CN2904304Y - 一种平面型光电耦合装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种平面型光电耦合装置，它的电路采用平面受光耦合隔离结构，其中在发光器件与光电转换器件被固定在芯片载体的上端面上，芯片载体上方罩有弧形反光面，反光面与芯片载体之间形成由发光器至反光面，再至光电转换器件的反射光路的导光层；所述发光器件和光电转换器件分别由直流光耦或交流光耦器件组成，直流光耦器件包括电压型或电流型两种；所述的光电转换器件与外部被驱动的器件相连接。本实用新型能够满足高集成、小体积、高可靠性的混合集成电路的设计要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种采用平面受光技术的光电耦合技术。
背景技术
目前，公知的成管光耦体积大，无法满足高集成、小体积、高可靠性的混合集成电路的设计要求。另外，采用分立元器件组装的混合集成电路体积大，可靠性低。
发明内容
本实用新型目的是提供一种平面型光电耦合装置，以解决采用分立元器件组装的混合集成电路体积大、可靠性低等问题。
本实用新型所述的一种平面型光电耦合装置，它的电路采用平面受光耦合隔离结构，其中在外加电流作用下发光的发光器件与光电转换器件被固定在芯片载体的上端面上，芯片载体上方罩有弧形反光面，反光面与芯片载体之间形成由发光器至反光面，再至光电转换器件的反射光路的导光层；所述发光器件和光电转换器件分别由直流光耦或交流光耦器件组成，直流光耦器件包括电压型或电流型两种；受光激励，产生电压、电流或触发光激可控硅导通信号的光电转换器件与外部被驱动的器件相连接。
如所述的一种平面型光电耦合装置，在反光面外侧为一层遮光层。
如上所述的一种平面型光电耦合装置，对电压型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光电池阵列；对电流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光敏三极管，导电类型多为NPN型；对交流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为光激可控硅。
如上所述的一种平面型光电耦合装置，电流型光耦的发光器件、光电转换器件的导电类型为NPN型。
本实用新型克服了采用分立元器件组装的混合集成电路体积大、可靠性低等不足；本实用新型的平面光耦工艺技术突破了提高平面光耦传输效率的技术难点，使光伏型平面光耦的输出短路电流高、光电流型平面光耦传输比较高、交流型光耦灵敏度高，这样，采用这种技术将能够满足高集成、小体积、高可靠性的混合集成电路的设计要求。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案的实施例见图1：平面型光耦分为直流光耦和交流光耦。其中，直流光耦包括电压型光耦和电流型光耦两种平面光电耦合技术。平面光耦由发光器件1、光电转换器件2、芯片载体3、导光层4、反光层5、遮光层6(也可无遮光层)组成。对电压型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光电池阵列；对电流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光敏三极管，导电类型多为NPN型；对交流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为光激可控硅。
发光器件1在外加电流的作用下发光，光线通过导光胶到达反光面5，经反光面5反射后到达光电转换器件2，光电转换器件2受光激励，产生电压、电流或触发光激可控硅导通，用以驱动外部器件。
芯片载体3为绝缘基板，发光二极管芯片1、光电转换芯片2粘合在芯片载体3上，采用压焊技术将电路连接后，依次点上导光胶、反光胶和遮光胶(无遮光胶时不用点)。导光胶的成型形状决定光的反射效率即光耦合效果。当胶体的形状呈椭球形且两个芯片的中心分别在椭球的两个焦点上时，反光面的反光效果较好。
Claims (4)
1、一种平面型光电耦合装置，其特征在于：电路采用平面受光耦合隔离结构，其中在外加电流作用下发光的发光器件与光电转换器件被固定在芯片载体的上端面上，芯片载体上方罩有弧形反光面，反光面与芯片载体之间形成由发光器至反光面，再至光电转换器件的反射光路的导光层；所述发光器件和光电转换器件分别由直流光耦或交流光耦器件组成，直流光耦器件包括电压型或电流型两种；受光激励，产生电压、电流或触发光激可控硅导通信号的光电转换器件与外部被驱动的器件相连接。
2、根据权利要求1所述的一种平面型光电耦合装置，其特征在于：在反光面外侧为一层遮光层。
3、根据权利要求1所述的一种平面型光电耦合装置，其特征在于：对电压型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光电池阵列；对电流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为红外光敏三极管，导电类型多为NPN型；对交流型光耦，发光器件为红外发光二极管，光电转换器件为光激可控硅。
4、根据权利要求3所述的一种平面型光电耦合装置，其特征在于：电流型光耦的发光器件、光电转换器件的导电类型为NPN型。
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