JP2010123044A - 過電流保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】広範囲のデューティ比に対応して過電流検出できるようにする。
【解決手段】過電流保護回路12が、コイルL1、コンデンサC1、微分回路8、過電流判定回路11を主とした回路によって形成されている。微分回路8は、コンデンサC1の時間変動に基づくノードN4の電圧Vkの変動を検出して出力電圧V0とする。過電流判定回路11はこの出力電圧V0の出力結果に基づいてNMOSトランジスタ4に通ずる電流が過電流であるか否かを判定する。
【選択図】図1
【解決手段】過電流保護回路12が、コイルL1、コンデンサC1、微分回路8、過電流判定回路11を主とした回路によって形成されている。微分回路8は、コンデンサC1の時間変動に基づくノードN4の電圧Vkの変動を検出して出力電圧V0とする。過電流判定回路11はこの出力電圧V0の出力結果に基づいてNMOSトランジスタ4に通ずる電流が過電流であるか否かを判定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチング素子を過電流から保護する過電流保護回路に関する。
この種の技術として、特許文献1に開示される技術が知られている。この特許文献1の技術思想では、電流検出抵抗がスイッチング素子に直列に接続されており、CRフィルタが電流検出抵抗に誘起されるノイズを除去し、CRフィルタを通して取出される電流検出抵抗の検出値が所定値を超えたときスイッチング素子を非駆動状態に設定している。
特開平5−83932号公報
スイッチング素子として例えばMOSトランジスタなどを用いた場合、駆動周波数が高いとMOSトランジスタのゲート−ソース間などに生じる寄生容量や寄生抵抗の影響に伴い、駆動電圧の立上り/立下りの遅れを生じることが発明者らによって確認されている。すると、例えば駆動電圧の立上り時に時間的なマスクを用いて所定電圧に至るまで待機し、所定電圧以上になったことを確認して十分にハイレベルに至ったことを確認してから過電流であるか否かを判定する必要が生じてしまう。
この場合、低デューティ比条件においてMOSトランジスタを駆動しなければならない場合には、マスク時間がスイッチング素子の駆動時間を超えてしまい、実質的に過電流検出の判定を行うことができないという問題を生じる虞がある。尚、この課題はMOSトランジスタに限らずスイッチング素子であれば生じる課題となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、広範囲のデューティ比に対応して過電流検出できるようにした過電流保護回路を提供することにある。
請求項1に係る発明によれば、PWM高調波ノイズ除去用の誘導性リアクタンスが、スイッチング素子および誘導性負荷間の共通接続ノードと、2つの電源ノードのうち負荷接続側の所定ノードとの間に直列接続されており、ノイズ除去用の容量性リアクタンスがスイッチング素子または負荷に並列接続されており、微分回路が、所定ノードから誘導性リアクタンスおよび容量性リアクタンスを介して接続され当該リアクタンス成分によってノイズ除去された後の信号を微分した微分成分に基づいてスイッチング素子に通ずる電流が過電流であるか否かを判定しているため、たとえ低デューティ比で駆動する場合であっても時間マスクを要することなく過電流であるか否かを判定でき、限られた時間範囲内で過電流であるか否かを判定することができ、広範囲のデューティ比に対応して過電流検出できる。
請求項2記載の発明によれば、コンパレータがスイッチング素子および誘導性負荷間の共通接続ノードの電圧と予め定められた所定電圧とを比較し、第2判定手段がコンパレータの比較結果に基づいてスイッチング素子に通ずる電流が過電流であるか否かを判定しているため、より広範囲のデューティ比に対応して過電流検出できる。
請求項3記載の発明のように、誘導性リアクタンスおよび容量性リアクタンスがπ型のローパスフィルタを構成するように適用すると良い。
(第1の実施形態)
以下、本発明を、負荷を駆動制御する負荷駆動制御回路内に適用した過電流保護回路の第1の実施形態について図1ないし図3を参照しながら説明する。
図1は、負荷としてのモータを駆動する負荷駆動制御回路を中心に表わしている。本実施形態ではローサイドスイッチを適用した負荷駆動制御回路について説明する。
負荷駆動制御回路1は、制御回路2、ドライブ回路3、スイッチング素子としてのNチャネル型のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタと称す)4、ローパスフィルタ5、還流ダイオード7、微分回路8、コンパレータ9、10、および、第1判定手段、第2判定手段としての過電流判定回路11を具備し、誘導性負荷としてのモータ6を駆動するように構成されている。
以下、本発明を、負荷を駆動制御する負荷駆動制御回路内に適用した過電流保護回路の第1の実施形態について図1ないし図3を参照しながら説明する。
図1は、負荷としてのモータを駆動する負荷駆動制御回路を中心に表わしている。本実施形態ではローサイドスイッチを適用した負荷駆動制御回路について説明する。
負荷駆動制御回路1は、制御回路2、ドライブ回路3、スイッチング素子としてのNチャネル型のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタと称す)4、ローパスフィルタ5、還流ダイオード7、微分回路8、コンパレータ9、10、および、第1判定手段、第2判定手段としての過電流判定回路11を具備し、誘導性負荷としてのモータ6を駆動するように構成されている。
制御回路2は、外部のECU(図示せず)等からの制御指令を図示しない入力信号処理部において変換してPWM制御指令を生成し、そのPWM制御指令に基づいてPWM信号を生成すると、通常時には当該PWM信号についてドライブ回路3を介してNMOSトランジスタ4に印加し当該トランジスタ4を駆動制御する。
電源ノードN1(+B端子)にはバッテリ(電源:図示せず)の正側端子が接続され電源が与えられており、グランドノードN2はアースに接続されている。電源ノードN1とグランドノードN2との間には、モータ6とNMOSトランジスタ4とが直列接続されている。
ローパスフィルタ5がNMOSトランジスタ4とモータ6との間に介在して接続されている。このローパスフィルタ5は所謂ノイズ除去用のフィルタとして構成されている。具体的には、ローパスフィルタ5は例えば容量性リアクタンス(素子)としてのコンデンサC1、コンデンサC2と当該コンデンサC1、C2間の電源ノードN1側に直列に誘導性リアクタンス(素子)としてのコイルL1を接続したπ型のフィルタにより構成されている。
尚、電源ノードN1とグランドノードN2との間にはコンデンサC2が接続されており、当該コンデンサC2と並列に、コイルL1とコンデンサC1とが直列に接続されることによってπ型のフィルタが構成される。コンデンサC1はノードN4とグランドノードN2との間に接続されており、NMOSトランジスタ4の出力側に対して当該NMOSトランジスタ4と並列に接続されている。
モータ6の両端にはコイルL1を介して還流ダイオード7が接続されている。NMOSトランジスタ4と還流ダイオード7との共通接続点をノードN3とすると、還流ダイオード7のアノードはノードN3に接続されている。コイルL1とコンデンサC1との共通接続点をノードN4とすると、還流ダイオード7のカソードはノードN4に接続されている。
ノードN3の信号は、コンパレータ9の非反転入力端子に入力されている。コンパレータ9は、ノードN3の電圧を所定のしきい値電圧Vref1と比較し、当該比較結果を過電流判定回路11に出力する。
ノードN4の信号は微分回路8に入力されている。微分回路8は、ノードN4の電圧の微分成分を出力するもので、具体的には、例えばオペアンプOP1、抵抗R1、R2、コンデンサC3、C4を備えて構成されている。オペアンプOP1の非反転入力端子には正の所定電圧Vcが与えられている。この所定電圧Vcは、通常動作時において微分回路8の出力直流成分を正の所定電圧Vcに保つために設けられている。
オペアンプOP1の反転入力端子とノードN4との間には、抵抗R1とコンデンサC3とが直列接続されている。オペアンプOP1の出力端子と反転入力端子との間には抵抗R2とコンデンサC4とによる並列回路が接続されている。このようにして微分回路8が構成されている。
微分回路8の出力(オペアンプOP1の出力)は、コンパレータ10に接続されている。このコンパレータ10は、微分回路8の出力信号V0と所定のしきい値電圧Vref2とを比較してその比較結果を過電流判定回路11に出力するように構成されている。過電流判定回路11は、コンパレータ9の出力信号とコンパレータ10の出力信号とに基づいて過電流であるか否かを判定し、その判定結果を制御回路2に出力する。
本実施形態では、ローサイドスイッチとなるNMOSトランジスタ4を過電流から保護する過電流保護回路12を備えている。過電流保護回路12は、特に機能的に作用する電気的要素としては、PWM高調波ノイズ除去用の誘導性リアクタンスとしてのコイルL1、ノイズ除去用の容量性リアクタンスとしてのコンデンサC1、微分回路8、コンパレータ10、過電流判定回路11を主としており、必要に応じて、コンパレータ9を備える。
上記構成の作用について図2を参照しながら説明する。本実施形態では、PWM信号の出力デューティ比が0%に近い値から100%に近い広範囲の場合であり、特に出力デューティ比が所定値(例えば20%)よりも低い値である場合に特徴を備えている。
図2は、NMOSトランジスタ4のゲート電圧Vgと、ノードN4の電圧Vkと、微分回路の出力信号V0とのタイミングチャートを示している。
制御回路2は、ドライブ回路3を介してPWM信号をNMOSトランジスタ4に印加する。このとき、NMOSトランジスタ4の入力容量が大きいため、図2に示すように、ゲート電圧Vgの立上り、立下りの変化が緩やかな鋸波状の信号が、ドライバ回路3を介してNMOSトランジスタ4に印加される。
制御回路2は、ドライブ回路3を介してPWM信号をNMOSトランジスタ4に印加する。このとき、NMOSトランジスタ4の入力容量が大きいため、図2に示すように、ゲート電圧Vgの立上り、立下りの変化が緩やかな鋸波状の信号が、ドライバ回路3を介してNMOSトランジスタ4に印加される。
この図2において、VthはNMOSトランジスタ4のオンオフ切替時のしきい値電圧を示している。
通常時においては、NMOSトランジスタ4はPWM信号によりオンオフ駆動されている。このような場合、NMOSトランジスタ4がオフしているときには、モータ6には回生電流が流れ、コンデンサC1、C2(特にコンデンサC1)には電荷が蓄積される。その後、NMOSトランジスタ4に印加されるゲート電圧Vgが0Vからしきい値Vth以上になると(図2の(1))、NMOSトランジスタ4はオンし、モータ6に通電電流Imが流れる。この場合、コンデンサC1の蓄積電荷がモータ6およびNMOSトランジスタ4を通じて放電され、モータ6に通電電流Imが多く流れると、これに伴いノードN4の電圧Vkが低下し始める。
通常時においては、NMOSトランジスタ4はPWM信号によりオンオフ駆動されている。このような場合、NMOSトランジスタ4がオフしているときには、モータ6には回生電流が流れ、コンデンサC1、C2(特にコンデンサC1)には電荷が蓄積される。その後、NMOSトランジスタ4に印加されるゲート電圧Vgが0Vからしきい値Vth以上になると(図2の(1))、NMOSトランジスタ4はオンし、モータ6に通電電流Imが流れる。この場合、コンデンサC1の蓄積電荷がモータ6およびNMOSトランジスタ4を通じて放電され、モータ6に通電電流Imが多く流れると、これに伴いノードN4の電圧Vkが低下し始める。
微分回路8はこの電圧Vkが低下する微分成分を検出する。微分回路8は、その特性が主にコンデンサC3と抵抗R2とで決定されるが、ノードN4の電圧低下成分は時間にほぼ比例して低下するため、微分回路8の出力電圧V0はほぼ一定の所定電圧V1で得られる。コンパレータ10は、この出力電圧V0をしきい値電圧Vref2と比較した比較信号となるデジタル信号を過電流判定回路11に与える。
また、NMOSトランジスタ4に印加されるゲート電圧Vgがしきい値Vth未満になると(図2の(2))、NMOSトランジスタ4はオフし、モータ6に流れている電流Imが還流ダイオード7に回生して流れる。
この電流はコイルL1側に流れるのが妨げられコンデンサC1側に流れることによってコンデンサC1に電荷が蓄積される。これに伴いノードN4の電圧Vkが上昇し始める。微分回路8はこの電圧Vkが上昇する微分成分を検出する。ノードN4の電圧上昇成分はほぼ時間に比例して上昇するため、微分回路8の出力電圧V0はほぼ一定の所定電圧V2で得られる。コンパレータ10は、この出力電圧V0をしきい値電圧Vref2と比較した比較信号となるデジタル信号を過電流判定回路11に与える。
この後、NMOSトランジスタ4に印加されるゲート電圧Vgがしきい値Vth以上になると(図2の(3))、NMOSトランジスタ4はオンし、モータ6に通電電流Imが流れる。コンデンサC1には電荷が蓄積されているため、この蓄積電荷もモータ6に流れるようになり、ノードN4の電圧が時間に比例して低下する。このようにして順次電圧変動が繰り返される。過電流判定回路11に与えられるデジタル信号「ハイ」「ロウ」の切替周期は、PWM信号のデューティ比に応じて変化する。
ここで、微分回路8の出力電圧V0について算出する。NMOSトランジスタ4のオフ時間をΔtとしモータ6の通電電流をImとすると、コンデンサC1の両端電圧の変動ΔVkは、
ΔVk = Im × Δt/(コンデンサC1の容量値) …(A)
により近似することができる。
ΔVk = Im × Δt/(コンデンサC1の容量値) …(A)
により近似することができる。
すると、微分回路8の出力電圧V0は、
V0 = Vc −(コンデンサC3の容量値)×(抵抗R2の抵抗値)× ΔVk
/((抵抗R1の抵抗値) × Δt) …(B)
の近似式から近似して求めることができるため、
V0 = Vc − (コンデンサC2の容量値)×(抵抗R2の抵抗値)× Im
/((抵抗R1の抵抗値) × (コンデンサC1の容量値))
として算出することができる。
V0 = Vc −(コンデンサC3の容量値)×(抵抗R2の抵抗値)× ΔVk
/((抵抗R1の抵抗値) × Δt) …(B)
の近似式から近似して求めることができるため、
V0 = Vc − (コンデンサC2の容量値)×(抵抗R2の抵抗値)× Im
/((抵抗R1の抵抗値) × (コンデンサC1の容量値))
として算出することができる。
したがって、出力電圧V0はモータ電流Imの関数となり、モータ電流Imが少なければ少ないほど出力電圧V0は高くなり、モータ電流Imが多ければ多いほど出力電圧V0は低くなる。
図2に示すように、過電流判定回路11は、出力電圧V0が所定の判定値Vref2(例えば、電源電圧Vcc)よりも低くなった場合には、コンパレータ10の出力結果を受けてモータ6に異常電流が流れていると判定する。制御回路2はこの過電流判定回路11による判定結果を受けてモータ6の出力を停止あるいは制限することができる。
これにより、微分回路8がノードN4に接続されており、このノードN4の電圧Vkの変動成分を検出することによりモータ電流Imを検出できるため、たとえデューティ比が所定値(例えば20%)以下であったとしても、ゲート電圧Vgの立上り時から制限された時間範囲内でモータ電流Imが過電流であるか否かを判定することができ、広範囲のデューティ比に対応した過電流保護回路12を構成することができる。
尚、本実施形態では、ノードN3にコンパレータ9が接続されており、このコンパレータ9はノードN3の電圧と所定のしきい値電圧Vref1とを比較し、この比較結果を過電流判定回路11に出力する。モータ電流Imが多いとNMOSトランジスタ4のオン電圧が上昇するため、ノードN3の電圧は高くなる。このため、コンパレータ9はこのノードN3の電圧を検出することでモータ電流Imが過電流であるか否かを判定するようにしている。本実施形態では、このコンパレータ9に基づいて過電流であるか否かを判定する方法は、デューティ比が所定値以上(例えば100%(または100%に近い場合))のときに有効な方法となっている。
本実施形態においては、ローサイドスイッチを適用したものにおいて、過電流保護回路12が、コイルL1、コンデンサC1、微分回路8、過電流判定回路11を主とした回路により形成されており、微分回路8がコンデンサC1の蓄積電荷の時間変動に基づくノードN4の電圧Vkの変動を検出して出力電圧V0とし、過電流判定回路11はこの出力結果に基づいてNMOSトランジスタ4に通ずる電流が過電流であるか否かを判定しているため、たとえPWM信号のデューティ比が所定値以下であったとしてもモータ電流Imが過電流であるか否かを素早く判定することができ、広範囲のデューティ比に対応した過電流保護回路12を構成できる。
また、コンパレータ9がノードN3の電圧を所定電圧Vref1と比較し、過電流判定回路11がこの比較結果に基づいてNMOSトランジスタ4に通ずる電流が過電流であるか否かを判定しているため、特にデューティ比が所定値以上(例えば100%に近い場合、または100%)に有効となり、より広範囲のデューティ比に対応した過電流保護回路12を構成できる。
図3は、デューティ比が所定値より高い場合(例えば99.9%以上)の場合の図2相当のタイミングチャートを示している。PWM信号のデューティ比が100%である場合には、コンパレータ9が設けられていないと例えば微分回路8のみでは過電流検出が困難となるため、この図3に示すように、通常動作時の所定周期T1(例えば1μs)に比較して格段(例えば1000倍)に長い所定周期T2(例えば1ms)でパルス状にPWM信号のオンオフを行うと良い。
すると、PWM信号の周波数を低下させることで、NMOSトランジスタ4がオフとなる時間を確保することができ、ノードN4の電圧Vkの変動成分(微分成分)を検出することができ、コンパレータ9を設けなくてもデューティ比が100%に近い場合の過電流検出を行うことができる。
(第2の実施形態)
図4および図5は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、ハイサイドスイッチを適用した負荷駆動制御回路内の過電流保護回路に適用したところにある。前述実施形態と同一機能部分には同一符号を付して説明を省略する。
図4および図5は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、ハイサイドスイッチを適用した負荷駆動制御回路内の過電流保護回路に適用したところにある。前述実施形態と同一機能部分には同一符号を付して説明を省略する。
図4に示すように、負荷駆動制御回路1に代わる負荷駆動制御回路13が構成されている。この負荷駆動制御回路13には、NMOSトランジスタ4に代えてPチャネル型のMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)14がスイッチング素子として設けられている。このPMOSトランジスタ14は、ドライブ回路3により駆動される。
図5は、図2に対応したタイミングチャートを示している。図5に示すように、PMOSトランジスタ14のゲート電圧Vgがしきい値電圧Vthよりも低下すると(図5の(5))、PMOSトランジスタ14はオンし、通電電流ImがPMOSトランジスタ14、モータ6を通じて流れる。このとき、コンデンサC1の蓄積電荷がPMOSトランジスタ14を通じて放電され、ノードN4の電圧Vkは時間に比例して徐々に上昇する。
この後、PMOSトランジスタ14のゲート電圧Vgがしきい値電圧Vth以上になると(図5の(6))、PMOSトランジスタ14はオフし、電流Imが還流ダイオード7に回生する。このとき、コンデンサC1に電荷が蓄積されるため、ノードN4の電圧Vkは時間に比例して徐々に下降する。この後は、同様な電圧変動が繰り返される(図5の(7)(8))。したがって、微分回路8はこの電圧変動を検出でき、前述実施形態と同様に過電流判定回路11は過電流であるか否かを判定することができる。
このような実施形態においても前述実施形態とほぼ同様の作用効果を奏する。
このような実施形態においても前述実施形態とほぼ同様の作用効果を奏する。
(第3の実施形態)
図6は、本発明の第4の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、微分回路に代えて、A/D変換回路を適用して構成したところにある。前述実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
図6は、本発明の第4の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、微分回路に代えて、A/D変換回路を適用して構成したところにある。前述実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
この図6に示すように、微分回路8に代えてA/D変換回路15が形成されている。このA/D変換回路15は、ノードN4の電圧Vkを直接検出し、ノードN4の電圧の変動成分信号を過電流判定回路11に代わる過電流判定回路16に与えるもので、過電流判定回路16は、A/D変換回路15の出力デジタル信号を検出すると、前述のノードN4の電圧の微分成分に基づいて過電流であるか否かを判定する。このような実施形態でも前述と同様の作用効果を奏する。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。
コンパレータ9は必要に応じて設ければ良い。
ローパスフィルタ5はπ型のローパスフィルタに限らず、コンデンサ、コイルを複数段に設けてもよい。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。
コンパレータ9は必要に応じて設ければ良い。
ローパスフィルタ5はπ型のローパスフィルタに限らず、コンデンサ、コイルを複数段に設けてもよい。
スイッチング素子として、NチャネルMOSトランジスタ、PチャネルMOSトランジスタ(LDMOSトランジスタ)に適用したが、他のFET、バイポーラトランジスタ,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などでも良い。
負荷はモータに限ることなく、その他例えばコイルやランプなど、誘導性の負荷をPWM制御するものであれば適用が可能である。
負荷はモータに限ることなく、その他例えばコイルやランプなど、誘導性の負荷をPWM制御するものであれば適用が可能である。
図面中、1、13は負荷駆動制御回路、2は制御回路、3はドライブ回路、4はNMOSトランジスタ(スイッチング素子)、5はローパスフィルタ、6はモータ(負荷)、7は還流ダイオード、8は微分回路、9、10はコンパレータ、11、16は過電流判定回路(第1判定手段、第2判定手段)、12は過電流保護回路、14はPMOSトランジスタ(スイッチング素子)、15はA/D変換回路、C1はコンデンサ(容量性リアクタンス)、C2〜C4はコンデンサ、L1はコイル(誘導性リアクタンス)を示す。
Claims (3)
- 2つの電源ノード間に誘導性負荷と共に直列接続されるスイッチング素子にPWM信号を印加して前記誘導性負荷を駆動制御する場合に、前記スイッチング素子を過電流から保護する過電流保護回路であって、
前記スイッチング素子および前記誘導性負荷間の共通接続ノードと前記2つの電源ノードのうち前記負荷接続側の所定ノードとの間に直列接続されたPWM高調波ノイズ除去用の誘導性リアクタンスと、
前記スイッチング素子に並列接続されたノイズ除去用の容量性リアクタンスと、
前記所定ノードから前記誘導性リアクタンスおよび前記容量性リアクタンスを介して接続され当該リアクタンス成分によってノイズ除去された後の信号を微分した微分成分に基づいて前記スイッチング素子に通ずる電流が過電流であるか否かを判定する第1判定手段とを備えたことを特徴とする過電流保護回路。 - 前記スイッチング素子および前記誘導性負荷間の共通接続ノードの電圧と予め定められた所定電圧とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの比較結果に基づいて前記スイッチング素子に通ずる電流が過電流であるか否かを判定する第2判定手段とを備えたことを特徴とする請求項1記載の過電流保護回路。 - 前記誘導性リアクタンスおよび前記容量性リアクタンスは、π型のローパスフィルタを構成することを特徴とする請求項1または2記載の過電流保護回路。
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