JP2010114271A - 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置10において、上下方向のみに移動可能なシャワーヘッド22は、ウエハWにドライエッチング処理が施されるチャンバ11内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系(処理ガス受入部27を含む)と、処理ガス受入部27及び該処理ガス受入部27との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元34を接続して処理ガス供給元34から処理ガス導入系へ処理ガスを供給する処理ガス供給管35とを備え、処理ガス供給管35は、処理ガス供給元34に接続された第1のベローズ35aと、処理ガス受入部27に接続された第2のベローズ35cと、第1のベローズ35a及び第2のベローズ35cの間に介在する金属管35bとを有する。
【選択図】図1
Description
10 基板処理装置
11 チャンバ
12 サセプタ
22 シャワーヘッド
27 処理ガス受入部
32 延出管
34 処理ガス供給元
35 処理ガス供給管35
35a 第1のベローズ
35b 金属管
35c 第2のベローズ
Claims (5)
- 所定の一方向のみに移動可能な可動ガス導入構造物であって、
清浄雰囲気下で基板に所定の処理が施される処理室内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系と、
該処理ガス導入系及び少なくとも前記処理ガス導入系との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元を接続して前記処理ガス供給元から前記処理ガス導入系へ前記処理ガスを供給する処理ガス供給管とを備え、
前記処理ガス供給管は、前記処理ガス供給元に接続された第1の可屈曲部と、前記処理ガス導入系に接続された第2の可屈曲部と、前記第1の可屈曲部及び前記第2の可屈曲部の間に介在する非屈曲管部とを有することを特徴とする可動ガス導入構造物。 - 前記第1の可屈曲部及び前記第2の可屈曲部はベローズからなることを特徴とする請求項1記載の可動ガス導入構造物。
- 前記処理室は円筒形状を呈し、前記処理ガス供給管の長さは少なくとも前記処理室の半径以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の可動ガス導入構造物。
- 所定の一方向のみに移動可能な可動ガス導入構造物と、
内部において清浄雰囲気下で基板に所定の処理が施される処理室とを備え、
前記可動ガス導入構造物は、前記処理室内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系と、該処理ガス導入系及び少なくとも前記処理ガス導入系との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元を接続して前記処理ガス供給元から前記処理ガス導入系へ前記処理ガスを供給する処理ガス供給管とを有し、
前記処理ガス供給管は、前記処理ガス供給元に接続された第1の可屈曲部と、前記処理ガス導入系に接続された第2の可屈曲部と、前記第1の可屈曲部及び前記第2の可屈曲部の間に介在する非屈曲管部とを有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理室内部に配置されて前記基板を載置するとともに、高周波電源が接続されて高周波電力印加電極として機能する載置台をさらに備え、
前記可動ガス導入構造物は前記載置台に対して接近、離脱自在であり、前記載置台に対向するように配置されて対向電極として機能することを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100043975A1 (en) * | 2008-06-11 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Limited | Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same |
JP2012099715A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101385587B1 (ko) * | 2012-01-02 | 2014-04-16 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8039052B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-10-18 | Intermolecular, Inc. | Multi-region processing system and heads |
JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5902896B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2016-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101881894B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
JP2015090916A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10403515B2 (en) * | 2015-09-24 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Loadlock integrated bevel etcher system |
DE102016200506B4 (de) * | 2016-01-17 | 2024-05-02 | Robert Bosch Gmbh | Ätzvorrichtung und Ätzverfahren |
KR102580523B1 (ko) * | 2017-06-21 | 2023-09-20 | 피코순 오와이 | 기판 프로세싱 장치 및 방법 |
KR102516885B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-03-30 | 삼성전자주식회사 | 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61289633A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルチユ−ブ |
JPH03292731A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0722343A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2002184702A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003137200A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Nippon Sanso Corp | 宇宙環境試験装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE628052A (ja) * | 1962-03-15 | |||
DE3540628C2 (de) * | 1984-11-16 | 1994-09-29 | Sony Corp | Herstellen eines Epitaxiefilms durch chemische Dampfabscheidung |
DE3914065A1 (de) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Leybold Ag | Vorrichtung zur durchfuehrung von plasma-aetzverfahren |
US5962085A (en) * | 1991-02-25 | 1999-10-05 | Symetrix Corporation | Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow |
FR2682047B1 (fr) * | 1991-10-07 | 1993-11-12 | Commissariat A Energie Atomique | Reacteur de traitement chimique en phase gazeuse. |
US5238532A (en) * | 1992-02-27 | 1993-08-24 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching |
JP3452617B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2003-09-29 | 真空冶金株式会社 | ガスデポジション装置 |
US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US5653479A (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-05 | Vlsi Technology, Inc. | Vacuum seal for a ball junction |
JP3662779B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2005-06-22 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6347749B1 (en) * | 2000-02-09 | 2002-02-19 | Moore Epitaxial, Inc. | Semiconductor processing reactor controllable gas jet assembly |
US6328221B1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-12-11 | Moore Epitaxial, Inc. | Method for controlling a gas injector in a semiconductor processing reactor |
JP3667202B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2005-07-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
KR100516844B1 (ko) * | 2001-01-22 | 2005-09-26 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 및 처리 방법 |
JP4186536B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7153772B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-12-26 | Asm International N.V. | Methods of forming silicide films in semiconductor devices |
JP4399206B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-01-13 | 株式会社アルバック | 薄膜製造装置 |
JP4696561B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置及び処理装置 |
US7807222B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-10-05 | Asm International N.V. | Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same |
JP5075793B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 |
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-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61289633A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルチユ−ブ |
JPH03292731A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0722343A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2002184702A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003137200A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Nippon Sanso Corp | 宇宙環境試験装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100043975A1 (en) * | 2008-06-11 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Limited | Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same |
US8568554B2 (en) * | 2008-11-06 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same |
JP2012099715A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101385587B1 (ko) * | 2012-01-02 | 2014-04-16 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100043975A1 (en) | 2010-02-25 |
US8568554B2 (en) | 2013-10-29 |
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