JP2010111621A - 芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機電界発光素子は、基板1上に、透明陽極2、発光層5、陰極3が積層され保護膜4によって構成され、発光30は陰極で反射されたものを含み陽極を透過して透明基板側から観測される。発光層は、窒素に−X1、−X2、−(Ar1−Ar2−Yn)が結合した芳香族アミン化合物を含み、X1、X2は互いに同一又は異なってもよく、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれ、Ar1、Ar2はアリーレン基、Y(n≧1)の少なくとも1つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基であり、残りは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。
【選択図】図1
Description
本発明の芳香族アミン化合物は、上述の一般式[I]によって示され、上述の一般式(1)〜(44)から選択される2価の基Ar1と、上述の一般式(45)〜(69)から選択され、上述の一般式[a]で示される1価の基との結合によって与えられる化合物である。
Ar1は、上述の一般式(1)〜(44)から選ばれた基であり、上述の一般式[a]で示される1価の基は、上述の一般式(45)〜(69)から選ばれた基である。
上述の一般式[a]で示される基は、上述の一般式(45)〜(69)から選ばれた基であり、この選ばれた基の有するRm(mは456から732の範囲の整数)から選ばれた少なくとも1つは、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのRm(mは456から732の範囲の整数は、ヒドロ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいアントラニルオキシ基から選ばれた基である。
(45):フェニル基、(46):1−ナフチル基、(47):2−ナフチル基、(48):1−アントリル基、(49):2−アントリル基、(50):9−アントリル基、(51):4−フェナントリル基、(52):3−フェナントリル基。
上述の一般式(1)〜(44)から選ばれたAr1の有するRk(kは1から453の範囲の整数)、上述の一般式(45)〜(69)から選ばれた1価の基の有するRm(mは456から732の範囲の整数)、及び、Ar2の置換基Yはそれぞれ、次に示す基から選ばれた基である。なお、Ar2の置換基Yの少なくとも1つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基であるものとする。
本発明の有機電界発光素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機層とを有し、有機層の少なくとも一層が、上述の一般式[I]によって示される芳香族アミン化合物の少なくとも1種類、及び、アントラセン誘導体化合物の少なくとも1種類を含む混合層である。
る。
[透過型有機電界発光素子の構成例]
図1は、本発明の実施の形態における、透過型有機電界発光素子40Aの構成例を説明する要部概略断面図である。
図2は、本発明の実施の形態における、反射型有機電界発光素子40Bの構成例を説明する要部概略断面図である。
図3は、本発明の実施の形態における、シングルへテロ型の有機電界発光素子40Cの構成例を説明する要部概略断面図である。
図4は、本発明の実施の形態における、ダブルへテロ型の有機電界発光素子40Dの構成例を説明する要部概略断面図である。
図5は、本発明の実施の形態における、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平面ディスプレイの構成例を説明する図である。
図6は、本発明の実施の形態における、薄膜トランジスタ駆動による上面発光(トップエミッション)素子の構成例を説明する要部概略断面図である。
本発明の芳香族アミン化合物の好ましい例として、次に示す化合物(71)、化合物(77)の第三アミン化合物を挙げることができる。
本発明による化合物(71)及び化合物(77)の合成スキームの例を次に説明する。
図7は、本発明の実施の形態における、化合物(71)の合成スキーム例を説明する図である。
図8は、本発明の実施の形態における、化合物(77)の合成スキーム例を説明する図である。
にて長時間攪拌し反応させた後、析出した固体をろ別する。粗結晶をアセトニトリルで洗浄して、化合物(80)のエポキシ環を開環させたオレンジ色結晶の化合物(81)を得る。
[有機電界発光素子(その1)]
先ず、化合物(71)、下記のホスト化合物(84)を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。
ガラス基板上に真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で、化合物(71)とホスト化合物(84)の混合膜(共蒸着膜、厚さ25nm)を形成した。
第一の正孔輸送層と第二の正孔輸送層によって構成された正孔輸送層層10(図4を参照。)と、化合物(71)とホスト化合物(84)の混合層(共蒸着膜)からなる発光層を有する、図4に示すダブルヘテロ構造透過型有機電界発光素子を作製した。
以上のようにして作製した有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図9と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。
次に、化合物(77)、下記のホスト化合物(85)を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。
ガラス基板上に真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で、化合物(77)とホスト化合物(85)の混合膜(共蒸着膜、厚さ30nm)を形成した。
第一の正孔輸送層と第二の正孔輸送層によって構成された正孔輸送層層10(図4を参照。)と、化合物(77)とホスト化合物(85)の混合層(共蒸着膜)からなる発光層を有する、図4に示すダブルヘテロ構造透過型有機電界発光素子を作製した。第一の正孔輸送層はm−MTDATA、第ニの正孔輸送層はα−NPDである。
以上のようにして作製した有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図9と同様の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。
次に、化合物(71)、下記のホスト化合物(86)を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。
ガラス基板上に真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で、化合物(71)とホスト化合物(86)(ADNの慣用名で知られている。)の混合膜(共蒸着膜、厚さ25nm)を形成した。
有機電界発光素子(その1)において、発光層を、化合物(71)とホスト化合物(86)の比率が30%:70%となるように、正孔輸送層に接して厚さ35nmで共蒸着し、その他は有機電界発光素子(その1)と同様にして、ダブルヘテロ構造透過型の有機電界発光素子を作製した。
上述のようにして作製された有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図17と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。
次に、化合物(77)、ホスト化合物(86)を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。
ガラス基板上に真空蒸着法により10-4Pa以下の真空下で化合物(77)とホスト化合物(86)の混合膜(共蒸着膜、厚さ25nm)を形成した。
有機電界発光素子(その1)において、発光層を、化合物(77)とホスト化合物(86)の比率が5%:95%となるように、正孔輸送層に接して厚さ50nmで共蒸着し、更に、電子輸送層としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)を発光層に接して20nm蒸着し、その他は有機電界発光素子(その1)と同様にして、ダブルヘテロ構造透過型の有機電界発光素子を作製した。
上述のようにして作製された有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図21と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。
本発明による化合物(71)及び化合物(77)の合成例を、図7に従って以下に説明する。
化合物(71):
化合物A1(C7H4BrN、4−ブロモフェニルイソシアニド、p-bromo-tolucyanide)48.0g(0.24mol)と化合物A2(C9H9N、p−メチルベンジルシアニド、p-xylylcyanide)96.4g(0.73mol)を、Et2O(無水エチルエーテル)1.5Lに溶解した。ヨウ素(I2)249g(0.98mol)を加えた。続いて、反応液を氷浴上で15℃に保ちつつ、NaOMe(ナトリウムメトキシド)106g(1.96mol)のMeOH(メタノール)溶液500mLを滴下し、30分間攪拌した。析出結晶をろ別し、MeOHで洗浄後、化合物(72)の他に副生成物を含む粗体95.2gを得た。
化合物(72)を含む粗体93.5gをtoluene(トルエン)19Lに溶解し、ヨウ素(I2)5g(19.7mmol)を添加した。反応溶液に酸素を通気させ、攪拌しながら2日間紫外線を照射した。反応液を半分に濃縮し、析出結晶をろ別した。粗結晶をシリカゲルクリマトグラフィー(溶出液:toluene)にて精製し、化合物(73)の他に副生成物を含む祖体17gを得た。
化合物A3(6-bromonaphthol、C10H7BrO、6−ブロモ−ナフタレン−2−オール)29.6g(0.13mol)の dichloromethane(CH2Cl2、ジクロロメタン)溶液450mLに、2,6-Lutidine(C7H9N、2,6−ルチジン、2,6−ジメチルピリジン)28.4g(0.26mol)と trifluoromethanesulfonic acid(CF3SO3H、トリフルオロメタンスルホン酸)44.4g(0.16mol)を添加し、35℃で1時間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:toluene)にて精製し、化合物(74)46.0g(収率98%)を得た。
化合物(74)45.0g(0.13mol)、N-phenyl-2-naphthylamine 27.9g(0.13mol)、Pd(OAc)2 0.70g(3.1mmol)、化合物A4(tri-tert-phenylphosphine、C16H13N、N−フェニル−2−ナフチルアミン、2−アニリノナフタレン)2.85g(14.1mol)、Na(O-tert-Bu)(ナトリウムtert−ブトキシド)14.7g(0.15mol)、及び、xylenes 418mLを、Arガス流下で、混合して120℃で2時間攪拌した。反応液に水を加えて分液し、有機層を減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:toluene)で精製し、化合物(75)53.9g(収率86%)を得た。
化合物(75)40.5g(0.082mol)、化合物A5(C12H24B2O4、bis(pinacolate)diboron、ビスピナコラートジボロン)25.0g(0.098mol)、PdCl2(dppf)(C34H28FeP2・PdCl2、ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン、bis(diphenylphosphino)ferrocene))dichloropalladium)3.9g(5.3mmol)、dppf(C34H28FeP2、ジフェニルフォスフィノフェロセン)1.4g(2.5mol)、K(OAc)2(酢酸カリウム)24.3g(0.25mol)、及び、1,4-dioxane(C4H8O2)486mLを混合して、Arガス流下で、一晩還流し反応させた。反応液を減圧乾燥し粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:toluene/hexane=2/3〜2/1)で精製し、化合物(76) 25.0g(収率65%)を得た。
化合物(76)13.0g(27.6mol)、化合物(73)を約35%含む粗体16g、Pd(PPh3)4(Pd[P(C6H5)3]4、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0))1.8g(1.6mmol)、1MNa2CO3(炭酸ナトリウム)96mL、ethyleneglycol(MeOCH2CH2OMe、1,2−ジメトキシエタン)、dimethyl ether(C2H6O、DME、ジメチエーテル)113mLを混合して、Arガス流下で、一晩還流し反応させた。反応液を減圧乾燥し粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:toluene)で精製し、化合物(71)を含む粗体21gを得た。昇華精製により化合物(71)の純品3.0g(5.1mmol)を得た(昇華後の収率18%)。
化合物(77):
図8に示す化合物(78)は、図7に示す化合物(75)と同様の方法にて合成した。
図8に示す化合物(79)は、図7に示す化合物(76)と同様の方法にて合成した。
暗室にてオイル除去した60%NaH(水素化ナトリウム)18.0g(0.45mol)と、脱水DMSO(C2H6OS、ジメチルスルホキシド)(1.2L)と、化合物B2(C14H7Cl2、2−クロロ−9,10−アントラキノン)48.5g(0.20mol)を混合した。この混合液に、アルゴン雰囲気下で、Me3S+I-(C3H9S+I-(トリメチルヨード硫黄(IV)、trimethyliodosulfur(IV)))91.8.0g(0.45mol)の脱水DMSO溶液(0.8L)を27℃以下で1時間をかけて滴下した。25℃で3時間攪拌後、氷水4Lに注ぎ、終夜攪拌した。酢酸エチルを加え分液した。有機層を水、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下濃縮して、化合物B2をエポキシ化(epoxidization)させて化合物(エポキシド)(80)の粗液体52,8gを得た(収率97%)。なお、C3H9S+I-は、C3H9S+(トリメチルスルホニウム、trimethylsulfonium)とI-の塩である。
LiBr(臭化リチウム)84.7g(0.98mol)の acetonitrile(C2H3N、アセトニトリル)溶液(2.0L)に、暗室にてアルゴン雰囲気下で、化合物(80)52.8g(0.20mol)を加えた。60℃にて18時間攪拌し反応させた後、析出した固体をろ別した。粗結晶をアセトニトリルで洗浄して、化合物(80)のエポキシ環を開環させたオレンジ色結晶の化合物(81)57.3gを得た。
化合物(81)54.1g(0.2mol)の脱水DMSO溶液(400mL)に、37℃以下、アルゴン雰囲気下で、NEt3(C6H15N、トリエチルアミン)40/5g(0.4mol)と Pyridine:SO3錯体(C5H5N・SO3、ピリジン・三酸化硫黄錯体、Pyridine-Sulfur Trioxide Complex、sulfur trioxide・pyridine salt)63.7g(0.4mol)を加えた。2時間攪拌後、水に注ぎ、析出物をろ過し、この析出物を、再度、水中で懸濁させ攪拌後、ろ過した。次に、メタノール中で懸濁させ攪拌後、ろ過し、オレンジ色結晶の化合物(82)30.8g(収率57%)を得た。
NaOAc(酢酸ナトリウム)18.0g(0.22mol)のHOAc(AcはCH3COを示し、HOAcは酢酸である。)溶液(300mL)に、NH4OH・HCl(塩酸ヒドロキシアンモニウム)15.3g(0.22mol)と化合物(82)26.9g(0.10mol)を加えて27時間還流し反応させ、冷却後、水に注ぎ、結晶をろ過した。得られた結晶粗体を、水とメタノールで順に洗浄した後、シリカゲルカラム(溶出液:熱トルエン)で精製し、得られた粗精製固体15.0gをTHF(C4H8O、テトラヒドロフラン、tetrahydrofuran)で複数回再結晶して鮮黄色結晶の化合物(83)2.2g(収率8.4%、純度98.7%)を得た。
化合物(79)3.80g(8.07mmol)、化合物(83)2,12g(8.07mmol)、Pd(PPh3)4(Pd[P(C6H5)3]4、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0))0.28g(0.24mmol)、Na2CO3(炭酸ナトリウム)1.71g(16.1mmol)、DME(MeOCH2CH2OMe、1,2−ジメトキシエタン)(76mL)を混合し、Arガス流下で、22時間還流して反応させた。反応液を減圧乾燥し、得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:熱トルエン)で精製し、赤色の粗体4.3g(収率93%)を得た。これを昇華精製し、化合物(77)の純品を得た。
図29は、本発明の実施例における、アントラセン誘導体化合物からなるホスト化合物の合成スキーム例を説明する図であり、図29(A)は下記のホスト化合物(84)、図29(B)は下記のホスト化合物(87)、図29(C)は下記のホスト化合物(88)の合成スキーム例を説明する図である。
図29(A)に従って、ホスト化合物(84)の合成について説明する。
アリールボロン酸とハロゲン化アリールを塩基存在下で、Pd触媒を用いてビアリールを生成させるすずきカップリング反応によって、化合物(90)を合成する。化合物C1(C10H9BO2、1−ナフチルボロン酸、(1-naphthyl)boronic acid)12.8g(74.7mmol)、化合物C2(C14H9Br、9−ブロモアントラセン、9-bromoanthracene)12.8g(49.8mmol)、Pd(PPh3)4(Pd[P(C6H5)3]4、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0))1.15g(0.996mmol)、飽和重炭酸ナトリウム(NaHCO3)、sodiumbicarbonate)水溶液150mL、EtOH(エチルアルコール)100mL、及び、THF(C4H8O、テトラヒドロフラン、tetrahydrofuran)400mLを混合して、攪拌しつつ窒素にて3回雰囲気置換した後に、75℃で14時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層を硫酸ナトリウム(Na2SO4、sodium sulfate)上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をアルミナクロマトグラフィー(溶出液:Toluene〜Toluene/THF=20/1)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(90)(C24H16、9−(1−ナフチル)アントラセン、9-(1-naphthyl)anthracene)14.2g(収率94%)を得た。
化合物(90)14.2g(46.7mmol)をクロロベンゼン(C6H5Cl、chlorobenzene)400mLと(C3H3NO、ジメチルホルムアミド、DMF、dimethylformamide)50mLの混合溶媒に溶解し、N−ブロモスクシンイミド(C4H4BrNO2、N-bromosuccinimide(NBS))9.0g(50.7mmol)を添加して、85℃で3時間攪拌した。反応液を冷却後、アルミナクロマトグラフィー(溶出液:Toluene)にて精製し、溶出液を減圧濃縮して析出結晶をろ別し、EtOHで洗浄して化合物(91)14.7g(収率82%)を得た。
化合物(91)4.17g(10.8mmol)、化合物C3(C12H11BO2、2−ビフェニルボロン酸、2-bromobiphenylboronic acid,2-Biphenylboronic acid)2.80g(14.1mmol)、Pd(PPh3)4(Pd[P(C6H5)3]4、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム)0.624g(0.540mmol)、飽和重炭酸ナトリウム(NaHCO3)水溶液100mL、EtOH 50mL、及び、THF(テトラヒドロフラン)100mLを混合して、攪拌しつつ窒素にて3回雰囲気置換した後に、75℃で5時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層を硫酸ナトリウム(Na2SO4)上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/20)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(84)1.49g(収率30%)を得た。10-5Torrの真空下、280℃で4.44gから昇華精製して化合物(84)3.67gを得た。
図29(B)に従って、ホスト化合物(87)の合成について説明する。
化合物D1(C7H6BNO2、3−シアノフェニルボロン酸、3-cyanophenylboronic acid)15.5g(0.119mol)、化合物D2(C6H4Br2、1,2−ジブロモベンゼン、1,2-dibromobenzene)46.3g(0.178mol)、Pd(PPh3)4(Pd[P(C6H5)3]4、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム)6.88g(5.96mmol)、炭酸ジセシウム(Cs2CO3、carbonic acid dicesium)47.35g(0.145mol)、DMA(C4H9NO、ジメチルアセトアミド、dimethylacetamide)300mL、Acetonitrile 100mL、及び、THF 400mLを混合して、攪拌しつつ窒素にて3回雰囲気置換した後に、75℃で18時間攪拌した。反応液から不溶物をろ別し、飽和食塩水を加えて分液し、有機層をNa2SO4上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/10〜1/2)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(22)(C13H8NBr、2’−ブロモ−1,1’−ビフェニル−3−カルボ二トリル、2'-bromo-1,1'-biphenyl-3-3carbonitrile)8.31g(収率27%)を得た。
窒素気流下、化合物(92)8.31g(32.2mmol)、化合物A5(ビスピナコラートジボロン、Bis(pinacolate)diboron)12.7g(35.4mmol)、PdCl2(dppf)(ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン)2.63g(3.22mmol)、dppf(ジフェニルフォスフィノフェロセン)1.79g(3.22mmol)、K(OAc)2(酢酸カリウム)6.32g(64.4mmol)、及び、DMSO(ジメチルスルホキシド)400mLを混合して100℃で14時間攪拌した。反応液から不溶物をろ別し、飽和食塩水を加えて分液し、有機層をNa2SO4上で乾燥したのち減圧濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/20〜Toluene/THF=250/1)で精製し、化合物(23)の粗体6.48gを得た(収率〜66%)。
化合物(91)3.67g(9.55mmol)、化合物(93)4.48g(14.7mmol)、Pd(PPh3)4(テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、)0.552g(0.355mmol)、飽和NaHCO3水溶液250mL、EtOH50mL、及び、Toluene 400mLを混合して、攪拌しつつ窒素にて3回雰囲気置換した後に、80℃で16時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をNa2SO4上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/20〜1/1)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(18)1.42g(収率32%)を得た。10-5Torrの真空下、240℃で昇華精製して1.12gを得た。
図29(C)に従って、ホスト化合物(88)の合成について説明する。
1Mの iso-PrMgBr(イソプロピルマグネシウムブロミド、iso-Propylmagnesium bromide)500mL(0.50mol)を dry THF(テトラフラン)300mLで希釈し、氷浴上で化合部E1(C14H10O、アントロン、anthrone)25.0g(129mmol)の dry THF溶液100mLを滴下し、30分攪拌した。次に、再度0℃に冷却して1.6MのH2SO4 100mL(160mmol)を添加して徐々に昇温した後に15時間還流した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をNa2SO4上で乾燥した後、減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/40)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(95)(C17H14、9−イソプロピル−アントラセン、9-isopropyl-anthracene)24.5g(二段階収率86%)を得た。
化合物(95)31.1g(141mmol)をクロロベンゼン(Chlorobenzene)700mLとDMF(ジメチルホルムアミド)100mLの混合溶媒に溶解し、N−ブロモスクシンイミド(N-bromosuccinimide(NBS))27.7g(155mmol)を添加して70℃で3時間攪拌した。反応液を冷却後、アルミナクロマトグラフィー(溶出液:Toluene)、続いてシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/20)にて精製し、溶出液を減圧濃縮してワックス状の化合物(96)(C17H13Br、9−イソプロピル−10−ブロモアントラセン、9-isopropyl-10-bromoanthracene)24.3g(収率57%)を得た。
化合物(96)1.00g(3.34mmol)、化合物C3(2−ビフェニルボロン酸)0.500g(2.52mmol)、Pd(PPh3)4(テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、)0.200g(0.173mmol)、飽和NaHCO3水溶液50mL、EtOH10mL、及び、Toluene 80mLを混合して、攪拌しつつ窒素にて3回雰囲気置換した後に、80℃で48時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をNa2SO4上で乾燥した後、減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液:Toluene/Hexane=1/20〜1/1)で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物(88)0.137g(収率11%)を得た。10-5Torrの真空下、2.28gを230℃で昇華精製して化合物(88)1.94gを得た。
6、10…正孔輸送層、7、12…電子輸送層、11…発光層、16…障壁、
17…薄膜トランジスタ、18…平坦化層、19…ドレイン電極、
20、22…層間絶縁膜、21…半導体層、23…ゲート電極、24…ソース電極、
25、26…配線、27…絶縁膜、30…発光、34…輝度信号回路、35…制御回路、
40A…透過型有機電界発光素子、40B…反射型有機電界発光素子、
40C…シングルへテロ構造の有機電界発光素子、
40D…ダブルへテロ構造の有機電界発光素子
Claims (16)
- X1、X2に関し、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が1以上、12以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が1以上、12以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり置換基を有してもよく、Ar1は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり置換基を有してもよく、Ar2は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり、Yに関して、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が1以上、12以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が1以上、12以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が6以上、25以下であり置換基を有してもよい、請求項1に記載の芳香族アミン化合物。
- 前記一般式[I]において、X1、X2は、互いに同一又は異なるアリール基であり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基から選ばれた置換基を有してもよく、Ar1は下記一般式(1)〜(44)から選ばれた基であり、下記一般式[a]で示される基は、下記一般式(45)〜(69)から選ばれた基であり、この選ばれた基の有するRm(mは456から732の範囲の整数)から選ばれた少なくとも1つは、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのRm(mは456から732の範囲の整数)、及び、選ばれたAr1の有するRk(kは1から453の範囲の整数)はそれぞれ、ヒドロ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいアントラニルオキシ基から選ばれた基である、請求項2に記載の芳香族アミン化合物。
一般式[a]:
- 選ばれたAr1の有するRk(kは1から453の範囲の整数)の全てがヒドロ基であり、前記一般式[a]で示される基から選ばれた基の有するRm(mは456から732の範囲の整数)の2つが、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基である、請求項3に記載の芳香族アミン化合物。
- 陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機層と
を有し、前記有機層の少なくとも一層が、請求項1から請求項6の何れか1項に記載の芳香族アミン化合物の少なくとも1種類をドーパント材料として含んだアミン化合物含有層である、有機電界発光素子。 - 前記有機層は、ホール輸送層と電子輸送層が積層された構造を有する、請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 少なくとも前記ホール輸送層が前記アミン化合物含有層である、請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 少なくとも前記電子輸送層が前記アミン化合物含有層である、請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機層は、ホール輸送層、発光層、及び、電子輸送層が積層された構造を有する、請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 少なくとも前記発光層が前記アミン化合物含有層である、請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層が、前記ドーパント材料とホスト材料とから形成された前記アミン化合物含有層であり、前記ホスト材料がアントラセン骨格を含む化合物である、請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記アミン化合物含有層に含まれる前記ドーパント材料は50%以下である、請求項13に記載の有機電界発光素子。
- 請求項7から請求項14の何れか1項に記載の有機電界発光素子を有する画素が複数
個配置された画素部と、
前記画素部の各画素に印加される電圧のオンオフを制御する制御部と
を有する表示装置。 - 前記制御部はスイッチング素子を含む、請求項15に記載の表示装置。
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