CN217641326U - 发光器件及光电耦合器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种发光器件及光电耦合器，发光器件包括I R晶片、发光侧引线框架、第一键合丝和第二键合丝，I R晶片设置有呈矩形状设置的发光面，发光面上设置有相互连接的并且沿着发光面的长度方向排列设置的第一电极和第二电极；发光侧引线框架设置有第一焊接区域和第二焊接区域；第一键合丝两端分别电连接至第一电极和第一焊接区域；第二键合丝两端分别电连接至第二电极和第二焊接区域。当其中一条键合丝发生品质异常时，另一条键合丝仍可以保持I R晶片和发光侧引线框架之间的连通，避免光电耦合器失效，提供了双重保障，提升了品质可靠性。其次I R晶片的发光面积更大，为PT芯片的固晶位置和发光侧引线框架的设计方案带来了更多的可能性。

Description

发光器件及光电耦合器

技术领域

本实用新型实施例涉及但不限于电子元器件技术领域，尤其涉及一种发光器件及光电耦合器。

背景技术

对于光电耦合器，是指以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器件与受光器件封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器件发出光线，受光器件接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电、光、电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

具体地，现有的光电耦合器所使用的IR芯片往往为单一电极，其电极大小只能够满足焊接一根键合丝，一旦键合丝发生断裂、塌陷或者虚焊，会造成芯片电极与支架之间无法形成电路回路，导致光电耦合器电性能失效，因此，现有的光电耦合器所使用的IR芯片的键合风险大、可靠性低。其次，现有的光电耦合器的外观尺寸由于多为小面积正方体，其发光面积较小，对PT芯片的固晶位置有较大的要求。

实用新型内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本实用新型实施例提供了一种发光器件及光电耦合器，能够提高产品性能，增加生产灵活性。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种发光器件，包括：

IR晶片，设置有发光面，所述发光面呈矩形状设置，所述发光面上设置有相互连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿着所述发光面的长度方向排列设置；

发光侧引线框架，设置有第一焊接区域和第二焊接区域；

第一键合丝，一端电连接至所述第一电极，另一端电连接至所述第一焊接区域；

第二键合丝，一端电连接至所述第二电极，另一端电连接至所述第二焊接区域。

根据本实用新型实施例的发光器件，具有如下技术效果：本实用新型实施例的发光器件包括IR晶片、发光侧引线框架、第一键合丝和第二键合丝，其中，IR晶片设置有发光面，所述发光面呈矩形状设置，所述发光面上设置有相互连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿着所述发光面的长度方向排列设置；发光侧引线框架设置有第一焊接区域和第二焊接区域；第一键合丝的一端电连接至所述第一电极，另一端电连接至所述第一焊接区域；第二键合丝的一端电连接至所述第二电极，另一端电连接至所述第二焊接区域。根据本实用新型的技术方案，首先，本实用新型实施例的IR晶片的电极数量为两个，可在两个电极与发光侧引线框架之间分别进行键合，若其中一条键合丝发生品质异常如虚焊、塌陷或者断裂时，另外一条键合丝仍可以保持IR晶片和发光侧引线框架之间的连通，从而持续构成导电回路，避免光电耦合器失效，进而为光电耦合器提供了双重保障，提升了其品质可靠性。其次，本实用新型实施例的IR晶片的发光面积更大，这为PT芯片的固晶位置带来了更多的可选择性，也为受光侧引线框架的设计方案带来更多可能性。

在一些实施例中，所述发光面上还设置有电连接部，所述第一电极和所述第二电极之间通过所述电连接部电性连接。

在一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极均呈圆形状设置，所述电连接部呈矩形状设置。

在一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极沿着发光面的中心位置呈对称分布。

在一些实施例中，所述发光面的长度为所述发光面的宽度的1.5倍。

在一些实施例中，所述发光器件为红外线发光二极管。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种光电耦合器，包括受光器件和上述第一方面所述的发光器件，所述发光器件和所述受光器件设置于同一管壳内。

根据本实用新型实施例的光电耦合器，具有如下技术效果：本实用新型实施例的光电耦合器包括有发光器件，其中，发光器件包括IR晶片、发光侧引线框架、第一键合丝和第二键合丝，其中，IR晶片设置有发光面，所述发光面呈矩形状设置，所述发光面上设置有相互连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿着所述发光面的长度方向排列设置；发光侧引线框架设置有第一焊接区域和第二焊接区域；第一键合丝的一端电连接至所述第一电极，另一端电连接至所述第一焊接区域；第二键合丝的一端电连接至所述第二电极，另一端电连接至所述第二焊接区域。根据本实用新型的技术方案，首先，本实用新型实施例的IR晶片的电极数量为两个，可在两个电极与发光侧引线框架之间分别进行键合，若其中一条键合丝发生品质异常如虚焊、塌陷或者断裂时，另外一条键合丝仍可以保持IR晶片和发光侧引线框架之间的连通，从而持续构成导电回路，避免光电耦合器失效，进而为光电耦合器提供了双重保障，提升了其品质可靠性。其次，本实用新型实施例的IR晶片的发光面积更大，这为PT芯片的固晶位置带来了更多的可选择性，也为受光侧引线框架的设计方案带来更多可能性。

在一些实施例中，所述受光器件包括PT晶片和受光侧引线框架，所述PT晶片设置有第三电极，所述受光侧引线框架设置有第三焊接区域，所述第三电极和所述第三焊接区域之间通过第三键合丝进行连接。

在一些实施例中，所述管壳包括有黑胶层和白胶层，所述黑胶层包裹所述白胶层，所述受光器件和所述发光器件包裹于所述白胶层中。

在一些实施例中，所述受光器件为光敏半导体管。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型技术方案的限制。

图1是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片的示意图；

图2是图1中所示的IR晶片的俯视图；

图3是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片和引线框架之间的焊线示意图；

图4是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片和PT晶片的耦合示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，虽然在装置示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书、权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

在相关技术中，对于光电耦合器，是指以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器件与受光器件封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器件发出光线，受光器件接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电、光、电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

具体地，现有的光电耦合器所使用的IR芯片往往为单一电极，其电极大小只能够满足焊接一根键合丝，一旦键合丝发生断裂、塌陷或者虚焊，会造成芯片电极与支架之间无法形成电路回路，导致光电耦合器电性能失效，因此，现有的光电耦合器所使用的IR芯片的键合风险大、可靠性低。其次，现有的光电耦合器的外观尺寸由于多为小面积正方体，其发光面积较小，对PT芯片的固晶位置有较大的要求。

基于上述情况，本实用新型实施例提供了一种发光器件及光电耦合器，其中，光电耦合器包括有发光器件，发光器件包括IR晶片、发光侧引线框架、第一键合丝和第二键合丝，其中，IR晶片设置有发光面，所述发光面呈矩形状设置，所述发光面上设置有相互连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿着所述发光面的长度方向排列设置；发光侧引线框架设置有第一焊接区域和第二焊接区域；第一键合丝的一端电连接至所述第一电极，另一端电连接至所述第一焊接区域；第二键合丝的一端电连接至所述第二电极，另一端电连接至所述第二焊接区域。根据本实用新型的技术方案，首先，本实用新型实施例的IR晶片的电极数量为两个，可在两个电极与发光侧引线框架之间分别进行键合，若其中一条键合丝发生品质异常如虚焊、塌陷或者断裂时，另外一条键合丝仍可以保持IR晶片和发光侧引线框架之间的连通，从而持续构成导电回路，避免光电耦合器失效，进而为光电耦合器提供了双重保障，提升了其品质可靠性。其次，本实用新型实施例的IR晶片的发光面积更大，这为PT芯片的固晶位置带来了更多的可选择性，也为受光侧引线框架的设计方案带来更多可能性。

下面结合附图，对本实用新型实施例作进一步阐述。

如图1至图3所示，图1是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片100的示意图；图2是图1中所示的IR晶片100的俯视图；图3是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片100和引线框架之间的焊线示意图。

具体地，本实用新型实施例的发光器件包括IR晶片100、发光侧引线框架200、第一键合丝310和第二键合丝320，其中，IR晶片100设置有发光面110，发光面110呈矩形状设置，发光面110上设置有相互连接的第一电极111和第二电极112，第一电极111和第二电极112沿着发光面110的长度方向排列设置；发光侧引线框架200设置有第一焊接区域210和第二焊接区域220；第一键合丝310的一端电连接至第一电极111，另一端电连接至第一焊接区域210；第二键合丝320的一端电连接至第二电极112，另一端电连接至第二焊接区域220。

首先，本实用新型实施例的IR晶片100的电极数量为两个，可在两个电极与发光侧引线框架200之间分别进行键合，若其中一条键合丝发生品质异常如虚焊、塌陷或者断裂时，另外一条键合丝仍可以保持IR晶片100和发光侧引线框架200之间的连通，从而持续构成导电回路，避免光电耦合器失效，进而为光电耦合器提供了双重保障，提升了其品质可靠性。其次，本实用新型实施例的IR晶片100的发光面积更大，这为PT芯片的固晶位置带来了更多的可选择性，也为受光侧引线框架500的设计方案带来更多可能性。

值得注意的是，发光面110上还设置有电连接部113，第一电极111和第二电极112之间通过电连接部113电性连接。

另外，值得注意的是，第一电极111和第二电极112均呈圆形状设置，电连接部113呈矩形状设置。

另外，值得注意的是，第一电极111和第二电极112沿着发光面110的中心位置呈对称分布。

另外，值得注意的是，发光面110的长度为发光面110的宽度的1.5倍。

具体地，原有IR晶片100的宽度和长度均为A，本实用新型实施例的IR晶片100的长度为1.5A，宽度为A。两者宽度、高度一致。在宽度、高度不变的情况下增大晶片长度，则晶片面积增大，提高了IR晶片100的发光面积。

另外，值得注意的是，发光器件为红外线发光二极管。

具体地，本实用新型实施例将原本正方体的小面积IR晶片100，沿水平方向增大其晶片长宽尺寸，变更为长方体芯片外形。这样做的好处是增加了IR芯片的发光面积，使得在与PT芯片耦合的过程中减小了受光侧引线框架500的局限，为在受光侧引线框架500的设计，和实际生产中提供更多的固晶可选位置。

其次，由于芯片表面被拓宽，有更多的位置可供额外铺设一个电极以供焊线，即在进行IR晶片100和发光侧引线框架200键合时，在两个电极与发光侧引线框架200间分别进行键合。这样做的好处是：若其中一条键合丝发生品质异常如虚焊、塌陷、断裂时，另外一条键合丝仍可以保持IR晶片100和发光侧引线框架200之间的连通，从而持续构成导电回路，避免光电耦合器失效，进而为光电耦合器提供了双重保障，提升了其品质可靠性。

基于上述实施例的发光器件，下面提供本实用新型的光电耦合器的各种实施例。

如图4所示，图4是本实用新型的一个实施例提供的IR晶片100和PT晶片400的耦合示意图。

具体地，本实用新型的光电耦合器包括受光器件和上述任一实施例的发光器件，发光器件和受光器件设置于同一管壳内。

值得注意的是，受光器件包括PT晶片400和受光侧引线框架500，PT晶片400设置有第三电极，受光侧引线框架500设置有第三焊接区域，第三电极和第三焊接区域之间通过第三键合丝进行连接。

另外，值得注意的是，管壳包括有黑胶层和白胶层，黑胶层包裹白胶层，受光器件和发光器件包裹于白胶层中。

另外，值得注意的是，受光器件为光敏半导体管。

需要说明的是，由于本实用新型实施例的光电耦合器包括有上述任一实施例的发光器件，因此，本实用新型实施例的光电耦合器的具体实施方式和技术效果，可参照上述任一实施例的发光器件的具体实施方式和技术效果。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本实用新型权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

IR晶片，设置有发光面，所述发光面呈矩形状设置，所述发光面上设置有相互连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿着所述发光面的长度方向排列设置；

发光侧引线框架，设置有第一焊接区域和第二焊接区域；

第一键合丝，一端电连接至所述第一电极，另一端电连接至所述第一焊接区域；

第二键合丝，一端电连接至所述第二电极，另一端电连接至所述第二焊接区域。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光面上还设置有电连接部，所述第一电极和所述第二电极之间通过所述电连接部电性连接。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均呈圆形状设置，所述电连接部呈矩形状设置。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿着发光面的中心位置呈对称分布。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光面的长度为所述发光面的宽度的1.5倍。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为红外线发光二极管。

7.一种光电耦合器，其特征在于，包括受光器件和如权利要求1至6中任意一项所述的发光器件，所述发光器件和所述受光器件设置于同一管壳内。

8.根据权利要求7所述的光电耦合器，其特征在于，所述受光器件包括PT晶片和受光侧引线框架，所述PT晶片设置有第三电极，所述受光侧引线框架设置有第三焊接区域，所述第三电极和所述第三焊接区域之间通过第三键合丝进行连接。

9.根据权利要求7所述的光电耦合器，其特征在于，所述管壳包括有黑胶层和白胶层，所述黑胶层包裹所述白胶层，所述受光器件和所述发光器件包裹于所述白胶层中。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的光电耦合器，其特征在于，所述受光器件为光敏半导体管。

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