JP2010134069A - 電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の光配向処理では、表示品位を向上させることが困難である。
【解決手段】ワークＷに照射するための光を発する光源２０１と、ワークＷを保持する搬送装置１９９と、光路２００Ｐにおいて、光源２０１と搬送装置１９９との間に介在し、入射された前記光を平行光として光路２００Ｐ内に射出するコリメータレンズ２０５と、光路２００Ｐにおいて、コリメータレンズ２０５と搬送装置１９９との間に介在し、前記平行光から偏光を光路２００Ｐ内に分離する第１偏光子２０７と、光路２００Ｐにおいて、第１偏光子２０７と搬送装置１９９との間に介在し、前記偏光を受ける第２偏光子２０９と、を有し、第２偏光子２０９は、前記偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する前記偏光成分のうちの一方の前記偏光成分の少なくとも一部を、光路２００Ｐ外に分離する、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【選択図】図２２

Description

本発明は、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法に関する。

従来から、電気光学装置の１つとして液晶装置がある。液晶装置は、液晶を配向させるための配向膜を有している。
配向膜としては、樹脂などの有機材料で構成される膜に、液晶を配向させるための処理（以下、配向処理と呼ぶ）を施したものが知られている。そして、配向処理の１つとして、光配向処理が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−２３３７０８号公報

光配向処理では、一般的に、光源からの光は、偏光子を介して偏光として配向膜に照射される。
ところで、偏光子では、偏光子に入射する光の入射角の違いによって、消光比が異なることがある。消光比は、偏光子から射出された光において、所定の方向（Ａ方向とする）に沿った偏光軸を有する偏光ａの強度と、Ａ方向とは直交するＢ方向に沿った偏光軸を有する偏光ｂの強度との比であると定義され得る。消光比が高いほど、偏光ａ又は偏光ｂの純度が高い。逆に、消光比が低いほど、偏光ａ又は偏光ｂの純度が低い。

光配向処理では、配向膜に照射する偏光の消光比が低いと、液晶の配向方向が不均一になりやすい。液晶の配向方向が不均一になると、表示におけるコントラストが損なわれやすい。
つまり、従来の光配向処理では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

［適用例１］配向処理が施される膜を備えたワークに照射するための光を発する光源と、前記ワークを保持する保持部と、前記光源から前記保持部までの光路において、前記光源と前記保持部との間に介在し、入射された前記光を平行光として前記光路内に射出する光学素子と、前記光路において、前記光学素子と前記保持部との間に介在し、前記平行光から偏光を前記光路内に分離する第１偏光子と、前記光路において、前記第１偏光子と前記保持部との間に介在し、前記偏光を受ける第２偏光子と、を有し、前記第２偏光子は、前記偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する前記偏光成分のうちの一方の前記偏光成分の少なくとも一部を、前記光路外に分離する、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例の製造装置は、光源と、保持部と、光学素子と、第１偏光子と、第２偏光子と、を有している。
光源は、ワークに照射するための光を発する。ワークは、配向処理が施される膜を備えている。保持部は、ワークを保持する。光学素子は、光源から保持部までの光路において、光源と保持部との間に介在している。光学素子は、入射された光を平行光として光路内に射出する。第１偏光子は、光路において、光学素子と保持部との間に介在している。第１偏光子は、平行光から偏光を光路内に分離する。第２偏光子は、光路において、第１偏光子と保持部との間に介在している。第２偏光子は、偏光を受ける。また、第２偏光子は、偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する偏光成分のうちの一方の偏光成分の少なくとも一部を、光路外に分離する。
上記の構成により、偏光の消光比を高めることができる。これにより、液晶の配向方向を均一にしやすくすることができるので、電気光学装置における表示品位を向上させやすくすることができる。

［適用例２］上記の製造装置であって、前記第１偏光子は、前記偏光を透過させることによって、前記平行光から前記偏光を分離し、前記第２偏光子は、前記偏光成分のうちの他方の前記偏光成分を透過させることによって、前記一方の偏光成分の少なくとも一部を分離する、ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、偏光は、第１偏光子が偏光を透過させることによって平行光から分離される。偏光成分のうちの一方の偏光成分は、第２偏光子が他方の偏光成分を透過させることによって、一部が分離される。
この適用例では、第１偏光子及び第２偏光子のそれぞれにおける透過光を、配向処理に活用することができる。透過光を活用する構成では、例えば反射光を活用する構成に比較して、光路を簡易にすることができるので、光学系の構成が複雑化することを避けやすくすることができる。

［適用例３］上記の製造装置であって、前記第１偏光子及び前記第２偏光子は、それぞれ、ブリュースター偏光子又はワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、第１偏光子及び第２偏光子が、それぞれ、ブリュースター偏光子又はワイヤーグリッド偏光子であるので、第１偏光子及び第２偏光子のそれぞれにおける透過光を、配向処理に活用することができる。

［適用例４］上記の製造装置であって、前記第１偏光子及び前記第２偏光子は、それぞれ、ワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。

この適用例では、第１偏光子及び第２偏光子が、それぞれ、ワイヤーグリッド偏光子である。
ここで、例えばブリュースター偏光子では、一般的に、光の入射角が０度よりも大きく設定される。これに対し、ワイヤーグリッド偏光子では、光の入射角が０度であってもよい。
このため、この適用例では、ブリュースター偏光子に比較して、製造装置の小型化を図りやすくすることができる。

［適用例５］液晶を配向させるための膜に配向処理を施す配向処理工程を有し、前記配向処理工程は、光源からの光を、少なくとも第１偏光子及び第２偏光子を含む複数の偏光子を介して前記膜に照射する光照射工程を含んでおり、前記光照射工程では、前記光源から前記膜までの光路において、前記光源と前記膜との間に介在する光学素子で前記光を平行光とし、前記光路において、前記光学素子と前記膜との間に介在する前記第１偏光子で前記平行光から偏光を前記光路内に分離し、前記偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する前記偏光成分のうちの一方の前記偏光成分の少なくとも一部を、前記光路における前記第１偏光子と前記膜との間に介在する前記第２偏光子で前記光路外に分離する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例の製造方法は、配向処理工程を有している。配向処理工程では、液晶を配向させるための膜に配向処理を施す。配向処理工程は、光照射工程を含んでいる。光照射工程では、光源からの光を、少なくとも第１偏光子及び第２偏光子を含む複数の偏光子を介して膜に照射する。
この適用例では、光照射工程において、まず、光源からの光を平行光とする。このとき、光源から膜までの光路において、光源と膜との間に介在する光学素子で、光源からの光を平行光にする。
次いで、平行光から偏光を光路内に分離する。このとき、光路において、光学素子と膜との間に介在する第１偏光子で、平行光から偏光を光路内に分離する。
次いで、偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する偏光成分のうちの一方の偏光成分の少なくとも一部を、光路外に分離する。このとき、光路における第１偏光子と膜との間に介在する第２偏光子で、一方の偏光成分の少なくとも一部を光路外に分離する。
この適用例によれば、膜に照射する偏光の消光比を高めることができる。これにより、液晶の配向方向を均一にしやすくすることができるので、電気光学装置における表示品位を向上させやすくすることができる。

［適用例６］上記の製造方法であって、前記光照射工程では、前記第１偏光子としての第１のワイヤーグリッド偏光子で前記平行光から前記偏光を分離し、前記第２偏光子としての第２のワイヤーグリッド偏光子で前記一方の偏光成分の少なくとも一部を分離する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第１のワイヤーグリッド偏光子で平行光から偏光を分離し、第２のワイヤーグリッド偏光子で一方の偏光成分の少なくとも一部を分離する。
ここで、例えばブリュースター偏光子では、一般的に、光の入射角が０度よりも大きく設定される。これに対し、ワイヤーグリッド偏光子では、光の入射角が０度であってもよい。このため、ワイヤーグリッド偏光子では、ブリュースター偏光子に比較して、製造装置の小型化を図りやすくすることができる。
この結果、この適用例では、小型化が図られた製造装置で、電気光学装置を製造することができる。

実施形態について、半透過反射型の液晶装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。

ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。

表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１０と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１０は、素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。

対向基板１７は、素子基板１５よりも表示面９側で素子基板１５に対向し、且つ素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する位相差膜などが設けられている。

液晶１９は、素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２１によって、素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。

偏光板１３ａは、素子基板１５よりも底面２３側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。

なお、偏光板１３ａと素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。

照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの左方に設けられている。

光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。

表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。

マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

各画素７は、図３中のＣ部の拡大図である図４に示すように、透過領域Ｔと、反射領域Ｈとを有している。なお、図４では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Ｈにハッチングが施されている。
透過領域Ｔでは、図２に示す照明装置５から底面２３を介して液晶１９に入射された光を表示面９側に透過させることによって、透過表示が行われる。

反射領域Ｈでは、表示面９を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面９側に反射させて、その反射光を表示面９側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示パネル３の表示面９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。

ここで、液晶パネル１０の素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１５は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５１ａと、底面２３側に向けられた第２面５１ｂとを有している。

素子層５２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。素子層５２には、ゲート絶縁膜５３と、中間層５５と、反射膜５７と、平坦化層５９と、絶縁膜６１と、配向膜６３とが含まれている。また、素子層５２には、画素７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とが含まれている。

ゲート絶縁膜５３は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。ゲート絶縁膜５３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜５３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
中間層５５は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられている。中間層５５の表示面９側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部５６が設けられている。中間層５５の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、中間層５５の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。

反射膜５７は、凹凸部５６の表示面９側に設けられている。反射膜５７は、平面視で反射領域Ｈに重なっている。反射膜５７の材料としては、例えば銀やアルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、反射膜５７の材料として、アルミニウムが採用されている。
平坦化層５９は、反射膜５７の表示面９側に設けられている。平坦化層５９は、中間層５５及び反射膜５７を表示面９側から覆っている。平坦化層５９の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、平坦化層５９の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。

絶縁膜６１は、中間層５５及び平坦化層５９の表示面９側に設けられている。絶縁膜６１の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として、酸化シリコンが採用されている。
配向膜６３は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられている。配向膜６３の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜６３の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜６３には、配向処理が施されている。

ＴＦＴ素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とは、それぞれ、各画素７に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子６５は、ゲート電極７２と、半導体層７３と、ソース電極７４と、ドレイン電極７５とを有している。ゲート電極７２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面９側から覆われている。ゲート電極７２の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５３を挟んでゲート電極７２に対向する位置に設けられている。

ソース電極７４は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７５は、ゲート絶縁膜５３の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ソース電極７４やドレイン電極７５の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。本実施形態では、ソース電極７４やドレイン電極７５の材料として、アルミニウム合金が採用されている。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、半導体層７３がゲート電極７２と、ソース電極７４及びドレイン電極７５との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、中間層５５によって表示面９側から覆われている。

共通電極６９は、中間層５５及び平坦化層５９の表示面９側に設けられている。共通電極６９は、平面視で各画素７の領域に重なっている。共通電極６９の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、共通電極６９の材料として、ＩＴＯが採用されている。
共通電極６９は、絶縁膜６１によって表示面９側から覆われている。

画素電極７１は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられており、表示面９側から配向膜６３によって覆われている。画素電極７１は、平面視で各画素７の領域に重なっている。画素電極７１の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極７１の材料として、ＩＴＯが採用されている。
ここで、画素電極７１は、接続部７７を有している。接続部７７は、中間層５５に設けられた第１コンタクトホール７８、及び平坦化層５９に設けられた第２コンタクトホール７９を介してドレイン電極７５につながっている。画素電極７１は、接続部７７によってドレイン電極７５に電気的につながっている。

第１コンタクトホール７８は、平面視で凹凸部５６が設けられている領域内に設けられている。第１コンタクトホール７８は、平面視でドレイン電極７５に重なっている。
第２コンタクトホール７９は、第１コンタクトホール７８及び第２コンタクトホール７９並びに反射膜５７を示す平面図である図６に示すように、第１コンタクトホール７８よりも外側から第１コンタクトホール７８を囲む領域にわたって設けられている。つまり、第１コンタクトホール７８は、平面視で第２コンタクトホール７９内に位置している。

反射膜５７には、開口部５７ａが設けられている。開口部５７ａは、第２コンタクトホール７９よりも外側から第２コンタクトホール７９を囲む領域にわたって設けられている。これにより、第２コンタクトホール７９と反射膜５７とは、互いに離間している。このため、接続部７７と反射膜５７とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、画素電極７１と反射膜５７とは、電気的に絶縁されている。
なお、図６では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。

対向基板１７は、第２基板８１と、対向層８２とを有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８３ａと、底面２３側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、配向膜９３と、位相差膜９５と、配向膜９７と、が含まれている。

光吸収層８５は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられており、領域８６にわたっている。光吸収層８５は、平面図である図７に示すように、格子状に設けられており、各画素７を区画している。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８５によって囲まれた領域であると定義され得る。図７では、構成をわかりやすく示すため、光吸収層８５にハッチングが施されている。
光吸収層８５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。

カラーフィルタ８７は、図５に示すように、各画素７に対応して設けられている。カラーフィルタ８７は、第２基板８１の対向面８３ｂ側に設けられており、光吸収層８５によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。

オーバーコート層９１は、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側に設けられている。オーバーコート層９１は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７を底面２３側から覆っている。
配向膜９３は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。配向膜９３は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１を底面２３側から覆っている。配向膜９３には、底面２３側に配向処理が施されている。

位相差膜９５は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。位相差膜９５は、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。位相差膜９５は、この位相差膜９５に入射された光に、１／２波長の位相差を与える。
配向膜９７は、オーバーコート層９１及び位相差膜９５の底面２３側に設けられている。配向膜９７は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１及び位相差膜９５を底面２３側から覆っている。配向膜９７には、底面２３側に配向処理が施されている。

素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜６３と配向膜９７との間に介在している。液晶パネル１０では、各画素７において、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで液晶１９の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Ｔにおいて、液晶１９は、Ｌ１なる厚みに設定されている。
これに対し、反射領域Ｈでは、液晶１９の厚みＬ２が、Ｌ１＞Ｌ２となるように、位相差膜９５の厚みが設定されている。なお、液晶パネル１０では、Ｌ１は、Ｌ２の約２倍に設定されている。

液晶１９は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶１９は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶１９のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１又はＬ２との積）の設定により実現され得る。
本実施形態では、透過領域Ｔにおいて、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。また、反射領域Ｈにおいて、入射した光に１／４波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。

ここで、位相差膜９５は、図５中のＥ−Ｅ線における断面図である図８に示すように、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。つまり、位相差膜９５は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
また、反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。

ここで、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７２同士は、平面図である図９に示すように、ゲート線１１１によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７４同士は、データ線１１３によって接続されている。
ゲート線１１１は、画素行４２（図３）ごとに設けられており、Ｘ方向に沿って延びている。データ線１１３は、画素列４１（図３）ごとに設けられており、Ｙ方向に沿って延びている。

ゲート線１１１とデータ線１１３とは、図９に示すように、互いに交差している。各画素７は、各ゲート線１１１と各データ線１１３との交差に対応して設定されている。
表示領域８（図１）内では、各ゲート線１１１及び各データ線１１３は、図９に示すように、それぞれ、領域８６内に設けられている。

各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うＴＦＴ素子６５が対応付けられている。また、各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うゲート線１１１が対応付けられている。
各ＴＦＴ素子６５は、対応する各画素７において、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。また、各ＴＦＴ素子６５に対応する第１コンタクトホール７８も、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各ＴＦＴ素子６５及び各第１コンタクトホール７８は、画素７の領域外に位置している。
なお、各画素７において、反射領域Ｈと透過領域Ｔとは、境界部１１５を介して隣り合っている。

反射膜５７は、平面図である図１０に示すように、Ｙ方向において、反射領域Ｈから、この反射領域Ｈに隣り合う領域８６内に及んでいる。反射膜５７は、領域８６内において、ゲート線１１１をＹ方向にまたいでいる。図１０では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。
また、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、画素７の領域外に位置している。
なお、反射膜５７及び平坦化層５９は、図８に示すように、それぞれ、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間において、データ線１１３をＸ方向にまたいでいる。

各共通電極６９は、平面図である図１１に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでいる。反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各共通電極６９は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各共通電極６９は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各共通電極６９は、各画素７の領域内にわたって設けられている。
なお、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、共通電極６９同士は、共通線１１７によって接続されている。図１１では、構成をわかりやすく示すため、共通電極６９及び共通線１１７にハッチングが施されている。

ここで、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、第２コンタクトホール７９を避けた状態で設けられている。このため、第２コンタクトホール７９と共通電極６９とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、接続部７７と共通電極６９とは、互いに離間している。これにより、共通電極６９と画素電極７１とは、電気的に絶縁されている。

各画素電極７１は、平面図である図１２に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでおり、複数のスリット部１１９を有している。図１２では、構成をわかりやすく示すため、画素電極７１にハッチングが施されている。
複数のスリット部１１９は、Ｙ方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部１１９は、Ｙ方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部１１９が延びる方向は、Ｘ方向から傾斜している。

反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各画素電極７１は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各画素電極７１は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各画素電極７１は、各画素７の領域内にわたって設けられている。

また、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、第２コンタクトホール７９と、ドレイン電極７５とに重なっている。そして、画素電極７１とドレイン電極７５とは、図５に示すように、画素電極７１から第２コンタクトホール７９及び第１コンタクトホール７８を経てドレイン電極７５に至る接続部７７によってつながっている。
なお、図５における素子基板１５の断面は、図１２中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。

ここで、各画素７において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とは、図１２に示すように、相互に重なり合っている。反射領域Ｈは、各画素７の領域において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
また、透過領域Ｔは、各画素７の領域から反射領域Ｈを除いた領域において、共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。

液晶パネル１０では、共通電極６９と画素電極７１との間に電圧を印加すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。液晶パネル１０では、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。この電界によって液晶１９の配向状態を変化させることができる。
表示装置１では、照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６５のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。

配向膜６３及び配向膜９７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜６３及び配向膜９７によって、液晶１９の初期的な配向状態が規制される。
図１３（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図であり、図１３（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図である。
表示装置１では、透過領域Ｔにおいて、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図１３（ａ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態に切り替わると、透過領域Ｔにおいて、液晶１９の配向方向１２１は、図１３（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対して反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。

図１４（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図であり、図１４（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Ｈにおける液晶１９の配向方向１２１は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のそれぞれに示すように、透過領域Ｔと同様である。

なお、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）、並びに図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向を示し、Ｙ'方向が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。

透過領域Ｔでは、底面２３側から偏光板１３ａを経て入射された入射光は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った偏光軸を有する直線偏光１２５として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２５は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１３（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っている。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２５として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２５は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。

他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、直線偏光１２５は、図１３（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、液晶１９によって１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１２５の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２７として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２７は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、透過領域Ｔでは、ＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、透過表示が制御される。

反射領域Ｈでは、表示面９側から偏光板１３ｂを経て入射された入射光は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った偏光軸を有する直線偏光１２９として位相差膜９５に入射される。
ここで、位相差膜９５の遅相軸１３１は、平面視でＸ'方向に対して反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜９５に入射された直線偏光１２９は、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１３３として液晶１９に入射される。直線偏光１３３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して反時計方向に４５度の傾きを有する方向に沿っている。

液晶１９に入射された直線偏光１３３は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１４（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜５７に向けて射出される。
円偏光１３５は、反射膜５７で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として位相差膜９５に入射される。

位相差膜９５に入射された直線偏光１３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４１として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。

他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、図１４（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１３３として反射膜５７に向けて射出される。
反射膜５７に向けて射出された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま反射膜５７で反射され、液晶１９に入射される。

反射膜５７から液晶１９に入射された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま位相差膜９５に入射される。位相差膜９５に入射された直線偏光１３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４３として偏光板１３ｂに入射される。偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４３は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、反射領域Ｈにおいても、透過領域Ｔと同様にＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、反射表示が制御される。

ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程と、に大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。なお、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。

素子基板１５の製造工程では、図１５（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５１ａに、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を形成する。
ゲート電極７２（ゲート線１１１）は、例えばスパッタリング技術を活用して第１面５１ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１５（ｂ）に示すように、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を第１面５１ａ側から覆うゲート絶縁膜５３を形成する。ゲート絶縁膜５３は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって形成され得る。

次いで、図１５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５３上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７４とドレイン電極７５とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６５が形成される。
なお、ソース電極７４及びドレイン電極７５は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜５３上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１５（ｄ）に示すように、ＴＦＴ素子６５及びゲート絶縁膜５３上に、中間層５５を構成する材料を含む液状体５５ａで液状体膜５５ｂを形成する。液状体５５ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５５ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。

次いで、図１６（ａ）に示すように、フォトマスク１５１を介して、液状体膜５５ｂを紫外光１５３で露光する。
ここで、フォトマスク１５１は、多階調露光を実現するハーフトーンマスクである。フォトマスク１５１は、開口部１５５と、ハーフトーン部１５６と、遮光部１５７ａと、遮光部１５７ｂとを有している。
開口部１５５は、第１コンタクトホール７８が形成されるべき部位７８ａに平面視で重なっている。ハーフトーン部１５６は、平面視で凹凸部５６が形成されるべき領域に重なっている。遮光部１５７ａは、平面視で他の領域に重なっている。
開口部１５５は、ハーフトーン部１５６の領域内に設けられている。また、１つのハーフトーン部１５６の領域内には、複数の遮光部１５７ｂが散在している。
なお、フォトマスク１５１は、ハーフトーンマスクに限定されず、グレイトーンマスクも採用され得る。

部位７８ａには、開口部１５５を介して紫外光１５３が照射される。凹凸部５６が形成されるべき領域には、ハーフトーン部１５６を介して中間階調の紫外光１５３ａが照射される。他の領域は、遮光部１５７ａ及び遮光部１５７ｂによって紫外光１５３が遮光される。ハーフトーン部１５６に入射する紫外光１５３は、一部が遮光部１５７ｂによって遮光される。

次いで、液状体膜５５ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５５ｂのうちで、ハーフトーン部１５６を介して露光された部位、及び部位７８ａが除去される。
次いで、液状体膜５５ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１６（ｂ）に示すように、凹凸部５６及び第１コンタクトホール７８を有する中間層５５が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。

液状体膜５５ｂに焼成処理を施す工程に次いで、図１６（ｃ）に示すように、反射膜５７を形成する。反射膜５７の形成では、例えばスパッタリング技術を活用して、中間層５５上に金属膜を形成する。次いで、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングする。これにより、反射膜５７が形成され得る。

次いで、図１７（ａ）に示すように、中間層５５及び反射膜５７上に、平坦化層５９を構成する材料を含む液状体５９ａで液状体膜５９ｂを形成する。液状体５９ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５９ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５９ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。

次いで、図１７（ｂ）に示すように、フォトマスク１６１を介して、液状体膜５９ｂを紫外光１６３で露光する。
ここで、フォトマスク１６１は、開口部１６５と、遮光部１６７とを有している。
開口部１６５は、第２コンタクトホール７９が形成されるべき部位７９ａに平面視で重なっている。
部位７９ａには、開口部１６５を介して紫外光１６３が照射される。遮光部１６７に重なる領域には、紫外光１６３が照射されない。つまり、液状体膜５９ｂのうち部位７９ａは、紫外光１６３で露光される。液状体膜５９ｂのうち遮光部１６７に重なる領域は、露光されない。
次いで、液状体膜５９ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５９ｂのうちで、部位７９ａが除去される。

次いで、液状体膜５９ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１７（ｃ）に示すように、第２コンタクトホール７９を有する平坦化層５９が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。

次いで、図１８（ａ）に示すように、平坦化層５９上にＩＴＯの膜６９ａを形成する。ＩＴＯの膜６９ａは、例えば、スパッタリング技術を活用することによって形成され得る。
次いで、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングすることによって、図１８（ｂ）に示すように、共通電極６９を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。
なお、ＩＴＯの膜６９ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、ＩＴＯが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積したＩＴＯは、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングするときに除去され得る。

次いで、図１８（ｃ）に示すように、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成する。酸化シリコンの膜６１ａは、例えば、ＣＶＤ技術を活用することによって形成され得る。
次いで、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングすることによって、図１８（ｄ）に示すように、絶縁膜６１を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。
なお、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、酸化シリコンが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積した酸化シリコンは、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングするときに除去され得る。

次いで、図１９（ａ）に示すように、絶縁膜６１上にＩＴＯの膜７１ａを形成する。ＩＴＯの膜７１ａは、例えば、スパッタリング技術を活用することによって形成され得る。このとき、第１コンタクトホール７８内及び第２コンタクトホール７９内にＩＴＯが堆積することによって、接続部７７が形成され得る。
次いで、ＩＴＯの膜７１ａをパターニングすることによって、図１９（ｂ）に示すように、画素電極７１を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。

次いで、図１９（ｃ）に示すように、絶縁膜６１及び画素電極７１上に、配向膜６３を構成する材料を含む液状体６３ａで液状体膜６３ｂを形成する。液状体６３ａは、光反応性を有するポリイミド樹脂を含んでいる。液状体膜６３ｂは、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜６３ｂにプレベーク処理及びポストベーク処理を施す。これにより、膜６３ｃが形成され得る。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を約３分間とする条件が採用され得る。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２４０℃とし、処理時間を約２０分間とする条件が採用され得る。
次いで、膜６３ｃに配向処理を施すことにより、図５に示す素子基板１５が製造され得る。なお、配向処理については、詳細を後述する。

対向基板１７の製造工程では、図２０（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、光吸収層８５を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、光吸収層８５によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８７を形成する。カラーフィルタ８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７上にオーバーコート層９１を形成する。オーバーコート層９１は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。

次いで、図２０（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１上に、配向膜９３を構成する材料を含む液状体９３ａで液状体膜９３ｂを形成する。液状体９３ａは、光反応性を有するポリイミド樹脂を含んでいる。液状体膜９３ｂは、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。

次いで、液状体膜９３ｂにプレベーク処理及びポストベーク処理を施す。これにより、膜９３ｃが形成され得る。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を約３分間とする条件が採用され得る。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２４０℃とし、処理時間を約２０分間とする条件が採用され得る。
次いで、膜９３ｃに配向処理を施すことにより、図２０（ｃ）に示す配向膜９３が形成され得る。なお、配向処理については、詳細を後述する。

次いで、図２０（ｃ）に示すように、液晶化合物が含有された液状体９５ａで、配向膜９３上に液状体膜９５ｂを形成する。液状体９５ａは、ネガ型の感光性を有している。液状体膜９５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体９５ａとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。

液晶化合物としては、例えばＢＡＳＦ社製のＬＣ２４２などが採用され得る。溶媒としては、例えばＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）などが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア９０７などが採用され得る。
ここで、液状体膜９５ｂに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された配向膜９３によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜９５ｂには、屈折率に異方性が発現する。

次いで、図２１（ａ）に示すように、フォトマスク１７１を介して、液状体膜９５ｂを紫外光１７３で露光する。ここで、フォトマスク１７１には、反射領域Ｈに重なる領域に開口部１７５が設けられている。液状体膜９５ｂには、開口部１７５を介して紫外光１７３が照射される。そして、液状体膜９５ｂのうちで露光された部位が硬化する。
次いで、液状体膜９５ｂに、例えばＰＧＭＥＡなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク１７１で遮光された領域内の液状体膜９５ｂが剥離され、図２１（ｂ）に示す位相差膜９５が形成され得る。

次いで、図２１（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１及び位相差膜９５上に、配向膜９７を構成する材料を含む液状体９７ａで液状体膜９７ｂを形成する。液状体９７ａは、光反応性を有するポリイミド樹脂を含んでいる。液状体膜９７ｂは、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜９７ｂにプレベーク処理及びポストベーク処理を施す。これにより、膜９７ｃが形成され得る。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を約３分間とする条件が採用され得る。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２４０℃とし、処理時間を約２０分間とする条件が採用され得る。
次いで、膜９７ｃに配向処理を施すことにより、図５に示す対向基板１７が製造され得る。なお、配向処理については、詳細を後述する。

液晶パネル１０の製造工程では、まず、素子基板１５と、対向基板１７とを、平面視で環状のシール材２１（図２）を介して接合する。このとき、シール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１０が製造され得る。

表示パネル３の製造工程では、図２に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１０に設ける。偏光板１３ａは、第１基板５１の第２面５１ｂ（図５）に設けられ、偏光板１３ｂは第２基板８１の外向面８３ａ（図５）に設けられる。これにより、図２に示す表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａや偏光板１３ｂは、液晶パネル１０の製造工程の前に、第１基板５１や第２基板８１に設けられていてもよい。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。

ここで、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれに対する配向処理について説明する。
本実施形態では、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれに、光の波長が２４０ｎｍ〜３６５ｎｍの紫外光を照射することで配向処理を行う所謂光配向が採用されている。
まず、光配向に適用される光照射装置について説明する。

本実施形態における光照射装置１９０は、図２２に示すように、光源部１９１と、照明光学系１９３と、偏光分離部１９５と、搬送装置１９９と、を有している。
光源部１９１は、光源２０１と、リフレクタ２０３と、を有している。
ここで、光照射装置１９０では、光源２０１から搬送装置１９９までの間における光軸２００Ｌに沿って光路２００Ｐが設定されている。

光源２０１は、Ｙ”方向に延在する筒状の形態を有している。光源２０１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
リフレクタ２０３は、Ｙ”方向に延在している。リフレクタ２０３は、光源２０１の光路２００Ｐ側とは反対側から、光源２０１を覆っている。
照明光学系１９３は、光路２００Ｐにおいて、光源部１９１と搬送装置１９９との間に設けられている。本実施形態では、照明光学系１９３は、コリメータレンズ２０５を有している。本実施形態では、コリメータレンズ２０５は、Ｙ”方向に延在するシリンドリカルレンズで構成されている。

偏光分離部１９５は、光路２００Ｐにおいて、照明光学系１９３と搬送装置１９９との間に設けられている。本実施形態では、偏光分離部１９５は、第１偏光子２０７と、第２偏光子２０９と、を有している。
第１偏光子２０７は、光路２００Ｐにおいて、照明光学系１９３と搬送装置１９９との間に設けられている。第２偏光子２０９は、光路２００Ｐにおいて、第１偏光子２０７と搬送装置１９９との間に設けられている。
搬送装置１９９は、駆動ローラ２１３と、従動ローラ２１５と、搬送ベルト２１７と、を有している。駆動ローラ２１３及び従動ローラ２１５は、それぞれ、Ｙ”方向に延在している。駆動ローラ２１３及び従動ローラ２１５は、互いにＸ”方向に間隔をあけた状態で、Ｘ”方向に並んでいる。搬送ベルト２１７は、駆動ローラ２１３と従動ローラ２１５との間に架け渡されている。

光照射装置１９０では、偏光分離部１９５と搬送装置１９９との間の光路２００Ｐにおいて、ワークＷが搬送ベルト２１７上に載置される。ワークＷは、搬送装置１９９によってＸ”方向に搬送され得る。
図２２において、Ｘ”方向及びＹ”方向は、Ｘ”方向がワークＷの搬送方向を示し、Ｙ”方向が光源２０１の延在方向を示している。Ｘ”方向及びＹ”方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。

なお、ワークＷは、光照射装置１９０で光を照射する対象物である。本実施形態では、配向処理前の素子基板１５や対向基板１７がワークＷとして搬送ベルト２１７上に載置される。ワークＷとしての素子基板１５や対向基板１７は、膜６３ｃ（図１９（ｃ））や、膜９３ｃ（図２０（ｂ））、膜９７ｃ（図２１（ｂ））が偏光分離部１９５側に向けられた状態で、搬送ベルト２１７上に載置される。

リフレクタ２０３は、図２３に示すように、内側に反射面２２１を有している。反射面２２１の断面形状は、楕円２２３とともに、楕円２２３の一部の弧を共有している。
光源２０１は、楕円２２３の第１焦点２２５に重なっている。本実施形態では、光源２０１の中心が第１焦点２２５に重なるように、光源２０１が設けられている。
コリメータレンズ２０５は、光源２０１側に向かって凸となる平凸レンズで構成されている。本実施形態では、コリメータレンズ２０５は、光源２０１側の焦点（以下、前側焦点と呼ぶ）が、楕円２２３の第２焦点２２６に重なる位置に設けられている。

上記の構成により、光源２０１からの光のうちで反射面２２１で反射した光２５１ａは、第２焦点２２６を通ってからコリメータレンズ２０５に入射する。
コリメータレンズ２０５に入射した光２５１ａは、光軸２００Ｌに対して略平行な状態に近づけられた平行光２５１ｂとして、コリメータレンズ２０５から射出される。なお、照明光学系１９３は、コリメータレンズ２０５の他に、例えばインテグレータレンズやリレーレンズなどの種々のレンズを付加した構成も採用され得る。

平行光２５１ｂは、第１偏光子２０７に入射される。
ここで、本実施形態では、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９は、それぞれ、ワイヤーグリッド偏光子が採用されている。
第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９は、それぞれ、図２４に示すように、基板２３１に多数のワイヤー２３３を設けた構成を有している。ワイヤー２３３は、基板２３１の一方の主面２３１ａに設けられている。ワイヤー２３３は、Ｐ方向に延在している。多数のワイヤー２３３は、Ｓ方向に間隔Ｋで並んでいる。間隔Ｋは、光２３５の波長よりも短い距離に設定されている。

第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９のそれぞれに入射される光２３５のうち、Ｐ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ａは、反射される。Ｓ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ｂは、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９のそれぞれを透過する。これにより、光２３５から、偏光成分２３５ｂを分離することができる。なお、基板２３１の材料としては、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料が採用され得る。また、ワイヤー２３３の材料としては、例えば、光反射性が高い金、銀、アルミニウムなどが採用され得る。
光照射装置１９０において、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９は、それぞれ、ワイヤー２３３側が照明光学系１９３側（図２３）に向いた状態で設けられている。

本実施形態では、第１偏光子２０７は、図２３に示すように、平行光２５１ｂから偏光２５１ｃを光路２００Ｐ内に分離し、偏光２５１ｄを光路２００Ｐ外に分離する。偏光２５１ｃにおける偏光成分のほとんどは、偏光成分２３５ｂ（図２４）によって占められているが、一部に偏光成分２３５ａが含まれている。偏光２５１ｄにおける偏光成分のほとんどは、偏光成分２３５ａ（図２４）によって占められている。

第１偏光子２０７によって光路２００Ｐ内に分離された偏光２５１ｃは、第２偏光子２０９に照射される。第２偏光子２０９は、図２３に示すように、偏光２５１ｃから偏光２５１ｅを光路２００Ｐ内に分離し、偏光２５１ｆを光路２００Ｐ外に分離する。偏光２５１ｆにおける偏光成分のほとんどは、偏光成分２３５ａ（図２４）によって占められている。これにより、偏光２５１ｅにおける偏光成分２３５ｂ（図２４）が占める割合を高めることができる。
第２偏光子２０９によって光路２００Ｐ内に分離された偏光２５１ｅが、ワークＷに照射される。

膜６３ｃや膜９７ｃに偏光２５１ｅを照射するとき、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９は、それぞれ、図２５に示すように、Ｓ方向（図２４）が、ワークＷのＸ'方向（図１３）に合わせられる。これにより、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向に沿った配向方向に配向処理を施すことができる。
さらに、Ｘ”方向と、Ｘ'方向と、Ｓ方向とを合わせれば、ワークＷをＸ”方向に搬送させながら、膜６３ｃや膜９７ｃに偏光２５１ｅを照射することができる。これにより、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向に沿った配向処理を、流れ作業で実施することができる。この結果、膜６３ｃや膜９７ｃに対する配向処理を効率的に行うことができる。

また、膜９３ｃに偏光２５１ｅを照射するとき、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９は、それぞれ、Ｓ方向（図２４）が、ワークＷのＸ'方向（図１４）から反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に合わせられる。これにより、膜９３ｃに対して遅相軸１３１の方向に沿った配向方向に配向処理を施すことができる。
さらに、遅相軸１３１の方向と、Ｘ”方向とを合わせれば、ワークＷをＸ”方向に搬送させながら、膜９３ｃに偏光２５１ｅを照射することができる。この結果、膜９３ｃに対する配向処理も効率的に行うことができる。
上述した配向処理によって、図５に示す配向膜６３、配向膜９３及び配向膜９７が形成され得る。

本実施形態において、膜６３ｃ及び膜９７ｃのそれぞれが配向処理を施すべき膜に対応し、搬送ベルト２１７が保持部に対応し、コリメータレンズ２０５が光学素子に対応している。
本実施形態では、光源２０１からの光は、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９を介して偏光２５１ｅとして、膜６３ｃや膜９３ｃ、膜９７ｃに照射される。このため、偏光２５１ｅの消光比が高められた状態で配向処理を施すことができる。この結果、配向膜６３や配向膜９３、配向膜９７の配向方向を、それぞれにおいて均一にしやすくすることができる。従って、表示装置１における表示品位を向上させやすくすることができる。

また、本実施形態では、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９のそれぞれを透過した偏光２５１ｅが配向処理に活用されている。第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９のそれぞれにおける透過光が配向処理に活用されるので、例えば反射光を配向処理に活用する場合に比較して、光路２００Ｐを簡易に構成することができる。このため、光源２０１から搬送ベルト２１７までの光路２００Ｐにおける光学系を簡易な構成とすることができる。この結果、光照射装置１９０の構成を簡易にすることができ、光照射装置１９０の小型化が図られる。

また、本実施形態では、光源２０１と第１偏光子２０７との間にコリメータレンズ２０５（図２３）が設けられている。
ここで、ワイヤーグリッド偏光子では、光の入射角の違いによって、偏光における偏光軸の方向が異なることがある。
これに対し、本実施形態では、コリメータレンズ２０５により第１偏光子２０７に入射する光の入射角をそろえやすくすることができる。この結果、第１偏光子２０７から射出される偏光２５１ｃの偏光軸の方向をそろえやすくすることができる。この結果、表示装置１におけるコントラストを向上させやすくすることができる。

また、本実施形態では、光源２０１の光路２００Ｐ側とは反対側にリフレクタ２０３（図２３）が設けられている。このため、光源２０１から光路２００Ｐ側とは反対側に向かう光２５１ａを光路２００Ｐ側に反射させることができる。これにより、光源２０１から光路２００Ｐ側とは反対側に向かう光２５１ａの少なくとも一部を、ワークＷに照射する偏光２５１ｅとして利用することができる。この結果、光２５１ａの利用効率を高めることができる。

また、本実施形態では、搬送装置１９９（図２３）が設けられている。このため、ワークＷをＸ”方向に変位させながら、ワークＷに偏光２５１ｅを照射することができる。これにより、ワークＷに対して連続的に偏光２５１ｅを照射することができる。このため、例えばワークＷに対して間欠的に偏光２５１ｅを照射する場合に比較して、効率的に配向処理を施すことができる。

なお、本実施形態では、搬送装置１９９でワークＷを変位させる構成が採用されているが、光照射装置１９０の構成は、これに限定されない。光照射装置１９０の構成としては、光源部１９１、照明光学系１９３及び偏光分離部１９５（以下、光学系と呼ぶ）を変位させる構成も採用され得る。さらに、光学系とワークＷとの双方を変位させる構成も採用され得る。光学系とワークＷとの双方を変位させる構成では、光学系とワークＷとを、互いに反対の向きに変位させる構成が採用され得る。

また、本実施形態では、コリメータレンズ２０５（図２３）として、光源２０１側に向かって凸となる平凸レンズが採用されているが、コリメータレンズ２０５はこれに限定されない。コリメータレンズ２０５としては、第１偏光子２０７側に向かって凸となる平凸レンズも採用され得る。また、コリメータレンズ２０５としては、両凸レンズも採用され得る。

また、本実施形態では、液晶１９の駆動方式としてＦＦＳ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶１９の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の方式も採用され得る。

また、本実施形態では、位相差膜９５が対向基板１７側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜９５はこれに限定されず、素子基板１５側に設けられていてもよい。
また、本実施形態では、半透過反射型の液晶装置を利用した表示装置１を例示したが、液晶装置は、これに限定されない。液晶装置としては、透過型の液晶装置や、反射型の液晶装置も適用され得る。

また、本実施形態では、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９として、それぞれ、偏光成分２３５ｂ（図２４）と交差する偏光成分２３５ａを反射させる反射型の偏光子であるワイヤーグリッド偏光子が採用されている。しかしながら、偏光子はこれに限定されず、偏光成分２３５ｂと交差する偏光成分２３５ａを吸収する吸収型の偏光子も採用され得る。
吸収型の偏光子としては、例えば、樹脂などの有機材料で構成される基板を延伸した偏光子が採用され得る。ところが、有機材料では、耐光性を向上させることが困難である。つまり、光源２０１からの光２５１ａによる劣化を低く抑えることが困難である。

これに対し、無機材料では、有機材料に比較して耐光性を向上させやすくすることができる。ワイヤーグリッド偏光子は、無機材料で構成されている。このため、光源２０１からの光２５１ａによる劣化を低く抑えるという観点から、第１偏光子２０７及び第２偏光子２０９としてワイヤーグリッド偏光子を採用することは好ましい。
なお、無機材料で構成される偏光子としては、ワイヤーグリッド偏光子に限定されず、図２６に示すブリュースター偏光子も採用され得る。

ブリュースター偏光子が採用された第１偏光子２８１及び第２偏光子２８３は、それぞれ、図２６に示すように、複数枚（本例では、５枚）の基板２８５を有している。
基板２８５は、光２３５の入射角がブリュースター角θに設定されている。このため、光２３５の入射面に直交する方向であるＰ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ａは、ほとんどが基板２８５によって反射される。他方で、光２３５の入射面に平行な方向であるＳ方向に沿った偏光軸を有する偏光成分２３５ｂは、ほとんどが基板２８５を透過する。これにより、光２３５から、偏光成分２３５ｂを分離することができる。

なお、基板２８５の材料としては、例えば、石英や光学ガラスなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、基板２８５の材料として、石英が採用されている。
光照射装置１９０において、第１偏光子２８１及び第２偏光子２８３は、図２７に示すように、それぞれ、光軸２００Ｌに対して基板２８５の法線２８７がブリュースター角θだけ傾けられている。

膜６３ｃや膜９７ｃに偏光２５１ｅを照射するとき、第１偏光子２８１及び第２偏光子２８３は、それぞれ、図２８に示すように、Ｓ方向（図２６）が、ワークＷのＸ'方向（図１３）に合わせられる。これにより、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向に沿った配向方向に配向処理を施すことができる。
さらに、Ｘ”方向と、Ｘ'方向と、Ｓ方向とを合わせれば、ワークＷをＸ”方向に搬送させながら、膜６３ｃや膜９７ｃに偏光２５１ｅを照射することができる。これにより、膜６３ｃや膜９７ｃに対してＸ'方向に沿った配向処理を、流れ作業で実施することができる。この結果、膜６３ｃや膜９７ｃに対する配向処理を効率的に行うことができる。

また、膜９３ｃに偏光２５１ｅを照射するとき、第１偏光子２８１及び第２偏光子２８３は、それぞれ、Ｓ方向（図２６）が、ワークＷのＸ'方向（図１３）から反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に合わせられる。これにより、膜９３ｃに対して遅相軸１３１の方向に沿った配向方向に配向処理を施すことができる。
さらに、遅相軸１３１の方向と、Ｘ”方向とを合わせれば、ワークＷをＸ”方向に搬送させながら、膜９３ｃに偏光２５１ｅを照射することができる。この結果、膜９３ｃに対する配向処理も効率的に行うことができる。

偏光分離部１９５の構成としては、図２９に示すように、第１偏光子２０７と第２偏光子２８３とを組み合わせた構成も採用され得る。さらに、偏光分離部１９５の構成としては、図３０に示すように、第１偏光子２８１と第２偏光子２０９とを組み合わせた構成も採用され得る。

図２９や図３０に示す構成では、第１偏光子２８１と第２偏光子２８３とを組み合わせた構成に比較して、偏光分離部１９５を小型化しやすくすることができる。
ブリュースター偏光子では、光の入射角が０度よりも大きく設定される。このため、偏光分離部１９５における光路２００Ｐの距離を短縮することが困難である。これに対し、ワイヤーグリッド偏光子では、光の入射角が０度に設定されていてもよい。従って、図２９や図３０に示す構成では、偏光分離部１９５を小型化しやすくすることができる。
さらに、第１偏光子２０７と第２偏光子２０９とを組み合わせた構成（図２３）では、偏光分離部１９５を一層小型化しやすくすることができる。

上述した表示装置１は、例えば、図３１に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。

なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示装置１や、表示パネル３、液晶パネル１０は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。

本実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。 本実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。 本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。 図３中のＣ部の拡大図。 図４中のＤ−Ｄ線における断面図。 本実施形態における第１コンタクトホール及び第２コンタクトホール並びに反射膜を示す平面図。 本実施形態における光吸収層を示す平面図。 図５中のＥ−Ｅ線における断面図。 本実施形態におけるゲート線及びデータ線並びにＴＦＴ素子を示す平面図。 本実施形態における反射膜を示す平面図。 本実施形態における共通電極を示す平面図。 本実施形態における画素電極を示す平面図。 本実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。 本実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における光照射装置の主要構成を示す斜視図。 本実施形態における光照射装置の主要構成を示す側面図。 本実施形態における第１偏光子及び第２偏光子のそれぞれにおける一部分を示す斜視図。 本実施形態における第１偏光子及び第２偏光子並びにワーク及び搬送ベルトを示す側面図。 本実施形態における第１偏光子及び第２偏光子のそれぞれにおける他の例を示す斜視図。 本実施形態における偏光分離部の他の構成例を示す側面図。 本実施形態における偏光分離部の他の構成例における第１偏光子及び第２偏光子並びにワーク及び搬送ベルトを示す側面図。 本実施形態における偏光分離部の他の構成例における第１偏光子及び第２偏光子並びにワーク及び搬送ベルトを示す側面図。 本実施形態における偏光分離部の他の構成例における第１偏光子及び第２偏光子並びにワーク及び搬送ベルトを示す側面図。 本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。

符号の説明

１…表示装置、３…表示パネル、５…照明装置、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１０…液晶パネル、１５…素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、６３…配向膜、６３ａ…液状体、６３ｂ…液状体膜、６３ｃ…膜、９３…配向膜、９３ａ…液状体、９３ｂ…液状体膜、９３ｃ…膜、９５…位相差膜、９７…配向膜、９７ａ…液状体、９７ｂ…液状体膜、９７ｃ…膜、１２１…配向方向、１３１…遅相軸、１９０…光照射装置、１９１…光源部、１９３…照明光学系、１９５…偏光分離部、１９９…搬送装置、２００Ｌ…光軸、２００Ｐ…光路、２０１…光源、２０３…リフレクタ、２０５…コリメータレンズ、２０７…第１偏光子、２０９…第２偏光子、２１３…駆動ローラ、２１５…従動ローラ、２１７…搬送ベルト、２２１…反射面、２２３…楕円、２２５…第１焦点、２２６…第２焦点、２３１…基板、２３３…ワイヤー、２３５ａ，２３５ｂ…偏光成分、２５１ａ…光、２５１ｂ…平行光、２５１ｃ…偏光、２５１ｄ…偏光、２５１ｅ…偏光、２５１ｆ…偏光、２８１…第１偏光子、２８３…第２偏光子、２８５…基板、２８７…法線、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン、Ｈ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｗ…ワーク。

Claims (6)

1. 配向処理が施される膜を備えたワークに照射するための光を発する光源と、
   前記ワークを保持する保持部と、
   前記光源から前記保持部までの光路において、前記光源と前記保持部との間に介在し、入射された前記光を平行光として前記光路内に射出する光学素子と、
   前記光路において、前記光学素子と前記保持部との間に介在し、前記平行光から偏光を前記光路内に分離する第１偏光子と、
   前記光路において、前記第１偏光子と前記保持部との間に介在し、前記偏光を受ける第２偏光子と、
   を有し、
   前記第２偏光子は、前記偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する前記偏光成分のうちの一方の前記偏光成分の少なくとも一部を、前記光路外に分離する、
   ことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
2. 前記第１偏光子は、前記偏光を透過させることによって、前記平行光から前記偏光を分離し、
   前記第２偏光子は、前記偏光成分のうちの他方の前記偏光成分を透過させることによって、前記一方の偏光成分の少なくとも一部を分離する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
3. 前記第１偏光子及び前記第２偏光子は、それぞれ、ブリュースター偏光子又はワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
4. 前記第１偏光子及び前記第２偏光子は、それぞれ、ワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
5. 液晶を配向させるための膜に配向処理を施す配向処理工程を有し、
   前記配向処理工程は、光源からの光を、少なくとも第１偏光子及び第２偏光子を含む複数の偏光子を介して前記膜に照射する光照射工程を含んでおり、
   前記光照射工程では、
   前記光源から前記膜までの光路において、前記光源と前記膜との間に介在する光学素子で前記光を平行光とし、
   前記光路において、前記光学素子と前記膜との間に介在する前記第１偏光子で前記平行光から偏光を前記光路内に分離し、
   前記偏光に含まれる偏光成分において、互いに交差する偏光軸を有する前記偏光成分のうちの一方の前記偏光成分の少なくとも一部を、前記光路における前記第１偏光子と前記膜との間に介在する前記第２偏光子で前記光路外に分離する、
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 前記光照射工程では、
   前記第１偏光子としての第１のワイヤーグリッド偏光子で前記平行光から前記偏光を分離し、
   前記第２偏光子としての第２のワイヤーグリッド偏光子で前記一方の偏光成分の少なくとも一部を分離する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。

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