JP2010092549A - 磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】再生素子のリードギャップの狭幅化、および加工プロセスの制御性の向上を図ることによって、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能な磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気再生ヘッド1は、下部シールド層11と磁気抵抗効果膜13Aとの間に、磁気抵抗効果膜13Aのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜17に対応したコア幅長さを有するストッパ層12を備え、ストッパ層12は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。
【選択図】図4
【解決手段】磁気再生ヘッド1は、下部シールド層11と磁気抵抗効果膜13Aとの間に、磁気抵抗効果膜13Aのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜17に対応したコア幅長さを有するストッパ層12を備え、ストッパ層12は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。
【選択図】図4
Description
本発明は、磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置に関し、さらに詳細には、リードギャップの狭幅化が可能な磁気再生ヘッドとその製造方法、および該磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置に関する。
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、磁気再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるGMR(Giant Magnetoresistance)素子、あるいは、より高い再生感度の得られるTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子等の磁気抵抗効果型再生素子(以下、「再生素子」という)を用いたヘッドが開発されている。一方、磁気記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
例えば、磁気再生ヘッドに、TMR素子のようなCPP(Current Perpendicular to the Plane)構造を備える再生素子が用いられる場合には、当該再生素子を上下から挟んで磁気シールドを行う上部シールド層および下部シールド層に関して、両層の層間距離(以下、「リードギャップ」という)が長くなると再生感度が低下する原因となるため、リードギャップを短くすることが求められる。
ここで、従来の磁気再生ヘッド(再生素子)の形成工程においては、イオンミリングのような物理的なエッチングで生じる微細粉の再付着による素子短絡を回避するため、またエッチング量をコントロールしやすいという理由から化学的にエッチングする反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)プロセスが用いられているが、エッチングストッパとして作用するストッパ層を設ける必要があり、リードギャップが長くなってしまう課題が生じていた。
その一方で、ストッパ層を設けなければ、リードギャップを短くすることが可能となるが、エッチングストッパが存在しなくなることによって、下部シールド層までエッチングされてしまい、エッチング量にバラツキが生じ、その結果、再生素子における磁区制御膜とフリー層との位置関係にバラツキが生じることとなり、素子特性にバラツキが生じてしまう課題が生じていた。
その一方で、ストッパ層を設けなければ、リードギャップを短くすることが可能となるが、エッチングストッパが存在しなくなることによって、下部シールド層までエッチングされてしまい、エッチング量にバラツキが生じ、その結果、再生素子における磁区制御膜とフリー層との位置関係にバラツキが生じることとなり、素子特性にバラツキが生じてしまう課題が生じていた。
ここで、CPP構造を備える再生素子とその製造方法に関する従来技術として、例えば、特許文献1に記載された方法等が提案されている。
本発明は、再生素子のリードギャップの狭幅化、および加工プロセスの制御性の向上を図ることによって、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能な磁気再生ヘッドを提供することを目的とする。
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
この磁気再生ヘッドは、下部シールド層と磁気抵抗効果膜との間に、該磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜に対応したコア幅長さを有するストッパ層を備え、前記ストッパ層は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成されることを要件とする。
本発明によれば、磁気再生ヘッドにおいて、再生素子の狭リードギャップ幅化が可能であると共に、加工プロセスの制御性を向上することが可能となり、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図1〜図3は本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。図4、図5は、本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッド1の構成例を示す概略図である。図6は、本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッド1の構成例を示す概略図である。図7は、本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッド1の構成例を示す概略図である。図8は、ストッパ層12の形成材料例であるNiFe−Ta(Ta:10at%)合金の磁気特性を示すグラフである。図9は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置40の例を示す概略図である。
なお、図1〜図7はいずれも磁気再生ヘッド(形成途中を含む)を浮上面側から視た図として図示している(図10〜図13についても同様)。
なお、図1〜図7はいずれも磁気再生ヘッド(形成途中を含む)を浮上面側から視た図として図示している(図10〜図13についても同様)。
先ず、図10〜図13を参照して従来の磁気再生ヘッド51の製造方法について説明する。
図10(a)に示すように、下部電極を兼ねる下部シールド層11上に、反応性イオンエッチングプロセスにおけるエッチングストッパとして作用するストッパ層52を、例えばTa(タンタル)を用いて形成し、その上に、下地層21/反強磁性層22/ピンド層23/トンネル絶縁膜24/フリー層25からなる磁気抵抗効果膜13(詳細は後述)を形成した後、その上部にTa等を用いてマスク層14を形成する。さらにマスク層14の上に、後工程で、磁気抵抗効果膜13Aとして残す領域に対応させたレジストパターン15を形成する。
ここで、従来の実施形態では、ストッパ層52として、CO系ガスによる反応性イオンエッチング耐性の大きなTa、Tiといった非磁性の金属材料、もしくは当該金属材料を含む合金が用いられていた。
図10(a)に示すように、下部電極を兼ねる下部シールド層11上に、反応性イオンエッチングプロセスにおけるエッチングストッパとして作用するストッパ層52を、例えばTa(タンタル)を用いて形成し、その上に、下地層21/反強磁性層22/ピンド層23/トンネル絶縁膜24/フリー層25からなる磁気抵抗効果膜13(詳細は後述)を形成した後、その上部にTa等を用いてマスク層14を形成する。さらにマスク層14の上に、後工程で、磁気抵抗効果膜13Aとして残す領域に対応させたレジストパターン15を形成する。
ここで、従来の実施形態では、ストッパ層52として、CO系ガスによる反応性イオンエッチング耐性の大きなTa、Tiといった非磁性の金属材料、もしくは当該金属材料を含む合金が用いられていた。
ここで、上記磁気抵抗効果膜13には、例えば、TMR膜もしくはCPP型のGMR膜等が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
TMR膜を例にとると、図10に示すように、下地層21と、反強磁性層22と、反強磁性層22により磁化が固定されているピンド層23と、外部磁界に応じて磁化回転するフリー層25と、ピンド層23とフリー層25との間に配置されるトンネル絶縁膜24とを備える。
各層の形成材料の一例として、下地層21には、Ta/Ruの2層膜が用いられ、反強磁性層22には、Mn系反強磁性材からなるIrMnが用いられる。ピンド層23には、強磁性材のCoFeが用いられる。トンネル絶縁膜24には、絶縁性材料のMgOが用いられる。フリー層25には、CoFe/NiFeの2層膜が用いられる。なお、各層は、1[nm]〜数[nm]程度の膜厚で形成される。
TMR膜を例にとると、図10に示すように、下地層21と、反強磁性層22と、反強磁性層22により磁化が固定されているピンド層23と、外部磁界に応じて磁化回転するフリー層25と、ピンド層23とフリー層25との間に配置されるトンネル絶縁膜24とを備える。
各層の形成材料の一例として、下地層21には、Ta/Ruの2層膜が用いられ、反強磁性層22には、Mn系反強磁性材からなるIrMnが用いられる。ピンド層23には、強磁性材のCoFeが用いられる。トンネル絶縁膜24には、絶縁性材料のMgOが用いられる。フリー層25には、CoFe/NiFeの2層膜が用いられる。なお、各層は、1[nm]〜数[nm]程度の膜厚で形成される。
次いで、図10(b)に示すように、レジストパターン15をマスクとしてフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングを行うことによって、マスク層14をパターニングしてマスク14Aを形成した後、レジストパターン15を除去する。
次いで、図11(a)に示すように、マスク14Aをエッチングマスクとして用いて、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって磁気抵抗効果膜13の露出部を除去する。
このとき、磁気抵抗効果膜13(ここではTMR膜)の形成材料であるNi、Fe、Coは、COと反応して沸点の低いカルボニル化合物を生成するため、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって容易に除去される。一方、下部シールド層11上のストッパ層52の形成材料であるTaは沸点の低いカルボニル化合物を生成しないことから、CO系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性が大きく、そのため、ストッパ層52の位置で反応性イオンエッチングは自動的に停止する。
しかし、上記の従来の製造方法によって製造される磁気再生ヘッド51においては、エッチングストッパとして作用する下部シールド層11上のストッパ層52が存在するため、リードギャップL1(図11(b)参照)の狭幅化に対応するのが難しいという課題が生じていた。
このとき、磁気抵抗効果膜13(ここではTMR膜)の形成材料であるNi、Fe、Coは、COと反応して沸点の低いカルボニル化合物を生成するため、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって容易に除去される。一方、下部シールド層11上のストッパ層52の形成材料であるTaは沸点の低いカルボニル化合物を生成しないことから、CO系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性が大きく、そのため、ストッパ層52の位置で反応性イオンエッチングは自動的に停止する。
しかし、上記の従来の製造方法によって製造される磁気再生ヘッド51においては、エッチングストッパとして作用する下部シールド層11上のストッパ層52が存在するため、リードギャップL1(図11(b)参照)の狭幅化に対応するのが難しいという課題が生じていた。
一方、上記課題を解決すべく、当該ストッパ層52を設けない構造とすれば、狭リードギャップ幅化は可能であるが、エッチングストッパとして作用するストッパ層が存在しなくなることによって、下部シールド層11までエッチングされてしまう等、エッチング量にバラツキが生じてしまい、その結果、再生素子における磁区制御膜17とフリー層25との位置関係にバラツキが生じて、素子特性が不安定になってしまうという課題が生じる。
より具体的には、図12(a)に示すように、マスク14Aをエッチングマスクとして用いて、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって磁気抵抗効果膜13の露出部を除去する工程に関して、仮に、下部シールド層11の上面位置まで、高精度にエッチングを行うことができれば、図12(b)に示すような所望の構造を有する磁気再生ヘッド51に形成することが可能となる。しかし、実際の加工プロセスでは、エッチングストッパを設けずにエッチング停止位置を高精度に制御することは困難であり、図13(a)に示すように、下部シールド層11の上面位置(同図中の破線位置)で、エッチングを停止させることができず、当該下部シールド層11の上部領域までエッチングしてしまう等、エッチング量にバラツキが生じ、その結果、図13(b)に示すように、磁区制御膜17とフリー層25の位置関係にバラツキが生じるため、再生素子の出力特性が不安定になってしまうのである。
より具体的には、図12(a)に示すように、マスク14Aをエッチングマスクとして用いて、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって磁気抵抗効果膜13の露出部を除去する工程に関して、仮に、下部シールド層11の上面位置まで、高精度にエッチングを行うことができれば、図12(b)に示すような所望の構造を有する磁気再生ヘッド51に形成することが可能となる。しかし、実際の加工プロセスでは、エッチングストッパを設けずにエッチング停止位置を高精度に制御することは困難であり、図13(a)に示すように、下部シールド層11の上面位置(同図中の破線位置)で、エッチングを停止させることができず、当該下部シールド層11の上部領域までエッチングしてしまう等、エッチング量にバラツキが生じ、その結果、図13(b)に示すように、磁区制御膜17とフリー層25の位置関係にバラツキが生じるため、再生素子の出力特性が不安定になってしまうのである。
続いて、本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法について説明する。
図1(a)に示すように、例えばウエハ基板等の基体20(図5参照)を積層のベースとして、下部シールド層11を形成し、当該下部シールド層11の上層に、ストッパ層12を形成する。ストッパ層12の厚さは5〜50[nm]程度であればよく、本実施形態では、10[nm]の膜厚に形成している。また、同図のように、ストッパ層12のコア幅方向の長さを、後工程において、磁気抵抗効果膜13Aのコア幅方向の両側に形成される磁区制御膜17のコア幅方向の長さに対応させ、これと同等長さ以上に形成する。
本実施形態におけるストッパ層12は、下部シールド層11、上部シールド層18(後述)と共に、磁気抵抗効果膜13(後述)の磁気的シールドを行うものであって、さらに、TMR素子のようにCPP構造を有する再生素子の電極を兼用するものである。これに加えて、後工程で実施される反応性イオンエッチングプロセスにおけるエッチングストッパとしても作用するものである。
図1(a)に示すように、例えばウエハ基板等の基体20(図5参照)を積層のベースとして、下部シールド層11を形成し、当該下部シールド層11の上層に、ストッパ層12を形成する。ストッパ層12の厚さは5〜50[nm]程度であればよく、本実施形態では、10[nm]の膜厚に形成している。また、同図のように、ストッパ層12のコア幅方向の長さを、後工程において、磁気抵抗効果膜13Aのコア幅方向の両側に形成される磁区制御膜17のコア幅方向の長さに対応させ、これと同等長さ以上に形成する。
本実施形態におけるストッパ層12は、下部シールド層11、上部シールド層18(後述)と共に、磁気抵抗効果膜13(後述)の磁気的シールドを行うものであって、さらに、TMR素子のようにCPP構造を有する再生素子の電極を兼用するものである。これに加えて、後工程で実施される反応性イオンエッチングプロセスにおけるエッチングストッパとしても作用するものである。
本実施形態に特徴的な構成として、ストッパ層12には、CO系ガスによる反応性イオンエッチングに対してエッチング耐性を有し、且つ軟磁気特性を有する軟磁性材料を用いる。ここで、「CO系ガスによる反応性イオンエッチング」には、例えばメタノールによる反応性イオンエッチングのように、発生するCOによってエッチングを行うものも当然含まれる。ただし、本発明を「CO系ガスによる反応性イオンエッチング」に限定するものではない。
また、「エッチング耐性」に関しては、反応性イオンエッチングにおいて、下部シールド層11に対するエッチング耐性が選択比2以上である材料が好適である。
また、「エッチング耐性」に関しては、反応性イオンエッチングにおいて、下部シールド層11に対するエッチング耐性が選択比2以上である材料が好適である。
上記の軟磁性材料の例として、カルボニル化合物を生成しにくい材料、もしくはカルボニル化合物の融点・沸点が高い材料との合金材料が挙げられる。すなわち、前述の通り、COと反応して沸点の低いカルボニル化合物を生成する材料は、CO系ガスによる反応性イオンエッチングによって容易に除去されてしまうため、エッチングストッパとして作用させることができない。そのため、下部シールド層11上に設けられるストッパ層12には、沸点の低いカルボニル化合物を生成せずに、CO系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性が大きい材料を用いるのである。
より具体的には、当該ストッパ層12は、NiFe、CoFe、Fe、FeSiAl、Co、Niの少なくとも一つの材料と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、C、Si、P、Biの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料を用いて形成する。また別の例として、FeCrと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Tc、Reの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料を用いて形成してもよい。
なお、本実施形態では、NiFe−Ta(Ta:10at%)合金を用いて、ストッパ層12を形成している。当該NiFe−Ta(Ta:10at%)合金は、図8に示すように、軟磁気特性を有し、且つ表1に示すように、CO系ガスによる反応性イオンエッチングのエッチング耐性において、下部シールド層11に対して選択比が2以上である特性を有する。
より具体的には、当該ストッパ層12は、NiFe、CoFe、Fe、FeSiAl、Co、Niの少なくとも一つの材料と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、C、Si、P、Biの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料を用いて形成する。また別の例として、FeCrと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Tc、Reの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料を用いて形成してもよい。
なお、本実施形態では、NiFe−Ta(Ta:10at%)合金を用いて、ストッパ層12を形成している。当該NiFe−Ta(Ta:10at%)合金は、図8に示すように、軟磁気特性を有し、且つ表1に示すように、CO系ガスによる反応性イオンエッチングのエッチング耐性において、下部シールド層11に対して選択比が2以上である特性を有する。
すなわち、従来の実施形態に係る磁気再生ヘッド51においては、ストッパ層52に非磁性材料のTaを用いていたため、リードギャップL1(図11(b)参照)が広くなってしまっていたのに対し、本実施形態に係る磁気再生ヘッド1においては、ストッパ層12を形成する材料が、軟磁気特性を有することにより、当該ストッパ層12が下部シールド層11と一体となって磁気抵抗効果膜13の磁気的シールドとして機能する効果が得られるため、リードギャップL2(図4参照)の狭幅化が可能となる。さらに、ストッパ層12を形成する材料が、反応性イオンエッチングプロセスにおけるエッチング耐性を有することにより、当該ストッパ層12がエッチングストッパとして機能する効果も得られる。
次いで、同図1(a)に示すように、ストッパ層12の上層に、磁気抵抗効果膜13を形成する。この磁気抵抗効果膜13は、多層構造を有し、後の工程において加工されて、磁気抵抗効果型再生素子(再生素子)として機能することとなる。当該再生素子として、例えば、TMR素子もしくはCPP−GMR素子等が想定されるが、その積層構造(膜構成)は、種々の構成を採用することができる。積層構造によっても異なるが、一例として、磁気抵抗効果膜13の膜厚は20〜40[nm]程度に形成する。なお、本実施形態の磁気抵抗効果膜13は、TMR膜の場合を例としており、膜構成および形成材料は前述の従来の実施形態に係る磁気再生ヘッド51の磁気抵抗効果膜13と同様である(図10参照)。
次いで、磁気抵抗効果膜13の上に、マスク層14を形成する。例えば、マスク層14は、Ta等を用いて形成する。
次いで、マスク層14の上に、例えばフォトレジストを用いてレジスト層を形成し、公知のフォトリソグラフィプロセスによって所望のレジストパターン15(ここでは、後の工程で磁気抵抗効果膜13を除去しない領域)を形成した後、当該レジストパターン15をエッチングマスクとするエッチングプロセスにより、マスク層14をエッチングする。このとき、マスク層14においてエッチングされずに残された領域がマスク14Aとなる(図1(b)参照)。
なお、例えば、当該エッチングプロセスとして、フッ素系ガスを用いる反応性イオンエッチングプロセスが採用される。
なお、例えば、当該エッチングプロセスとして、フッ素系ガスを用いる反応性イオンエッチングプロセスが採用される。
次いで、マスク14A上に残っているレジストを除去した後、マスク14AをエッチングマスクとしてCO系ガスを用いる反応性イオンエッチングによって、当該マスク14Aで覆われていない領域の磁気抵抗効果膜13を除去する(図2(a)参照)。
ここで、本工程(磁気抵抗効果膜13の所定領域を除去する工程)においては、前述の通り、ストッパ層12にCO系ガスによる反応性イオンエッチングに対してエッチング耐性を有する材料を用いていることによって、当該ストッパ層12がエッチングストッパとして作用してエッチングの進行を抑制し、後工程で形成される磁区制御膜17の領域における膜厚の変動を抑制することが可能となる。すなわち、加工プロセスの制御性を向上することが可能となり、磁気再生ヘッド1(再生素子)の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能となる。
なお、ストッパ層12はエッチングストッパとして作用させるものであることから、CO系ガスを用いる反応性イオンエッチングによって除去される磁気抵抗効果膜13の領域の下層に当該ストッパ層12を設けておく必要がある。なお、当該除去領域には後工程で絶縁膜16および磁区制御膜17が形成されることとなるため、本実施形態においては、ストッパ層12のコア幅方向の長さを、当該磁区制御膜17のコア幅方向の長さと同等長さ以上に形成すればよい。
ここで、本工程(磁気抵抗効果膜13の所定領域を除去する工程)においては、前述の通り、ストッパ層12にCO系ガスによる反応性イオンエッチングに対してエッチング耐性を有する材料を用いていることによって、当該ストッパ層12がエッチングストッパとして作用してエッチングの進行を抑制し、後工程で形成される磁区制御膜17の領域における膜厚の変動を抑制することが可能となる。すなわち、加工プロセスの制御性を向上することが可能となり、磁気再生ヘッド1(再生素子)の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能となる。
なお、ストッパ層12はエッチングストッパとして作用させるものであることから、CO系ガスを用いる反応性イオンエッチングによって除去される磁気抵抗効果膜13の領域の下層に当該ストッパ層12を設けておく必要がある。なお、当該除去領域には後工程で絶縁膜16および磁区制御膜17が形成されることとなるため、本実施形態においては、ストッパ層12のコア幅方向の長さを、当該磁区制御膜17のコア幅方向の長さと同等長さ以上に形成すればよい。
次いで、図2(b)に示すように、ストッパ層12、所定領域が除去された磁気抵抗効果膜13A、およびマスク14A上に絶縁膜16を形成する。例えば、絶縁膜16は、Al2O3等の絶縁材料を用いて、スパッタリング等により3〜10[nm]程度の厚さに形成する。
次いで、同図に示すように、絶縁膜16の上に、磁区制御膜17を形成する。例えば、磁区制御膜17は、CoPt等の磁性材料(硬磁性材)を用いて10〜30[nm]程度の厚さに形成する。
この磁区制御膜17は、磁気抵抗効果膜13Aの自由磁性層(図11(b)等参照)をコア幅方向の両側から挟んで、当該自由磁性層の磁化方向を固定する作用を生じるものである。
この磁区制御膜17は、磁気抵抗効果膜13Aの自由磁性層(図11(b)等参照)をコア幅方向の両側から挟んで、当該自由磁性層の磁化方向を固定する作用を生じるものである。
次いで、図3(a)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械的研磨)プロセスによって、磁気抵抗効果膜13A上のマスク14Aの上面が表出するまで、当該マスク14A上の磁区制御膜17、絶縁膜16を研磨除去する。なお、磁気抵抗効果膜13Aの領域の面積が基体に対して非常に小さく、圧力が集中するため、マスク14Aも一部、研磨される。
ここで、マスク14AがTaを用いて形成されている場合、CMPプロセスにおけるストッパ層としても作用させることができるため、好適である。
ここで、マスク14AがTaを用いて形成されている場合、CMPプロセスにおけるストッパ層としても作用させることができるため、好適である。
次いで、図3(b)に示すように、エッチバックプロセスによってマスク14Aと磁区制御膜17の一部(上面部)を除去して平坦化する。例えば、当該エッチバックプロセスとして、イオンミリングプロセスもしくはフッ素系ガスを用いる反応性イオンエッチングプロセス、またはその両方が採用される。
次いで、図4に示すように、磁気抵抗効果膜13A、絶縁膜16、磁区制御膜17上に、例えば、電解鍍金プロセスによって、上部シールド層18を形成する。一例として、上部シールド層は、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて形成する。
上部シールド層18は前記下部シールド層11(本実施形態ではストッパ層12も一体的にシールドとして作用する)と共に、磁気抵抗効果膜13Aの磁気的シールドを行うものであって、さらに、TMR素子のようにCPP構造の再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。
なお、その後は、浮上面の形成工程等、所定の加工工程が実施される。
上部シールド層18は前記下部シールド層11(本実施形態ではストッパ層12も一体的にシールドとして作用する)と共に、磁気抵抗効果膜13Aの磁気的シールドを行うものであって、さらに、TMR素子のようにCPP構造の再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。
なお、その後は、浮上面の形成工程等、所定の加工工程が実施される。
以上に例示される工程を経て、図4に示す積層構造を有する本実施形態に係る磁気再生ヘッド1(第一の実施形態)が形成される。
ここで、当該磁気再生ヘッド1のコア幅方向に垂直な方向の断面図(概略図)を図5に示す。なお、同図5中の符号2は、素子高さ方向に直交する面に設けられる浮上面であり、符号4は、Al2O3等からなる絶縁層である。
磁気再生ヘッド1は、ヘッドスライダとして構成された後、浮上面2によって回転する磁気記録媒体上を浮上して磁気信号の再生を行う作用を生じる。なお、当該浮上面2は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
ちなみに、磁気再生ヘッド1は、磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む(記録する)磁気記録ヘッドを備える複合型磁気ヘッドとして構成される場合もある。
ここで、当該磁気再生ヘッド1のコア幅方向に垂直な方向の断面図(概略図)を図5に示す。なお、同図5中の符号2は、素子高さ方向に直交する面に設けられる浮上面であり、符号4は、Al2O3等からなる絶縁層である。
磁気再生ヘッド1は、ヘッドスライダとして構成された後、浮上面2によって回転する磁気記録媒体上を浮上して磁気信号の再生を行う作用を生じる。なお、当該浮上面2は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
ちなみに、磁気再生ヘッド1は、磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む(記録する)磁気記録ヘッドを備える複合型磁気ヘッドとして構成される場合もある。
続いて、本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッド1の構成について説明する。
基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態に特徴的な構成として、ストッパ層12が、異なる前記軟磁性材料を用いて多層構造に形成される。
一例として、図6のように、ストッパ層12を、前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第1の軟磁性材料層12Aと、その上に前記第一の実施形態で示した軟磁性材料であって且つ第1の軟磁性材料層12Aを形成する材料とは別の材料からなる第2の軟磁性材料層12Bと、からなる多層構造に形成しても、ストッパ層12全体を一つの軟磁性材料として作用させることが可能となり、前記第一の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、例示した二層構造に限定されるものではない。
基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態に特徴的な構成として、ストッパ層12が、異なる前記軟磁性材料を用いて多層構造に形成される。
一例として、図6のように、ストッパ層12を、前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第1の軟磁性材料層12Aと、その上に前記第一の実施形態で示した軟磁性材料であって且つ第1の軟磁性材料層12Aを形成する材料とは別の材料からなる第2の軟磁性材料層12Bと、からなる多層構造に形成しても、ストッパ層12全体を一つの軟磁性材料として作用させることが可能となり、前記第一の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、例示した二層構造に限定されるものではない。
続いて、本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッド1の構成について説明する。
基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態に特徴的な構成として、ストッパ層12が、非磁性材料と前記軟磁性材料とを用いて多層構造に形成される。
一例として、図7のように、ストッパ層12を、前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第1の軟磁性材料層12Cと、その上にTa等の非磁性を有し且つ非導電性ではない材料からなる非磁性材料層12Dと、さらにその上に前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第2の軟磁性材料層12Eと、からなる多層構造に形成することによって、第1の軟磁性材料層12Cおよび第2の軟磁性材料層12Eの材質、膜厚に応じて、非磁性材料層12Dを所定の膜厚以下で形成すれば、第1の軟磁性材料層12Cと第2の軟磁性材料層12Eとが磁気的に結合するため、ストッパ層12全体を一つの軟磁性材料として作用させることが可能となり、前記第一の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、例示した三層構造に限定されるものではない。
基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態に特徴的な構成として、ストッパ層12が、非磁性材料と前記軟磁性材料とを用いて多層構造に形成される。
一例として、図7のように、ストッパ層12を、前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第1の軟磁性材料層12Cと、その上にTa等の非磁性を有し且つ非導電性ではない材料からなる非磁性材料層12Dと、さらにその上に前記第一の実施形態で示した軟磁性材料からなる第2の軟磁性材料層12Eと、からなる多層構造に形成することによって、第1の軟磁性材料層12Cおよび第2の軟磁性材料層12Eの材質、膜厚に応じて、非磁性材料層12Dを所定の膜厚以下で形成すれば、第1の軟磁性材料層12Cと第2の軟磁性材料層12Eとが磁気的に結合するため、ストッパ層12全体を一つの軟磁性材料として作用させることが可能となり、前記第一の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、例示した三層構造に限定されるものではない。
以上のように、本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッド1によれば、ストッパ層12が軟磁気特性を有して、下部シールド層11と磁気的に一体化するためリードギャップの狭幅化が可能であると共に、反応性イオンエッチングにおけるエッチングストッパとしても作用させることが可能となるため、特に磁区制御膜17形成領域に対する加工プロセスの制御性を向上させることが可能となる。その結果、再生出力特性の安定化および再生感度の向上が可能となる。
続いて、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置について説明する。
前述の磁気再生ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置、MRAM等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な情報記憶装置が実現される。
前述の磁気再生ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置、MRAM等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な情報記憶装置が実現される。
情報記憶装置の一例として、図9に示す磁気ディスク装置40は、前述の磁気再生ヘッド1および磁気記録ヘッドが、磁気記録媒体(磁気ディスク)41との間で情報の記録・再生を行うヘッドスライダ42に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ42は、ヘッドサスペンション43のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション43の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム44と、該サスペンション43および該アクチュエータアーム44上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気再生ヘッド1に電気的に接続され、当該磁気再生ヘッド1からの信号を処理する信号処理基板(不図示)とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気ディスク41が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ42がディスク面から浮上し、磁気ディスク41との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
本実施の形態に係る情報記憶装置によれば、再生感度の向上および再生出力の安定が可能な磁気再生ヘッドを用いることによって、記録密度の増加に対応することが可能であると共に出力の安定した情報記憶装置を提供することが可能となる。
以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドおよびその製造方法によれば、再生素子の狭リードギャップ幅化が可能であると共に、加工プロセスの制御性を向上することが可能となり、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能となる。
また、当該磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置は、記録密度の向上および出力特性の安定化すなわち信頼性の向上が可能となる。
また、当該磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置は、記録密度の向上および出力特性の安定化すなわち信頼性の向上が可能となる。
1、51 磁気再生ヘッド
2 浮上面
11 下部シールド層
12、52 ストッパ層
13 磁気抵抗効果膜
16 絶縁膜
17 磁区制御膜
18 上部シールド層
21 下地層
22 反強磁性層
23 ピンド層
24 トンネル絶縁膜
25 フリー層
40 情報記憶装置
2 浮上面
11 下部シールド層
12、52 ストッパ層
13 磁気抵抗効果膜
16 絶縁膜
17 磁区制御膜
18 上部シールド層
21 下地層
22 反強磁性層
23 ピンド層
24 トンネル絶縁膜
25 フリー層
40 情報記憶装置
Claims (7)
- 下部シールド層と磁気抵抗効果膜との間に、該磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜に対応したコア幅長さを有するストッパ層を備え、
前記ストッパ層は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成されること
を特徴とする磁気再生ヘッド。 - 前記ストッパ層は、前記エッチング耐性が前記下部シールド層に対して選択比2以上である材料を用いて形成されること
を特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッド。 - 前記ストッパ層は、NiFe、CoFe、Fe、FeSiAl、Co、Niの少なくとも一つの材料と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、C、Si、P、Biの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料、
または、FeCrと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Tc、Reの少なくとも一つの材料もしくは該材料を含む合金材料と、を含む材料を用いて形成されること
を特徴とする請求項1または請求項2記載の磁気再生ヘッド。 - 前記ストッパ層は、異なる前記軟磁性材料を用いて多層構造に形成されること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の磁気再生ヘッド。 - 前記ストッパ層は、非磁性材料と前記軟磁性材料とを用いて多層構造に形成されること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の磁気再生ヘッド。 - 下部シールド層上に、反応性イオンエッチングにおけるエッチング耐性が該下部シールド層に対して選択性を有する軟磁性材料を用いてストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層上に、所定の積層構造を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上にマスクを形成し、前記ストッパ層をエッチングストッパとして用いる反応性イオンエッチングによって、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気再生ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子に電流を流し、磁気記録媒体に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262826A JP2010092549A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262826A JP2010092549A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010092549A true JP2010092549A (ja) | 2010-04-22 |
Family
ID=42255112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008262826A Withdrawn JP2010092549A (ja) | 2008-10-09 | 2008-10-09 | 磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010092549A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8786988B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-07-22 | HGST Netherlands B.V. | Read sensor having a structure for reducing magnetic coupling between a magnetic bias layer and an upper magnetic shield |
-
2008
- 2008-10-09 JP JP2008262826A patent/JP2010092549A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
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US8786988B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-07-22 | HGST Netherlands B.V. | Read sensor having a structure for reducing magnetic coupling between a magnetic bias layer and an upper magnetic shield |
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