JP2010098164A - 処理装置及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部領域A内に配置されており、固相化温度が圧力によって変化するガス(塩化アンモニウム)を収容しており、室内の圧力がP1である処理室Bと、処理室Bに取付けられたハウジング6と、ハウジング6の中を通って処理室Bの中に出ている軸部材9と、ハウジング6の中であって軸部材9の周りに設けられており処理室Bと空間的につながっている減圧室Cと、減圧室C内の圧力P2が処理室B内の圧力P1よりも低く(P1>P2)なるように制御するクリアランスシール11とを有する処理装置、例えば半導体製造装置である。
【選択図】図1
Description
さらに、温度制御により副生成物の発生を防止するのではなく、圧力制御により副生成物の発生を防止することにより、ハウジングや軸部材やそれらに付随する要素機器を高温に耐え得る構造にする必要を無くし、その結果として長寿命を達成することを他の目的とする。
P3>P1>P2
であり、前記減圧室と前記外部領域との間にシール手段が設けられており、該シール手段は前記外部領域圧力P3と前記減圧室内圧力P2との圧力差を保持することができる。
t1>t2≧t3
であることが望ましい。この構成により、ハウジング内及びハウジング近傍でガスが固化して付着することを効果的に防止できる。
P3>P1>P2
であり、前記減圧室と前記外部領域との間にシール手段が設けられており、該シール手段は前記外部領域圧力P3と前記減圧室内圧力P2との圧力差を保持することを特徴とする。
本実施形態では、図1の半導体製造装置がCVD(Chemical Vapor Deposition)装置として機能するものとする。この場合、外部領域Aの温度は室温、一般的には20℃〜25℃である。外部領域Aの圧力P3は大気圧、すなわち約100kPaである。
P3>P1>P2
に設定されている。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記実施形態では、処理室B内の圧力が10Paであることを勘案して図3の境界線Lに従ってハウジング6の温度を120℃以上に調整することにしたが、これに代えて、処理室Bと減圧室Cとの間の部分であるクリアランスシール11部分に在るガスの固相気相特性が図3の固相気相特性線図上の気相領域(GAS PHASE)に入るように、減圧室C内の圧力P2をクリアランスシール11によって調整し、さらにハウジング6の温度をヒータ15及び温度制御回路20によって調整するように構成できる。
5.ボルト、 6.ハウジング、 7a,7b.軸受
8.磁性流体シール部(シール部)、 9.回転軸(軸部材)、
11.クリアランスシール(非接触シール)、 12.開口、
13.支持板(基板支持手段)、 14.基板、 15.ヒータ、 16.通気管、
17.排気装置、 18.気体搬送管、 19.排気ポンプ、 21.バルブ、
22.コールドトラップ、 23a,23b,23c.ポールピース、
24a,24b.磁石、 26.磁性流体、 27.エッジ、 X0.軸線 δ.間隙、
A.外部領域、 B.処理室、 C.減圧室
Claims (10)
- 外部領域内に配置されており、固相化温度が圧力によって変化するガスを収容しており、室内の圧力がP1である処理室と、
該処理室に取り付けられたハウジングと、
該ハウジングの中を通って前記処理室の中に出ている軸部材と、
前記ハウジングの中であって前記軸部材の周りに設けられており前記処理室と空間的につながっている減圧室と、
該減圧室内の圧力P2が前記処理室内の圧力P1よりも低く(P1>P2)なるように制御する圧力制御手段と、
を有することを特徴とする処理装置。 - 請求項1記載の処理装置において、
前記圧力制御手段は、前記処理室と前記減圧室との間に設けられたクリアランスシールを有し、
該クリアランスシールによって前記減圧室内の圧力P2と前記処理室内の圧力P1との圧力差が保持される
ことを特徴とする処理装置。 - 請求項1又は請求項2記載の処理装置において、前記減圧室内のガスを外部へ排出する排気手段を有することを特徴とする処理装置。
- 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の処理装置において、前記ガスは塩化アンモニウムであり、前記処理室内の圧力P1は1〜1000Paであり、前記減圧室内の圧力P2は1×10−1Pa以下であることを特徴とする処理装置。
- 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の処理装置において、
前記軸部材は前記外部領域、前記減圧室、前記処理室にわたって設けられており、
前記外部領域の圧力はP3であり、
前記処理室内圧力P1、前記減圧室内圧力P2及び前記外部領域圧力P3の関係は、
P3>P1>P2
であり、
前記減圧室と前記外部領域との間にシール手段が設けられており、該シール手段は前記外部領域圧力P3と前記減圧室内圧力P2との圧力差を保持する
ことを特徴とする処理装置。 - 請求項5記載の処理装置において、前記シール手段は前記外部領域と前記減圧室とを磁性流体によって遮蔽する磁性流体シール部であることを特徴とする処理装置。
- 請求項1から請求項6のいずれか1つに記載の処理装置において、
前記処理室内の温度t1、前記処理室と前記減圧室との間の部分の前記ハウジング内の温度t2、外部領域の温度t3との関係は、
t1>t2≧t3
であることを特徴とする処理装置。 - 請求項7記載の処理装置において、
前記処理室と前記減圧室との間の部分の前記ハウジングを加熱する加熱手段を有し、
該加熱手段は前記処理室内に在るガスの固相気相特性線図上の固相気相境界線に従って、前記処理室と前記減圧室との間に在る部分の前記ハウジングの温度を、前記外部領域の温度よりも高くする
ことを特徴とする処理装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の処理装置において、
前記処理室と前記減圧室との間の部分の前記ハウジングを加熱する加熱手段を有し、
前記圧力制御手段及び前記加熱手段は、前記処理室と前記減圧室との間の部分に在るガスの固相気相特性が前記固相気相特性線図上の気相領域に入るように、それぞれ、前記減圧室内の圧力P2及び前記ハウジングの温度を調整する
ことを特徴とする処理装置。 - 外部領域内に配置されており、固相化温度が圧力によって変化するガスを収容しており、室内の圧力がP1である処理室と、
該処理室内に設けられており半導体用の基板を支持する基板支持手段と、
前記処理室に取り付けられたハウジングと、
該ハウジングの中を通って前記処理室の中に出ており、前記基板支持手段に連結された軸部材と、
該軸部材を回転駆動する回転駆動手段と、
前記ハウジングの中であって前記軸部材の周りに設けられており前記処理室と空間的につながっている減圧室と、
該減圧室内の圧力P2が前記処理室内の圧力P1よりも低く(P1>P2)なるように制御する圧力制御手段とを有し、
前記処理室内圧力P1、前記減圧室内圧力P2及び前記外部領域圧力P3の関係は、
P3>P1>P2
であり、
前記減圧室と前記外部領域との間にシール手段が設けられており、該シール手段は前記外部領域圧力P3と前記減圧室内圧力P2との圧力差を保持する、
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008268460A JP2010098164A (ja) | 2008-10-17 | 2008-10-17 | 処理装置及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008268460A JP2010098164A (ja) | 2008-10-17 | 2008-10-17 | 処理装置及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010098164A true JP2010098164A (ja) | 2010-04-30 |
JP2010098164A5 JP2010098164A5 (ja) | 2011-11-17 |
Family
ID=42259637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008268460A Pending JP2010098164A (ja) | 2008-10-17 | 2008-10-17 | 処理装置及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010098164A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321532A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2002184769A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
2008
- 2008-10-17 JP JP2008268460A patent/JP2010098164A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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JPH10321532A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
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