックアップし、この吸着ノズルＮがこのデバイスＤを保持したまま、図中時計回り方向である位置２〜位置１６の方面へ搬送する。

位置２の方向判別工程においては、吸着ノズルＮにピックアップされたデバイスＤの電極向きや位置ずれ等のデバイスの方向を判別し、この判別に基づいて、位置３の方向補正工程において補正され、位置４の外観検査工程においてデバイスＤの電極位置を検出し、位置５及び６の電気検査工程においてデバイスＤの電極に接触子を当てて電気特性検査を行う。

また、位置７の捺印工程において、デバイスＤにマーキング処理を行い、位置８の外観検査工程において、樹脂モールドの不具合や電極の不具合等を検査すべく画像検査を行い、この検査結果に基づいて、位置１０〜位置１２の分類工程において、不具合のあったデバイスＤ又は判別できなかったデバイスＤ等を分類し、テーピングせずにボックス等に投入する。

位置１４及び１５におけるテーピング工程においては、デバイスＤの電極面を上側にしてポケットに挿入するため、位置１３の表裏反転工程において、デバイスＤの電極面を上にするべく、表裏反転処理を行なう。そして、位置１４及び位置１５のテーピング工程において、デバイスＤはテーピング装置のポケットに挿入されテーピング梱包される。

なお、本実施形態のテストハンドラＨの全体構成、特に、各位置における工程処理装置や処理工程の配置は、一例を示すものに過ぎず、製品仕様やユーザの目的等に応じて、適宜順序が工程自体の入れ換え、変更がなされるものであり、本発明において必須の構成要素ではない。

［１−２．制御部における制御］
本実施形態のテストハンドラＨは、制御部が、搬送機構たるターンテーブルＴの搬送タイミングと、処理機構の処理タイミングとを制御する制御内容に特徴を有する。すなわち、本実施形態の制御部は、ターンテーブルＴを、一般的には、保持機構を処理機構と同数の１６箇所に設け、処理機構の数分の１６分割で間欠回転制御を行なうところ、保持機構をその倍数である３２箇所に設けるとともに、ターンテーブルＴも倍数である３２分割で間欠回転制御を行なう。

つまり、従来、制御部は、ターンテーブルＴの回転を、２２．５°間隔で間欠的に進行及び停止させるサイクルを繰り返して行なっていたが、本実施形態では、この半分の１１．２５°間隔で間欠的に進行及び停止を繰り返して、ターンテーブルＴを回転させるものであり、その結果、作業点としての処理機構が存在しない位置も、保持機構である吸着ノズルＮの停止位置となるものである。

この制御について、従来例として、保持機構及び処理機構を円周等配位置に１６点設け、ターンテーブルＴの回転を、２２．５°間隔で１６分割にて行なった場合（以下、これを「１６作業点／１６分割」という。）と、処理機構を円周等配位置に１６点設けた点は同じくして、保持機構を１１．２５°間隔で３２箇所設けるとともに、ターンテーブルＴの回転を１１．２５°間隔で３２分割にて行なった場合（以下、これを「１６作業点／３２分割」という。）との相違を、図２のチャートで示す。

図２は、図１で示した作業点たる工程処理位置のうち、例えば、位置５又は位置６の電気特性検査、乃至は位置８の外観検査における１搬送サイクル（＝搬送時間＋搬送停止時間）を例にとり、この１搬送サイクルにおける、１６作業点／１６分割の場合と、本実施形態に係る１６作業点／３２分割の場合とを比較して表したものである。

ここで、テストハンドラにおける１搬送サイクルとは、背景技術の項において説明したとおり、「搬送時間」と「搬送停止時間」とからなるが、これを本実施形態に即して具体的に言えば、「搬送時間」とは「ターンテーブルＴの回転時間」からなり、「搬送停止時間」とは、吸着ノズルＮの作業点（工程処理位置）への下降及び上昇時間と電気テストや外観検査等の工程処理時間の和からなる「ターンテーブルＴの停止時間」とからなる。なお、ターンテーブルＴの回転時間とは、ターンテーブルの一つ上流の停止位置からの移動時間をいう。

これによれば、図２に示すように、本実施形態に係る１６作業点／３２分割の場合には、１間欠回転当たりの移動ピッチが、１６作業点／１６分割の場合の半分の距離で構成されているため、ターンテーブルＴの回転時間を短くすることができる。そして、このターンテーブルＴの回転時間が短縮できる分を、図２の一点鎖線で表すとおり、電気テストや外観検査等の工程処理時間に当てることができ、全体として１搬送サイクル時間内における工程処理時間を延長することができる。

ここで、本実施形態において示すテストハンドラは、１搬送サイクル時間を６０ｍｓ程度とする、非常に高速処理を可能とするものを想定しているため、ターンテーブルＴの回転時間の短縮によって得られる、工程処理時間の２ｍｓ〜１０ｍｓ程度の時間の延長は、非常に有益である。これにより、特に電気特性検査等、デバイスの電極を接触子に確実に接触させてテストを行なうような工程においては、このような簡易な方法によるテスト時間の延長により、テストの確実性を著しく向上させることが可能である。他方、本実施形態のようなテストハンドラにおいて、工程処理時間を２ｍｓ〜１０ｍｓ程度延長させることは、背景技術の項においても言及したように、すでに非常に高速化が進んだ状況においては困難な事項であり、本実施形態ではそれを実現したものである。

また、外観検査においては、デバイスの画像の取り込み後、画像処理、すなわち、良品の判別等の判断処理が必要となる。この点、１６作業点／１６分割によって確保される工程処理時間では、この画像取込みと画像処理とを行なった時間を取れないことがあり、結果、外観検査工程での結果の反映としての不良品の排出等を、次の作業点である処理機構においてできないといった事態が生じていた。これに対して１６作業点／３２分割の本実施形態においては、外観検査の時間を延長することができ、画像処理の時間の確保を可能とした。仮に工程処理時間に画像処理の時間が収まらないとしても、３２分割中の作業点のない次の停止位置においても画像処理の時間を確保することができるので、外観検査工程での結果の反映としての不良品の排出等を、次の作業点である処理機構において実行することができる。

このように本実施形態のテストハンドラによれば、１６作業点／１６分割の処理から、１６作業点／３２分割の処理としたことにより、ターンテーブルＴの１搬送サイクル当たり、移動距離が円周上半分で済むので、移動に要する移動ピッチ、加速度が低くなる。そのため、１搬送サイクルにおけるターンテーブルＴの回転時間を減少させることができ、その分、同一の搬送サイクル時間において、工程処理時間を延長させることが可能となる。

以上のような本実施形態では、追加機構がなく低コストで、工程処理時間を長く確保することができるとともに、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送効率及び処理効率に優れた工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを提供することができる。

なお、本実施形態の１６作業点／３２分割の処理においては、同一半径のターンテーブルの周囲を、従来１６箇所において進行及び停止を繰り返していたものを、作業点たる処理機構のない箇所も含む３２箇所において進行及び停止を繰り返すのであるから、一つのデバイスが、図１に示した位置１〜位置１５乃至位置１６まで至る時間は、３２分割の実施態様において、仮にターンテーブルの間欠回転時間が半分以下となったとしても、減少することは想定されない。

したがって、テストハンドラＨが運転を開始し、最初流れ出したデバイスがテーピング梱包されるまでの時間は、従来の１６作業点／１６分割のほうが、１６作業点／３２分割より時間的には短いこととなる。しかしながら、一度、先頭で流れたデバイスが、梱包され、一通りの工程処理を終えた後は、１６作業点／１６分割であっても、１６作業点／３２分割であっても、処理を終了し、梱包等されるデバイスは、１搬送サイクル時間ごとに発生するものであるから、先頭で流れたデバイスが、梱包され、一通りの工程処理を終えた後は、以後のデバイスの梱包ピッチに差はない。

本実施形態は、このような一つのデバイスの処理を終えるまでの時間に目を向けたものではなく、高速処理を行なうテストハンドラにおいて、一つの工程処理において確保される工程処理時間を延長することに目を向けたものである。

［２．他の実施形態］
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではなく、各部材の具体的構造、配置、大きさ、形状、数、材質、種類等は適宜変更可能である。すなわち、処理機構は複数台あればよく、上記の実施形態よりも少なくても多くてもよい。また、保持機構たる吸着ノズルの個数も、作業点たるターンテーブルの停止ポジション数も、保持機構たる吸着ノズルが作業点たるターンテーブルの停止ポジションの倍数設けられている限りは、上記の実施形態に例示されたものには限定されない。処理機構上への半導体素子や電子部品等のデバイスの設置方法については、上記のように下降する吸着ノズルによって処理機構上に押え付ける方法であっても、吸着ノズルから解放して処理機構上に載置する方法であってもよい。

また、保持機構は吸着ノズルには限定されず、例えば、機械的保持、静電吸着、ベルヌーイチャックなど、既知のいかなる方法を用いてもよい。駆動機構による保持機構の移動制御方式、移動経路（直線か曲線かを問わない）についても、特定のものには限定されない。移動タイミングの制御は、上記の実施形態のように行うこともできるし、機械的に実現することもできる。検査すべき半導体素子や電子部品等のデバイスを吸着した保持機構が処理機構上に来たかどうかは、単純には移動したポジション数をカウントすることによって判断することができるが、センサ等によって検出して判断してもよい。

また、処理機構は、電気特性テストや外観検査には限定されず、半導体素子や電子部品等のデバイスに対する所定の処理を行うものが広く含まれる。さらに、本発明の処理対象は、半導体素子が代表的であるが、これに限らず、公知のあらゆる素子、部材、電子・電気部品、機械部品等に適用可能である。

本発明の一実施形態のテストハンドラの全体構成を示す図。 本発明の実施形態に係る１６作業点／３２分割処理と、従来の１６作業点／１６分割処理とのタイミングチャートを対比的に表す図。

符号の説明

Ｄ…デバイス
Ｈ…テストハンドラ
Ｎ…吸着ノズル
Ｔ…ターンテーブル

Claims (6)

1. 半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する制御手段と、を備えた処理部とを有する工程処理装置において、
   前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、
   前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、
   前記制御手段は、前記搬送部を、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする工程処理装置。
2. 前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、
   前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、
   前記制御手段は、前記搬送部が、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする請求項１記載の工程処理装置。
3. 半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、を用いて、制御手段が、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する工程処理方法において、
   前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、
   前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、
   前記制御手段は、前記搬送部が、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする工程処理方法。
4. 前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、
   前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、
   前記制御手段は、前記搬送部を、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止するように制御することを特徴とする請求項３記載の工程処理方法。
5. 半導体素子や電子部品等のデバイスを保持する保持機構を備え、前記保持機構を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら半導体素子や電子部品等のデバイスを搬送する搬送部と、半導体素子や電子部品等のデバイスに工程処理を施す処理機構と、を用いて、制御手段に、前記搬送部の搬送タイミングと前記処理機構の処理タイミングとを制御する機能を実現させる工程処理プログラムにおいて、
   前記処理機構は、半導体素子や電子部品等のデバイスの搬送方向に等間隔で複数設けられ、
   前記保持機構は、前記処理機構の設けられた間隔の半分の間隔で、前記処理機構の倍数設けられ、
   前記プログラムは、前記制御手段に、前記搬送部が、前記保持機構の半数が前記処理機構と重なるように、前記処理機構の倍数分、等間隔で間欠的に進行及び停止する制御を実現させることを特徴とする工程処理プログラム。
6. 前記処理機構は、円周等配位置に１６箇所設けられ、
   前記保持機構は、円周等配位置に３２箇所設けられ、
   前記プログラムは、前記制御手段に、前記搬送部を、前記処理機構の倍数分の３２回、間欠的に進行及び停止する制御を実現させることを特徴とする請求項５記載の工程処理プログラム。

Images