JP2010129970A

JP2010129970A - 半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法

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Publication number: JP2010129970A
Application number: JP2008306509A
Authority: JP
Inventors: Akio Hara; 章雄原; Toyoji Sawada; 豊治澤田; Takeshi Koyashiki; 剛小屋敷; Hironori Fukaya; 浩則深谷
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2008-12-01
Filing date: 2008-12-01
Publication date: 2010-06-10
Anticipated expiration: 2028-12-01
Also published as: JP5381052B2; US20100133659A1

Abstract

【課題】配線層の数が増加してもダイシングに要する時間の増加を抑制することができる半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法を提供する。
【解決手段】チップ領域２２及び２３と、チップ領域２２及び２３の間に設けられたスクライブ領域２１と、が設けられている。そして、スクライブ領域２１内に、半導体基板１の表面からの距離が異なる金属膜１１及び１２が含まれ、金属膜１１及び１２の半導体基板１の表面に平行な方向における位置がずれている。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法に関する。

半導体装置を製造する際には、１枚の半導体基板を複数のチップ領域に区画しておき、チップ領域の内側に集積回路等を形成している。そして、集積回路等の形成後には、チップ領域同士の間に位置するスクライブ領域に沿ったダイシングを行って、複数のチップを得ている。そして、近年では、ダイシングの際に、レーザ光の照射によりスクライブ領域内に形成されている金属膜を起点とする爆発を生じさせることがある。なお、スクライブ領域内の金属膜は、主に化学機械的研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing）の際に、研磨を均一に行うために形成されている。

ここで、従来のスクライブ領域の構成について説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、従来のスクライブ領域の一例の構成を示す図である。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。この例では、チップ領域１０１とチップ領域１０２との間にスクライブ領域１０３が位置している。そして、スクライブ領域１０３内において、基板１２１上に絶縁膜１２２が形成され、その上に、スクライブ領域１０３と平行に延びる複数の金属膜１１１が形成されている。更に、絶縁膜１２２上に、金属膜１１１を覆う絶縁膜１２３が形成され、その上に、スクライブ領域１０３と平行に延びる複数の金属膜１１２が形成されている。更に、絶縁膜１２３上に、金属膜１１２を覆う絶縁膜１２４が形成されている。なお、金属膜１１２と金属膜１１１とは平面視で重なり合っている。これは、設計を容易にするためである。

図２（ａ）及び（ｂ）は、従来のスクライブ領域の他の一例の構成を示す図である。なお、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。この例では、スクライブ領域１０３内において、基板１２１上に絶縁膜１２２が形成され、その上に、島状の複数の金属膜１１３が形成されている。更に、絶縁膜１２２上に、金属膜１１３を覆う絶縁膜１２３が形成され、その上に、島状の複数の金属膜１１４が形成されている。更に、絶縁膜１２３上に、金属膜１１４を覆う絶縁膜１２４が形成されている。なお、金属膜１１４と金属膜１１３とは平面視で重なり合っている。これも、設計を容易にするためである。

このような従来の技術では、先ず、金属膜１１２又は１１４にレーザ光を照射して、その周辺において爆発を生じさせる。この結果、金属膜１１１又は１１３が上方から見えるようになる。次いで、金属膜１１１又は１１３にレーザ光を照射して、その周辺において爆発を生じさせる。

なお、チップ領域１０１及び１０３を構成する配線層が３層以上ある場合は、スクライブ領域１０３内の金属膜の層の数もそれに伴って増加するため、上記のようなレーザ光の照射を繰り返し行っている。

しかしながら、これらの従来技術では、配線層の数が増加するに連れ、レーザ光を照射する回数が増加してしまい、ダイシングに要する時間が長くなる。この結果、生産効率が低下してしまう。

特開２００５−３１７８６６号公報特開２００４−２２１２８６号公報

本発明の目的は、配線層の数が増加してもダイシングに要する時間の増加を抑制することができる半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法を提供することにある。

半導体装置の一態様には、複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域の間に設けられたスクライブ領域と、が設けられている。そして、前記スクライブ領域内に、基板の表面からの距離が異なる複数の金属膜が含まれ、前記複数の金属膜の前記基板の表面に平行な方向における位置がずれている。

半導体集積回路チップの製造方法の一態様では、上記半導体装置の前記複数の金属膜に対してレーザ光を同時に照射して前記複数の金属膜を爆発させる。

上記半導体装置等によれば、１回のレーザ光の照射で複数の金属膜がエネルギを吸収するため、配線層数の増加に伴うダイシングに要する時間の増加を抑制することができる。

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら詳述する。

（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。図３（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

第１の実施形態に係る半導体装置は、平面視で縦横に延びる複数のスクライブ領域によって複数のチップ領域に区画されている。図３には、スクライブ領域２１並びにこれを間に挟むチップ領域２２及び２３が図示されている。つまり、チップ領域２２及び２３の間にスクライブ領域２１が設けられている。スクライブ領域２１には、レーザ光の照射の走査が行われる予定の２つの走査領域が設定されている。レーザ光の照射スポットの直径は、例えば２０μｍ〜４０μｍ程度であり、走査領域の幅も２０μｍ〜４０μｍ程度である。また、スクライブ領域２１の幅は５０μｍ〜２００μｍ程度である。

スクライブ領域２１内においては、半導体基板１上に絶縁膜２が形成され、その上に、スクライブ領域２１と平行に延びる複数の線状の金属膜１１が形成されている。更に、絶縁膜２上に、金属膜１１を覆う光透過絶縁膜３が形成され、その上に、スクライブ領域２１と平行に延びる複数の線状の金属膜１２が形成されている。つまり、複数の金属膜１１及び１２が縞状に配置されている。更に、光透過絶縁膜３上に、金属膜１２を覆う光透過絶縁膜４が形成されている。光透過絶縁膜３及び４は、例えばシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜等から構成されており、レーザ光を透過させる。金属膜１１及び１２は、例えばＣｕ（銅）、Ｃｕ合金、Ａｌ（アルミニウム）又はＡｌ合金等から構成されており、その幅は０．５μｍ〜５μｍ程度、その厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。金属膜１１同士の間隔及び金属膜１２同士の間隔は０．１μｍ〜２μｍ程度である。光透過絶縁膜３の金属膜１１上における厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。

また、スクライブ領域２１内において、金属膜１２と金属膜１１とが互いに平面視でずれた位置に配置されている。即ち、金属膜１１及び１２の半導体基板１の表面に平行な方向における位置がずれており、金属膜１１及びそれよりも下方に位置する金属膜１２の双方に、上方からレーザ光が到達する状態となっている。このため、後述のように、レーザ光を同時に金属膜１１及び１２に照射することができ、短時間でスクライブ領域２１の多くの領域において爆発を生じさせることができる。

次に、第１の実施形態に係る半導体装置を用いた半導体集積回路チップの製造方法について説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、半導体集積回路チップの製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｃ）では、図３において半導体基板１上に設けられた絶縁膜２等の積層体を積層部１０としている。

先ず、半導体基板１の裏面をテーブルに粘着テープ等を用いて貼り付ける。次いで、図４（ａ）に示すように、スクライブ領域２１の縁から所定距離だけ内側の部分、即ち走査領域にレーザ光を照射し、スクライブ領域２１が延びる方向に照射位置を移動させる。つまり、レーザ光照射の走査を行う。レーザ光の照射スポットの直径は、上記のように、例えば２０μｍ〜４０μｍ程度である。そして、スクライブ領域２１の幅が９０μｍの場合、先ず、一方の縁から２０μｍ〜３０μｍ程度内側の部分でレーザ光照射の走査を行い、その後、他方の縁から２０μｍ〜３０μｍ程度内側の部分でレーザ光照射の走査を行う。この結果、レーザ光が照射された領域において、金属膜１１及び１２にエネルギが吸収され、この吸収量が所定値に到達すると、金属膜１１及び１２が爆発する。

金属膜１１及び１２が爆発すると、金属膜１１及び１２の周囲の絶縁膜２、光透過絶縁膜３及び光透過絶縁膜４も吹き飛ばされ、図４（ｂ）に示すように、スクライブ領域２１内において、積層部１０に溝２４が形成される。

次いで、溝２４内に回転しているブレードを進入させ、図４（ｃ）に示すように、そこから半導体基板１の切断を行う。

このようなレーザ光の照射及びブレードを用いた切断を行うことにより、スクライブ領域によって区画されていた複数のチップ領域が個片化され、複数の半導体集積回路チップが得られる。なお、このような方法は、後述の第２〜第６の実施形態にも適用できる。

このような第１の実施形態によれば、１回のレーザ光の照射により２層分の金属膜１１及び１２の爆発を生じさせることができるため、ダイシングに要する時間を短縮することができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

第２の実施形態に係る半導体装置も、第１の実施形態と同様に、平面視で縦横に延びる複数のスクライブ領域によって複数のチップ領域に区画されている。図５には、スクライブ領域２１並びにこれを間に挟むチップ領域２２及び２３が図示されている。第２の実施形態では、第１の実施形態における金属膜１１に代えて複数の矩形状の金属膜１３が形成され、金属膜１２に代えて複数の矩形状の金属膜１４が島状に形成されている。金属膜１３及び１４は島状に設けられている。金属膜１３及び１４は、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金等から構成されており、その辺の長さは０．５μｍ〜５μｍ程度、その厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。金属膜１３同士の間隔及び金属膜１４同士の間隔は、０．１μｍ〜２μｍ程度である。光透過絶縁膜３の金属膜１３上における厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。他の構成は第１の実施形態と同様である。

このような第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、金属膜１３及び１４が島状であるため、第１の実施形態と比較して、熱の逃げが少なく、爆発しやすい。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図６（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。なお、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

第３の実施形態に係る半導体装置も、第１の実施形態と同様に、平面視で縦横に延びる複数のスクライブ領域によって複数のチップ領域に区画されている。図６には、スクライブ領域２１及びチップ領域２２が図示されている。なお、第１の実施形態と同様に、チップ領域２３も設けられている。第３の実施形態では、光透過絶縁膜４上に、スクライブ領域２１と平行に延びる複数の線状の金属膜１５が形成されている。金属膜１５も、金属膜１１及び１２と同様に、縞状に配置されている。更に、光透過絶縁膜４上に、金属膜１５を覆う光透過絶縁膜５が形成されている。光透過絶縁膜５も、光透過絶縁膜３及び４と同様に、例えばシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜等から構成されており、レーザ光を透過させる。金属膜１５は、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金等から構成されており、その幅は０．５μｍ〜５μｍ程度、その厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。金属膜１１同士の間隔は０．１μｍ〜２μｍ程度であり、金属膜１２同士の間隔は０．１μｍ〜２μｍ程度であり、金属膜１５同士の間隔は０．１μｍ〜２μｍ程度である。光透過絶縁膜４の金属膜１２上における厚さは０．１μｍ〜２μｍ程度である。なお、図６には、スクライブ領域２１のチップ領域２２側の部分を示しているが、チップ領域２３側にも金属膜１１、１２及び１５が設けられている。他の構成は第１の実施形態と同様である。

このような第３の実施形態によれば、１回のレーザ光の照射により３層分の金属膜１１、１２及び１５の爆発を生じさせることができるため、ダイシングに要する時間を第１の実施形態よりも短縮することができる。

なお、金属膜１１及び１２に代えて金属膜１３及び１４が用いられ、金属膜１５の形状が金属膜１３及び１４と同様の矩形状であって、金属膜１５が島状に配置されていてもよい。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。図７（ａ）及び（ｂ）は、第４の実施形態に係る半導体装置を示す図である。なお、図７（ｂ）は、図７（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

第４の実施形態に係る半導体装置も、第１の実施形態と同様に、平面視で縦横に延びる複数のスクライブ領域によって複数のチップ領域に区画されている。図７には、スクライブ領域２１並びにこれを間に挟むチップ領域２２及び２３が図示されている。第４の実施形態では、金属膜１１及び１２の幅が第１の実施形態よりも広くなっており、平面視で互いに重なり合う部分が存在する。そして、重なり合う部分同士を接続する導電性のプラグ３１が設けられている。プラグ３１は、例えばＷ（タングステン）、Ａｌ、Ｃｕ等の金属から構成されている。他の構成は第１の実施形態と同様である。

このような第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、金属膜１１に照射されたレーザ光の一部が反射されても、反射後のレーザ光がプラグ３１によっても吸収されるため、第１の実施形態よりもレーザ光の吸収効率を向上させることができる。

なお、金属膜１１及び１２に代えて矩形状の金属膜１３及び１４が用いられていてもよい。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。図８は、第５の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図８は、図１（ｂ）等と同様に、スクライブ領域２１が延びる方向に直交する断面を示している。また、図６と同様に、図８には、スクライブ領域２１及びチップ領域２２が図示されているが、第１の実施形態と同様に、チップ領域２３も設けられている。

第５の実施形態では、レーザ光の照射スポットの直径（例えば３０μｍ程度）以下の幅（例えば２５μｍ程度）の領域内に、図８に示すように、金属膜４１〜４８が互いに平面視でずれるようにして配置されている。金属膜４１〜４８の形状は、例えば、金属膜１１、１２及び１５と同様の線状であり、スクライブ領域２１と平行に延びている。なお、図８には、スクライブ領域２１のチップ領域２２側の部分を示しているが、チップ領域２３側にも金属膜４１〜４８が設けられている。また、チップ領域２２側及びチップ領域２３側の夫々において、１個の金属膜４１に対して、金属膜４２〜４８が２個ずつ設けられており、金属膜４２〜４８は平面視でこの順で金属膜４１から離間するようにして配置されている。つまり、スクライブ領域２１が延びる方向に直交する断面では、金属膜４１〜４８が「Ｖの字型」に配置されている。

また、スクライブ領域２１内においては、半導体基板５１上に絶縁膜５２が形成され、その上に、金属膜４１が形成されている。更に、絶縁膜５２上に、金属膜４１を覆う光透過絶縁膜５３が形成され、その上に、金属膜４２が形成されている。また、光透過絶縁膜５３上に、金属膜４２を覆う光透過絶縁膜５４が形成されている。更に、光透過絶縁膜５４上に金属膜４３が形成され、また、光透過絶縁膜５４上に金属膜４３を覆う光透過絶縁膜５５も形成されている。更に、光透過絶縁膜５５上に金属膜４４が形成され、また、光透過絶縁膜５５上に金属膜４４を覆う光透過絶縁膜５６も形成されている。更に、光透過絶縁膜５６上に金属膜４５が形成され、また、光透過絶縁膜５６上に金属膜４５を覆う光透過絶縁膜５７も形成されている。更に、光透過絶縁膜５７上に金属膜４６が形成され、また、光透過絶縁膜５７上に金属膜４６を覆う光透過絶縁膜５８も形成されている。更に、光透過絶縁膜５８上に金属膜４７が形成され、また、光透過絶縁膜５８上に金属膜４７を覆う光透過絶縁膜５９も形成されている。更に、光透過絶縁膜５９上に金属膜４８が形成され、また、光透過絶縁膜５９上に金属膜４８を覆う光透過絶縁膜６０も形成されている。

金属膜４１〜４３は、例えばＣｕから構成されており、その幅は０．７μｍ程度、その厚さは０．３μｍ程度である。光透過絶縁膜５３〜５５は、例えばシリコン酸窒化膜から構成されており、レーザ光を透過させる。光透過絶縁膜５３〜５５の金属膜４１〜４３上における厚さは０．３μｍ程度である。金属膜４４及び４５は、例えばＣｕから構成されており、その幅は０．７μｍ程度、その厚さは０．５μｍ程度である。光透過絶縁膜５６及び５７は、例えばシリコン酸窒化膜から構成されており、レーザ光を透過させる。光透過絶縁膜５６及び５７の金属膜４４及び４５上における厚さは０．５μｍ程度である。金属膜４６及び４７は、例えばＣｕから構成されており、その幅は１μｍ程度、その厚さは１μｍ程度である。光透過絶縁膜５８及び５９は、例えばシリコン酸化膜から構成されており、レーザ光を透過させる。光透過絶縁膜５８及び５９の金属膜４６及び４７上における厚さは０．６μｍ程度である。金属膜４８は、例えばＡｌから構成されており、その幅は２μｍ程度、その厚さは１μｍ程度である。光透過絶縁膜６０は、例えばシリコン酸化膜から構成されており、レーザ光を透過させる。光透過絶縁膜６０の金属膜４８上における厚さは０．８μｍ程度である。

このような第５の実施形態によれば、１回のレーザ光の照射により８層分の金属膜４１〜４８の爆発を生じさせることができるため、ダイシングに要する時間をより一層短縮することができる。また、金属膜の数が多いほど、チップ領域２２及び２３へのレーザ光の漏れが生じにくくなるため、レーザ光の漏れに伴うクラック等のチップの損傷等を抑制することもできる。

なお、金属膜４１〜４７の形状が金属膜１３及び１４と同様の矩形状であって、島状に配置されていてもよい。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。図９は、第６の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図９は、図１（ｂ）等と同様に、スクライブ領域２１が延びる方向に直交する断面を示している。また、図６と同様に、図９には、スクライブ領域２１及びチップ領域２２が図示されているが、第１の実施形態と同様に、チップ領域２３も設けられている。

第６の実施形態では、第４の実施形態と同様に、金属膜４１〜４８の幅が第５の実施形態よりも広くなっており、平面視で互いに重なり合う部分が存在する。そして、重なり合う部分同士を接続する導電性のプラグ６１が設けられている。プラグ６１は、例えばＷ（タングステン）、Ａｌ、Ｃｕ等の金属から構成されている。他の構成は第５の実施形態と同様である。

このような第６の実施形態によれば、第５の実施形態と同様の効果が得られる。また、金属膜４１〜４８に照射されたレーザ光の一部が反射されても、反射後のレーザ光がプラグ６１によっても吸収されるため、第５の実施形態よりもレーザ光の吸収効率を向上させることができる。

なお、第１〜第６の実施形態では、スクライブ領域２１が延びる方向に対して直交する方向に、複数の層間で金属膜がずれて配置されているが、金属膜がずれる方向は特にこのような方向に限定されない。例えば、スクライブ領域２１が延びる方向と平行にずれていてもよい。つまり、１回の照射により複数層の金属膜にレーザ光が照射されればよい。

また、スクライブ領域２１内においては、光透過膜が絶縁膜である必要はない。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域の間に設けられたスクライブ領域と、
を有し、
前記スクライブ領域内に、基板の表面からの距離が異なる複数の金属膜を含み、
前記複数の金属膜の前記基板の表面に平行な方向における位置がずれていることを特徴とする半導体装置。

（付記２）
前記複数の金属膜すべてが、前記スクライブ領域に沿ったダイシングの際に照射されるレーザ光のスポットの直径以下であることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。

（付記３）
前記複数の金属膜は、前記スクライブ領域に平行に延びていることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。

（付記４）
前記複数の金属膜は、島状に配置されていることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。

（付記５）
前記スクライブ領域内に、前記複数の金属膜を覆い、レーザ光を透過させる光透過膜を含むことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記６）
前記スクライブ領域内に、前記複数の金属膜によって反射されたレーザ光を吸収する吸収部材を含むことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記７）
前記吸収部材は、前記複数の金属膜同士を電気的に接続するプラグを有することを特徴とする付記６に記載の半導体装置。

（付記８）
前記複数の金属膜は、
第１の金属膜と、
前記第１の金属膜よりも前記基板の表面からの距離が大きい第２及び第３の金属膜と、
を含み、
平面視で、前記第１の金属膜が、前記第２の金属膜と前記第３の金属膜との間に位置していることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記９）
前記複数の金属膜の少なくとも一部において、前記基板の表面に近い金属膜ほど、前記チップ領域から離間して配置されていることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記１０）
前記スクライブ領域に、レーザ光の照射の走査が行われる予定の２つの走査領域が設定されており、
前記走査領域の各々に、前記複数の金属膜が個別に含まれていることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記１１）
前記スクライブ領域に、レーザ光の照射の走査が行われる予定の２つの走査領域が設定されており、
前記走査領域の各々に、前記複数の金属膜が個別に含まれており、
前記走査領域の各々内において、
前記複数の金属膜は、
第１の金属膜と、
前記第１の金属膜よりも前記基板の表面からの距離が大きい第２及び第３の金属膜と、
を含み、
平面視で、前記チップ領域から離間する方向において、前記第１の金属膜が、前記第２の金属膜と前記第３の金属膜との間に位置していることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。

（付記１２）
付記１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の前記複数の金属膜に対してレーザ光を同時に照射して前記複数の金属膜を爆発させる工程を有することを特徴とする半導体集積回路チップの製造方法。

従来のスクライブ領域の一例の構成を示す図である。従来のスクライブ領域の他の一例の構成を示す図である。第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。半導体集積回路チップの製造方法を工程順に示す断面図である。第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。第４の実施形態に係る半導体装置を示す図である。第５の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。第６の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。

符号の説明

１：半導体基板
２：絶縁膜
３〜５：光透過絶縁膜
１０：積層部
１１〜１５：金属膜
２１：スクライブ領域
２２、２３：チップ領域
３１：プラグ
４１〜４８：金属膜
５１：半導体基板
５２：絶縁膜
５３〜６０：光透過絶縁膜
６１：プラグ

Claims

複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域の間に設けられたスクライブ領域と、
を有し、
前記スクライブ領域内に、基板の表面からの距離が異なる複数の金属膜を含み、
前記複数の金属膜の前記基板の表面に平行な方向における位置がずれていることを特徴とする半導体装置。
前記複数の金属膜すべてが、前記スクライブ領域に沿ったダイシングの際に照射されるレーザ光のスポットの直径以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域内に、前記複数の金属膜を覆い、レーザ光を透過させる光透過膜を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域内に、前記複数の金属膜によって反射されたレーザ光を吸収する吸収部材を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記吸収部材は、前記複数の金属膜同士を電気的に接続するプラグを有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
前記複数の金属膜は、
第１の金属膜と、
前記第１の金属膜よりも前記基板の表面からの距離が大きい第２及び第３の金属膜と、
を含み、
平面視で、前記第１の金属膜が、前記第２の金属膜と前記第３の金属膜との間に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記複数の金属膜の少なくとも一部において、前記基板の表面に近い金属膜ほど、前記チップ領域から離間して配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に、レーザ光の照射の走査が行われる予定の２つの走査領域が設定されており、
前記走査領域の各々に、前記複数の金属膜が個別に含まれていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に、レーザ光の照射の走査が行われる予定の２つの走査領域が設定されており、
前記走査領域の各々に、前記複数の金属膜が個別に含まれており、
前記走査領域の各々内において、
前記複数の金属膜は、
第１の金属膜と、
前記第１の金属膜よりも前記基板の表面からの距離が大きい第２及び第３の金属膜と、
を含み、
平面視で、前記チップ領域から離間する方向において、前記第１の金属膜が、前記第２の金属膜と前記第３の金属膜との間に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の前記複数の金属膜に対してレーザ光を同時に照射して前記複数の金属膜を爆発させる工程を有することを特徴とする半導体集積回路チップの製造方法。