JP2010093214A - 固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】信号の伝送線路を単純にし、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減させると共に、信号劣化の少ない信号伝送を実現する。
【解決手段】基板102の所定の面に第1の回路部103が設けられて、当該基板102の所定の面と反対側の面に第2の回路部104が設けられて、当該第1の回路部103と当該第2の回路部104とが基板102内に設けられた同一材質の接続電極10を介して接続される。そのため、第1の回路部103と第2の回路部104の間の伝送線路が従来よりも短縮され、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。
【選択図】図1
【解決手段】基板102の所定の面に第1の回路部103が設けられて、当該基板102の所定の面と反対側の面に第2の回路部104が設けられて、当該第1の回路部103と当該第2の回路部104とが基板102内に設けられた同一材質の接続電極10を介して接続される。そのため、第1の回路部103と第2の回路部104の間の伝送線路が従来よりも短縮され、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等の画像の信号処理を行う固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システムに関するものである。
詳しくは、基板の所定の面に設けられた第1の半導体素子とその反対側の面に設けられた第2の半導体素子との間にある当該基板内に接続電極を設けることで、第1の半導体素子と第2の半導体素子との間の伝送線路が短縮されて、電気信号の劣化を低減できるようにしたものである。
近年、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等に用いられている固体撮像素子の画素数が増大している。その固体撮像素子の画素数を増大させるために、画素の高密度化のみならず画素の利用面積を拡大させている。固体撮像素子の画素の利用面積を拡大させるために、基板の所定の面に設けていた固体撮像素子及び信号処理回路のどちらか一方を当該基板の所定の面と反対側の面に設けることで、固体撮像素子の画素部の利用面積を増やす試みがなされている。
特許文献1には、基板の上面に固体撮像素子が設けられて、当該基板の下面に信号処理回路が設けられた撮像装置が開示されている。この撮像装置によれば、基板の上面に設けられている固体撮像素子は金ワイヤーを介して当該基板の上面に設けられている電極に接続されている。また、基板の下面に設けられている信号処理回路も同様に金ワイヤーを介して当該基板の下面に設けられている電極に接続されている。固体撮像素子から信号処理回路までの信号伝送は、基板表面に配設されている伝送線路及び基板内に配設されている伝送線路を経由して伝送される。
このように、特許文献1では、固体撮像素子を基板の上面に設け、信号処理回路を当該基板の下面に設けることにより、画素の利用面積を拡大することができる。しかし、信号の伝送線路が複雑なために、特に高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響によって信号の反射が生じてしまい、信号の劣化を引き起こす。
本発明は、このような課題を解決したものであって、信号の反射の影響を低減させ、伝送効率の良好な固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システムを提供することを目的とする。
上述した課題は、基板の所定の面に設けられて、入射光を電気信号に変換する第1の半導体素子と、基板の所定の面と反対側の面に設けられて、第1の半導体素子で変換された電気信号を処理する第2の半導体素子と、基板内に設けられて、第1の半導体素子と第2の半導体素子とを接続する接続電極とを備える固体撮像素子によって解決される。
本発明に係る固体撮像素子によれば、基板の所定の面に第1の半導体素子が設けられて、当該基板の所定の面と反対側の面に第2の半導体素子が設けられて、当該第1の半導体素子と当該第2の半導体素子とが基板内に設けられた接続電極を介して接続されるので、第1の半導体素子と第2の半導体素子との間の伝送線路が従来よりも短縮され、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。
本発明に係る撮像装置は、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、基板の所定の面に設けられて、光電変換部で変換された電気信号を処理する第1の回路部と、基板の所定の面と反対側の面に設けられて、第1の回路部から出力された電気信号を処理する第2の回路部と、基板内に設けられて、第1の回路部と第2の回路部とを接続する同一材質の接続電極とを備えるものである。
本発明に係る画像信号処理システムは、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、基板の所定の面に設けられて、光電変換部で変換された電気信号を処理する第1の回路部と、基板の所定の面と反対側の面に設けられて、第1の回路部から出力された電気信号を処理する第2の回路部と、基板内に設けられて、第1の回路部と第2の回路部とを接続する同一材質の接続電極とを有する撮像装置と、撮像装置から出力された電気信号を処理するデータ処理装置とを備えるものである。
本発明に係る固体撮像素子によれば、第1の半導体素子と第2の半導体素子とが基板内に設けられた接続電極を介して接続されるので、第1の半導体素子と第2の半導体素子との間の伝送線路が従来よりも短縮され、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。これにより、伝送効率の良好な固体撮像素子を提供することができる。
本発明に係る撮像装置によれば、基板を介して第1の回路部と第2の回路部とが対面しており、当該基板内に設けられた同一材質の接続電極に第1の回路部と第2の回路部とが接続されているので、第1の回路部と第2の回路部の間の伝送線路が従来よりも短縮され、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。これにより、伝送効率の良好な撮像装置を提供することができる。
本発明に係る画像信号処理システムによれば、基板を介して第1の回路部と第2の回路部とが対面しており、当該基板内に設けられた同一材質の接続電極に第1の回路部と第2の回路部とが接続される撮像装置を備えるので、第1の回路部と第2の回路部の間の伝送線路が最短距離になり、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。これにより、伝送効率の良好な画像信号処理システムを提供することができる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態とする)について説明する。なお説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(撮像装置の構成例)
2.第2の実施の形態(接続電極が斜め形状の場合)
3.第3の実施の形態(接続電極が段差形状の場合)
4.第4の実施の形態(回路部にA/D変換部及び光通信部を使用した例)
5.第5の実施の形態(マルチプレクサを使用した例 その1)
6.第6の実施の形態(マルチプレクサを使用した例 その2)
7.第7の実施の形態(面発光レーザを使用した例)
8.第8の実施の形態(電界吸収型光変調器を使用した例 その1)
9.第9の実施の形態(電界吸収型光変調器を使用した例 その2)
10.第10の実施の形態(フリップチップ実装の例)
11.第11の実施の形態(画像信号処理システムの構成例)
1.第1の実施の形態(撮像装置の構成例)
2.第2の実施の形態(接続電極が斜め形状の場合)
3.第3の実施の形態(接続電極が段差形状の場合)
4.第4の実施の形態(回路部にA/D変換部及び光通信部を使用した例)
5.第5の実施の形態(マルチプレクサを使用した例 その1)
6.第6の実施の形態(マルチプレクサを使用した例 その2)
7.第7の実施の形態(面発光レーザを使用した例)
8.第8の実施の形態(電界吸収型光変調器を使用した例 その1)
9.第9の実施の形態(電界吸収型光変調器を使用した例 その2)
10.第10の実施の形態(フリップチップ実装の例)
11.第11の実施の形態(画像信号処理システムの構成例)
<第1の実施の形態>
[撮像装置の構成例]
以下、図面を参照しながら、本発明に係る撮像装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置100の構成例を示す斜視図であり、図2は、その断面図である。図1及び図2に示す撮像装置100は、本発明に係る固体撮像素子を応用したものであり、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等に適用可能なものである。
[撮像装置の構成例]
以下、図面を参照しながら、本発明に係る撮像装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置100の構成例を示す斜視図であり、図2は、その断面図である。図1及び図2に示す撮像装置100は、本発明に係る固体撮像素子を応用したものであり、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等に適用可能なものである。
図1及び図2に示すように、撮像装置100は、光電変換部101、第1の回路部(以下、回路部103という)、第2の回路部(以下、回路部104という)及び接続電極10で構成されている。
撮像装置100は、基板102内に回路部103と回路部104を接続する接続電極10を備えており、回路部103と回路部104とが接続電極10を介して信号結合される。これにより、電気信号の伝送線路が従来よりも短縮される。
図1及び図2に示すように、シリコン等の半導体材料で作製された基板102の所定の面に光電変換部101が形成されている。光電変換部101は撮像素子とも呼ばれており、入射光を電気信号に変換する機能を有し、一般にCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)やCCD(Charge Coupled Device Image Sensor)等のイメージセンサで構成されている。
光電変換部101には回路部103が接続されており、当該回路部103は光電変換部101と同一平面上に設けられている。また、回路部103は第1の回路部の電極(以下、電極105という)を有しており、光電変換部101で変換された電気信号を当該電極105を介して、後述する接続電極10に送出する。
電極105には接続電極10が接続されている。接続電極10には基板102の厚み方向に延在する直立形状の穴が設けられて、当該穴の側壁に絶縁材(例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等)がコーティングされている。絶縁材がコーティングされた穴に同一材質の導電性の良好な金属(例えば、アルミ、銀等)を充填させたり、穴の側壁を当該金属でコーティングさせたりして当該接続電極10が直立形状に形成されている。接続電極10には回路部104が有している第2の回路部の電極(以下、電極106という)と接続されている。回路部104は電極106を介して回路部103から出力された電気信号を処理する。
次に、回路部103と回路部104の接続方法の一例を示す。図3Aは、回路部103と回路部104の接続例を示す正面断面図であり、図3Bは、その側面断面図であり、図3Cは、その下面図である。図3の回路部103は入射光を電気信号に変換する第1の半導体素子であり、回路部104は第1の半導体素子で変換された電気信号を処理する第2の半導体素子である。
図3A〜Cに示すように、回路部103を形成しているドレイン電極103aの直下には基板102に対して垂直に接続電極10が設けられて、当該ドレイン電極103aと接続電極10の一端が電気的に接続されている。更に、ドレイン電極103aの直下に回路部104を形成しているゲート電極104aが設けられて、当該ゲート電極104aと接続電極10の他端が電気的に接続されている。
このような構成により、回路部103(第1の半導体素子)と回路部104(第2の半導体素子)との間の伝送線路が最短距離になり信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。
次に、本実施の形態に係る撮像装置100の動作を説明する。図1及び図2に示すように、入射光が光電変換部101に入力されて、当該光電変換部101はその入射光を電気信号に変換する。回路部103は変換された電気信号を光電変換部101から受信して各種信号処理を行う。また、回路部103は、電極105から接続電極10を介して各種信号処理された電気信号を回路部104に送出する。回路部104は接続電極10を介して送信された電気信号を受信し各種信号処理を行う。
回路部103から送信された電気信号を回路部104が受信する例を示したが、回路部104から送信された電気信号を回路部103が受信することもできる。
次に、本実施の形態に係る撮像装置100の製造方法を説明する。図4A〜Cは、撮像装置100の組立例を示す断面図である。
図4Aに示すように、まず、光電変換部101が形成されている基板102に当該基板102の厚み方向に延在する直立形状の穴をエッチングにより形成して、当該穴の側壁に絶縁材をCVD法やスパッタ法等でコーティングさせる。その後、当該穴に同一材質の導電性材料を充填させる、又は、当該穴の側壁に同一材質の導電性材料をコーティングさせることで接続電極10を形成させる。
図4Bに示すように、接続電極10が形成された基板102の所定の面で、当該接続電極10の直上に凹部103’が設けられる。また、基板102の所定の面の反対側の面で、接続電極10の直下に凹部104’が設けられる。
図4Cに示すように、基板102の所定の面に設けられた凹部103’に、電極105を有した回路部103を嵌め込み、基板102の所定の面と反対側に設けられた凹部104’に、電極106を有した回路部104を嵌め込む。このようにして、撮像装置100を作製することができる。
このように、第1の実施の形態に係る撮像装置100によれば、回路部103と回路部104とが基板102の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極10を介して接続されるので、回路部103と回路部104の間の伝送線路が最短距離になる。そのため、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。これにより、伝送効率の良好な撮像装置100を提供することができる。
<第2の実施の形態>
[接続電極が斜め形状の場合]
図5は、第2の実施の形態に係る撮像装置100Aの構成例を示す断面図である。図5に示す撮像装置100Aは、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の接続電極を基板内で斜めに形成させたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[接続電極が斜め形状の場合]
図5は、第2の実施の形態に係る撮像装置100Aの構成例を示す断面図である。図5に示す撮像装置100Aは、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の接続電極を基板内で斜めに形成させたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図5に示すように、撮像装置100Aは、光電変換部101、第1の回路部(以下、回路部103Aという)、第2の回路部(以下、回路部104Aという)及び接続電極10Aで構成されている。
基板102Aの所定の面に形成されている回路部103Aは電極105Aを有しており、基板102Aの所定の面と反対側の面に形成されている回路部104Aは電極106Aを有している。電極105Aの電極間隔と電極106Aの電極間隔は同一ピッチではない。
電極105Aには接続電極10Aが接続されている。接続電極10Aには基板102Aの厚み方向に延在する斜め形状の穴が設けられて、当該穴の側壁に絶縁材(例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等)がコーティングされている。絶縁材がコーティングされた穴に同一材質の導電性の良好な金属(例えば、アルミ、銀等)を充填させたり、当該穴に同一材質の導電性の良好な金属(例えば、アルミ、銀等)を充填させたり、穴の側壁を当該金属でコーティングさせたりして当該接続電極10Aが斜め形状に形成されている。
このような構成により、回路部103Aから送信された電気信号は、基板102Aの厚み方向に延在する斜め形状の接続電極10Aを通って回路部104Aに伝送される。
このように、第2の実施の形態に係る撮像装置100Aによれば、基板102A内に接続電極10Aが斜め形状に形成されたものである。これにより、電極105Aと電極106Aの電極間隔が同一ピッチではなくとも接続電極10Aが接続可能であるので、電極105A,106Aの電極間隔を自由に設定することができ、回路部103A,104Aの設計範囲を広げることができる。
<第3の実施の形態>
[接続電極が段差形状の場合]
図6は、第3の実施の形態に係る撮像装置100Bの構成例を示す断面図である。図6に示す撮像装置100Bは、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の接続電極を基板内で直角に曲げて形成させたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[接続電極が段差形状の場合]
図6は、第3の実施の形態に係る撮像装置100Bの構成例を示す断面図である。図6に示す撮像装置100Bは、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の接続電極を基板内で直角に曲げて形成させたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図6に示すように、撮像装置100Bは、光電変換部101、第1の回路部(以下、回路部103Bという)、第2の回路部(以下、回路部104Bという)及び接続電極10Bで構成されている。
基板102Bの所定の面に形成されている回路部103Bは電極105Bを有しており、基板102Bの所定の面と反対側の面に形成されている回路部104Bは電極106Bを有している。電極105Bの電極間隔と電極106Bの電極間隔は同一ピッチではない。
電極105Bには接続電極10Bが接続されている。接続電極10Bには基板102Bの厚み方向に延在する段差形状の穴が設けられて、当該穴の側壁に絶縁材(例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等)がコーティングされている。絶縁材がコーティングされた穴に同一材質の導電性の良好な金属(例えば、アルミ、銀等)を充填させたり、当該穴に同一材質の導電性の良好な金属(例えば、アルミ、銀等)を充填させたり、穴の側壁を当該金属でコーティングさせたりして当該接続電極10Bが段差形状に形成されている。
このような構成により、回路部103Bから送信された電気信号は、基板102Bの厚み方向に延在する段差形状の接続電極10Bを通って回路部104Bに伝送される。
このように、第3の実施の形態に係る撮像装置100Bによれば、基板102B内の接続電極10Bが段差形状に形成されたものである。これにより、電極105Bと電極106Bの電極間隔が同一ピッチではなくとも接続電極10Bが接続可能であるので、電極105B,106Bの電極間隔を自由に設定することができ、回路部103B,104Bの設計範囲を広げることができる。
<第4の実施の形態>
[回路部にA/D変換部及び光通信部を使用した例]
図7は、第4の実施の形態に係る撮像装置200の構成例を示す断面図である。図7に示す撮像装置200は、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の回路部103にA/D変換部30を設けて、回路部104に光通信部40を設けたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部にA/D変換部及び光通信部を使用した例]
図7は、第4の実施の形態に係る撮像装置200の構成例を示す断面図である。図7に示す撮像装置200は、前述の第1の実施の形態に記載の撮像装置100の回路部103にA/D変換部30を設けて、回路部104に光通信部40を設けたものである。第1の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図7に示すように、撮像装置200は、光電変換部101、A/D変換部30、光通信部40及び接続電極20で構成されている。
光電変換部101及びA/D変換部30が基板202の所定の面に形成されている。光電変換部101にはA/D変換部30が接続されており、当該A/D変換部30は入力されたアナログ信号を信号処理してデジタル信号に変換する機能を有する。また、A/D変換部30は電極205を有しており、当該電極205を介してデジタル信号を接続電極20に送出する。電極205直下には同一材質で作製される接続電極20が垂直に接続されており、当該接続電極20は電極205からのデジタル信号を伝送する。
接続電極20には光通信部40が接続されている。光通信部40は当該光通信部40が有している電極206を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号を受信する。そして、光通信部40は受信したデジタル信号に基づいて図示しない外部装置と光通信を行う。
基板202と前記光通信部40は、フリップチップ実装によって接続されている。フリップチップ実装とは、図示しないバンプと呼ばれる半田、金及び銀等の金属材料を予め電極206又は接続電極20の一端に配置させておく。その後、基板202と光通信部40を密着させて、直接加熱したり、超音波エネルギーによる熱等を与えたりすることにより、バンプを溶解させ、基板202と光通信部40を電気的に接続させる方法である。
このように、第4の実施の形態に係る撮像装置200によれば、A/D変換部30と光通信部40とが基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介して接続されるので、A/D変換部30と光通信部40の間の伝送線路が最短距離になる。そのため、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。これにより、伝送効率の良好な撮像装置200を提供することができる。
<第5の実施の形態>
[回路部にマルチプレクサを使用した例(その1)]
図8は、第5の実施の形態に係る撮像装置200Aの構成例を示す斜視図であり、図9は、その断面図である。図8及び図9に示す撮像装置200Aは、前述の第4の実施の形態に記載の光通信部40にマルチプレクサ50Aを設け、当該マルチプレクサ50Aに光通信部40Aを接続させたものである。第4の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部にマルチプレクサを使用した例(その1)]
図8は、第5の実施の形態に係る撮像装置200Aの構成例を示す斜視図であり、図9は、その断面図である。図8及び図9に示す撮像装置200Aは、前述の第4の実施の形態に記載の光通信部40にマルチプレクサ50Aを設け、当該マルチプレクサ50Aに光通信部40Aを接続させたものである。第4の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図8及び図9に示すように、撮像装置200Aは、光電変換部101、A/D変換部30、マルチプレクサ50A、光通信部40A及び接続電極20で構成されている。
一般に、マルチプレクサとは、複数の入力信号を受信し、その入力信号を信号処理することで入力信号数より少ない数の出力信号を送出するものであり、シリアライザとしての機能も有する。撮像装置200Aにマルチプレクサ50Aを備えることで、信号伝送の最適な接続電極を実現し、光通信部40Aへの信号伝送に自由度を与えることができる。
マルチプレクサ50Aは、基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号を信号処理して、最適な接続電極数で光通信部40Aへ当該デジタル信号を送出する。マルチプレクサ50Aには当該マルチプレクサ50Aと同一平面上に光通信部40Aが接続されており、当該光通信部40Aはデジタル信号を受信する。また、光通信部40Aは、受信したデジタル信号に基づいて図示しない外部装置と光通信を行う。
また、第4の実施の形態と同様に基板202とマルチプレクサ50Aとの接続には、フリップチップ実装で接続される。
このように、第5の実施の形態に係る撮像装置200Aによれば、A/D変換部30とマルチプレクサ50とが基板202の厚み方向に延在する直立形状の接続電極20を介して接続されるので、A/D変換部30とマルチプレクサ50の間の伝送線路が最短距離になる。そのため、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好な撮像装置200Aを提供することができる。
<第6の実施の形態>
[回路部にマルチプレクサを使用した例(その2)]
図10は、第6の実施の形態に係る撮像装置200Bの構成例を示す断面図である。図10に示す撮像装置200Bは、前述の第5の実施の形態に記載のマルチプレクサの所定の面に光通信部40Bを設けることで、図8及び図9に示したマルチプレクサ50Aと光通信部40Aとの間の接続電極を削除したものである。第5の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部にマルチプレクサを使用した例(その2)]
図10は、第6の実施の形態に係る撮像装置200Bの構成例を示す断面図である。図10に示す撮像装置200Bは、前述の第5の実施の形態に記載のマルチプレクサの所定の面に光通信部40Bを設けることで、図8及び図9に示したマルチプレクサ50Aと光通信部40Aとの間の接続電極を削除したものである。第5の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図10に示すように、撮像装置200Bは、光電変換部101、A/D変換部30、マルチプレクサ50B、光通信部40B及び接続電極20で構成されている。
マルチプレクサ50Bは、基板202に対して垂直に形成される同一材質の接続電極20を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号を信号処理して、最適な接続電極数で光通信部40Bへ当該デジタル信号を送出する。マルチプレクサ50Bには当該マルチプレクサ50Bが基板202と接している面と反対側の面に光通信部40Bが設けられて、当該光通信部40Bはデジタル信号を受信する。その光通信部40Bは、受信したデジタル信号に基づいて図示しない外部装置と光通信を行う。
第5の実施の形態と同様に、基板202とマルチプレクサ50Bは、フリップチップ実装によって接続される。また、マルチプレクサ50Bと光通信部40Bも、フリップチップ実装によって接続される。
このように、第6の実施の形態に係る撮像装置200Bによれば、光通信部40Bをマルチプレクサ50Bに積層させるため、第5の実施の形態で説明した撮像装置200Aに比べ、コンパクトになる。また、マルチプレクサ50Bと光通信部40Bとの間に接続電極が不要であるので、製造コストを低減させることができる。これにより、安価で小型化された伝送効率の良好な撮像装置200Bを提供することができる。
<第7の実施の形態>
[回路部に面発光レーザを使用した例]
図11は、第7の実施の形態に係る撮像装置200Cの構成例を示す断面図である。図11に示す撮像装置200Cは、前述の第6の実施の形態に記載の光通信部40Bを面発光レーザ60に置き換えたものである。第6の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部に面発光レーザを使用した例]
図11は、第7の実施の形態に係る撮像装置200Cの構成例を示す断面図である。図11に示す撮像装置200Cは、前述の第6の実施の形態に記載の光通信部40Bを面発光レーザ60に置き換えたものである。第6の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図11に示すように、撮像装置200Cは、光電変換部101、A/D変換部30、マルチプレクサ50C、面発光レーザ60及び接続電極20で構成されている。
面発光レーザ60は、一般的な半導体レーザが半導体基板面と平行に光を共振させて、平行方向に当該光を出射させるのに対し、半導体基板面に対して垂直に光を共振させて、半導体基板面と垂直方向に当該光を出射させる。この構造から、半導体基板を劈開せずとも共振器の形成やレーザ特性の検査が可能であり、他の半導体レーザに比べて比較的安価に製造可能である。
マルチプレクサ50Cは、基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号を信号処理して、最適な接続電極数で面発光レーザ60へ当該デジタル信号を送出する。マルチプレクサ50Cには当該マルチプレクサ50Cが基板202と接している面と反対側の面に面発光レーザ60が設けられて、当該面発光レーザ60はデジタル信号を受信する。また、面発光レーザ60は、受信したデジタル信号に基づいて光信号(レーザ光)を図示しない外部装置に送信する機能を有する。
第6の実施の形態と同様に、基板202とマルチプレクサ50Cは、フリップチップ実装によって接続される。また、マルチプレクサ50Cと面発光レーザ60も、フリップチップ実装によって接続される。
このように、第7の実施の形態に係る撮像装置200Cによれば、光通信に面発光レーザ60を使用するため製造コストを低減させることができる。これにより、安価で伝送効率の良好な撮像装置200Cを提供することができる。
<第8の実施の形態>
[回路部に電界吸収型光変調器を使用した例(その1)]
図12は、第8の実施の形態に係る撮像装置200Dの構成例を示す断面図である。図12に示す撮像装置200Dは、前述の第7の実施の形態に記載のマルチプレクサ50Cを光変調部70に置き換え、面発光レーザ60を電界吸収型光変調器80に置き換えたものである。第7の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部に電界吸収型光変調器を使用した例(その1)]
図12は、第8の実施の形態に係る撮像装置200Dの構成例を示す断面図である。図12に示す撮像装置200Dは、前述の第7の実施の形態に記載のマルチプレクサ50Cを光変調部70に置き換え、面発光レーザ60を電界吸収型光変調器80に置き換えたものである。第7の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図12に示すように、撮像装置200Dは、光電変換部101、A/D変換部30、光変調部70、電界吸収型光変調器80及び接続電極20で構成されている。
光変調部70は、基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号に基づいて後述する電界吸収型光変調器80を制御する機能を有する。光変調部70には当該光変調部70が基板202と接している面と反対側の面に電界吸収型光変調器80が設けられている。
電界吸収型光変調器80は、図示しない外部装置からの連続光(例えば、レーザ光等)が当該電界吸収型光変調器80に照射され、光変調部70がA/D変換部30から受信するデジタル信号に基づき、当該電界吸収型光変調器80を制御することで、光を透過又は吸収させ、光信号として外部装置に当該光を送信する機能を有する。一般的に電界吸収型光変調器80に用いられる材料は、InGaAsP/InP系やAlGaInAs系等の化合物半導体であり、電界印加により光吸収係数が変化することを利用し、光照射のON/OFFを行い光デジタル信号を形成している。
第7の実施の形態と同様に、基板202と光変調部70は、フリップチップ実装によって接続される。また、光変調部70と電界吸収型光変調器80も、フリップチップ実装によって接続される。
このように、第8の実施の形態に係る撮像装置200Dによれば、A/D変換部30と光変調部70とが基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介して接続されるので、A/D変換部30と光変調部70の間の伝送線路が最短距離になる。そのため、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。これにより、伝送効率の良好な撮像装置200Dを提供することができる。
<第9の実施の形態>
[回路部に電界吸収型光変調器を使用した例(その2)]
図13は、第9の実施の形態に係る撮像装置200Eの構成例を示す断面図である。図13に示す撮像装置200Eは、前述の第8の実施の形態に記載の光変調部70をマルチプレクサ50Eに置き換えたものである。第8の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[回路部に電界吸収型光変調器を使用した例(その2)]
図13は、第9の実施の形態に係る撮像装置200Eの構成例を示す断面図である。図13に示す撮像装置200Eは、前述の第8の実施の形態に記載の光変調部70をマルチプレクサ50Eに置き換えたものである。第8の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図13に示すように、撮像装置200Eは、光電変換部101、A/D変換部30、マルチプレクサ50E、電界吸収型光変調器80及び接続電極20で構成されている。
マルチプレクサ50Eは、基板202に対して垂直に形成された同一材質の接続電極20を介してA/D変換部30から送出されたデジタル信号を信号処理して、最適な接続電極数で電界吸収型光変調器80へ当該デジタル信号を送出する。このマルチプレクサ50Eは、シリアライザとしての機能を有する。また、マルチプレクサ50Eは第8の実施の形態で説明した光変調部70の機能も有するので、A/D変換部30から送出されたデジタル信号に基づいて電界吸収型光変調器80を制御することができる。
マルチプレクサ50Eには当該マルチプレクサ50Eが基板202と接している面と反対側の面に電界吸収型光変調器80が設けられて、当該電界吸収型光変調器80は図示しない外部装置からの一定の光が照射され、マルチプレクサ50EがA/D変換部30から受信するデジタル信号に基づき、電界吸収型光変調器80を制御することで、光を透過又は吸収させ、光信号として外部装置に当該光を送信する機能を有する。
このように、第9の実施の形態に係る撮像装置200Eによれば、A/D変換部30とマルチプレクサ50Eとが基板202の厚み方向に延在する直立形状で同一材質の接続電極20を介して接続されるので、A/D変換部30とマルチプレクサ50Eの間の伝送線路が最短距離になる。そのため、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。これにより、伝送効率の良好な撮像装置200Eを提供することができる。
また、本実施の形態では、光変調器に電界吸収型光変調器を用いた一例を説明したが、当該電界吸収型光変調器に限定せず、光変調器には半導体マッハツェンダ、DMDミラー、液晶等を用いても良い。
<第10の実施の形態>
[フリップチップ実装の例]
図14は、第10の実施の形態に係る撮像装置300の構成例を示す断面図である。図14に示す撮像装置300は、前述の第6の実施の形態に記載の撮像装置200Bを例にとり、フリップチップ実装の一例を示したものである。第6の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
[フリップチップ実装の例]
図14は、第10の実施の形態に係る撮像装置300の構成例を示す断面図である。図14に示す撮像装置300は、前述の第6の実施の形態に記載の撮像装置200Bを例にとり、フリップチップ実装の一例を示したものである。第6の実施の形態と同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
もちろん、後述のフリップチップ実装例は撮像装置200Bのみに適用するわけではなく、前述の撮像装置100,100A,100B,200,200A,200C,200D,200E全てに適用可能である。
図14に示すように、撮像装置300は、光電変換部101、A/D変換部30、マルチプレクサ50、光通信部40、接続電極20、バンプ108、充填材109、コーティング材110で構成されている。
基板202内に設けられている接続電極20とマルチプレクサ50との間にはバンプ108が設けられている。このバンプ108は、半田、金及び銀等の金属材料が主材料であるが、副材料としてカーボンナノチューブ材料が混入されている。このカーボンナノチューブ材料を混入することでバンプ108の放熱性能を高めることができる。
また、接続電極20とマルチプレクサ50との間にはバンプ108を覆うように充填材109が設けられている。この充填材109は、熱膨張率の相違により発生する応力を制御し、接続信頼性を向上させる。充填材109は、熱応力に対して高い対応性があり、低吸湿性、かつ絶縁性の高い材料が望ましい。例えば、エポキシ樹脂等が用いられ、当該エポキシ樹脂に微小空気粒の混入を行うことで、熱伝導を制御することができる。また、この充填材109が外部からの振動や衝撃を吸収することもできる。
また、マルチプレクサ50及び光通信部40にはコーティング材110がコーディングされている。コーティング材110にはエポキシ樹脂等が用いられる。このコーティング材110をコーディングすることで、撮像装置300は高遮光性及び耐熱性を有し、電磁ノイズ等を遮断することができる。
このように、第10の実施の形態に係る撮像装置300によれば、接続電極20とマルチプレクサ50との間にはカーボンナノチューブ材料が混入されたバンプ108が用いられる。接続電極20とマルチプレクサ50との間にバンプ108を覆うように充填材109が充填される。マルチプレクサ50及び光通信部40にはコーティング材110がコーディングされる。このような構成により、遮光性や放熱性が良好で電磁ノイズを遮断できる撮像装置300を提供することができる。
<第11の実施の形態>
[画像信号処理システムの構成例]
次に前述の撮像装置を備えた画像信号処理システムについて説明していく。図15は、第11の実施の形態に係る画像信号処理システム400の構成例を示す斜視図である。図15に示す画像信号処理システム400は、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等に適用可能なものである。
[画像信号処理システムの構成例]
次に前述の撮像装置を備えた画像信号処理システムについて説明していく。図15は、第11の実施の形態に係る画像信号処理システム400の構成例を示す斜視図である。図15に示す画像信号処理システム400は、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等に適用可能なものである。
図15に示すように、画像信号処理システム400は、前述の撮像装置100、レンズ500及びデータ処理装置600で構成されている。
画像信号処理システム400は、レンズ500の所定の面に撮像装置100が設けられ、レンズ500と撮像装置100が接している面と反対側の面にデータ処理装置600が設けられている。
画像信号処理システム400は、レンズ500からの光を撮像装置100に受光させ、受光された光を当該撮像装置100によって電気信号に変換させ、変換された電気信号をデータ処理装置600にデータ処理させる。
このように、第11の実施の形態に係る画像信号処理システム400によれば、撮像装置100を備えるので、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合による信号の反射の影響が低減でき、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好な画像信号処理システム400を提供することができる。
[画像信号処理システムの応用例1(デジタルカメラ)]
図16〜図20は画像信号処理システム400の応用例を示すブロック図である。画像信号処理システム400をデジタルカメラ400Aに応用した例について説明する。図16は、デジタルカメラ400Aの構成例を示すブロック図である。
図16〜図20は画像信号処理システム400の応用例を示すブロック図である。画像信号処理システム400をデジタルカメラ400Aに応用した例について説明する。図16は、デジタルカメラ400Aの構成例を示すブロック図である。
図16に示すように、デジタルカメラ400Aは、レンズ500、撮像装置100’A及びデータ処理装置600Aで構成されている。
撮像装置100’Aは、光電変換部(以下、画素部101ともいう)、A/D変換部30、接続電極20及び光通信部40で構成されている。更に、光通信部40は、シリアルI/F41、光変調部42及び電界吸収型光変調部43で構成されている。
レンズ500には画素部101が接続され、当該画素部101はレンズ500で受光された画像を電気信号(アナログ信号)に変換する。画素部101にはA/D変換部30が接続され、当該A/D変換部30はアナログ信号をデジタル信号に変換する。A/D変換部30には接続電極20が接続され、当該接続電極20は前述の第4の実施の形態に示したように図示しない基板の厚み方向に延在する直立形状を成し、当該基板内に設けられている。この接続電極20はA/D変換部30から送信されたデジタル信号を後述のシリアルI/F41へ伝送する。
接続電極20にはシリアルI/F41が接続され、当該シリアルI/F41は受信したデジタル信号をシリアル化する。シリアルI/F41には光変調部42が接続されている。光変調部42はシリアル化されたデジタル信号を受信し、当該デジタル信号に基づいて電界吸収型光変調部43を制御することで、後述するデータ処理装置600Aを構成している光通信部130に光信号を送信する。
撮像装置100’Aには当該撮像装置100’Aの各部を制御する制御部121が設けられている。制御部121にはシステムバス124を介して、タイミング生成器(以下、TG120という)及びDC/DC部122が接続されている。また、制御部121には制御I/O123が接続されており、当該制御I/O123は後述するデータ処理装置600Aを構成している制御I/O140と各種信号通信を行う。
制御I/O123にはDC/DC部122が接続され、当該DC/DC部122はデータ処理装置600Aから電源電圧を受け取り、撮像装置100’Aを駆動させるために当該撮像装置100’Aに電源供給を行う。
TG120はタイミング信号を生成する。TG120には画素部101及びA/D変換部30が接続されている。画素部101及びA/D変換部30は当該TG120で生成されたタイミング信号によって駆動される。
次にデータ処理装置600Aについて説明する。データ処理装置600Aは、光通信部130、制御I/O140、操作部141、制御部142、電源制御部143、電源144、信号処理部145、データ保持部146及び表示部147で構成されている。更に、光通信部130は、受光部131、パラレルI/F132及び発光部133で構成されている。
光通信部130、制御I/O140、制御部142、電源制御部143、信号処理部145、データ保持部146及び表示部147は、システムバス148にそれぞれ接続されている。
光通信部130を構成している発光部133は、前述の電界吸収型光変調部43に連続光(例えば、レーザ光等)を照射する。連続光を受光した電界吸収型光変調部43は、光変調部42からの制御により、光を透過又は吸収させて光信号を生成する。電界吸収型光変調部43は生成された光信号を受光部131に送信する。受光部131はその光信号を受信し、当該光信号を電気信号に変換する。受光部131にはパラレルI/F132が接続され、当該パラレルI/F132は電気信号をパラレル化する。
信号処理部145は、光通信部130から受信したパラレル化された電気信号を信号処理して画像信号を生成する。
データ保持部146は、各種データ等を保持する機能を有し、例えば、後述する操作部141で生成された入力信号を保持したり、図示しない記憶部に予め記憶されている制御プログラムを保持したり、信号処理部145で信号処理された画像信号を保持したりする。
表示部147は、データ保持部146で保持されている制御プログラムに基づいたメニュー画面や画像信号に基づいた画像を表示する。表示部147には、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等が用いられる。
制御部142は後述する操作部141と接続され、データ処理装置600Aの各部を制御する。操作部141は、ユーザーがデジタルカメラ400Aを操作するための操作ダイヤル等が設けられる。操作部141ではユーザーによる操作ダイヤルの操作に基づいた入力信号が生成される。操作部141から送信された入力信号は制御部142によって制御される。
電源制御部143は、後述する電源144を制御する機能を有する。電源144は、データ処理装置600Aを駆動させると共に、制御I/O140を介して撮像装置100’Aに電源供給するものである。電源144には、例えば、乾電池やバッテリ等が用いられる。
制御I/O140は、撮像装置100’Aとのインタフェースであり、電源を供給したり、各種信号を送受信したりする。
図17は、デジタルカメラ400Bの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。前述のデジタルカメラ400Aとデジタルカメラ400Bの違いは、光通信部の光通信方式である。
デジタルカメラ400Aは、データ処理装置600Aの発光部133から照射させる連続光を撮像装置100’Aの電界吸収型光変調部43が受光する。電界吸収型光変調部43は、光変調部42からの制御により、受光した連続光を光信号としてデータ処理装置600Aの受光部131に送信する。
それに対して、デジタルカメラ400Bは、図17に示すように、撮像装置100’Bに光通信部40Bを構成している面発光レーザ60が設けられている。面発光レーザ60は、シリアルI/F41B及び光変調部42Bから送信されたデジタル信号に基づいて光信号をデータ処理装置600Bを構成している光通信部160の受光部161に送信する。受光部161にはパラレルI/F162が接続されており、当該受光部161は光信号を電気信号に変換してパラレルI/F162を介してデータ処理装置600Bの各部に当該電気信号を送信する。
このように、本発明に係るデジタルカメラ400A,400Bによれば、撮像装置100’A,100’Bが有しているA/D変換部30と光通信部40,40Bとが、図示しない基板内に設けられている当該基板の厚み方向に延在する直立形状の接続電極20を介して信号結合される。
これにより、A/D変換部30と光通信部40,40Bの間の伝送線路が最短距離になり、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合等の影響による信号の反射を低減でき、信号劣化の少ない信号伝送が実現できる。また、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好なデジタルカメラ400A,400Bを提供することができる。
[画像信号処理システムの応用例2(測距装置)]
次に、画像信号処理システム400を測距装置400Cに応用した例について説明する。図18は、測距装置400Cの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
次に、画像信号処理システム400を測距装置400Cに応用した例について説明する。図18は、測距装置400Cの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図18に示すように、測距装置400Cは、撮像装置100’Cに、測距対象物に光を照射する発光部126と、当該発光部126を制御する発光制御部125と、データ比較演算部30’を備える。また、データ処理装置600Cに、距離データ算出部149を備える。
測距装置400Cは、発光部126で測距対象物を照射した光の反射光が画素部101に入射され、当該画素部101から読み出された電気信号で、距離の変化に伴う位相の変化がデータ比較演算部30’で求められる。データ比較演算部30’での演算結果が光通信で撮像装置100’Cからデータ処理装置600Cに送られ、距離データ算出部149で距離が算出される。
このように、本実施の形態に係る測距装置400Cによれば、撮像装置100’Cを備えるので、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合による信号の反射の影響が低減でき、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好な測距装置400Cを提供することができる。
[画像信号処理システムの応用例3(画像形成装置)]
次に、画像信号処理システム400を画像形成装置400Dに応用した例について説明する。図19は、画像形成装置400Dの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
次に、画像信号処理システム400を画像形成装置400Dに応用した例について説明する。図19は、画像形成装置400Dの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
画像形成装置400Dは、例えば、コピー機、スキャナ、ファクシミリ装置、あるいはこれら機能を併せ持つ複合機、更にはネットワークに接続されるネットワーク複合機等である。
図19に示すように、画像形成装置400Dは、撮像装置100’Dに画素部としてラインセンサ127を備える。ラインセンサ127は、画素が1次元に配列されたものである。また、画像形成装置400Dは、画像を形成させる対象物に光を照射する露光ライト129と、当該露光ライト129を制御する発光制御部128を備える。
画像形成装置400Dは、発光制御部128で制御されて発光する露光ライト129によって対象物に光を照射する。その照射された光の反射光をレンズ500を介してラインセンサ127によって受光させる。
このように、本実施の形態に係る画像形成装置400Dによれば、撮像装置100’Dを備えるので、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合による信号の反射の影響が低減でき、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好な画像形成装置400Dを提供することができる。
[画像信号処理システムの応用例4(監視カメラ)]
次に、画像信号処理システム400を監視カメラ400Eに応用した例について説明する。図20は、監視カメラ400Eの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
次に、画像信号処理システム400を監視カメラ400Eに応用した例について説明する。図20は、監視カメラ400Eの構成例を示すブロック図である。図16に示したデジタルカメラ400Aと同じ名称及び符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略する。
図20に示すように、監視カメラ400Eは、データ処理装置600Eに、撮像装置100’Eから送られる画像を認識する認識部151と、外部に情報を報知するネットワークI/F150を備える。前述のデジタルカメラ400Aを構成している操作部141及び表示部147は監視カメラ400Eでは不要であるので、削除されている。
このように、本実施の形態に係る監視カメラ400Eによれば、撮像装置100’Eを備えるので、高速で信号の通信を行う際、特性インピーダンスの不整合による信号の反射の影響が低減でき、電磁ノイズの発生を抑制することができる。この結果、伝送効率の良好な監視カメラ400Eを提供することができる。
本実施の形態は、デジタルカメラ、測距装置、画像形成装置及び監視カメラについて開示したが、全ての点で例示であって限定されるものではない。
本発明は、デジタルカメラ、スキャナ、FAX及び複写機等の画像の信号処理を行う固体撮像素子、撮像装置及び、当該撮像装置を備えた画像信号処理システムに適用して極めて有効である。
10,10A,10B,20・・・接続電極、30・・・A/D変換部、40,40A,40B・・・光通信部、42,42B,70・・・光変調部、50,50A,50B・・・マルチプレクサ、60・・・面発光レーザ、80・・・電界吸収型光変調器、100,100A,100B,100’A,100’B,100’C,100’D,100’E,200,200A,200B,200C,200D,200E,300・・撮像装置、101・・・光電変換部、102,102A,102B,202,302・・・基板、103,103A,103B・・・第1の回路部、104,104A,104B・・・第2の回路部、105,105A,105B・・・第1の回路部の電極、106,106A,106B・・・第2の回路部の電極、400・・・画像信号処理システム、500・・・レンズ、600,600A,600B,600C,600D,600E・・データ処理装置
Claims (20)
- 基板の所定の面に設けられて、入射光を電気信号に変換する第1の半導体素子と、
前記基板の所定の面と反対側の面に設けられて、前記第1の半導体素子で変換された前記電気信号を処理する第2の半導体素子と、
前記基板内に設けられて、前記第1の半導体素子と第2の半導体素子とを接続する接続電極とを備える固体撮像素子。 - 入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
基板の所定の面に設けられて、前記光電変換部で変換された前記電気信号を処理する第1の回路部と、
前記基板の所定の面と反対側の面に設けられて、前記第1の回路部から出力された前記電気信号を処理する第2の回路部と、
前記基板内に設けられて、前記第1の回路部と前記第2の回路部とを接続する同一材質の接続電極とを備える撮像装置。 - 前記接続電極は、前記基板の厚み方向に延在する直立形状を成す請求項2に記載の撮像装置。
- 前記接続電極は、前記基板の厚み方向に延在する斜め形状又は段差形状を成す請求項2に記載の撮像装置。
- 前記第1の回路部には、
アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換部が設けられ、
前記第2の回路部には、
前記デジタル信号に基づいて光通信を行う光通信部が設けられる請求項2に記載の撮像装置。 - 基板と前記光通信部は、
フリップチップ実装によって接続される請求項5に記載の撮像装置。 - 前記第1の回路部には、
アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換部が設けられ、
前記第2の回路部には、
複数のデジタル信号を受信するマルチプレクサが設けられ、
前記マルチプレクサには、
光通信部が接続される請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光通信部と前記マルチプレクサは、
基板の所定の面に設けられる請求項7に記載の撮像装置。 - 前記光通信部は、
前記マルチプレクサに積層するように設けられる請求項7に記載の撮像装置。 - 前記マルチプレクサに接続される前記光通信部には、
面発光レーザが使用される請求項7に記載の撮像装置。 - 基板と前記マルチプレクサは、
フリップチップ実装によって接続される請求項7に記載の撮像装置。 - 前記マルチプレクサと前記光通信部は、
フリップチップ実装によって接続される請求項9に記載の撮像装置。 - 前記第1の回路部には、
アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換部が設けられ、
前記第2の回路部には、
前記デジタル信号に基づいて光の変調を制御する光変調部が設けられ、
前記光変調部には、
電界印加によって光の変調を行う電界吸収型光変調器が当該光変調部の所定の面に積層するように設けられる請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光変調部には、
複数のデジタル信号を受信し、前記デジタル信号に基づいて光の変調を制御するマルチプレクサが設けられる請求項13記載の撮像装置。 - 基板と前記光変調部は、
フリップチップ実装によって接続される請求項13に記載の撮像装置。 - 前記光変調部と前記電界吸収型光変調器は、
フリップチップ実装によって接続される請求項13に記載の撮像装置。 - 前記フリップチップ実装で用いられるバンプには、
カーボンナノチューブ材料が混入されている請求項6、11、12、15、16の何れかに記載の撮像装置。 - 前記接続電極と前記第2の回路部との接合にバンプが用いられるとき、
前記接続電極と前記第2の回路部の接合部の周辺には、エポキシ樹脂が設けられる請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第2の回路部は、
エポキシ樹脂でコーティングされる請求項2に記載の撮像装置。 - 入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
基板の所定の面に設けられて、前記光電変換部で変換された前記電気信号を処理する第1の回路部と、
前記基板の所定の面と反対側の面に設けられて、前記第1の回路部から出力された前記電気信号を処理する第2の回路部と、
前記基板内に設けられて、前記第1の回路部と前記第2の回路部とを接続する接続電極とを有する撮像装置と、
前記撮像装置から出力された前記電気信号を処理するデータ処理装置とを備える画像信号処理システム。
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---|---|---|---|
JP2008264575A JP2010093214A (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システム |
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JP2008264575A JP2010093214A (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システム |
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ID=42255634
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JP2008264575A Withdrawn JP2010093214A (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 固体撮像素子、撮像装置及び画像信号処理システム |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2010093214A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021066063A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | ||
WO2022225314A1 (ko) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | 엘지이노텍 주식회사 | Sip 모듈 |
-
2008
- 2008-10-10 JP JP2008264575A patent/JP2010093214A/ja not_active Withdrawn
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