JP2010134068A - 電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の光配向処理では、光の利用効率を高めることが困難である。
【解決手段】光配向処理に適用され得る光照射装置１９０は、ワークＷに照射するための光を発する光源２０１と、ワークＷを保持する搬送装置１９９と、光源２０１から搬送装置１９９までの光路２００Ｐにおいて、光源２０１と搬送装置１９９との間に介在し、光源２０１からの前記光の少なくとも一部が入射され、入射した前記光の少なくとも一部を偏光として射出するワイヤーグリッド偏光子２０７と、光路２００Ｐにおいて、ワイヤーグリッド偏光子２０７と搬送装置１９９との間に介在し、ワイヤーグリッド偏光子２０７から入射される前記偏光を集光させるシリンドリカルレンズ２１１と、を有する。
【選択図】図２１

Description

本発明は、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法に関する。

従来から、電気光学装置の１つとして液晶装置がある。液晶装置は、液晶を配向させるための配向膜を有している。
配向膜としては、樹脂などの有機材料で構成される膜に、液晶を配向させるための処理（以下、配向処理と呼ぶ）を施したものが知られている。そして、配向処理の１つとして、光配向処理が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１３３４９８号公報

ところで、液晶装置には、液晶を複数の方向に配向させたもの、つまり複数の配向方向（以下、マルチ配向と呼ぶ）を有するものがある。また、配向膜の一部の領域だけに選択的に配向処理を施す場合も考えられる。
光配向処理において、配向膜の一部の領域だけに選択的に配向処理を施すには、マスクで遮光することが考えられる。マスクを介して光を照射することより、配向膜に光が照射される領域と、遮光される領域とを選択的に形成することができる。マスクを介して光を照射することを繰り返せば、マルチ配向が達成され得る。

しかしながら、マスクで遮られた光は、配向処理に寄与せず、無駄になりやすい。マスクによる遮光は、光の利用効率を低下させる要因になる。
つまり、従来の光配向処理では、光の利用効率を高めることが困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

［適用例１］配向処理が施される膜を備えたワークに照射するための光を発する光源と、前記ワークを保持する保持部と、前記光源から前記保持部までの光路において、前記光源と前記保持部との間に介在し、前記光源から入射された前記光のうち少なくとも一部を偏光として射出する偏光子と、前記光路において、前記偏光子と前記保持部との間に介在し、前記偏光子から入射される前記偏光を集光させる光学素子と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、光源と、保持部と、偏光子と、光学素子と、を有している。光源は、ワークに照射するための光を発する。ワークは、配向処理が施される膜を備えている。保持部は、ワークを保持する。偏光子は、光源から保持部までの光路において、光源と保持部との間に介在している。偏光子は、光源から入射された光のうち少なくとも一部を偏光として射出する。光学素子は、光路において、偏光子と保持部との間に介在している。
この適用例では、光学素子が偏光を集光させるので、膜に偏光が照射される領域を選択的に形成することができる。また、光学素子が偏光を集光させるので、光の利用効率を高めやすくすることができる。

［適用例２］上記の製造装置であって、前記光源は、第１方向に延在しており、前記光学素子は、前記第１方向とは平面的に交差する第２方向に延在している、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、光源が第１方向に延在し、光学素子が第２方向に延在している。第２方向は、平面的に第１方向とは交差する方向である。
上記の構成により、光源が延在する方向とは交差する方向に延在する領域に偏光を集光させることができる。

［適用例３］上記の製造装置であって、前記光路において、前記光源と前記光学素子との間に介在する第２光学素子を有し、前記光学素子は、前記第２方向に延在するシリンドリカルレンズを有しており、前記第２光学素子は、入射された光を平行光として射出する、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、第２光学素子を有している。第２光学素子は、光路において、光源と光学素子との間に介在している。第２光学素子は、入射された光を平行光として射出する。この適用例では、光学素子は、シリンドリカルレンズを有している。シリンドリカルレンズは、第２方向に延在している。
この適用例では、シリンドリカルレンズにより、第２方向に延在する領域に偏光を集光させることができる。

［適用例４］上記の製造装置であって、前記光学素子は、前記第１方向に並ぶ複数の前記シリンドリカルレンズを有していることを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、光学素子が複数のシリンドリカルレンズを有している。複数のシリンドリカルレンズは、第１方向に並んでいる。
上記の構成により、第２方向に延在する複数の領域に偏光を集光させることができる。

［適用例５］上記の製造装置であって、前記偏光子は、ワイヤーグリッド偏光子で構成されており、前記第２光学素子は、前記光路において、前記光源と前記ワイヤーグリッド偏光子との間に介在している、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、偏光子がワイヤーグリッド偏光子で構成されている。また、第２光学素子が、光路において、光源とワイヤーグリッド偏光子との間に介在している。
ここで、ワイヤーグリッド偏光子では、光の入射角の違いによって、偏光における偏光軸の方向が異なることがある。
これに対し、この適用例では、第２光学素子が光源とワイヤーグリッド偏光子との間に介在している。このため、ワイヤーグリッド偏光子に入射する光の入射角をそろえやすくすることができる。この結果、ワイヤーグリッド偏光子から射出される偏光の偏光軸の方向をそろえやすくすることができる。

［適用例６］上記の製造装置であって、前記シリンドリカルレンズと前記保持部との間において、前記シリンドリカルレンズの曲面の一部に平面的に重なるアパーチャーを有しており、前記アパーチャーは、前記曲面のうちで少なくとも前記第２方向に沿った端部を含む領域に重なっている、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、アパーチャーを有している。アパーチャーは、シリンドリカルレンズと保持部との間に設けられている。アパーチャーは、シリンドリカルレンズの曲面の一部に平面的に重なっている。アパーチャーは、シリンドリカルレンズの曲面のうちで少なくとも第２方向に沿った端部を含む領域に重なっている。
一般的に、レンズでは、収差が発生することがある。収差が発生すると、集光可能な領域が広がりやすくなる。つまり、集光可能な領域を狭めることが困難になる。
ところが、この適用例では、アパーチャーが設けられている。アパーチャーがシリンドリカルレンズの曲面のうちで少なくとも第２方向に沿った端部を含む領域に重なっているので、集光可能な領域を狭めやすくすることができる。

［適用例７］上記の製造装置であって、前記光源の前記光路側とは反対側に、前記光源から前記反対側に向かう前記光を前記光路側に反射させる反射ミラーを有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、反射ミラーを有している。反射ミラーは、光源の光路側とは反対側に設けられている。反射ミラーは、光源から光路側とは反対側に向かう光を光路側に反射させる。
上記の構成により、光源から光路側とは反対側に向かう光の少なくとも一部を、ワークに照射する光として利用することができる。この結果、光の利用効率を一層高めやすくすることができる。

［適用例８］上記の製造装置であって、前記光源に対する前記ワークの位置を前記第２方向に相対的に変化させる移動装置を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、移動装置を有している。移動装置は、光源に対するワークの位置を第２方向に相対的に変化させる。
上記の構成によれば、例えば、ワークに偏光を照射しながら、光源に対するワークの位置を第２方向に相対的に変化させることができる。これにより、ワークに対して連続的に偏光を照射することができる。このため、ワークに対して間欠的に偏光を照射する場合に比較して、効率的に配向処理を施すことができる。この結果、光の利用効率を一層高めやすくすることができる。

［適用例９］液晶を配向させるための膜に配向処理を施す配向処理工程を有し、前記配向処理工程は、光源からの光を、偏光子を介して偏光として前記膜に照射する光照射工程を含んでおり、前記光照射工程では、前記偏光子と前記膜との間に介在する光学素子で前記偏光を集光してから、前記偏光を前記膜に照射する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例の製造方法は、配向処理工程を有している。配向処理工程では、液晶を配向させるための膜に配向処理を施す。配向処理工程は、光照射工程を含んでいる。光照射工程では、光源からの光を、偏光子を介して偏光として膜に照射する。また、光照射工程では、偏光子と膜との間に介在する光学素子で偏光を集光してから、偏光を膜に照射する。
この適用例では、偏光を膜に照射するときに、光学素子で偏光を集光するので、偏光を膜の領域に対して選択的に照射することができる。また、光学素子で偏光を集光するので、光の利用効率を高めやすくすることができる。

［適用例１０］上記の製造方法であって、前記光照射工程では、第１方向に延在する前記光源に対して、前記第１方向とは平面的に交差する第２方向に延在した状態で設けられた前記光学素子で前記偏光を集光することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第１方向に延在する光源に対して、第１方向とは平面的に交差する第２方向に延在した状態で設けられた光学素子で偏光を集光するので、光源が延在する方向とは交差する方向に延在する領域に偏光を集光させることができる。

［適用例１１］上記の製造方法であって、前記光学素子は、前記第２方向に延在するシリンドリカルレンズを有しており、前記光照射工程では、前記シリンドリカルレンズから射出される前記偏光のうちで、前記シリンドリカルレンズの前記第２方向に沿った端部を含む領域から射出される前記偏光を遮光した状態で、前記膜に前記偏光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、光学素子は、第２方向に延在するシリンドリカルレンズを有している。そして、光照射工程では、シリンドリカルレンズから射出される偏光のうちで、シリンドリカルレンズの第２方向に沿った端部を含む領域から射出される偏光を遮光した状態で、膜に偏光を照射する。
一般的に、レンズでは、収差が発生することがある。収差が発生すると、集光可能な領域が広がりやすくなる。つまり、集光可能な領域を狭めることが困難になる。
ところが、この適用例では、シリンドリカルレンズの第２方向に沿った端部を含む領域から射出される偏光を遮光した状態で、膜に偏光を照射するので、集光可能な領域を狭めやすくすることができる。

［適用例１２］上記の製造方法であって、前記光照射工程では、前記光源に対する前記膜の位置を前記第２方向に相対的に変化させながら、前記膜に前記偏光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、光源に対する膜の位置を第２方向に相対的に変化させながら、膜に偏光を照射するので、膜に対して連続的に偏光を照射することができる。このため、膜に対して間欠的に偏光を照射する場合に比較して、効率的に配向処理を施すことができる。この結果、光の利用効率を一層高めやすくすることができる。

実施形態について、半透過反射型の液晶装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。

ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。

表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１０と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１０は、素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。

対向基板１７は、素子基板１５よりも表示面９側で素子基板１５に対向し、且つ素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する位相差膜などが設けられている。

液晶１９は、素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２１によって、素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。

偏光板１３ａは、素子基板１５よりも底面２３側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。

なお、偏光板１３ａと素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。

照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの左方に設けられている。

光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。

表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。

マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

各画素７は、図３中のＣ部の拡大図である図４に示すように、透過領域Ｔと、反射領域Ｈとを有している。なお、図４では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Ｈにハッチングが施されている。
透過領域Ｔでは、図２に示す照明装置５から底面２３を介して液晶１９に入射された光を表示面９側に透過させることによって、透過表示が行われる。

反射領域Ｈでは、表示面９を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面９側に反射させて、その反射光を表示面９側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示パネル３の表示面９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。

ここで、液晶パネル１０の素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１５は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５１ａと、底面２３側に向けられた第２面５１ｂとを有している。

素子層５２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。素子層５２には、ゲート絶縁膜５３と、中間層５５と、反射膜５７と、平坦化層５９と、絶縁膜６１と、配向膜６３とが含まれている。また、素子層５２には、画素７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とが含まれている。

ゲート絶縁膜５３は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。ゲート絶縁膜５３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜５３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
中間層５５は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられている。中間層５５の表示面９側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部５６が設けられている。中間層５５の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、中間層５５の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。

反射膜５７は、凹凸部５６の表示面９側に設けられている。反射膜５７は、平面視で反射領域Ｈに重なっている。反射膜５７の材料としては、例えば銀やアルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、反射膜５７の材料として、アルミニウムが採用されている。
平坦化層５９は、反射膜５７の表示面９側に設けられている。平坦化層５９は、中間層５５及び反射膜５７を表示面９側から覆っている。平坦化層５９の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、平坦化層５９の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。

絶縁膜６１は、中間層５５及び平坦化層５９の表示面９側に設けられている。絶縁膜６１の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として、酸化シリコンが採用されている。
配向膜６３は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられている。配向膜６３の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜６３の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜６３には、配向処理が施されている。

ＴＦＴ素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とは、それぞれ、各画素７に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子６５は、ゲート電極７２と、半導体層７３と、ソース電極７４と、ドレイン電極７５とを有している。ゲート電極７２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面９側から覆われている。ゲート電極７２の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５３を挟んでゲート電極７２に対向する位置に設けられている。

ソース電極７４は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７５は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ソース電極７４やドレイン電極７５の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。本実施形態では、ソース電極７４やドレイン電極７５の材料として、アルミニウム合金が採用されている。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、半導体層７３がゲート電極７２と、ソース電極７４及びドレイン電極７５との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、中間層５５によって表示面９側から覆われている。

共通電極６９は、中間層５５及び平坦化層５９の表示面９側に設けられている。共通電極６９は、平面視で各画素７の領域に重なっている。共通電極６９の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、共通電極６９の材料として、ＩＴＯが採用されている。
共通電極６９は、絶縁膜６１によって表示面９側から覆われている。

画素電極７１は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられており、表示面９側から配向膜６３によって覆われている。画素電極７１は、平面視で各画素７の領域に重なっている。画素電極７１の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極７１の材料として、ＩＴＯが採用されている。
ここで、画素電極７１は、接続部７７を有している。接続部７７は、中間層５５に設けられた第１コンタクトホール７８、及び平坦化層５９に設けられた第２コンタクトホール７９を介してドレイン電極７５につながっている。画素電極７１は、接続部７７によってドレイン電極７５に電気的につながっている。

第１コンタクトホール７８は、平面視で凹凸部５６が設けられている領域内に設けられている。第１コンタクトホール７８は、平面視でドレイン電極７５に重なっている。
第２コンタクトホール７９は、第１コンタクトホール７８及び第２コンタクトホール７９並びに反射膜５７を示す平面図である図６に示すように、第１コンタクトホール７８よりも外側から第１コンタクトホール７８を囲む領域にわたって設けられている。つまり、第１コンタクトホール７８は、平面視で第２コンタクトホール７９内に位置している。

反射膜５７には、開口部５７ａが設けられている。開口部５７ａは、第２コンタクトホール７９よりも外側から第２コンタクトホール７９を囲む領域にわたって設けられている。これにより、第２コンタクトホール７９と反射膜５７とは、互いに離間している。このため、接続部７７と反射膜５７とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、画素電極７１と反射膜５７とは、電気的に絶縁されている。
なお、図６では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。

対向基板１７は、第２基板８１と、対向層８２とを有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８３ａと、底面２３側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、ギャップ調整層９５と、配向膜９７と、が含まれている。

光吸収層８５は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられており、領域８６にわたっている。光吸収層８５は、平面図である図７に示すように、格子状に設けられており、各画素７を区画している。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８５によって囲まれた領域であると定義され得る。図７では、構成をわかりやすく示すため、光吸収層８５にハッチングが施されている。
光吸収層８５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。

カラーフィルタ８７は、図５に示すように、各画素７に対応して設けられている。カラーフィルタ８７は、第２基板８１の対向面８３ｂ側に設けられており、光吸収層８５によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。

オーバーコート層９１は、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側に設けられている。オーバーコート層９１は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７を底面２３側から覆っている。
ギャップ調整層９５は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。ギャップ調整層９５は、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。ギャップ調整層９５の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、ギャップ調整層９５の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。
配向膜９７は、オーバーコート層９１及びギャップ調整層９５の底面２３側に設けられている。配向膜９７は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１及びギャップ調整層９５を底面２３側から覆っている。配向膜９７には、底面２３側に配向処理が施されている。

素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜６３と配向膜９７との間に介在している。液晶パネル１０では、各画素７において、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで液晶１９の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Ｔにおいて、液晶１９は、Ｌ１なる厚みに設定されている。
これに対し、反射領域Ｈでは、液晶１９の厚みＬ２が、Ｌ１＞Ｌ２となるように、ギャップ調整層９５の厚みが設定されている。なお、液晶パネル１０では、Ｌ１は、Ｌ２の約２倍に設定されている。

液晶１９は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶１９は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶１９のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１又はＬ２との積）の設定により実現され得る。
本実施形態では、透過領域Ｔにおいて、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。また、反射領域Ｈにおいて、入射した光に１／４波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。

ここで、ギャップ調整層９５は、図５中のＥ−Ｅ線における断面図である図８に示すように、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。つまり、ギャップ調整層９５は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
また、反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。

ここで、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７２同士は、平面図である図９に示すように、ゲート線１１１によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７４同士は、データ線１１３によって接続されている。
ゲート線１１１は、画素行４２（図３）ごとに設けられており、Ｘ方向に沿って延びている。データ線１１３は、画素列４１（図３）ごとに設けられており、Ｙ方向に沿って延びている。

ゲート線１１１とデータ線１１３とは、図９に示すように、互いに交差している。各画素７は、各ゲート線１１１と各データ線１１３との交差に対応して設定されている。
表示領域８（図１）内では、各ゲート線１１１及び各データ線１１３は、図９に示すように、それぞれ、領域８６内に設けられている。

各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うＴＦＴ素子６５が対応付けられている。また、各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うゲート線１１１が対応付けられている。
各ＴＦＴ素子６５は、対応する各画素７において、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。また、各ＴＦＴ素子６５に対応する第１コンタクトホール７８も、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各ＴＦＴ素子６５及び各第１コンタクトホール７８は、画素７の領域外に位置している。
なお、各画素７において、反射領域Ｈと透過領域Ｔとは、境界部１１５を介して隣り合っている。

反射膜５７は、平面図である図１０に示すように、Ｙ方向において、反射領域Ｈから、この反射領域Ｈに隣り合う領域８６内に及んでいる。反射膜５７は、領域８６内において、ゲート線１１１をＹ方向にまたいでいる。図１０では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。
また、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、画素７の領域外に位置している。
なお、反射膜５７及び平坦化層５９は、図８に示すように、それぞれ、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間において、データ線１１３をＸ方向にまたいでいる。

各共通電極６９は、平面図である図１１に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでいる。反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各共通電極６９は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各共通電極６９は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各共通電極６９は、各画素７の領域内にわたって設けられている。
なお、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、共通電極６９同士は、共通線１１７によって接続されている。図１１では、構成をわかりやすく示すため、共通電極６９及び共通線１１７にハッチングが施されている。

ここで、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、第２コンタクトホール７９を避けた状態で設けられている。このため、第２コンタクトホール７９と共通電極６９とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、接続部７７と共通電極６９とは、互いに離間している。これにより、共通電極６９と画素電極７１とは、電気的に絶縁されている。

各画素電極７１は、平面図である図１２に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでおり、複数のスリット部１１９を有している。図１２では、構成をわかりやすく示すため、画素電極７１にハッチングが施されている。
複数のスリット部１１９は、Ｙ方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部１１９は、Ｙ方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部１１９が延びる方向は、Ｘ方向から傾斜している。

反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各画素電極７１は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各画素電極７１は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各画素電極７１は、各画素７の領域内にわたって設けられている。

また、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、第２コンタクトホール７９と、ドレイン電極７５とに重なっている。そして、画素電極７１とドレイン電極７５とは、図５に示すように、画素電極７１から第２コンタクトホール７９及び第１コンタクトホール７８を経てドレイン電極７５に至る接続部７７によってつながっている。
なお、図５における素子基板１５の断面は、図１２中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。

ここで、各画素７において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とは、図１２に示すように、相互に重なり合っている。反射領域Ｈは、各画素７の領域において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
また、透過領域Ｔは、各画素７の領域から反射領域Ｈを除いた領域において、共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。

液晶パネル１０では、共通電極６９と画素電極７１との間に電圧を印加すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。液晶パネル１０では、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。この電界によって液晶１９の配向状態を変化させることができる。
表示装置１では、照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６５のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。

配向膜６３及び配向膜９７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜６３及び配向膜９７によって、液晶１９の初期的な配向状態が規制される。
図１３（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図であり、図１３（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図である。
表示装置１では、透過領域Ｔにおいて、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図１３（ａ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態に切り替わると、透過領域Ｔにおいて、液晶１９の配向方向１２１は、図１３（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対して反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。

図１４（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図であり、図１４（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図である。
表示装置１では、反射領域Ｈにおいて、液晶１９の初期的な配向方向１２２は、図１４（ａ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対して反時計方向に４５度の傾きを有する方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態に切り替わると、反射領域Ｈにおいて、液晶１９の配向方向１２２は、図１４（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対して９０度の傾きを有する方向に変化する。

なお、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）、並びに図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向を示し、Ｙ'方向が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。

透過領域Ｔでは、底面２３側から偏光板１３ａを経て入射された入射光は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った偏光軸を有する直線偏光１２５として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２５は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１３（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っている。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２５として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２５は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。

他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、直線偏光１２５は、図１３（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、液晶１９によって１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１２５の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２７として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２７は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、透過領域Ｔでは、ＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、透過表示が制御される。

反射領域Ｈでは、表示面９側から偏光板１３ｂを経て入射された入射光は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った偏光軸を有する直線偏光１２９として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２９は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１４（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２２とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２９は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜５７に向けて射出される。

円偏光１３５は、反射膜５７で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１３９は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。

他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１２９は、図１４（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２２に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２９として反射膜５７に向けて射出される。
反射膜５７に向けて射出された直線偏光１２９は、偏光状態が維持されたまま反射膜５７で反射され、液晶１９に入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２９は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、反射領域Ｈにおいても、透過領域Ｔと同様にＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、反射表示が制御される。

ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程と、に大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。なお、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。

素子基板１５の製造工程では、図１５（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５１ａに、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を形成する。
ゲート電極７２（ゲート線１１１）は、例えばスパッタリング技術を活用して第１面５１ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１５（ｂ）に示すように、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を第１面５１ａ側から覆うゲート絶縁膜５３を形成する。ゲート絶縁膜５３は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって形成され得る。

次いで、図１５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５３上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７４とドレイン電極７５とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６５が形成される。
なお、ソース電極７４及びドレイン電極７５は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜５３上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１５（ｄ）に示すように、ＴＦＴ素子６５及びゲート絶縁膜５３上に、中間層５５を構成する材料を含む液状体５５ａで液状体膜５５ｂを形成する。液状体５５ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５５ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。

次いで、図１６（ａ）に示すように、フォトマスク１５１を介して、液状体膜５５ｂを紫外光１５３で露光する。
ここで、フォトマスク１５１は、多階調露光を実現するハーフトーンマスクである。フォトマスク１５１は、開口部１５５と、ハーフトーン部１５６と、遮光部１５７ａと、遮光部１５７ｂとを有している。
開口部１５５は、第１コンタクトホール７８が形成されるべき部位７８ａに平面視で重なっている。ハーフトーン部１５６は、平面視で凹凸部５６が形成されるべき領域に重なっている。遮光部１５７ａは、平面視で他の領域に重なっている。
開口部１５５は、ハーフトーン部１５６の領域内に設けられている。また、１つのハーフトーン部１５６の領域内には、複数の遮光部１５７ｂが散在している。
なお、フォトマスク１５１は、ハーフトーンマスクに限定されず、グレイトーンマスクも採用され得る。

部位７８ａには、開口部１５５を介して紫外光１５３が照射される。凹凸部５６が形成されるべき領域には、ハーフトーン部１５６を介して中間階調の紫外光１５３ａが照射される。他の領域は、遮光部１５７ａ及び遮光部１５７ｂによって紫外光１５３が遮光される。ハーフトーン部１５６に入射する紫外光１５３は、一部が遮光部１５７ｂによって遮光される。

次いで、液状体膜５５ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５５ｂのうちで、ハーフトーン部１５６を介して露光された部位、及び部位７８ａが除去される。
次いで、液状体膜５５ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１６（ｂ）に示すように、凹凸部５６及び第１コンタクトホール７８を有する中間層５５が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。

液状体膜５５ｂに焼成処理を施す工程に次いで、図１６（ｃ）に示すように、反射膜５７を形成する。反射膜５７の形成では、例えばスパッタリング技術を活用して、中間層５５上に金属膜を形成する。次いで、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングする。これにより、反射膜５７が形成され得る。

次いで、図１７（ａ）に示すように、中間層５５及び反射膜５７上に、平坦化層５９を構成する材料を含む液状体５９ａで液状体膜５９ｂを形成する。液状体５９ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５９ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５９ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。

次いで、図１７（ｂ）に示すように、フォトマスク１６１を介して、液状体膜５９ｂを紫外光１６３で露光する。
ここで、フォトマスク１６１は、開口部１６５と、遮光部１６７とを有している。
開口部１６５は、第２コンタクトホール７９が形成されるべき部位７９ａに平面視で重なっている。
部位７９ａには、開口部１６５を介して紫外光１６３が照射される。遮光部１６７に重なる領域には、紫外光１６３が照射されない。つまり、液状体膜５９ｂのうち部位７９ａは、紫外光１６３で露光される。液状体膜５９ｂのうち遮光部１６７に重なる領域は、露光されない。
次いで、液状体膜５９ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５９ｂのうちで、部位７９ａが除去される。

次いで、液状体膜５９ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１７（ｃ）に示すように、第２コンタクトホール７９を有する平坦化層５９が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。

次いで、図１８（ａ）に示すように、平坦化層５９上にＩＴＯの膜６９ａを形成する。ＩＴＯの膜６９ａは、例えば、スパッタリング技術を活用することによって形成され得る。
次いで、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングすることによって、図１８（ｂ）に示すように、共通電極６９を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。
なお、ＩＴＯの膜６９ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、ＩＴＯが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積したＩＴＯは、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングするときに除去され得る。

次いで、図１８（ｃ）に示すように、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成する。酸化シリコンの膜６１ａは、例えば、ＣＶＤ技術を活用することによって形成され得る。
次いで、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングすることによって、図１８（ｄ）に示すように、絶縁膜６１を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。
なお、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、酸化シリコンが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積した酸化シリコンは、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングするときに除去され得る。

次いで、図１９（ａ）に示すように、絶縁膜６１上にＩＴＯの膜７１ａを形成する。ＩＴＯの膜７１ａは、例えば、スパッタリング技術を活用することによって形成され得る。このとき、第１コンタクトホール７８内及び第２コンタクトホール７９内にＩＴＯが堆積することによって、接続部７７が形成され得る。
次いで、ＩＴＯの膜７１ａをパターニングすることによって、図１９（ｂ）に示すように、画素電極７１を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。

次いで、図１９（ｃ）に示すように、絶縁膜６１及び画素電極７１上に、配向膜６３を構成する材料を含む液状体６３ａで液状体膜６３ｂを形成する。液状体６３ａは、光反応性を有するポリイミド樹脂を含んでいる。液状体膜６３ｂは、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜６３ｂにプレベーク処理及びポストベーク処理を施す。これにより、膜６３ｃが形成され得る。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を約３分間とする条件が採用され得る。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２４０℃とし、処理時間を約２０分間とする条件が採用され得る。
次いで、膜６３ｃに配向処理を施すことにより、図５に示す素子基板１５が製造され得る。なお、配向処理については、詳細を後述する。

対向基板１７の製造工程では、図２０（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、光吸収層８５を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、光吸収層８５によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８７を形成する。カラーフィルタ８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７上にオーバーコート層９１を形成する。オーバーコート層９１は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。

次いで、図２０（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１上に、ギャップ調整層９５を構成する材料を含む液状体９５ａで液状体膜９５ｂを形成する。液状体９５ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜９５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜９５ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。

次いで、図２０（ｃ）に示すように、フォトマスク１７１を介して、液状体膜９５ｂを紫外光１７３で露光する。ここで、フォトマスク１７１には、透過領域Ｔに重なる領域に開口部１７５が設けられている。液状体膜９５ｂには、開口部１７５を介して紫外光１７３が照射される。

次いで、液状体膜９５ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜９５ｂのうちで開口部１７５を介して露光された部位が除去される。
次いで、液状体膜９５ｂにポストベーク処理を施すことにより、図２０（ｄ）に示すギャップ調整層９５が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。

次いで、図２０（ｄ）に示すように、オーバーコート層９１及びギャップ調整層９５上に、配向膜９７を構成する材料を含む液状体９７ａで液状体膜９７ｂを形成する。液状体９７ａは、光反応性を有するポリイミド樹脂を含んでいる。液状体膜９７ｂは、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜９７ｂにプレベーク処理及びポストベーク処理を施す。これにより、膜９７ｃが形成され得る。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を約３分間とする条件が採用され得る。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２４０℃とし、処理時間を約２０分間とする条件が採用され得る。
次いで、膜９７ｃに配向処理を施すことにより、図５に示す対向基板１７が製造され得る。なお、配向処理については、詳細を後述する。

液晶パネル１０の製造工程では、まず、素子基板１５と、対向基板１７とを、平面視で環状のシール材２１（図２）を介して接合する。このとき、シール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１０が製造され得る。

表示パネル３の製造工程では、図２に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１０に設ける。偏光板１３ａは、第１基板５１の第２面５１ｂ（図５）に設けられ、偏光板１３ｂは第２基板８１の外向面８３ａ（図５）に設けられる。これにより、図２に示す表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａや偏光板１３ｂは、液晶パネル１０の製造工程の前に、第１基板５１や第２基板８１に設けられていてもよい。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。

ここで、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれに対する配向処理について説明する。
本実施形態では、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれに、光の波長が２４０ｎｍ〜３６５ｎｍの紫外光を照射することで配向処理を行う所謂光配向が採用されている。
まず、光配向に適用される光照射装置について説明する。

本実施形態における光照射装置１９０は、図２１に示すように、光源部１９１と、照明光学系１９３と、偏光分離部１９５と、投影光学系１９７と、搬送装置１９９と、を有している。
光源部１９１は、光源２０１と、リフレクタ２０３と、を有している。
ここで、光照射装置１９０では、光源２０１から搬送装置１９９までの間における光軸２００Ｌに沿って光路２００Ｐが設定されている。

光源２０１は、Ｙ”方向に延在する筒状の形態を有している。光源２０１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
リフレクタ２０３は、Ｙ”方向に延在している。リフレクタ２０３は、光源２０１の光路２００Ｐ側とは反対側から、光源２０１を覆っている。
照明光学系１９３は、光路２００Ｐにおいて、光源部１９１と搬送装置１９９との間に設けられている。本実施形態では、照明光学系１９３は、コリメータレンズ２０５を有している。本実施形態では、コリメータレンズ２０５は、Ｙ”方向に延在するシリンドリカルレンズで構成されている。

偏光分離部１９５は、光路２００Ｐにおいて、照明光学系１９３と搬送装置１９９との間に設けられている。本実施形態では、偏光分離部１９５は、ワイヤーグリッド偏光子２０７を有している。
投影光学系１９７は、光路２００Ｐにおいて、偏光分離部１９５と搬送装置１９９との間に設けられている。本実施形態では、投影光学系１９７は、レンズアレイ基板２０９を有している。
レンズアレイ基板２０９は、複数のシリンドリカルレンズ２１１を有している。シリンドリカルレンズ２１１は、Ｘ”方向に延在している。複数のシリンドリカルレンズ２１１は、Ｙ”方向に並んでいる。

搬送装置１９９は、駆動ローラ２１３と、従動ローラ２１５と、搬送ベルト２１７と、を有している。駆動ローラ２１３及び従動ローラ２１５は、それぞれ、Ｙ”方向に延在している。駆動ローラ２１３及び従動ローラ２１５は、互いにＸ”方向に間隔をあけた状態で、Ｘ”方向に並んでいる。搬送ベルト２１７は、駆動ローラ２１３と従動ローラ２１５との間に架け渡されている。

光照射装置１９０では、投影光学系１９７と搬送装置１９９との間の光路２００Ｐにおいて、ワークＷが搬送ベルト２１７上に載置される。ワークＷは、搬送装置１９９によってＸ”方向に搬送され得る。
図２１において、Ｘ”方向及びＹ”方向は、Ｘ”方向がワークＷの搬送方向を示し、Ｙ”方向が光源２０１の延在方向を示している。Ｘ”方向及びＹ”方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。

なお、ワークＷは、光照射装置１９０で光を照射する対象物である。本実施形態では、配向処理前の素子基板１５や対向基板１７がワークＷとして搬送ベルト２１７上に載置される。ワークＷとしての素子基板１５や対向基板１７は、膜６３ｃ（図１９（ｃ））や、膜９７ｃ（図２０（ｄ））が投影光学系１９７側に向けられた状態で、搬送ベルト２１７上に載置される。

リフレクタ２０３は、図２２に示すように、内側に反射面２２１を有している。反射面２２１の断面形状は、楕円２２３とともに、楕円２２３の一部の弧を共有している。
光源２０１は、楕円２２３の第１焦点２２５に重なっている。本実施形態では、光源２０１の中心が第１焦点２２５に重なるように、光源２０１が設けられている。
コリメータレンズ２０５は、光源２０１側に向かって凸となる平凸レンズで構成されている。本実施形態では、コリメータレンズ２０５は、光源２０１側の焦点（以下、前側焦点と呼ぶ）が、楕円２２３の第２焦点２２６に重なる位置に設けられている。

上記の構成により、光源２０１からの光のうちで反射面２２１で反射した光２５１ａは、第２焦点２２６を通ってからコリメータレンズ２０５に入射する。
コリメータレンズ２０５に入射した光２５１ａは、光軸２００Ｌに対して略平行な状態に近づけられた平行光２５１ｂとして、コリメータレンズ２０５から射出される。なお、照明光学系１９３は、コリメータレンズ２０５の他に、例えばインテグレータレンズやリレーレンズなどの種々のレンズを付加した構成も採用され得る。

平行光２５１ｂは、ワイヤーグリッド偏光子２０７に入射される。
ここで、ワイヤーグリッド偏光子２０７は、図２３に示すように、基板２３１に多数のワイヤー２３３を設けた構成を有している。ワイヤー２３３は、基板２３１の一方の主面２３１ａに設けられている。ワイヤー２３３は、Ｐ方向に延在している。多数のワイヤー２３３は、Ｓ方向に間隔Ｋで並んでいる。間隔Ｋは、光２３５の波長よりも短い距離に設定されている。

ワイヤーグリッド偏光子２０７に入射される光２３５のうち、Ｐ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ａは、反射される。Ｓ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ｂは、ワイヤーグリッド偏光子２０７を透過する。これにより、光２３５から、偏光成分２３５ｂを分離することができる。なお、基板２３１の材料としては、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が採用され得る。また、ワイヤー２３３の材料としては、例えば、光反射性が高い金、銀、アルミニウムなどが採用され得る。
光照射装置１９０において、ワイヤーグリッド偏光子２０７は、ワイヤー２３３側が照明光学系１９３側（図２２）に向いた状態で設けられている。

本実施形態では、ワイヤーグリッド偏光子２０７は、図２２に示すように、平行光２５１ｂから偏光２５１ｃを光路２００Ｐ内に分離する。
ワイヤーグリッド偏光子２０７を透過した偏光２５１ｃは、レンズアレイ基板２０９に入射される。
本実施形態では、レンズアレイ基板２０９は、図２４に示すように、シリンドリカルレンズ２１１側がワークＷ側に向いた状態で設けられている。なお、投影光学系１９７としては、レンズアレイ基板２０９の他に、例えばインテグレータレンズやリレーレンズなどの種々のレンズを付加した構成も採用され得る。

レンズアレイ基板２０９に入射した偏光２５１ｃは、各シリンドリカルレンズ２１１で集光された状態で、照射光２５１ｄとしてワークＷに向けて射出される。なお、図２４では、構成をわかりやすく示すため、照射光２５１ｄにハッチングが施されている。また、図２４では、シリンドリカルレンズ２１１が誇張され、且つ個数が減じられている。
レンズアレイ基板２０９としては、例えば、シリンドリカルレンズ２１１を画素行４２（図３）に対応して設けた構成が採用され得る。これにより、配向処理前の素子基板１５や対向基板１７に対して、照射光２５１ｄを素子基板１５単位、又は対向基板１７単位で照射することができる。

本実施形態では、照射光２５１ｄは、ワークＷに対して、透過領域Ｔ及び反射領域Ｈの領域ごとに照射される。これは、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで配向方向が異なるためである。
本実施形態では、ワークＷのＹ方向を、図２５に示すように、光照射装置１９０のＹ”方向に合わせることにより、照射光２５１ｄの集光領域２６１を、ワークＷのＸ方向（図３）に延在させることができる。これにより、照射光２５１ｄを透過領域Ｔ及び反射領域Ｈの領域ごとに照射することができる。

透過領域Ｔに照射光２５１ｄを照射するとき、集光領域２６１は、図２６に示すように、ワークＷの透過領域Ｔに合わせられる。そして、ワイヤーグリッド偏光子２０７は、Ｓ方向（図２３）が、ワークＷのＸ'方向（図１３）に合わせられる。これにより、透過領域Ｔにおいて、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向に沿った配向方向に配向処理を施すことができる。

他方で、反射領域Ｈに照射光２５１ｄを照射するとき、集光領域２６１は、図２７に示すように、ワークＷの反射領域Ｈに合わせられる。そして、ワイヤーグリッド偏光子２０７は、Ｓ方向（図２３）が、ワークＷのＸ'方向（図１４）に対して反時計方向に４５度の傾きを有する方向に合わせられる。これにより、反射領域Ｈにおいて、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向から４５度だけ傾いた配向方向に配向処理を施すことができる。

なお、集光領域２６１のＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法は、図２８に示すように、シリンドリカルレンズ２１１とワークＷとの間の距離Ｚを変化させることにより、調整可能である。これにより、集光領域２６１のＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法を、透過領域ＴのＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法に合わせることも可能である。
同様に、集光領域２６１のＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法を、反射領域ＨのＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法に合わせることも可能である。

集光領域２６１のＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法を、透過領域Ｔや反射領域ＨのＹ”方向（Ｙ方向）における幅寸法に合わせれば、照射光２５１ｄをワークＷに効率的に照射することができる。これにより、膜６３ｃや膜９７ｃに対して効率的に配向処理を施すことができる。

本実施形態において、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれが配向処理を施すべき膜に対応し、搬送ベルト２１７が保持部に対応し、ワイヤーグリッド偏光子２０７が偏光子に対応し、シリンドリカルレンズ２１１が光学素子に対応し、コリメータレンズ２０５が第２光学素子に対応している。また、Ｙ”方向が第１方向に対応し、Ｘ”方向が第２方向に対応し、リフレクタ２０３が反射ミラーに対応し、搬送装置１９９が移動装置に対応している。

本実施形態では、ワイヤーグリッド偏光子２０７と搬送装置１９９との間にレンズアレイ基板２０９（図２４）が設けられている。これにより、ワイヤーグリッド偏光子２０７からの偏光２５１ｃをシリンドリカルレンズ２１１で集光させた状態でワークＷに照射することができる。このため、照射光２５１ｄ（図２５）の集光領域２６１をワークＷに対して選択的に形成することができる。この結果、照射光２５１ｄをワークＷに対して選択的に照射することができる。

また、本実施形態では、レンズアレイ基板２０９に複数のシリンドリカルレンズ２１１が設けられている。このため、ワークＷに対して複数の集光領域２６１を選択的に形成することができる。この結果、照射光２５１ｄをワークＷに効率的に照射することができる。

また、本実施形態では、レンズアレイ基板２０９で偏光２５１ｃを集光させるので、例えばフォトマスクなどで照射領域を絞る場合に比較して、光２５１ａの利用効率を高めることができる。

また、本実施形態では、光源２０１（図２１）がＹ”方向に延在し、シリンドリカルレンズ２１１がＸ”方向に延在している。これにより、集光領域２６１をＸ”方向に延在させることができる。そして、ワークＷのＹ方向を光照射装置１９０のＹ”方向に合わせることにより、照射光２５１ｄを透過領域Ｔ（図２６）及び反射領域Ｈ（図２７）の領域ごとに照射することができる。この結果、照射光２５１ｄをワークＷに一層効率的に照射することができる。

また、本実施形態では、光源２０１とワイヤーグリッド偏光子２０７との間にコリメータレンズ２０５（図２２）が設けられている。
ここで、ワイヤーグリッド偏光子２０７では、光の入射角の違いによって、偏光における偏光軸の方向が異なることがある。
これに対し、本実施形態では、コリメータレンズ２０５によりワイヤーグリッド偏光子２０７に入射する光の入射角をそろえやすくすることができる。この結果、ワイヤーグリッド偏光子２０７から射出される偏光２５１ｃの偏光軸の方向をそろえやすくすることができる。この結果、表示装置１におけるコントラストを向上させやすくすることができる。

また、本実施形態では、光源２０１の光路２００Ｐ側とは反対側にリフレクタ２０３（図２２）が設けられている。このため、光源２０１から光路２００Ｐ側とは反対側に向かう光２５１ａを光路２００Ｐ側に反射させることができる。これにより、光源２０１から光路２００Ｐ側とは反対側に向かう光２５１ａの少なくとも一部を、照射光２５１ｄとして利用することができる。この結果、光２５１ａの利用効率を一層高めることができる。

また、本実施形態では、搬送装置１９９（図２２）が設けられている。このため、ワークＷをＸ”方向に変位させながら、ワークＷに照射光２５１ｄを照射することができる。これにより、ワークＷに対して連続的に照射光２５１ｄを照射することができる。このため、例えばワークＷに対して間欠的に照射光２５１ｄを照射する場合に比較して、効率的に配向処理を施すことができる。この結果、光２５１ａの利用効率を一層高めやすくすることができる。

第２実施形態について説明する。
第２実施形態における光照射装置１９０は、図２９に示すように、レンズアレイ基板２０９と搬送装置１９９との間に、アパーチャー２７１が設けられている。第２実施形態における光照射装置１９０は、アパーチャー２７１が設けられていることを除いては、第１実施形態における光照射装置１９０と同様の構成を有している。
従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、第１実施形態と同一の符号を付すことにより、詳細な説明を省略する。

アパーチャー２７１は、図３０に示すように、遮光部２７２と、開口部２７３と、を有している。遮光部２７２は、光２５１ａに対して遮光性を有している。このため、遮光部２７２は、照射光２５１ｄに対しても遮光性を有している。
開口部２７３は、シリンドリカルレンズ２１１に対応して設けられている。各開口部２７３は、各シリンドリカルレンズ２１１に平面視で重なっている。
他方で、遮光部２７２は、平面視で、シリンドリカルレンズ２１１の曲面２７５の一部に重なっている。

遮光部２７２は、底面図である図３１に示すように、Ｘ”方向に延在している。遮光部２７２は、曲面２７５の端部２７７に対応して設けられている。なお、図３１では、構成をわかりやすく示すため、遮光部２７２にハッチングが施されている。
端部２７７は、曲面２７５において、Ｘ”方向に延在する端部である。遮光部２７２は、曲面２７５に対して、端部２７７を含む一部の領域に重なっている。
Ｙ”方向に隣り合うシリンドリカルレンズ２１１同士間では、遮光部２７２は、これらの隣り合うシリンドリカルレンズ２１１間に、端部２７７を挟んでまたがっている。

シリンドリカルレンズ２１１から射出された照射光２５１ｄは、図３０中のＱ部の拡大図である図３２に示すように、開口部２７３を介して照射光２５１ｅとしてワークＷに照射される。照射光２５１ｅは、集光領域２６１ａを形成する。
他方で、シリンドリカルレンズ２１１から射出された照射光２５１ｄのうちで開口部２７３の外側に向かう光は、遮光部２７２によって進路が遮られる。
このため、集光領域２６１ａは、第１実施形態における集光領域２６１よりも狭くなる。

上記の構成により、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
ところで、一般的に、レンズでは、収差が発生することがある。収差が発生すると、集光領域２６１が広がりやすくなる。つまり、集光領域２６１を狭めることが困難になる。
ところが、上記の第２実施形態では、アパーチャー２７１が設けられている。アパーチャー２７１により、集光領域２６１を集光領域２６１ａに狭めることができる。

なお、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、搬送装置１９９でワークＷを変位させる構成が採用されているが、光照射装置１９０の構成は、これに限定されない。光照射装置１９０の構成としては、光源部１９１、照明光学系１９３、偏光分離部１９５及び投影光学系１９７（以下、光学系と呼ぶ）を変位させる構成も採用され得る。さらに、光学系とワークＷとの双方を変位させる構成も採用され得る。光学系とワークＷとの双方を変位させる構成では、光学系とワークＷとを、互いに反対の向きに変位させる構成が採用され得る。

また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、コリメータレンズ２０５（図２２）として、光源２０１側に向かって凸となる平凸レンズが採用されているが、コリメータレンズ２０５はこれに限定されない。コリメータレンズ２０５としては、ワイヤーグリッド偏光子２０７側に向かって凸となる平凸レンズも採用され得る。また、コリメータレンズ２０５としては、両凸レンズも採用され得る。

また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、偏光子として偏光成分２３５ｂ（図２３）と交差する偏光成分２３５ａを反射させる反射型の偏光子であるワイヤーグリッド偏光子２０７が採用されている。しかしながら、偏光子はこれに限定されず、偏光成分２３５ｂと交差する偏光成分２３５ａを吸収する吸収型の偏光子も採用され得る。
吸収型の偏光子としては、例えば、樹脂などの有機材料で構成される基板を延伸した偏光子が採用され得る。ところが、有機材料では、耐光性を向上させることが困難である。つまり、光源２０１からの光２５１ａによる劣化を低く抑えることが困難である。

これに対し、無機材料では、有機材料に比較して耐光性を向上させやすくすることができる。ワイヤーグリッド偏光子２０７は、無機材料で構成されている。このため、光源２０１からの光２５１ａによる劣化を低く抑えるという観点から、偏光子としてワイヤーグリッド偏光子２０７を採用することは好ましい。
なお、無機材料で構成される偏光子としては、ワイヤーグリッド偏光子２０７に限定されず、ブリュースター偏光子も採用され得る。

また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、液晶１９の駆動方式としてＦＦＳ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶１９の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の方式も採用され得る。

また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、ギャップ調整層９５が対向基板１７側に設けられている場合を例に説明したが、ギャップ調整層９５はこれに限定されず、素子基板１５側に設けられていてもよい。

上述した表示装置１は、例えば、図３３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、透過表示と反射表示とを行うことができる。

なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示装置１や、表示パネル３、液晶パネル１０は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。

本実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。 本実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。 本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。 図３中のＣ部の拡大図。 図４中のＤ−Ｄ線における断面図。 本実施形態における第１コンタクトホール及び第２コンタクトホール並びに反射膜を示す平面図。 本実施形態における光吸収層を示す平面図。 図５中のＥ−Ｅ線における断面図。 本実施形態におけるゲート線及びデータ線並びにＴＦＴ素子を示す平面図。 本実施形態における反射膜を示す平面図。 本実施形態における共通電極を示す平面図。 本実施形態における画素電極を示す平面図。 本実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。 本実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。 第１実施形態における光照射装置の主要構成を示す斜視図。 第１実施形態における光照射装置の主要構成を示す側面図。 本実施形態におけるワイヤーグリッド偏光子の一部分を示す斜視図。 第１実施形態における光照射装置の主要構成を示す正面図。 第１実施形態におけるレンズアレイ基板と搬送装置とを示す正面図。 第１実施形態におけるレンズアレイ基板と搬送装置とを示す正面図。 第１実施形態におけるレンズアレイ基板と搬送装置とを示す正面図。 第１実施形態におけるレンズアレイ基板と搬送装置とを示す正面図。 第２実施形態における光照射装置の主要構成を示す正面図。 第２実施形態におけるレンズアレイ基板とアパーチャーと搬送装置とを示す正面図。 第２実施形態におけるレンズアレイ基板の一部分とアパーチャーの一部分とを示す底面図。 図３０中のＱ部の拡大図。 本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。

符号の説明

１…表示装置、３…表示パネル、５…照明装置、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１０…液晶パネル、１５…素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、６３…配向膜、６３ａ…液状体、６３ｂ…液状体膜、６３ｃ…膜、９７…配向膜、９７ａ…液状体、９７ｂ…液状体膜、９７ｃ…膜、１２１，１２２…配向方向、１９０…光照射装置、１９１…光源部、１９３…照明光学系、１９５…偏光分離部、１９７…投影光学系、１９９…搬送装置、２００Ｌ…光軸、２００Ｐ…光路、２０１…光源、２０３…リフレクタ、２０５…コリメータレンズ、２０７…ワイヤーグリッド偏光子、２０９…レンズアレイ基板、２１１…シリンドリカルレンズ、２１３…駆動ローラ、２１５…従動ローラ、２１７…搬送ベルト、２２１…反射面、２２３…楕円、２２５…第１焦点、２２６…第２焦点、２３１…基板、２３３…ワイヤー、２５１ａ…光、２５１ｂ…平行光、２５１ｃ…偏光、２５１ｄ…照射光、２５１ｅ…照射光、２６１…集光領域、２６１ａ…集光領域、２７１…アパーチャー、２７２…遮光部、２７３…開口部、２７５…曲面、２７７…端部、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン、Ｈ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｗ…ワーク。

Claims (12)

1. 配向処理が施される膜を備えたワークに照射するための光を発する光源と、
   前記ワークを保持する保持部と、
   前記光源から前記保持部までの光路において、前記光源と前記保持部との間に介在し、前記光源から入射された前記光のうち少なくとも一部を偏光として射出する偏光子と、
   前記光路において、前記偏光子と前記保持部との間に介在し、前記偏光子から入射される前記偏光を集光させる光学素子と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
2. 前記光源は、第１方向に延在しており、
   前記光学素子は、前記第１方向とは平面的に交差する第２方向に延在している、ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
3. 前記光路において、前記光源と前記光学素子との間に介在する第２光学素子を有し、
   前記光学素子は、前記第２方向に延在するシリンドリカルレンズを有しており、
   前記第２光学素子は、入射された光を平行光として射出する、ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
4. 前記光学素子は、前記第１方向に並ぶ複数の前記シリンドリカルレンズを有していることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造装置。
5. 前記偏光子は、ワイヤーグリッド偏光子で構成されており、
   前記第２光学素子は、前記光路において、前記光源と前記ワイヤーグリッド偏光子との間に介在している、
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置の製造装置。
6. 前記シリンドリカルレンズと前記保持部との間において、前記シリンドリカルレンズの曲面の一部に平面的に重なるアパーチャーを有しており、
   前記アパーチャーは、前記曲面のうちで少なくとも前記第２方向に沿った端部を含む領域に重なっている、
   ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
7. 前記光源の前記光路側とは反対側に、前記光源から前記反対側に向かう前記光を前記光路側に反射させる反射ミラーを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
8. 前記光源に対する前記ワークの位置を前記第２方向に相対的に変化させる移動装置を有することを特徴とする請求項２乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
9. 液晶を配向させるための膜に配向処理を施す配向処理工程を有し、
   前記配向処理工程は、光源からの光を、偏光子を介して偏光として前記膜に照射する光照射工程を含んでおり、
   前記光照射工程では、前記偏光子と前記膜との間に介在する光学素子で前記偏光を集光してから、前記偏光を前記膜に照射する、
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 前記光照射工程では、第１方向に延在する前記光源に対して、前記第１方向とは平面的に交差する第２方向に延在した状態で設けられた前記光学素子で前記偏光を集光することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記光学素子は、前記第２方向に延在するシリンドリカルレンズを有しており、
    前記光照射工程では、前記シリンドリカルレンズから射出される前記偏光のうちで、前記シリンドリカルレンズの前記第２方向に沿った端部を含む領域から射出される前記偏光を遮光した状態で、前記膜に前記偏光を照射することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 前記光照射工程では、前記光源に対する前記膜の位置を前記第２方向に相対的に変化させながら、前記膜に前記偏光を照射することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。

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