JP2010114388A - ウインドウ型半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体パッケージは、主に1つの基板、基板に貼り付ける一主面を有する1つのチップ、チップと基板の基板コア層とを接着する1つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び1つのモールド封止体を含む。基板のスロットの一端にチップ寸法を超える1つのモールド流入口を形成し、二個、または、これより多いモールド流れ障害物は、基板コア層上に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更に、モールド流入口の両側に僅かに突出するためモールド流れによる衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗してモールド流入口に剥離現象の発生を避けると共に、ダイアタッチング間隙を維持することも可能である。
【選択図】図1
Description
本発明のもう1つの目的は一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供し、このようなパッケージは一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、ダイアタッチング層の溢れ現象を改善するウインドウ型半導体パッケージを提供することにある。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物は1つの半田マスク層の一部になってもよいが、相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物との間の間隙はスロットの幅より小さくならなくてもよい。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物との外形を細長状にしてもよい、ダイアタッチング区域内にある第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の部位はスロットの両反対側縁に沿う1つの長さを有し、この長さは、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位の長さより長くなり、そして、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の1つの幅よりも長くなる。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、基板は更に複数のボールパッドと1つの下半田マスク層を含み、複数のボールパッドは基板コア層の下表面に設置され、下半田マスク層は基板コア層の下表面に形成されて複数のボールパッドを露出する。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、複数の支持バンプは第一モールド流れ障害物及び第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になってもよい、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、ダイアタッチング区域の1つの縁部にある複数の周辺スロットに複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は基板コア層の上表面に付着する。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、複数の支持バンプと複数の支持突起棒はダイアタッチング区域に僅かに突出してもよい。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、基板コア層は更に複数の応力釈放孔を有し、ダイアタッチング区域には複数の応力釈放孔に照準を合わせる複数の隅部を有する。
第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位を介しモールド流れの衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗し、且つモールド封止体のシリコン充填物や固体顆粒に傷つけられることを減らしてモールド流入口に剥離現象の発生及びダイアタッチング層の変形を改善している。
第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物がダイアタッチング区域内にある部位は一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、それにより、ダイアタッチング層の溢れ現象を改善している。
実施例において、図3に示すように、第一モールド流れ障害物211と第二モールド流れ障害物212はチップ230の主面231に接触することができるが、限定されることがない。
Claims (14)
- モールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージであって、
1つの第一モールド流れ障害物と、1つの第二モールド流れ障害物と、1つの上表面、1つの下表面と上下表面を貫通する1つのスロットを有し、この上表面に1つのダイアタッチング区域を定義し、ダイアタッチング区域を超えるスロットの一端に1つのモールド流入口を形成し、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物は基板コア層の上表面に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更にモールド流入口の両側に突出する基板コア層とを有する1つの基板と、
1つの主面と該主面上に設置される複数の電極を有し、主面の寸法はダイアタッチング区域と対応する1つのチップと、
前記チップの主面を前記基板の前記基板コア層の上表面に貼り付け、且つ前記チップの電極群をスロットの内に照準合わせる1つのダイアタッチング層と、
前記スロットを通過して前記チップの電極群を基板に電気的に接続させる複数のボンディングワイヤと、
前記基板コア層の上表面に形成され、モールド流入口から前記スロット内に充填してボンディングワイヤ群を密封する1つのモールド封止体を備えることを特徴とするウインドウ型半導体パッケージ。 - 前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物は1つの半田マスク層の一部になってもよいが、相互連結されなくそれぞれ独立に設置され、ることを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物との間の間隙はスロットの幅より小さくならないことを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記基板コア層の上表面にて前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物が覆った面積は10%より大きくならないことを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物との外形を細長状にし、前記ダイアタッチング区域内にある前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の部位はスロットの両反対側縁に沿う1つの長さを有し、この長さは、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位の長さより長くなり、そして、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の1つの幅よりも長くなることを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物はチップの主面と接触することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記基板は更に複数のボールパッドと1つの下半田マスク層を含み、ボールパッド群は前記基板コア層の下表面に設置され、下半田マスク層は基板コア層の下表面に形成されてボールパッド群を露出することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記ダイアタッチング区域を超えるスロットの他端に1つのモールド流出口を形成し、このモールド流出口の両側に複数の支持バンプを設置し、この複数の支持バンプは前記基板コア層の上表面に付着することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記複数の支持バンプは前記第一モールド流れ障害物及び前記第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になり、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置されることを特徴とする請求項8に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記スロットを1つの中央スロットにし、前記基板コア層は更に上下表面を貫通する複数の周辺スロットを有することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記ダイアタッチング区域の1つの縁部にある複数の周辺スロットに複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は前記基板コア層の上表面に付着することを特徴とする請求項10に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記複数の支持突起棒は前記第一モールド流れ障害物及び前記第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になり、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置されることを特徴とする請求項11に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記ダイアタッチング区域を超える前記スロットの他端に1つのモールド流出口を形成し、このモールド流出口の両側に複数の支持バンプを設置し、この複数の支持バンプは前記基板コア層の上表面に付着し、且つ該スロットを1つの中央スロットにし、前記基板コア層は更に上下表面を貫通する複数の周辺スロットを有し、ダイアタッチング区域の1つの縁部にある周辺スロット群に複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は前記基板コア層の上表面に付着し、且つ前記複数の支持バンプと前記複数の支持突起棒は前記ダイアタッチング区域に突出することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
- 前記基板コア層は更に複数の応力釈放孔を有し、前記ダイアタッチング区域にはこの応力釈放孔群に照準を合わせる複数の隅部を有することを特徴とする請求項1に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
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