JP2010109148A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010109148A JP2010109148A JP2008279662A JP2008279662A JP2010109148A JP 2010109148 A JP2010109148 A JP 2010109148A JP 2008279662 A JP2008279662 A JP 2008279662A JP 2008279662 A JP2008279662 A JP 2008279662A JP 2010109148 A JP2010109148 A JP 2010109148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- lower layer
- forming
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜12上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜13を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜14を形成し、この中間膜14上にレジスト膜15を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜16を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】被加工膜12上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜13を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜14を形成し、この中間膜14上にレジスト膜15を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜16を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置の製造工程に係るもので、特にウェハ表面上に微細なパターンを形成するためのレジストパターンの形成方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程では、シリコンウェハ上に種々の材料層を形成し、所望のパターンを形成する多くのパターニング工程を含む。この際、まず、レジストと呼ばれる感光性物質を被加工膜上に塗布し、このレジスト膜の所定の領域を露光する。次いで、上記レジスト膜の露光部または未露光部を現像処理により除去してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いて被加工膜をドライエッチングする。
ところで、上記レジスト膜を露光する際の光源としては、スループットの観点からKrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザなどの紫外光が用いられている。しかしながら、LSIの微細化に伴い、要求される解像度がこれらの紫外光の波長より短くなってきており、露光量裕度、フォーカス裕度などの露光プロセス裕度が不足してきているのが実情である。
そこで、従来の露光光源を用いて解像力を向上させる技術として、液浸露光技術(例えば特許文献1参照)が提案されて採用されているが、現状では露光時にウェハの裏面へ液浸水が回り込んでフォーカス精度が悪化する問題が発生している。ウェハの裏面へ液浸水が回り込んでステージに接触すると液浸水の温度が低下し、この温度変化でフォーカス位置がずれる。このため、ウェハの裏面への液浸水の回り込みを防止する対策が望まれている。
特開2006−119292号公報
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供することにある。
本発明の一態様によると、基板上の被加工膜上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜を形成する工程と、前記下層膜をベークする工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をベークする工程と、前記レジスト膜を液浸露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを具備するレジストパターンの形成方法が提供される。
本発明によれば、液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
本実施形態では、シリコンウェハ(シリコン基板)上に形成した被加工膜(例えば金属膜、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜など)上にレジストパターンを形成してパターニングするプロセスを例にとって説明する。しかしながら、本発明の応用例はこれに限定されないのはもちろんである。
本実施形態では、シリコンウェハ(シリコン基板)上に形成した被加工膜(例えば金属膜、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜など)上にレジストパターンを形成してパターニングするプロセスを例にとって説明する。しかしながら、本発明の応用例はこれに限定されないのはもちろんである。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図1及び図2により説明する。図1はプロセスフロー図であり、図2は上記図1のプロセスフロー図に対応する断面構成を示している。
本発明の第1の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図1及び図2により説明する。図1はプロセスフロー図であり、図2は上記図1のプロセスフロー図に対応する断面構成を示している。
まず、被加工膜12が形成されたシリコン基板11上に、フッ素含有ポリマー(フッ素系ポリマー)を含む撥水性添加剤を添加した下層膜13を形成する(ステップ1)。この下層膜13は、例えば膜厚が800Åのカーボン系の膜である。この下層膜13は、被加工膜12のエッチング用のハードマスクとして用いられるもので、被加工膜12の材質に応じてエッチング選択比が高いものを選択する。
次に、上記下層膜13を200℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ2)。
この状態で、例えば上記下層膜13の端部の液浸液に対する表面接触角A1は、フッ素含有ポリマーを含む撥水性添加剤を添加したことで60°以上になり、且つ後退角が70°以上となっている。
次いで、上記下層膜13上にSOGなどの中間膜14を形成した後(ステップ3)、この中間膜14上にArF用ポジ型DUVレジストをスピンコート法により塗布し、膜厚が1000Å程度のレジスト膜15を形成する(ステップ4)。
その後、上記レジスト膜15を125℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ5)。
次に、上記レジスト膜15上にレジスト保護膜16を形成する(ステップ6)。この際、上記レジスト保護膜16は、上記レジスト膜15上に、下層膜13に接しつつこの下層膜13の外周部が露出するように形成すると良い。保護膜16を下層膜13の外周部まで覆うように形成してしまうと、露光処理等のプロセス過程において、外周部の保護膜16が露光装置の基板ステージ周辺に設置された補助板や撥水板と損傷して剥がれてしまう恐れがある。このレジスト保護膜16の表面接触角A2は、例えば72°であり十分に大きい。
次に、液浸ArFエキシマレーザ液浸露光装置にてNA=1.2、ダイポール(dipole)照明の条件で、透過率6%のハーフトーンマスクを用いて、上記レジスト膜15にパターンを露光する(ステップ7)。ここでの露光量は、例えば28mJ/cm2である。
その後、130℃の温度で90秒程度の時間ベーキング処理を行い(ステップ8)、引き続き2.38wt%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて30秒間のパドル現像を行い(ステップ9)、幅が0.05μmのL/S(ラインアンドスペース)パターンを形成する。
そして、上記L/Sパターンを形成したレジスト膜15をマスクにして中間膜14をパターニングし、更に下層膜13をパターニングし、パターニングした下層膜13を用いて被加工膜12をドライエッチングなどにより加工する。
上記のようなレジストパターンの形成方法によれば、撥水性添加剤を添加した下層膜13を形成することで、ベーク後の下層膜13の表面接触角を大きくできるので、ステップ7の液浸露光の際にウェハの裏面への液浸水の回り込みを防止でき、フォーカス精度の悪化を抑制できる。また、レジスト保護膜16の端部をシリコン基板11の外周部まで届かないように下層膜13上に形成することで、基板外周部でレジスト保護膜16が剥がれるのを防止できる。
なお、上記第1の実施形態では、下層膜13上に中間膜14を形成し、この中間膜14上にレジスト膜15を形成する場合を例にとって説明したが、中間膜14を形成せずに下層膜13上にレジスト膜15を形成しても良い。中間膜14を形成しない場合は、下層膜13としてカーボン膜を用いると、レジスト膜15との間に十分なエッチング選択比がとれないので、下層膜13には酸化膜や窒化膜等の通常のハードマスク材を使うと良い。また、液浸液からレジスト膜15を保護するためにレジスト保護膜16を用いたが、レジスト保護膜16は必須ではなく形成しなくても良い。
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図3のプロセスフロー図により説明する。
本発明の第2の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図3のプロセスフロー図により説明する。
まず、被加工膜が形成されたシリコン基板上に、フッ素含有ポリマー(フッ素系ポリマー)を含む撥水性添加剤を添加した下層膜を形成する(ステップ1)。この下層膜は、例えば膜厚が800Åのカーボン系の膜であり、これらに反射防止膜を積層した構造でも良い。
次に、上記下層膜を200℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ2)。
引き続き、被加工膜が形成されたシリコン基板の露出面に対して100℃の温度で30秒程度の時間ヘキサメチルデシラザン(HMDS)処理を行う(ステップ3)。これによって、例えばシリコン基板と被加工膜の端部の液浸液に対する表面接触角をそれぞれ60°以上、上記下層膜の端部の液浸液に対する表面接触角を60°以上で且つ後退角が70°以上にすることが望ましい。
次いで、上記下層膜上にSOGなどの中間膜を形成し(ステップ4)、この中間膜上にArF用ポジ型DUVレジストをスピンコート法により塗布し、膜厚が1000Å程度のレジスト膜を形成する(ステップ5)。
その後、上記レジスト膜を125℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ6)。このベーキング処理後のレジスト膜上にレジスト保護膜を形成する(ステップ7)。この際、上記レジスト保護膜は、上記レジスト膜上に、下層膜に接しつつこの下層膜の外周部が露出するように形成すると良い。
次に、液浸ArFエキシマレーザ液浸露光装置にてNA=1.2、ダイポール照明の条件で、透過率6%のハーフトーンマスクを用いて、上記レジスト膜にパターンを露光する(ステップ8)。ここでの露光量は、例えば28mJ/cm2である。
その後、130℃の温度で90秒程度の時間ベーキング処理を行い(ステップ9)、引き続き2.38wt%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて30秒間のパドル現像を行い(ステップ10)、幅が0.05μmのL/Sパターンを形成する。
そして、上記L/Sパターンを形成したレジスト膜をマスクにして中間膜と下層膜をパターニングし、パターニングした下層膜を用いて被加工膜をドライエッチングなどにより加工する。
上記のようなパターン形成方法によれば、下層膜に撥水性添加剤を添加してこの下層膜の表面接触角を大きくしたのに加えて、シリコン基板と被加工膜にHMDS処理を施して表面接触角を大きくしたので、ステップ8の液浸露光の際にウェハ裏面への液浸水の回り込みを効果的に防止でき、フォーカス精度の悪化を抑制できる。また、レジスト保護膜の端部を基板の外周部まで届かないように下層膜上に形成することで、基板外周部でレジスト保護膜が剥がれるのを防止できる。
なお、上記第2の実施形態では、下層膜上に中間膜を形成し、この中間膜上にレジスト膜を形成する場合を例にとって説明したが、中間膜を形成せずに下層膜上にレジスト膜を形成しても良い。但し、中間膜を形成しない場合は、下層膜にカーボン膜を用いると、レジスト膜との間に十分なエッチング選択比がとれないので、酸化膜や窒化膜等の通常のハードマスク材を使うと良い。また、液浸液からレジスト膜を保護するためにレジスト保護膜を用いたが、レジスト保護膜は必須ではなく形成しなくても良い。
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図4のプロセスフロー図により説明する。
本発明の第3の実施形態に係るレジストパターンの形成方法について図4のプロセスフロー図により説明する。
まず、被加工膜が形成されたシリコン基板上に、フッ素含有ポリマー(フッ素系ポリマー)を含む撥水性添加剤を添加した下層膜を形成する(ステップ1)この下層膜は、例えば膜厚が800Åのカーボン系の膜であり、これらに反射防止膜を積層した構造でも良い。
上記下層膜の形成直後に、フッ素雰囲気中に晒すことにより被加工膜及びシリコン基板の露出面に対してフッ素化処理を施す(ステップ2)。
次に、上記下層膜を200℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ3)。
この状態で、例えばシリコン基板と被加工膜の端部の液浸液に対する表面接触角はそれぞれ60°以上、上記下層膜の端部の液浸液に対する表面接触角は60°以上で且つ後退角は70°以上であることが望ましい。
次いで、上記下層膜上にSOGなどの中間膜を形成し(ステップ4)、この中間膜上にArF用ポジ型DUVレジストをスピンコート法により塗布し、膜厚が1000Å程度のレジスト膜を形成する(ステップ5)。
引き続き、上記レジスト膜を125℃の温度で60秒程度の時間ベーキング処理する(ステップ6)。このベーキング処理後のレジスト膜上にレジスト保護膜を形成する(ステップ7)。この際、上記レジスト保護膜は、上記レジスト膜上に、下層膜に接しつつこの下層膜の外周部が露出するように形成すると良い。
次に、液浸ArFエキシマレーザ液浸露光装置にてNA=1.2、ダイポール照明の条件で、透過率6%のハーフトーンマスクを用いて、上記レジスト膜にパターンを露光する(ステップ8)。ここでの露光量は、例えば28mJ/cm2である。
その後、130℃の温度で90秒程度の時間ベーキング処理を行い(ステップ9)、引き続き2.38wt%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて30秒間のパドル現像を行い(ステップ10)、幅が0.05μmのL/Sパターンを形成する。
そして、上記L/Sパターンを形成したレジスト膜をマスクにして中間膜をパターニングし、更に下層膜をパターニングし、パターニングした下層膜を用いて被加工膜をドライエッチングなどにより加工する。
上記のようなパターン形成方法によれば、下層膜に撥水性添加剤を添加したのに加えて、この下層膜の形成直後に被加工膜とシリコン基板の露出面にフッ素化処理を施すことで表面接触角を大きくできるので、ステップ8の液浸露光の際にウェハ裏面への液浸水の回り込みを効果的に防止でき、フォーカス精度の悪化を抑制できる。また、レジスト保護膜の端部を基板の外周部まで届かないように下層膜上に形成することで、基板外周部でレジスト保護膜が剥がれるのを防止できる。
なお、上記第3の実施形態では、下層膜上に中間膜を形成し、この中間膜上にレジスト膜を形成する場合を例にとって説明したが、中間膜を形成せずに下層膜上にレジスト膜を形成しても良い。但し、中間膜を形成しない場合は、下層膜にカーボン膜を用いると、レジスト膜との間に十分なエッチング選択比がとれないので、酸化膜や窒化膜等の通常のハードマスク材を使うと良い。また、液浸液からレジスト膜を保護するためにレジスト保護膜を用いたが、レジスト保護膜は必須ではなく形成しなくても良い。
上述したように、本発明の各実施形態によれば、露光装置やレジスト材料の大幅な変更を伴うことなく、フォーカス精度の悪化を抑制して良好な形状の微細パターンを形成できる。
なお、上記第2及び第3の実施形態では、下層膜の形成後の後処理をウェハ表面の全面に施す場合を例にとって説明したが、本発明者はウェハの最外周から1cm以内の範囲に限定して施しても良いことを実験により確認した。
また、上記第1乃至第3の実施形態において、本発明者は液浸露光の際、ウェハ裏面への液浸水の回り込みを抑制するには、ベーク後の下層膜の表面接触角が60°以上が好ましく、70°以上であればほとんど問題にならないことを実験により確認した。更に、ベーク後の下層膜の後退接触角は70°以上が好ましいことが分かった。
以上、第1乃至第3の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
11…シリコン基板、12…被加工膜、13…下層膜、14…中間膜、15…レジスト膜、16…レジスト保護膜。
Claims (5)
- 基板上の被加工膜上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜を形成する工程と、
前記下層膜をベークする工程と、
前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をベークする工程と、
前記レジスト膜を液浸露光する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を具備することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記下層膜の形成後かつ前記レジスト膜の形成前に、前記基板又は前記被加工膜に対してヘキサメチルデシラザン処理を行う工程を更に具備することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記下層膜の形成後かつ前記レジスト膜の形成前に、フッ素雰囲気に曝すことにより前記基板又は前記被加工膜のフッ素化処理を施す工程を更に具備することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記レジスト膜を液浸露光する前に、前記レジスト膜上に、前記下層膜に接しつつ前記下層膜の外周部が露出するように、レジスト保護膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記下層膜はカーボン系の膜を含み、前記カーボン系の膜は前記被加工膜のエッチングマスクとして用いられることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008279662A JP2010109148A (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | レジストパターンの形成方法 |
US12/563,954 US8026183B2 (en) | 2008-10-30 | 2009-09-21 | Method of forming a resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008279662A JP2010109148A (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010109148A true JP2010109148A (ja) | 2010-05-13 |
Family
ID=42131950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008279662A Pending JP2010109148A (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8026183B2 (ja) |
JP (1) | JP2010109148A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050167394A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | Wei Liu | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
JP2006186111A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2007019465A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-01-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2007122977A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | イマージョンリソグラフィー用レジスト保護膜材料 |
JP2008209433A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4978594A (en) * | 1988-10-17 | 1990-12-18 | International Business Machines Corporation | Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes |
KR100510558B1 (ko) * | 2003-12-13 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
JP4167642B2 (ja) | 2004-10-20 | 2008-10-15 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
US7435528B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Processes and devices using polycyclic fluoroalkanes in vacuum and deep ultraviolet applications |
-
2008
- 2008-10-30 JP JP2008279662A patent/JP2010109148A/ja active Pending
-
2009
- 2009-09-21 US US12/563,954 patent/US8026183B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050167394A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | Wei Liu | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
JP2006186111A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2007019465A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-01-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2007122977A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | イマージョンリソグラフィー用レジスト保護膜材料 |
JP2008209433A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8026183B2 (en) | 2011-09-27 |
US20100112823A1 (en) | 2010-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8546048B2 (en) | Forming sloped resist, via, and metal conductor structures using banded reticle structures | |
US8268535B2 (en) | Pattern formation method | |
JP2012156454A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびにレジスト塗布装置 | |
JP4302065B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5240297B2 (ja) | パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、並びにレジストパターンの被覆層の形成材料 | |
US20060257749A1 (en) | Method for reducing critical dimension | |
JP5224919B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009016789A (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
JP2010156819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009139695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010109148A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2013021201A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2008066467A (ja) | パターン形成方法 | |
KR100819647B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP2012178394A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに露光装置 | |
JP2010118501A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010287861A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006186020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5527440B2 (ja) | パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR100905193B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP5275085B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20080015378A (ko) | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
JP2009204674A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2000114133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007173609A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121016 |